楊文濤, 馮則坤, 劉長華, 戴建飛
(1.華中科技大學(xué) 光電學(xué)院,湖北 武漢 430074; 2.南昌工控電裝有限公司,江西 南昌 330001)
電橋式壓力傳感器存在零點漂移和非線性誤差缺陷,因此,需要采取有效的溫度補(bǔ)償和線性補(bǔ)償措施,提高傳感器的輸出精度和線性度[1]。傳統(tǒng)的改進(jìn)橋式電路方法可以達(dá)到一定的補(bǔ)償效果[2],主要有自平衡電橋法補(bǔ)償電路[3]、雙橋法補(bǔ)償[4]、恒流源溫度補(bǔ)償電路[5]等方法,這些方法的共同缺點是單一地從硬件模擬電路角度去實現(xiàn)有限補(bǔ)償,因此補(bǔ)償精度不是很高,無法滿足一些高精度的應(yīng)用場合。目前,基于處理器的芯片式傳感器在各個領(lǐng)域中的有著廣泛的應(yīng)用,可以充分利用處理器強(qiáng)大的硬件運(yùn)算能力和靈活的軟件處理能力來彌補(bǔ)傳統(tǒng)傳感器穩(wěn)定性差、可靠性的缺陷[6],從而提高傳感器的抗干擾性和精度。在傳感器生產(chǎn)中需要對傳感器產(chǎn)品進(jìn)行標(biāo)定處理,文獻(xiàn)[7]從控制系統(tǒng)的設(shè)計角度只給出了一種常規(guī)高溫壓力傳感器的測試標(biāo)定系統(tǒng)基本方法。
本文提出了芯片式傳感器的標(biāo)定平臺方案完成芯片式單片機(jī)傳感器的批量標(biāo)定任務(wù),對傳感器進(jìn)行溫漂補(bǔ)償和非線性補(bǔ)償處理,從而實現(xiàn)芯片式壓力傳感器產(chǎn)品的批量化生產(chǎn)。
芯片式壓力傳感器是將電橋傳感器電路、前端模擬處理電路和信號調(diào)理處理器等集成在一個微小的芯片中,它能夠?qū)ξ⑷醯碾姌蛐盘栠M(jìn)行放大,再通過處理器進(jìn)行線性化和溫度偏移補(bǔ)償處理,從而消除溫漂誤差和非線性誤差,這使得芯片壓力傳感器具有極高的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
IDT公司芯片傳感器的主要組成模塊為:傳感器電橋、模擬前端、數(shù)字內(nèi)核、輔助模塊、輸出接口等,如圖1所示。其中,模擬前端包括內(nèi)置溫度傳感器、傳感器連接測量、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog to digital converter,ADC)、增益選擇PGA、輸入選擇MUX等;數(shù)字內(nèi)核包括調(diào)理處理器、非易失存儲器NVM、RAM、ROM;輸出接口包括AOUT模擬信號、OWI單線通信復(fù)用輸出接口,輔助模塊有電源管理、I2C和過壓保護(hù)。
圖1 芯片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)組成
在正常測量狀態(tài)下,傳感器的基本工作過程是將橋式傳感器的模擬信號先經(jīng)過增益放大,再經(jīng) ADC轉(zhuǎn)換將數(shù)字信號傳給調(diào)理微處理器;調(diào)理微處理器使用片上NVM的校準(zhǔn)系數(shù)對數(shù)字信號進(jìn)行補(bǔ)償與校正處理,實現(xiàn)傳感器的溫度漂移、二階非線性誤差補(bǔ)償,最后將調(diào)理好的數(shù)字信號經(jīng)過數(shù)模轉(zhuǎn)換器(digital to analog converter,DAC)轉(zhuǎn)換輸出模擬信號。
在一般情況下,橋式壓力傳感器的靈敏度輸出響應(yīng)可以采用溫度T與壓力P的二次多項式函數(shù)模型近似表示[8,9]
Vbr(P,T)=n0+n1T+n2T2+(n3P+n4P2)×
(1+n5T+n6T2)
(1)
式中Vbr為橋式傳感器輸出的電壓輸出量,從理論角度上看,它是關(guān)于壓力與溫度的多項式函數(shù),主要包含n0~n6模型系數(shù)。由式(1)可知,橋式壓力傳感器的輸出響應(yīng)與二階溫度偏移量、二階溫度增益量相關(guān),因而存在溫度漂移誤差和非線性輸出誤差。在標(biāo)定過程中,通過建立溫度增益補(bǔ)償多項式、溫度偏移補(bǔ)償多項式和壓力多項式,實現(xiàn)誤差消除處理。
溫度偏移補(bǔ)償二次多項式為
BR_TC_offset=n2·T2+n1·T1+n0
(2)
溫度增益補(bǔ)償二次多項式為
BR_TC_gain=n5·T2+n4·T1+n3
(3)
壓力標(biāo)定三次多項式為
Y=(BR_AZC+BR_TC_offset)/BR_TC_gain
P_cal=n9·Y3+n8·Y2+n7·Y1+n6
(4)
式中BR_AZC為經(jīng)過調(diào)零后對應(yīng)的傳感器電橋電壓值,Y為經(jīng)過溫度增益補(bǔ)償和溫度偏移補(bǔ)償歸一化處理的中間量,P_cal為經(jīng)過三次非線性補(bǔ)償后壓力量。
為了計算上述多項式的標(biāo)定系數(shù),標(biāo)定系統(tǒng)需要對溫度和壓力進(jìn)行多次測量和標(biāo)定,具體過程可以分為三個階段:低溫標(biāo)定、常溫標(biāo)定和高溫標(biāo)定,各階段和工序劃分如表1所示。
表1 基于二次溫度增益和補(bǔ)償?shù)娜味囗検綁毫Φ臏y量與標(biāo)定
由表1可知,在低溫標(biāo)定階段中需要測量溫度T和壓力P1,P2;常溫標(biāo)定需要測量溫度T和壓力P1~P5;高溫標(biāo)定需要測量溫度T和壓力P1,P2。表1中的壓力值、溫度值均是數(shù)字量,暫存于芯片RAM中,用于后續(xù)標(biāo)定參數(shù)的計算。
在正常工作模式下,傳感器的調(diào)理微處理器對原始電橋壓力信號的數(shù)字測量值進(jìn)行調(diào)理處理輸出對應(yīng)的線性化模擬信號。調(diào)理過程如下:
1)調(diào)零補(bǔ)償,實現(xiàn)電橋傳感器信號的自動零補(bǔ)償計算,BR_AZC=BR-BR_AZ;其中,BR,BR_AZ分別為電橋傳感器的測量電壓和調(diào)零補(bǔ)償電壓,目的是消除了零點漂移。
2)歸一化處理,目的是消除了傳感器和前端模擬輸入電路的溫度相關(guān)偏移量和增益量。即
BR_TC_offset=2-40·a1·T2+2-25·b1·T1+2-9·c1
BR_TC_gain=2-40·a2·T2+2-25·c2·T1+2-9·c2
Y=214×(BR_AZC+BR_TC_offset)/BR_TC_gain
其中,a1,b1,c1分別為多項式(2)中n2,n1,n0的轉(zhuǎn)換數(shù)字量;a2,b2,c2分別為多項式(3)中n5,n4,n3的轉(zhuǎn)換數(shù)字量。
3)執(zhí)行壓力主多項式計算,依照多項式(4)計算得到標(biāo)定測量值BR_lin,有
BR_lin=2-56·a·Y3+2-41·b·Y2+2-25·c·Y1+
d·2-9
其中,參數(shù)a,b,c,d分別對應(yīng)多項式(4)中n9,n8,n7,n6的轉(zhuǎn)換數(shù)字量。
4)輸出參考偏移和增益,實現(xiàn)對標(biāo)定測量的數(shù)據(jù)BR_lin進(jìn)行參考偏移和增益調(diào)整處理,有
BR_post_cal=214×(BR_lin+BR_offset_after_cal)/
BR_gain_after_cal)
其中,BR_offset_after_cal,BR_gain_after_cal分別為參考偏移和增益參數(shù)。
5)濾波與鉗位輸出,通過平滑濾波輸出BR_IIR并對其鉗位輸出BR_AOUT,限制調(diào)理器的DAC輸入信號的輸出范圍。
6)模擬信號輸出,BR_AOUT經(jīng)過DAC轉(zhuǎn)換輸出模擬電壓量。
圖2顯示了上述對應(yīng)的標(biāo)定和調(diào)理流程圖。
圖2 傳感器的調(diào)理流程
標(biāo)定過程將三個多項式的標(biāo)定系數(shù)n0~n9寫入芯片傳感器NVM中;調(diào)理過程是將n0~n9和其它調(diào)理參數(shù)從NVM中讀取出來以便恢復(fù)三個補(bǔ)償多項式,用于電橋信號的補(bǔ)償調(diào)理。電橋信號經(jīng)過放大、零點漂移、溫漂補(bǔ)償、非線性補(bǔ)償?shù)日{(diào)理處理,最終輸出的信號具有良好的穩(wěn)定性和線性精度,滿足實際應(yīng)用要求。
標(biāo)定平臺以IDT公司提供的傳感器信號調(diào)理通信板(sensor signal conditioner communication board,SSCCB)、批量標(biāo)定板(mass calibration board,MCB)、傳感器設(shè)備單元(device unit terminal,DUT)為基礎(chǔ),以PC端上位機(jī)為核心,集成了現(xiàn)場PLC控制單元、調(diào)溫調(diào)壓設(shè)備和平臺控制設(shè)備,實現(xiàn)了傳感器的批量自動化配置、測量、標(biāo)定和檢測等工作。
如圖3所示,標(biāo)定平臺主要包括以下幾個部分:1)SSC通信板:連接PC端上位機(jī),接收其操控指令并將指令轉(zhuǎn)發(fā)給批量標(biāo)定MCB板通信。2)MCB:接收SSC通信板的指令,連接傳感器單元DUT,對其進(jìn)行上電、芯片讀寫操作。3)傳感器單元DUT:用于批量標(biāo)定的芯片式壓力傳感器。4)PC端上位機(jī):按照IDT接口、通信命令協(xié)議,連接和管理SSC通信板和MCB,實現(xiàn)DUT的初始化配置、測量、計算、標(biāo)定等操作。此外,它采用串口通信方式控制輔助標(biāo)定設(shè)備。5)輔助標(biāo)定設(shè)備:包括PLC控制單元、變溫烘箱、可調(diào)氣壓源、控制工作臺等機(jī)械控制設(shè)備。
圖3 標(biāo)定平臺結(jié)構(gòu)組成
批量標(biāo)定是將低溫(-20 ℃)、常溫(25 ℃)、高溫(80 ℃)三個標(biāo)定階段細(xì)分為多個壓力測量工序(見表1),在每個工序中一次性地進(jìn)行多只傳感器DUT的壓力測量任務(wù),并將壓力測量值和工序狀態(tài)保存于DUT的NVM存儲單元中。當(dāng)完成所有的測量工序以后,最后進(jìn)行標(biāo)定模型補(bǔ)償多項式系數(shù)計算,獲得標(biāo)定和調(diào)理參數(shù),并將其刷寫于NVM中保存完成批量標(biāo)定。
批量標(biāo)定的基本流程如下:1)連接標(biāo)定設(shè)備,實現(xiàn)PC端上位機(jī)與SSC通信板和MCB標(biāo)定設(shè)備的通信連接和狀態(tài)檢測;2)DUT初始化,將應(yīng)用配置、芯片工作等初始化參數(shù)等寫入DUT的NVM,實現(xiàn)DUT標(biāo)定初始化;3)低溫標(biāo)定,批量放置DUT于低溫箱中,完成P1,P2,T的測量,并將測量值寫入DUT的NVM中保存;4)常溫標(biāo)定,批量放置DUT于常溫箱中,完成P1,P2,P3,P4,T的測量,并將測量值寫入DUT的NVM中保存;5)高溫標(biāo)定,批量放置DUT于高溫箱中,完成P1,P2,T的測量,并將測量值寫入DUT的NVM中保存;6)判斷DUT的標(biāo)定狀態(tài),如果步驟(3)~步驟(5)完成,PC端上位機(jī)計算補(bǔ)償多項式的系數(shù);7)保存多項式系數(shù)和調(diào)理參數(shù)于NVM存儲單元中,依次完成DUT標(biāo)定。
芯片傳感器產(chǎn)品在出廠前需要通過標(biāo)定平臺進(jìn)行標(biāo)定生產(chǎn),其目的是構(gòu)建傳感器的溫度漂移、非線性誤差的補(bǔ)償模型。在正常工作狀態(tài)下,微處理器使用這些補(bǔ)償模型進(jìn)行信號調(diào)理,最終將壓力量轉(zhuǎn)換為準(zhǔn)確、穩(wěn)定的電壓輸出信號。在標(biāo)定生產(chǎn)中,單個傳感器標(biāo)定的一般包括低溫、常溫和高溫三個階段,每個階段包括多次壓力測量工序,因而整個標(biāo)定過程繁瑣、冗長。本文設(shè)計和實現(xiàn)了批量標(biāo)定生產(chǎn)平臺,在一個工序階段可以同時對多只傳感器進(jìn)行測量和標(biāo)定。本標(biāo)定平臺系統(tǒng)在實際應(yīng)用中極大地提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,降低了成本。