同軸電纜感性脈沖電流注入試驗(yàn)仿真方法

崔志同，魏 兵，吳 偉，孫蓓云

(1.西北核技術(shù)研究所 強(qiáng)脈沖輻射模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，陜西 西安 710024；2.西安電子科技大學(xué) 物理與光電工程學(xué)院，陜西 西安 710071)

自然或人為(雷電、開(kāi)關(guān)操作、高空核爆等)產(chǎn)生的強(qiáng)電磁脈沖可在電子設(shè)備的連接電纜上耦合強(qiáng)瞬態(tài)電磁干擾，進(jìn)而影響電子設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致其損傷失效[1]。為評(píng)估電子設(shè)備的強(qiáng)電磁脈沖易損性，通常采用電磁場(chǎng)輻照或者傳導(dǎo)試驗(yàn)的方法[2]。其中，感性脈沖電流注入(Pulsed Current Injection，PCI)是一種常用的傳導(dǎo)試驗(yàn)方法，是GJB151B和GJB8848—2016等標(biāo)準(zhǔn)推薦的測(cè)試方法。感性脈沖電流注入基于磁芯變壓器的能量耦合原理，可在不破壞被試對(duì)象連接線纜物理結(jié)構(gòu)的情況下，在設(shè)備端口施加強(qiáng)瞬態(tài)電流信號(hào)以考核其抗電磁干擾能力。另外，該方法還具有成本低、操作便利、可在設(shè)備研制早期介入等優(yōu)點(diǎn)，因此在電子設(shè)備強(qiáng)瞬態(tài)電磁效應(yīng)研究中得到了廣泛應(yīng)用[3]。

為深入理解感性脈沖電流注入的物理過(guò)程，量化分析脈沖電流注入試驗(yàn)平臺(tái)中各參數(shù)變化的影響，文獻(xiàn)[3-5]開(kāi)展了感性脈沖電流注入的電路建模分析工作，并在此基礎(chǔ)上給出了一種實(shí)現(xiàn)注入與輻照等效的工程實(shí)現(xiàn)方法。但這些工作主要針對(duì)非屏蔽線纜，而未涉及在實(shí)際設(shè)備中廣泛應(yīng)用的屏蔽電纜。因此文中擬以同軸電纜為例，開(kāi)展針對(duì)屏蔽電纜的感性脈沖電流注入仿真研究工作。

目前在電磁兼容領(lǐng)域的電流注入(Bulk Current Injection，BCI)研究工作中，考慮了被試線纜為屏蔽電纜的建模仿真問(wèn)題[6-8]，如文獻(xiàn)[6]在已知電纜屏蔽層注入點(diǎn)處電流的情況下，給出了屏蔽層與芯線間耦合的Spice電路模型，用于仿真芯線電流。但這些工作以頻域仿真為主，對(duì)時(shí)域情況關(guān)注較少，同時(shí)試驗(yàn)平臺(tái)的整體建模技術(shù)研究也有所欠缺(如未將激勵(lì)源實(shí)際電路納入到模型當(dāng)中)；另外，其轉(zhuǎn)移阻抗使用簡(jiǎn)化的理論模型且未考慮散射電感為負(fù)值的問(wèn)題。這些都可能導(dǎo)致此類模型在時(shí)域的全平臺(tái)仿真時(shí)存在不收斂及精度偏低等問(wèn)題。

針對(duì)上述需求及問(wèn)題，筆者將首先分析同軸電纜感性脈沖電流注入試驗(yàn)的作用機(jī)理，并介紹相關(guān)的研究基礎(chǔ)，給出由脈沖電流注入確定的邊界條件下，轉(zhuǎn)移阻抗適用的測(cè)試方法以及屏蔽層與芯線間耦合關(guān)系的計(jì)算方程，建立一種Spice+Matlab聯(lián)合仿真方法；另外，著重解決轉(zhuǎn)移阻抗實(shí)測(cè)值的電路擬合建模以及屏蔽層與芯線耦合的Spice電路建模問(wèn)題，以建立同軸電纜感性脈沖電流注入的全Spice電路模型仿真方法。

1 同軸電纜感性PCI的基本設(shè)置及其作用機(jī)理

圖1 同軸電纜感性PCI試驗(yàn)的基本設(shè)置示意圖

同軸電纜感性脈沖電流注入試驗(yàn)的基本設(shè)置如圖1所示。主要包括脈沖源、電流注入環(huán)、受試設(shè)備、陪試設(shè)備及兩者間連接電纜；另外還包括配套的電流測(cè)試系統(tǒng)，即電流傳感器和數(shù)據(jù)采集記錄設(shè)備。其中，電流注入環(huán)為基于鐵氧體磁芯的感性耦合裝置，工作原理與變壓器一致[9]。測(cè)試系統(tǒng)中，鄰近注入環(huán)的傳感器用于測(cè)量電纜屏蔽層電流，右側(cè)的通過(guò)式傳感器用于測(cè)量電纜芯線耦合電流。

感性脈沖電流注入的電磁干擾加載過(guò)程可以分為兩步：首先，電流注入環(huán)將脈沖源輸出能量耦合到電纜屏蔽層上，可視為在注入點(diǎn)處形成一個(gè)串聯(lián)的集總電流源，其電流在屏蔽層與地組成的外部傳輸線上傳播；之后，屏蔽層電流通過(guò)轉(zhuǎn)移阻抗Zt將能量耦合到電纜芯線上，進(jìn)而在受試設(shè)備端口產(chǎn)生電磁干擾。需要說(shuō)明的是，在同軸電纜感性脈沖電流注入試驗(yàn)中，屏蔽層左右兩側(cè)末端均接地，因此轉(zhuǎn)移導(dǎo)納Yt的作用可以忽略；另外，基于電纜的良好屏蔽假設(shè)[10]，芯線通過(guò)屏蔽層耦合到外部的能量在這里也未予考慮。

與作用機(jī)理相對(duì)應(yīng)，同軸電纜感性脈沖電流注入的仿真可分為兩個(gè)部分：對(duì)于脈沖源到屏蔽層的電流耦合，可以使用Spice電路建模的方法，這便于建立包含脈沖源實(shí)際內(nèi)部電路的脈沖電流注入完整模型；對(duì)于電纜屏蔽層到芯線的耦合，可以選擇利用Matlab進(jìn)行解析計(jì)算或者Spice電路建模的方式?？紤]到電子設(shè)備面臨的主要強(qiáng)瞬態(tài)電磁傳導(dǎo)環(huán)境，以及感性脈沖電流注入的適用范圍，在仿真研究過(guò)程中，以100 MHz為脈沖頻率范圍上限[11]。

2 同軸電纜感性PCI仿真研究基礎(chǔ)

2.1 電纜屏蔽層PCI的Spice電路仿真

將電纜屏蔽層視為對(duì)地傳輸單線，按照文獻(xiàn)[4]所述方法建立如圖2所示的電路模型，即可仿真得到屏蔽層在脈沖電流注入試驗(yàn)中的耦合電流。該模型主要包括脈沖電流源、電流注入環(huán)、被試線纜及負(fù)載，以及環(huán)電路與被試線纜及負(fù)載間的耦合電路。其中，脈沖源通常采取方波、雙指數(shù)波及衰減振蕩波等形式；電流注入環(huán)采用基于電阻電感電容(RLC)網(wǎng)絡(luò)的時(shí)域集總參數(shù)等效電路模型，各參數(shù)值通過(guò)對(duì)注入環(huán)端口阻抗測(cè)試結(jié)果的擬合來(lái)求解；被試線纜使用Spice的無(wú)損傳輸線模型進(jìn)行表征，線纜末端負(fù)載RL、RR可設(shè)為1 mΩ(近似于良好接地)。

圖2 電纜屏蔽層感性PCI電路模型

圖3 雙指數(shù)波脈沖源電路模型

以RLC回路構(gòu)成的雙指數(shù)波脈沖源為例開(kāi)展研究工作，其工作原理和電路模型如圖3所示，主要包括了充電回路和放電回路兩部分。脈沖源工作時(shí)，開(kāi)關(guān)SW首先擲向左側(cè)，將充電回路導(dǎo)通，高壓直流源VDC通過(guò)充電電阻Rc給主電容C0充電；之后，開(kāi)關(guān)SW切換至由C0、內(nèi)阻R0以及雜散電感L0構(gòu)成的放電回路一側(cè)，并經(jīng)電纜T0傳輸至負(fù)載ZLS形成脈沖輸出。

2.2 轉(zhuǎn)移阻抗的獲取方法

轉(zhuǎn)移阻抗是電纜屏蔽層和芯線耦合的關(guān)鍵參數(shù)。由于電纜屏蔽層編織網(wǎng)的非均勻性，以及外部電磁場(chǎng)耦合到芯線的復(fù)雜性，使電纜轉(zhuǎn)移阻抗的建模通常比較困難。測(cè)量是獲取轉(zhuǎn)移阻抗最為可靠的方法[10]。常用的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試方法包括三同軸法、線注入法、電流探針?lè)ǖ取Ｆ渲?，三同軸法中的短路-短路法操作相對(duì)快速、簡(jiǎn)便，且適用頻率范圍能夠滿足感性脈沖電流注入仿真需求[12-14]。

短路-短路測(cè)試法的基本原理如圖4所示。選取一定長(zhǎng)度的電纜樣品，在其外絕緣皮上再套一層編織網(wǎng)；將被測(cè)電纜左側(cè)芯線與屏蔽層相連，同時(shí)以外套屏蔽層為參考地，連接至矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口1(Port 1)；將右側(cè)屏蔽層與外套屏蔽層相連并作為參考地，將其與芯線連接至矢網(wǎng)的端口2(Port 2)。根據(jù)測(cè)試得到的S21參數(shù)推導(dǎo)電纜單位長(zhǎng)度轉(zhuǎn)移阻抗的計(jì)算方程[13]可表示為

Zt=RvS21/lc，

(1)

其中，Rv為矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀內(nèi)阻，lc為被試線纜長(zhǎng)度。

對(duì)于電纜測(cè)試樣品尺寸，一方面應(yīng)滿足電小條件；另一方面也需考慮尺寸問(wèn)題，尺寸越小，由連接頭等帶來(lái)的測(cè)量誤差越大?；谏鲜鲆蛩兀梢园凑誰(shuí)c=10 cm進(jìn)行樣品制備，該長(zhǎng)度滿足以100 MHz為頻率上限的同軸電纜脈沖電流注入仿真需求(lc?c/f，c為光速，f為上限頻率)。

圖4 轉(zhuǎn)移阻抗短路-短路測(cè)試方法示意圖

2.3 電纜屏蔽層與芯線間的耦合

與轉(zhuǎn)移阻抗一致，電纜屏蔽層耦合到芯線間的耦合電流也采用頻域形式進(jìn)行求解和表征[15]。

(1) 計(jì)算電纜屏蔽層上的分布電流Iout。設(shè)定在以電纜左側(cè)為0點(diǎn)的位置坐標(biāo)中(自左至右為x正向)，注入點(diǎn)x位于d處，電纜長(zhǎng)度為lw。脈沖源通過(guò)注入環(huán)在注入點(diǎn)處形成的電流為Iinj。屏蔽層兩側(cè)末端接地。則注入點(diǎn)左側(cè)Iout=IL時(shí)，可用下式表示：

(2)

在注入點(diǎn)右側(cè)Iout=IR時(shí)，可用下式表示：

(3)

其中，β0為屏蔽層與地組成傳輸線的傳播常數(shù)，β0=2πf/c。

(2) 計(jì)算屏蔽層電流在芯線上產(chǎn)生的分布激勵(lì)源。由于忽略了轉(zhuǎn)移導(dǎo)納的影響，只需考慮轉(zhuǎn)移阻抗Zt形成的電壓源，即

VTin(x)=ZtIout(x) 。

(4)

(3) 求解電纜芯線的終端響應(yīng)。按照傳輸線方程，芯線的終端響應(yīng)可表示為

(5)

(6)

其中，Zcin為電纜的特征阻抗；βin為芯線與屏蔽層組成傳輸線的傳播常數(shù)，可表示為

βin=2πfεr1/2/c，

(7)

其中，εr為電纜絕緣層的相對(duì)介電常數(shù)。

在芯線末端負(fù)載RL、RR已知的情況下，便可建立Vin(0)和Iin(0)、Vin(lw)和Iin(lw)間的關(guān)系：

(8)

(9)

最后利用式(2)～(9)，即可求得注入點(diǎn)電流Iinj耦合到芯線末端負(fù)載的頻域電壓Vin、電流Iin。

3 Spice+Matlab聯(lián)合仿真方法

依據(jù)同軸電纜感性脈沖電流注入的作用機(jī)理，可以采用Spice+Matlab程序?qū)ζ溥M(jìn)行建模仿真。使用Spice仿真得到電纜屏蔽層電流，再利用Matlab計(jì)算得到芯線末端耦合電流、電壓。具體仿真過(guò)程如圖5所示。

圖5 Spice+Matlab程序聯(lián)合仿真方法

首先將電纜屏蔽層視為傳輸單線，利用脈沖電流注入的基本電路模型(如圖2所示)仿真得到其屏蔽層電流I(t)，通過(guò)傅里葉變換得到對(duì)應(yīng)的頻域電流Iout；通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試獲取電纜轉(zhuǎn)移阻抗Zt，并將Iout、Zt的頻點(diǎn)進(jìn)行處理以使其一致；然后利用式(2)～(4)計(jì)算得到轉(zhuǎn)移阻抗在芯線上形成的電壓源VTin；之后利用芯線與屏蔽層間的傳輸線方程式(5)～(9)計(jì)算出芯線末端頻域耦合電壓Vin；最后在對(duì)頻域數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波等數(shù)據(jù)處理后，進(jìn)行傅里葉逆變換，得到芯線耦合電壓的時(shí)域值V(t)。

4 全Spice電路仿真方法

Spice+Matlab聯(lián)合仿真的方法在求解電纜屏蔽層與芯線間耦合時(shí)采用了頻域方程，因此不便于處理受試設(shè)備端口為非線性或時(shí)變負(fù)載的情況。為此，研究了同軸電纜感性脈沖電流注入的全Spice電路仿真方法，主要實(shí)現(xiàn)途徑為：在電纜屏蔽層脈沖電流注入電路模型的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步建立轉(zhuǎn)移阻抗的擬合電路模型、屏蔽層與芯線間耦合的集總近似電路模型，形成一種全Spice電路仿真模型。

4.1 轉(zhuǎn)移阻抗的等效電路模型

目前同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗的電路表征方法主要基于其常用的理論計(jì)算模型(Zt=Rdc+jωLt)，采用電阻與電感串聯(lián)的形式[10，15]。這一方法存在的主要問(wèn)題有兩個(gè)：一是在電纜屏蔽層編制角小于45°時(shí)，編織網(wǎng)孔電感為負(fù)值，在Spice電路中不能直接用電感表示；二是實(shí)測(cè)的轉(zhuǎn)移阻抗往往較為復(fù)雜，難以用簡(jiǎn)單的電阻與電感串聯(lián)模型進(jìn)行表征，無(wú)法在電路模型中有效地使用測(cè)試數(shù)據(jù)以提高仿真精度。

對(duì)于轉(zhuǎn)移阻抗存在負(fù)值電感的問(wèn)題，可以應(yīng)用電路響應(yīng)等效原理解決。如圖6(a)所示，通過(guò)電壓控制電壓源和電流控制電流源的轉(zhuǎn)換作用，右側(cè)端口的電壓值與電感Ln上的電壓值大小相等，方向相同；電流值與電感Ln上的電流值大小相等，方向相反。因此從右側(cè)端口看，該電路模型相當(dāng)于一個(gè)負(fù)值電感-Ln。

對(duì)于轉(zhuǎn)移阻抗實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的電路擬合問(wèn)題，可通過(guò)在基本模型基礎(chǔ)上增加優(yōu)化電路的方法來(lái)解決。根據(jù)轉(zhuǎn)移阻抗的特性，優(yōu)化可分別針對(duì)轉(zhuǎn)移電感、基本模型進(jìn)行，即并聯(lián)優(yōu)化電路ZL_op和Zt_op，如圖6(b)所示。與電流注入環(huán)的優(yōu)化電路模型相似，ZL_op和Zt_op可采用RLC串聯(lián)電路的方法，其中若涉及到負(fù)值電阻或電容，其處理方式與負(fù)值電感電路一致。需要注意的是，在采用多級(jí)優(yōu)化電路以提高擬合精度的同時(shí)，也應(yīng)避免出現(xiàn)因電路復(fù)雜度提高而導(dǎo)致的仿真收斂性問(wèn)題。

(a) 負(fù)值電感模型

(b) 轉(zhuǎn)移阻抗擬合模型

4.2 屏蔽層與芯線耦合的集總近似電路模型

按照傳輸線的集總近似原理[16]，將電纜分為若干滿足電小條件的線段，每段屏蔽層電流通過(guò)轉(zhuǎn)移阻抗在芯線上形成一個(gè)電壓源，再將各線段串聯(lián)之后便可建立起芯線末端耦合電壓的電路仿真模型。該模型在Spice中的具體實(shí)現(xiàn)方式為：首先，將受試電纜屏蔽層與地構(gòu)成的傳輸線分為n段，并利用電流控制電壓源提取各段間的電流In，如圖7(a)所示，其中注入點(diǎn)位于第m段和m+1段之間；之后，利用電壓控制電流源GVALUE和電壓控制電壓源EVALUE，構(gòu)建轉(zhuǎn)移阻抗在對(duì)應(yīng)各段芯線上形成的電壓源，其值設(shè)為InZt_eqlw/n；最后，將該電壓源加入芯線與屏蔽層傳輸線的分段模型中，如圖7(b)所示。與電纜轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試樣品長(zhǎng)度一致，屏蔽層與芯線耦合的集總近似電路也可按10 cm長(zhǎng)度進(jìn)行分段，對(duì)應(yīng)的頻率上限大于 100 MHz，能夠滿足感性脈沖電流注入仿真需求。

將圖3所示脈沖源電路、圖2所示電流注入環(huán)初級(jí)與次級(jí)耦合電路部分、圖7所示屏蔽層與芯線間耦合電路進(jìn)行整合，即可得到同軸電纜感性脈沖電流注入的全Spice電路模型。

(a) 屏蔽層-地傳輸線模型

(b) 屏蔽層-芯線耦合模型

5 仿真方法驗(yàn)證

針對(duì)上述兩種方法開(kāi)展數(shù)值和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，基本設(shè)置為：① 脈沖源輸出為雙指數(shù)波，電路模型如圖3所示，放電回路參數(shù)C0=5.6 nF，R0=50 Ω，L0≈0.15 μH；② 被試同軸電纜型號(hào)為RG 58，長(zhǎng)度lw=0.6 m，架高h(yuǎn)w=67.5 mm，注入環(huán)位于線纜中點(diǎn)，對(duì)應(yīng)圖2模型中無(wú)損傳輸線TR、TL的特征阻抗Zcout=257 Ω，延遲時(shí)間τcout=1.15 ns，芯線末端負(fù)載RinL=RinR=50 Ω；③ 電流注入環(huán)為FCC生產(chǎn)的F-120-6型，標(biāo)稱帶寬10 kHz～400 MHz，對(duì)應(yīng)圖2模型中電流注入環(huán)模型參數(shù)[4]Leq=40 μH，Req=280 Ω，Ceq=5.5 pF；Rop1～6=80、350、500、650、2 800、30 Ω，Lop1～6=80、80、40、10、6、0 μH，Cop1～6=109、4.2、1、1、1、9×10-3nF；④ 按照?qǐng)D4所示設(shè)置制備和測(cè)量被試電纜的轉(zhuǎn)移阻抗，并按圖6所示模型對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行擬合(試錯(cuò)法)，得到模型各參數(shù)值，其中Rdc=12.5 mΩ，Lt=-2.5 nH，ZL_op由-40 mΩ電阻和-0.7 nH電感串聯(lián)而成，Zt_op由-0.4 Ω電阻和0.25 nH電感串聯(lián)而成；⑤ 在屏蔽層與芯線耦合的集總近似電路模型中，每段傳輸線長(zhǎng)度為10 cm，Tn延遲時(shí)間為0.33 ns，Tinn延遲時(shí)間為0.5 ns；⑥ 配套測(cè)試設(shè)備，電流測(cè)試傳感器為Person公司產(chǎn)品，屏蔽層電流傳感器型號(hào)為8585 C，帶寬為1.5 kHz～200 MHz；芯線電流傳感器型號(hào)為6027，帶寬為1 kHz～250 MHz。

圖8 電纜屏蔽層耦合電流的仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果

首先，對(duì)電纜屏蔽層耦合電流電路模型(圖2、圖3)進(jìn)行驗(yàn)證。在脈沖源加壓1 kV的條件下，屏蔽層耦合電流的實(shí)驗(yàn)與仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)比如圖8所示，可見(jiàn)兩者具有較好的一致性。

其次，對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗的等效電路模型(圖6)進(jìn)行驗(yàn)證。電纜轉(zhuǎn)移阻抗的理論值、測(cè)試結(jié)果、電路擬合值比對(duì)如圖9所示，其中理論值Zt=14.2 mΩ-1 nH。可見(jiàn)，無(wú)論從幅度上還是從相位上看，理論值與實(shí)測(cè)值都存在較大的差異；而擬合值則與測(cè)試值具有較好的一致性，從而表明了轉(zhuǎn)移阻抗電路擬合模型的必要性和可行性。

再次，對(duì)屏蔽層與芯線耦合的集總近似電路模型進(jìn)行驗(yàn)證。在其Spice電路模型(圖7)中，在屏蔽層注入位置加載幅度為1 A的交流激勵(lì)源IAC作為輸入，芯線末端負(fù)載RinR上的耦合電壓作為輸出，兩者的比值定義為該模型的傳輸函數(shù)。按照式(2)～(9)計(jì)算得到的解析結(jié)果，與集總近似電路模型的仿真結(jié)果對(duì)比如圖10所示，兩者在100 MHz以下符合較好。

(a) 幅度比對(duì)

(b) 相位比對(duì)

(a) 幅度比對(duì)

(b) 相位比對(duì)

圖11 芯線末端耦合電壓的仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果

最后，在完成以上各部分單獨(dú)驗(yàn)證的基礎(chǔ)上，對(duì)兩項(xiàng)仿真方法進(jìn)行整體性的驗(yàn)證。針對(duì)芯線末端耦合電壓，實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果、Spice+Matlab仿真結(jié)果、全Spice電路仿真結(jié)果比對(duì)如圖11所示?？梢?jiàn)，兩種仿真方法得到的結(jié)果基本一致，且與實(shí)測(cè)結(jié)果在脈沖源峰值和整體波形上符合較好。仿真與實(shí)驗(yàn)的差異體現(xiàn)在低頻相關(guān)的負(fù)向脈沖部分，這主要是由于在轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試過(guò)程中，受限于設(shè)備性能指標(biāo)，缺乏低頻部分(<0.1 MHz)的測(cè)量數(shù)據(jù)，因此造成低頻區(qū)域上仿真精度相對(duì)偏低。

6 結(jié)束語(yǔ)

筆者針對(duì)同軸電纜感性脈沖電流注入的建模仿真問(wèn)題，從分析其作用機(jī)理出發(fā)，通過(guò)將電纜屏蔽層視為傳輸單線，采用Spice建模的方法求取其耦合電流；按照三同軸法中的短路-短路法來(lái)獲取電纜轉(zhuǎn)移阻抗并應(yīng)用到仿真中，同時(shí)也建立了其Spice電路擬合模型，從而提高了仿真的精度；對(duì)于屏蔽層與芯線間的耦合，給出了良好屏蔽假設(shè)和忽略轉(zhuǎn)移導(dǎo)納情況下兩者間關(guān)系的解析方程，也建立了其耦合電路的集總近似模型，解決了脈沖電流注入全平臺(tái)時(shí)域仿真的收斂性問(wèn)題。最后在上述研究工作基礎(chǔ)上，建立了同軸電纜感性脈沖電流注入的Spice+Matlab程序、全Spice電路建模兩種仿真方法并進(jìn)行了數(shù)值和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。前者便于調(diào)整相關(guān)參數(shù)以分析其對(duì)結(jié)果的影響；后者則更利于處理受試設(shè)備端口為非線性負(fù)載的情況。

文中介紹的感性脈沖電流注入仿真方法，為電子設(shè)備抗強(qiáng)瞬態(tài)電磁干擾傳導(dǎo)試驗(yàn)等提供了一種量化手段，可用于該類試驗(yàn)的設(shè)計(jì)、分析、效果預(yù)估等工作。后續(xù)將加深轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試方法相關(guān)研究，特別是擴(kuò)大測(cè)試頻率范圍，以進(jìn)一步提高仿真精度。另外，對(duì)于多芯電纜的感性脈沖電流注入仿真問(wèn)題，也將在文中基礎(chǔ)上開(kāi)展進(jìn)一步的探究。