呂 磊,涂安琪,張艷飛,劉 俊
(內(nèi)蒙古電力科學(xué)研究院,呼和浩特 010020)
氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(Gas Insulated Switchgear,GIS)在制造過程中,如果焊接工藝不當(dāng)導(dǎo)致GIS設(shè)備殼體產(chǎn)生焊縫缺陷,將對(duì)GIS設(shè)備的安全運(yùn)行造成隱患。超聲相控陣(以下簡稱相控陣)及TOFD檢測(cè)技術(shù)憑借其直觀的檢測(cè)結(jié)果、對(duì)缺陷定位定量準(zhǔn)確等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于GIS設(shè)備等承壓部件對(duì)接焊縫檢測(cè)中,其檢測(cè)結(jié)果具有可記錄性,可據(jù)此進(jìn)行溯源[1-3]。本文通過相控陣、TOFD和常規(guī)A型脈沖超聲波(以下簡稱A型脈沖)檢測(cè)技術(shù)對(duì)不同缺陷的模擬試塊進(jìn)行試驗(yàn)檢測(cè),驗(yàn)證TOFD及相控陣檢測(cè)技術(shù)在承壓部件對(duì)接焊縫檢測(cè)中的準(zhǔn)確性。
相控陣檢測(cè)采用Phascan便攜式相控陣超聲檢測(cè)儀,探頭型號(hào)為5L32-0.5-10-D2,楔塊型號(hào)為SD2-N55S-IHC,采用MOS-01鼠標(biāo)式單探頭焊縫掃查器,聚焦深度為30 mm,掃查角度40°~70°。TOFD檢測(cè)儀型號(hào)與相控陣檢測(cè)儀相同,探頭型號(hào)為TF5C6L,楔塊型號(hào)為A60-6N-IHC,PCS為46.18 mm。A型脈沖檢測(cè)儀型號(hào)為USM35X,探頭型號(hào)為5Z10×10K2.5探頭,實(shí)測(cè)探頭折射角為68.8°。
模擬試塊共3件,分別編號(hào)1號(hào)、2號(hào)、3號(hào),尺寸為200 mm×150 mm×20 mm(長×寬×高),內(nèi)部缺陷分別設(shè)置坡口未熔合、裂紋、夾渣。以下分別利用相控陣、TOFD、A型脈沖檢測(cè)技術(shù)對(duì)試塊進(jìn)行檢測(cè)。
1號(hào)試塊內(nèi)部預(yù)埋坡口未熔合缺陷,缺陷位于焊縫熔合線處,長度為18 mm,深度為8 mm,自身高度為5 mm。試塊X射線底片見圖1,相控陣檢測(cè)圖譜見圖2,TOFD檢測(cè)圖譜見圖3。圖1中缺陷呈現(xiàn)連續(xù)平直的黑線,線的輪廓整齊且黑度大,黑線位于中心至焊縫邊緣之間,沿焊縫縱向延伸,具有坡口未熔合的形貌特征。A型脈沖檢測(cè)缺陷波形中反射波波峰十分尖銳,波峰寬度很窄,波高超過Ⅲ區(qū),為RL+14 dB,缺陷位于偏離焊縫中心3 mm,在另一側(cè)檢測(cè)時(shí)也能發(fā)現(xiàn)缺陷波,但缺陷波波高很低,具有坡口未熔合缺陷波特征。圖2的相控陣圖譜主要由上部S掃圖、右側(cè)A掃圖及底部C掃圖構(gòu)成,S掃圖中缺陷沿著坡口縱向分布,A掃圖中缺陷反射波十分尖銳且波高達(dá)到Ⅲ區(qū),C掃圖中紅色區(qū)域?yàn)槿毕菅睾缚p縱向長度,從缺陷位置及A掃圖綜合分析可推斷,缺陷為靠近探頭側(cè)坡口未熔合。觀察圖3可知,TOFD缺陷圖譜由A掃圖及B掃圖組成,B掃圖中可以清晰看到缺陷上端點(diǎn)衍射波及缺陷下端點(diǎn)衍射波,缺陷衍射波平直,兩端點(diǎn)呈現(xiàn)月牙狀。對(duì)缺陷進(jìn)行測(cè)長、測(cè)深、測(cè)高,結(jié)果見表1。
表1 1號(hào)試塊坡口未熔合缺陷檢測(cè)結(jié)果
圖1 1號(hào)試塊射線底片
圖2 1號(hào)試塊相控陣檢測(cè)缺陷波形
圖3 1號(hào)試塊TOFD檢測(cè)缺陷波形
2號(hào)試塊內(nèi)部預(yù)埋裂紋缺陷,缺陷位于焊縫中心處,長22 mm,深7 mm,自身高度6 mm。試塊X射線底片見圖4,相控陣檢測(cè)圖譜見圖5,TOFD檢測(cè)圖譜見圖6。圖4中在焊縫中心處呈現(xiàn)黑線,輪廓清晰,黑線上有微小鋸齒,線的粗細(xì)和黑度有變化,線的尖端較細(xì),端頭有絲狀陰影延伸,具有裂紋的形貌特征。A型脈沖檢測(cè)缺陷波形中反射波波峰較尖銳,波峰較窄,波高為Ⅲ區(qū),波高為RL,缺陷位于偏離焊縫中心0.3 mm,兩側(cè)均檢測(cè)出裂紋缺陷波。觀察圖5可知,裂紋缺陷位于焊縫中心,A掃圖顯示缺陷反射波較尖銳且波高達(dá)到Ⅲ區(qū),從缺陷位置及A掃圖綜合分析可推斷,缺陷為焊縫中心裂紋。TOFD缺陷圖譜中裂紋缺陷上下端點(diǎn)不規(guī)則,信號(hào)不連續(xù),信號(hào)端部有許多小的端角。對(duì)缺陷進(jìn)行測(cè)長、測(cè)深、測(cè)高,結(jié)果見表2。
圖4 2號(hào)試塊射線底片
圖6 2號(hào)試塊TOFD檢測(cè)缺陷波形
表2 2號(hào)試塊裂紋缺陷檢測(cè)結(jié)果
圖5 2號(hào)試塊相控陣檢測(cè)缺陷波形
3號(hào)試塊內(nèi)部預(yù)埋夾渣缺陷,缺陷位于焊縫中心處,長20 mm,深10 mm,自身高度3 mm。試塊X射線底片見圖7,相控陣檢測(cè)圖譜見圖8,TOFD檢測(cè)圖譜見圖9。圖7中影像在焊縫中心處呈現(xiàn)方塊狀,輪廓清晰、不圓滑、不規(guī)則,顏色較暗,根據(jù)形貌判斷為夾渣。A型脈沖檢測(cè)缺陷波形中反射波波峰不很尖銳,波峰較寬,波高為Ⅲ區(qū),波高為RL,缺陷位于焊縫中心,兩側(cè)均檢測(cè)出夾渣缺陷波。觀察圖8可知,夾渣缺陷位于焊縫中心,沿焊縫長度縱向分布。圖9的TOFD缺陷圖譜中條渣缺陷在長度方向有一段平直信號(hào),時(shí)斷時(shí)續(xù),頭尾呈現(xiàn)弧形,上下端點(diǎn)不規(guī)則,信號(hào)不連續(xù),信號(hào)端部有許多小的端角。對(duì)缺陷進(jìn)行測(cè)長、測(cè)深、測(cè)高,結(jié)果見表3。
表3 3號(hào)試塊夾渣缺陷檢測(cè)結(jié)果
圖7 3號(hào)試塊射線底片
圖8 3號(hào)試塊相控陣檢測(cè)缺陷波形
圖9 3號(hào)試塊TOFD檢測(cè)缺陷波形
由以上分析可知,相控陣與TOFD檢測(cè)技術(shù)較常規(guī)A型脈沖檢測(cè)技術(shù)在缺陷測(cè)長、測(cè)高、測(cè)深方面更為精確。相控陣檢測(cè)技術(shù)與TOFD檢測(cè)技術(shù)均能夠有效檢測(cè)面積型缺陷(裂紋、未熔合)與體積型缺陷(氣孔、夾渣),檢測(cè)結(jié)果誤差見表4。A型脈沖檢測(cè)技術(shù)在缺陷深度定量及自身高度測(cè)量方面存在較大誤差,這首先是因?yàn)椴荒苡行z測(cè)缺陷上端點(diǎn)及下端點(diǎn),從而導(dǎo)致測(cè)量缺陷自身高度有偏差;其次由于聲束角度單一,其波幅最高處應(yīng)為聲束與缺陷垂直處,該處深度一般不是缺陷上端點(diǎn),因此深度測(cè)量有較大差異。相控陣探頭由一系列陣元組成,計(jì)算機(jī)可以控制各陣元激勵(lì)時(shí)間及先后順序,從而控制聲束角度,不移動(dòng)探頭就能夠?qū)崿F(xiàn)大范圍聲束覆蓋,找到角度合適的聲束垂直射到缺陷上下端點(diǎn),從而有效檢測(cè)缺陷深度及自身高度。TOFD檢測(cè)技術(shù)是利用缺陷上端點(diǎn)及下端點(diǎn)衍射波對(duì)缺陷進(jìn)行定位定量。衍射波與反射波相比波幅更低,一般為反射波的1/8,因此TOFD檢測(cè)技術(shù)對(duì)于微小缺陷的定位定量更準(zhǔn)確,其缺陷測(cè)深及自身高度測(cè)量也比相控陣準(zhǔn)確。在測(cè)長方面,A型脈沖檢測(cè)技術(shù)使用-6 dB法,受人為影響較大,誤差偏大;相控陣檢測(cè)技術(shù)與TOFD檢測(cè)技術(shù)采用編碼器記錄探頭移動(dòng)距離,最終通過軟件分析得出缺陷長度,因此準(zhǔn)確率更高。根據(jù)TSG 21—2016《固定式壓力容器安全技術(shù)監(jiān)察規(guī)程》,當(dāng)采用不可記錄的脈沖反射法進(jìn)行超聲檢測(cè)時(shí),應(yīng)當(dāng)采用射線檢測(cè)或TOFD檢測(cè)進(jìn)行局部檢測(cè)[4]。因此可采用常規(guī)超聲檢測(cè)技術(shù)對(duì)對(duì)接接頭進(jìn)行快速大范圍掃查,大致了解部件缺陷情況,然后采用TOFD或相控陣檢測(cè)技術(shù)對(duì)缺陷進(jìn)行精確測(cè)量[5-7]。
表4 相控陣和TOFD檢測(cè)誤差 %
相控陣、TOFD、A型脈沖3種檢測(cè)方法對(duì)裂紋、未熔合、夾渣缺陷都能夠有效檢測(cè)。A型脈沖檢測(cè)技術(shù)由于聲束單一,對(duì)缺陷測(cè)深誤差較大,因此需要選擇合適探頭。對(duì)現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)空間限制較大的部件,推薦采多組角度探頭進(jìn)行超聲檢測(cè)。TOFD檢測(cè)技術(shù)對(duì)缺陷高度定量最準(zhǔn)確,且隨著厚度增加其精度越高,推薦在壁厚較大的部件中采用。相控陣檢測(cè)技術(shù)在不移動(dòng)探頭情況下實(shí)現(xiàn)多角度掃查,檢測(cè)結(jié)果更直觀,推薦在現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)空間較好的中厚部件中采用。