摘要:靶材通常是指濺射靶材,它是制備功能薄膜的濺射源,在特定的面上形成10nm~10μm級薄膜(特種金屬或混合金屬氧化物),進而通過后續(xù)工藝形成導(dǎo)電層、柵極、阻擋層、絕緣層和線路等。由于ZnO薄膜材料無毒,制備溫度較其他膜材料低,工藝流程簡單,可以實現(xiàn)摻雜,原材料較其他靶材易得,有非常大的成本優(yōu)勢,所以ZnO靶材的市場前景十分廣闊。本文主要討論了ZnO靶材的制備技術(shù)、應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵詞:靶材;制備技術(shù);應(yīng)用;發(fā)展趨勢
靶材通常是指濺射靶材,它是制備功能薄膜的濺射源,在特定的面上形成10nm~10μm級薄膜(特種金屬或混合金屬氧化物),進而通過后續(xù)工藝形成導(dǎo)電層、柵極、阻擋層、絕緣層和線路等。靶材濺射時工作原理如圖1所示。它是集成電路、平板顯示器(包括液晶顯示器和觸摸屏等)、薄膜太陽能電池和LED制備不可缺少的重要耗材。
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,特別是集成電路、平板顯示和薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對高純高性能金屬(合金)和氧化物陶瓷靶材的需求越來越大。TCO薄膜因其具有高導(dǎo)電性、高透光性,廣泛應(yīng)用在平板顯示、太陽能電池及發(fā)光二極管等光電領(lǐng)域中。除此之外,TCO還運用于靜電薄膜、氣敏傳感器、隱身材料、電磁波屏蔽、面發(fā)熱膜、熱反射鏡大等領(lǐng)域。目前最常采用的TCO薄膜是ITO,但由于銦是稀有金屬,全球銦探明儲量11000噸,儲量基礎(chǔ)16000噸,導(dǎo)致其價格昂貴。同時,ITO薄膜自身也有較大缺陷,比如:易被還原,高溫下透光率較低等。所以,作為ITO靶的替代靶,ZnO靶材逐漸得到重視。未摻雜的ZnO可以制備壓電薄膜,摻雜的ZnO靶材可以制備性能良好的TCO,可完全替代ITO靶材。
本文就ZnO靶材的制備技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及發(fā)展趨勢進行了綜述。
1、ZnO靶材制備技術(shù)現(xiàn)狀
低電阻率的薄膜對可見光的透過率較高,常在平板顯示中作透明電極。電阻率適中的ZnO薄膜,一般為n型半導(dǎo)體,可以與p型半導(dǎo)體一起使用構(gòu)成異質(zhì)結(jié),運用于光電領(lǐng)域;電阻率高、方向性高和壓電性好的ZnO薄膜,可用于超高頻的電聲傳感器。將Ga、Al、In或F離子中摻入ZnO靶材中,可以提高ZnO薄膜的光電性能。其中,各種摻雜中研究較多的是Al摻雜,所以對AZO薄膜的研究也較為深入。AZO薄膜主要運用于太陽能電池等光電領(lǐng)域,有較大可能解決能源危機,逐漸成為TCO薄膜中的研究熱點。
ZnO靶材制備方法除專利外公開外,公開研究文獻極少。因此以公開專利為參考,進行工藝技術(shù)說明。其過程主要包括三方面:粉末制備、成型、燒結(jié)體制備。
高質(zhì)量的靶材在濺射鍍膜時,可以有效抑制濺射異常放電的情況,靶材結(jié)瘤現(xiàn)象大大減輕,有效提升靶材的利用率;同時高質(zhì)量的靶材可以提高鍍膜速度,是制備高性能薄膜的關(guān)鍵因素之一。ZnO靶材質(zhì)量的好壞,一般可以從靶材的致密度、純度、成分組織、晶粒度和電阻率等幾個方面評價。制備高質(zhì)量的ZnO靶材可以從初始粉體和燒結(jié)工藝方面著手,選擇合適的粉體和合適的燒結(jié)工藝是制備高質(zhì)量靶材的關(guān)鍵。適合濺射的ZnO濺射靶,相對密度≥98%;晶粒尺寸為5-20μm,大小均勻,體電阻率控制在8.0×10-4Ω.cm以下。Minami T等人在ZnO靶中摻雜2 wt %的Al2O3,制備出AZO靶材并進行磁控濺射鍍膜,薄膜電阻率降至2×10-4Ω·cm,同時透光率>80%,薄膜的性能與 ITO 薄膜大致相同。除了采用CVD等制備ZnO薄膜,更多的是采用ZnO靶材濺射鍍膜。但是當(dāng)前我國還不具備制備高質(zhì)量的ZnO靶材的能力,主要還是從日韓進口。外國企業(yè)資金相對雄厚,開展相關(guān)研究較早,積累了大量技術(shù),已領(lǐng)先我國較多。比如:日本東曹株式會社在2007年的國際平板顯示技術(shù)展上,便正式展示了大尺寸的AZO靶材。同時,由于靶材產(chǎn)業(yè)是高精尖、具有較大附加值的產(chǎn)業(yè),國外長期對關(guān)鍵技術(shù)進行封鎖,加上產(chǎn)業(yè)進入門檻較高,需要國家大力支持。
2、ZnO靶材應(yīng)用
ZnO薄膜具有良好的導(dǎo)電性,可見光透光率(近90%),在近紅外區(qū)域具有較高的反射率(近80%)等優(yōu)異的性能。并且,可以通過摻雜進一步提高ZnO薄膜的性能,比如可以通過摻雜Al,制備出性能更加優(yōu)異的AZO靶材。隨著ZnO粉體和靶材的制備技術(shù)水平的逐漸提升,ZnO薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域也不斷擴寬。比如常見的液晶顯示器的屏幕,太陽能電池,電子儀器上的防靜電薄膜,氣敏傳感器、隱身材料、電磁波屏蔽、面發(fā)熱膜、熱反射鏡等。
隨著平面顯示加快向大尺寸發(fā)展,太陽能電池的大范圍使用,高層建筑物玻璃幕墻不斷增多,TCO薄膜發(fā)展前景廣闊。由于ZnO薄膜材料無毒,制備溫度較其他膜材料低,工藝流程簡單,可以實現(xiàn)摻雜,原材料較其他靶材易得,有非常大的成本優(yōu)勢,所以ZnO靶材的市場前景十分廣闊。
靶材根據(jù)不同的分類方法有不同的分類,常見的分類主要有以下3種,即根據(jù)其主要材質(zhì)分類、根據(jù)其應(yīng)用分類、根據(jù)靶材形狀進行分類。目前較為關(guān)注的是管狀靶材。傳統(tǒng)的板狀靶材濺射時利用率較低,一般只有20%左右;而管狀空心旋轉(zhuǎn)靶,利用率大大提高,可達80%[50]。
3、氧化物靶材發(fā)展趨勢
氧化物靶材發(fā)展的總體趨勢是以提高應(yīng)用性能為前提,研究靶材材料微觀組織優(yōu)化控制,追求靶材材料的純凈化、細(xì)晶化、均質(zhì)化,重點發(fā)展各種先進裝備技術(shù)和加工過程計算機模擬仿真與性能預(yù)報技術(shù)。
1、高致密化。具有高致密化的靶材,不僅導(dǎo)熱導(dǎo)電性能好,更重要的是利用該種靶材可以制備出高質(zhì)量的薄膜;濺射過程中,濺射工藝穩(wěn)定性強,尤其是可以提高鍍膜速度而不會影響成膜質(zhì)量。使用高質(zhì)量的靶材制備出的薄膜使用壽命也相對較長,使用性能較為穩(wěn)定。制備高密度靶材關(guān)鍵是降低靶材內(nèi)部的孔隙率,并對靶材晶粒度進行控制。因此,進一步提高其密度是粉末冶金燒結(jié)法制備靶材的發(fā)展趨勢。
2、晶粒細(xì)小及分布均勻、結(jié)晶取向可控。一般說來靶材晶粒越小,濺射速度越快,但現(xiàn)在常見的靶材一般多晶結(jié)構(gòu)居多,晶粒較大。濺射過程中,除了要考慮濺射速度,也要考慮成膜的均勻性。所以具有均勻小晶粒的靶材是研究的重要方向之一。在實際濺射中,最先濺射出來的是位于六方排列的原子,該方向原子排列最緊密,也最容易濺射,其結(jié)晶方向?qū)Ρ∧さ木鶆蛐院秃穸纫灿休^大影響。因此,為了提高濺射速率,需要優(yōu)化靶材結(jié)晶結(jié)構(gòu)。
3、尺寸大型化?,F(xiàn)在平板顯示除了向高分辨率方向發(fā)展,隨著技術(shù)的提升,也在向大尺寸發(fā)展。如果繼續(xù)采用小尺寸的靶材濺射薄膜,再進行拼接,由于焊縫的存在,勢必會影響薄膜的質(zhì)量,降低薄膜使用壽命,所以需要制備大尺寸靶材,直接濺射大尺寸薄膜。
4、原料粉體高純納米化、成分與組織結(jié)構(gòu)均勻化。理論上,粉體納米化可以提高顆粒之間的接觸面,燒結(jié)活性會相應(yīng)提高,利于制備高質(zhì)量靶材。在保證粉體的純度情況下,采用納米粉體制備高質(zhì)量靶材,也將是研究的新方向。鍍膜質(zhì)量的穩(wěn)定性,除了選擇合適的鍍膜工藝外,還要考慮靶材的組織均勻性以及成分與純度。
眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進,靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。目前最常采用的TCO薄膜是ITO,但由于銦是稀有金屬,全球銦探明儲量11000噸,儲量基礎(chǔ)16000噸,導(dǎo)致其價格昂貴。同時,ITO薄膜自身也有較大缺陷,比如:易被還原,高溫下透光率較低等。所以,作為ITO靶的替代靶,ZnO靶材逐漸得到重視。未摻雜的ZnO可以制備壓電薄膜,摻雜的ZnO靶材可以制備性能良好的TCO,可完全替代ITO靶材。同時,與相對于金屬靶材,ZnO陶瓷靶材具有成膜重復(fù)性好,膜層均勻易控制優(yōu)點,可以預(yù)見在不遠(yuǎn)的將來,ZnO陶瓷靶材應(yīng)用范圍會越來越廣。如何保證所制備出的ZnO靶材具有良好的導(dǎo)電率,保證所制備的靶材具有較好的濺射性能,在濺射過程中不會出現(xiàn)“結(jié)瘤”或“中毒”,值得研究人員深入研究。
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作者簡介:王凈豐(1991.03.07-),男,河南周口,助教,鄭州鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院,材料工程。
(鄭州鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院?河南省鄭州市?450000)