劉國華 周國祥 郭燦天賜 程知群
(杭州電子科技大學射頻電路與系統(tǒng)教育部重點實驗室 杭州 310018)
無線通信基礎設施的復雜性、通信標準和頻率分段的日益增加,對功率放大器的效率和工作帶寬提出了更高的要求[1]。隨著5G通信的到來,收發(fā)機系統(tǒng)一直朝著低能耗、高效率和寬頻帶的方向飛速發(fā)展[2]。而匹配電路作為功率放大器的關(guān)鍵部分,其設計性能直接決定了功放的效率、帶寬和功率等技術(shù)指標。因此,寬帶匹配電路的設計是寬帶功放設計的主要任務。
目前,設計者們對高效率功放帶寬的擴展,通常采用連續(xù)類思想[3,4]來實現(xiàn)。連續(xù)類思想的功放通過增加諧波控制因子,擴大了最優(yōu)阻抗解空間,但由此增加了匹配電路設計的難度。另外,設計者采用混合類[5—8]的諧波控制網(wǎng)絡,在不同的頻點下使功放分別工作在不同的類別(J/F/F—1),拓展了功放的帶寬,但與此同時也會增加電路的復雜性。濾波結(jié)構(gòu)的阻抗匹配網(wǎng)絡也被應用到功放的寬帶匹配網(wǎng)絡設計中[9,10],該方法不僅要保證功放的工作頻率在通帶內(nèi),而且過渡帶的衰減速度問題也是設計的難點。1977年,實頻法由Carlin首先提出,它是一種基于線性分段近似逼近最佳特性的網(wǎng)絡綜合方法[11],為寬帶匹配網(wǎng)絡設計提供了新的途徑。1982年,Yarman在原始實頻法的基礎上,對算法進行了改進,提出了簡化實頻算法[12]。后來,該算法與電路設計相結(jié)合并被使用到功放的設計上[13],盡管可以設計出寬頻帶電路,但是要實現(xiàn)性能良好的多倍頻程寬帶電路還是有一定的困難。
為了進一步拓展帶寬,本文使用GaN HEMT(氮化鎵材料工藝,使得器件輸出功率水平可以得到大幅提高[14])晶體管器件,基于改進的簡化實頻算法,結(jié)合負載牽引技術(shù),對功放的寬帶匹配網(wǎng)絡進行設計優(yōu)化,完成了一款覆蓋多個移動通信頻段的超寬帶功率放大器的設計。
圖1所示為用散射參數(shù)表示的匹配網(wǎng)絡。實頻法將無耗的二端口網(wǎng)絡用S參數(shù)表示
其中,n代表了網(wǎng)絡中的元件數(shù)。h(s)與g(s)是n項的赫爾維茲多項式。
其他匹配網(wǎng)絡的散射參數(shù)可表示為
通過無耗原則,得到g與h的關(guān)系??梢詫鬏敼β试鲆?Transducer Power Gain, TPG)表示為
在整個頻段內(nèi),盡可能的優(yōu)化TPG,使其接近于設置的優(yōu)化目標T,依據(jù)兩者差值作為優(yōu)化的誤差函數(shù)。
實驗表明,在一個跨多倍頻的帶寬范圍內(nèi),晶體管負載牽引最優(yōu)阻抗數(shù)據(jù)波動較大,簡化實頻法使頻帶內(nèi)所有頻點優(yōu)化到目標TPG是有困難的。因此傳統(tǒng)的實頻技術(shù)在多倍頻上實現(xiàn)寬帶匹配有局限性。針對上述傳統(tǒng)實頻技術(shù)的問題,本文對優(yōu)化算法進行改進,在優(yōu)化TPG的基礎上,結(jié)合負載牽引技術(shù)對阻抗的分布規(guī)律進行分析,使阻抗呈圓形狀分布于中心頻點周圍,可以在更寬的工作頻帶下發(fā)揮晶體管的潛能。
圖1 散射參數(shù)的匹配網(wǎng)絡
通過負載牽引技術(shù)得到晶體管負載的寬頻各點的最優(yōu)阻抗值,最優(yōu)阻抗大致分布在一個區(qū)域內(nèi),選取中心頻率點阻抗(Zcy+j·Zcx)與最邊緣頻點的阻抗(Zsy+j·Zsx)的虛部與實部的差值作為優(yōu)化目標Zx和Zy
建立阻抗的誤差函數(shù)
建立TPG的誤差函數(shù)
其中,T(s)為設計出寬帶匹配網(wǎng)絡的傳輸功率增益(TPG); T0為初始設置的傳輸功率增益(TPG)優(yōu)化目標。
使用最小二乘法對匹配電路的Terror(s)和負載阻抗Zerr同時優(yōu)化,使TPG誤差函數(shù)值盡可能趨近于0的同時,保證阻抗誤差函數(shù)的值趨近于1,最終可以得到一個跨多倍頻程的寬帶匹配電路。由于負載牽引選取的是最優(yōu)PAE軌跡,最終也會提升功率放大器電路的整體效率。
在先進設計系統(tǒng)(Advanced Design System,ADS) 軟件中,對晶體管的輸出負載端進行負載牽引,獲取0.5~2.7 GHz范圍內(nèi)10個頻點的最優(yōu)阻抗值,如表1所示。
將10個頻點的最優(yōu)阻抗值作為簡化實頻法的輸入數(shù)據(jù),進行寬帶匹配網(wǎng)絡的設計與優(yōu)化。通過簡化實頻法得出了輸出匹配網(wǎng)絡的h與g具體表達式
將得到的h與g表示出匹配網(wǎng)絡的傳遞函數(shù),對其使用長除法進行變形,得到式(13),式中變量S的系數(shù)就是所設計的LC結(jié)構(gòu)
表1 各個頻點下的最優(yōu)阻抗值
圖2所示為簡化實頻法得到的輸出匹配電路,其是由集總參數(shù)的LC結(jié)構(gòu)組成。集總參數(shù)寬帶匹配網(wǎng)絡還需要轉(zhuǎn)換為微帶拓撲結(jié)構(gòu),將利用到Richard和Kiruoda法則對其進行變換,對其適當?shù)膬?yōu)化修正即可,優(yōu)化得到的電路如圖3所示。空心三角表示了晶體管負載最優(yōu)阻抗的變化趨勢,實心方塊代表了變換后輸出匹配的輸入阻抗值的變化趨勢??梢园l(fā)現(xiàn),實心方塊曲線是圍繞著中心阻抗點Z為圓心,呈現(xiàn)順時針圓的趨勢進行變化,優(yōu)化的結(jié)果與實頻法預想的結(jié)果相符合。表明優(yōu)化的匹配電路可以在寬頻帶內(nèi)實現(xiàn)匹配。
對圖3所示的寬帶匹配電路進行S參數(shù)仿真得到的結(jié)果如圖4所示。在目標頻段范圍內(nèi),S11均小于10 dB, S21也趨向于0 dB,展現(xiàn)了良好的寬帶特性,也驗證了方法的可行性。功放的輸入匹配電路采用階躍式的匹配結(jié)構(gòu),在ADS中進行仿真優(yōu)化。將偏置電路與輸入、輸出匹配網(wǎng)絡放入到整個電路中,得到的整體拓撲結(jié)構(gòu)如圖5所示。
圖2 簡化實頻法得到的輸出匹配電路
圖3 晶體管負載數(shù)據(jù)和輸出匹配網(wǎng)絡
前面利用電路仿真軟件對提出的超寬帶功率放大器進行了設計,驗證了所提改進的簡化實頻算法的可行性。為進一步驗證所提出方案的正確性,基于Cree公司的CGH40010F晶體管,采用Rogers4350B基板(H=0.76 mm, εr=3.66)對所設計的超寬帶功率放大器進行了實物加工測試。其中,柵極和漏極的直流偏置電壓分別為:VG=—2.7 V, VD=28 V。
對功放電路進行小信號測試,仿真與測試結(jié)果如圖6所示。從圖6中可以看出,在頻帶范圍內(nèi),S21小信號增益最大14 dB。大信號測試結(jié)果如圖7所示。在0.5~2.7 GHz頻段內(nèi),輸出功率為40.4~42.5 dBm,漏極效率為 64% ~75%,增益為 10~12.3 dB。
表2 是本文所設計的功放與近幾年同類文獻中的相關(guān)功放在主要技術(shù)指標上的對比,功率器件均采用氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN High Electron Mobility Transistor, HEMT) 器件。在工作帶寬方面,本文設計的功放相對帶寬為137%,高于其它文獻中的帶寬指標,不僅展示出了良好的寬帶特性,而且在效率上也有優(yōu)勢。
圖4 匹配電路的S參數(shù)仿真結(jié)果
圖5 整體拓撲結(jié)構(gòu)
圖6 小信號仿真與測試結(jié)果
圖7 漏極效率、輸出功率和增益仿真與測試結(jié)果
表2 本文與近幾年論文中功放主要指標對比
本文基于改進的簡化實頻技術(shù),采用Cree公司的GaN HEMT器件設計了一款可以覆蓋多個頻段的超寬帶功率放大器。通過將傳統(tǒng)簡化實頻技術(shù)與負載牽引的技術(shù)結(jié)合,在原有TPG優(yōu)化的基礎上,進一步完成阻抗特定區(qū)域的匹配,以實現(xiàn)功放的寬帶化。實測結(jié)果顯示,在0.5~2.7 GHz頻帶內(nèi),所設計的功放輸出功率為40.0~42.5 dBm,漏極效率達到 64%~75%。實物測試結(jié)果表明了本文將寬帶匹配算法應用于功放的設計,不僅擴展了其工作帶寬,還適當提高了功放的效率,綜合指標取得了較好的效果。