楊 迎,張 杰
(中國電子科技集團公司第三十八研究所,合肥230088)
頻率合成器是現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心設(shè)備,其頻譜純度、精度、頻率分辨率和變頻時間等技術(shù)指標直接影響整個電子系統(tǒng)的性能表現(xiàn)。目前,主要的頻率合成技術(shù)有直接模擬頻率合成、鎖相環(huán)(PLL)、直接數(shù)字合成(DDS)等3種方式。直接模擬頻率合成的顯著優(yōu)點是電路原理相對簡單,跳頻時間短,相位噪聲特性好,缺點是功耗、成本、體積較大。PLL則是建立在相位負反饋的理論基礎(chǔ)之上,用鎖相環(huán)路鎖定壓控振蕩器(VCO),由VCO間接產(chǎn)生所需頻率,其優(yōu)點是頻率穩(wěn)定度高、雜散抑制好、調(diào)試方便,但頻率轉(zhuǎn)換速度慢,且精細步進會產(chǎn)生相噪的惡化。作為新一代的數(shù)字頻率合成技術(shù),DDS具有變頻時間短、頻率分辨率高、相對帶寬寬、可編程、易于單片集成等優(yōu)點,缺點是由于D/A時鐘的限制,其最大輸出頻率較低。[1]采用單一的頻率合成技術(shù)目前難以達到高速高頻小型化頻率合成器的要求。為此,本文介紹了一種采用直接模擬頻率合成與DDS技術(shù)相結(jié)合的頻率合成方法,實現(xiàn)了一種S波段捷變頻頻率合成器,其頻率步進為5 MHz,跳頻時間小于2μs,相位噪聲優(yōu)于-119 dBc/Hz@1 kHz,并具有體積小以及輸出信號頻率、功率可調(diào)的特點。
某系統(tǒng)對頻率合成器提出的主要技術(shù)指標如表1所示。
可以看出,系統(tǒng)要求頻率合成器能實現(xiàn)S波段的兩種不同頻段信號輸出,要求其頻率捷變時間快,且對相位噪聲和雜散抑制指標要求較高。
表1 頻率合成器的主要技術(shù)指標要求
本次頻率合成器實現(xiàn)的主要技術(shù)路徑是采用高低頻標進行混頻濾波的方式產(chǎn)生系統(tǒng)所需的2.66~2.91 GHz/2.74~3.04 GHz信號。
若采用完全直接模擬頻率合成,雖然能滿足頻率捷變的特性,但其存在輸出頻點多時設(shè)備量大、濾波器頻點定制離散、拓撲結(jié)構(gòu)基本無法統(tǒng)一、效率低下等缺點。為此,本次頻率合成器在設(shè)計時只有S波段高頻標點源選擇由傳統(tǒng)的梳齒波發(fā)生器通過開關(guān)濾波產(chǎn)生,用以提供頻率粗調(diào);而頻點較多的P波段低頻標信號則采用了DDS技術(shù),用以提供頻率精調(diào)。采用DDS實現(xiàn)小頻標信號,可一定程度減少硬件設(shè)備量,有利于頻率合成器的小型化設(shè)計。同時,由于DDS的可編程性,還可方便地實現(xiàn)頻帶變化,對于S波段內(nèi)的不同頻帶頻率輸出可直接通過修改軟件實現(xiàn),避免了電訊的重復(fù)設(shè)計,提高設(shè)計效率。
DDS的頻率切換時間取決于頻率控制字的傳輸時間及以LPF為主的器件響應(yīng)時間,一般在納秒級。[2]故選用梳妝譜點源和DDS低頻信號相混頻的方式,也能實現(xiàn)捷變頻特性。
方案的原理實現(xiàn)框圖如圖1所示。將梳狀譜產(chǎn)生的S波段高頻標與DDS產(chǎn)生的P波段低頻標信號進行混頻處理,經(jīng)過多路開關(guān)濾波組件分時選取出對應(yīng)的頻點信號,實現(xiàn)2 660~2 910 MHz(及2 740~3 040 MHz)的5 MHz間隔信號輸出,并在末級采用數(shù)控衰減放大以實現(xiàn)輸出信號的功率可調(diào)。
圖1 頻率合成器原理實現(xiàn)框圖
S波段高頻標的產(chǎn)生方法主要有兩種:一是采用數(shù)字鎖相方式,優(yōu)點是電路簡單,雜散抑制好,但其變頻時間相對較長,相位噪聲也較差,不能滿足系統(tǒng)要求;二是采用諧波發(fā)生器結(jié)合開關(guān)濾波組件方式,優(yōu)點是原理簡單,頻率捷變快,一般達納秒級,相位噪聲較好,但體積較大。為此,本次頻率合成器設(shè)計時將梳齒波發(fā)生器后的濾波器由傳統(tǒng)的聲表濾波器改進為FBAR濾波器(體積更?。?,同時將梳齒波發(fā)生器與FBAR濾波器統(tǒng)一集成為模塊(點頻源),從而進一步優(yōu)化了體積。
具體實現(xiàn)時,S波段高頻標FBAR點源以200 MHz為大步進,分別產(chǎn)生2.4、2.6 GHz信號,并通過開關(guān)濾波組進行切換。在實際工程應(yīng)用中,預(yù)留硬件可擴充性,對梳齒波高頻標點源的二選一實際選型為四選一開關(guān)濾波組,以備用頻寬擴充之需,帶寬窄的時候另外兩路可閑置不用。此方案噪聲指標優(yōu)異,集成度高,有利于頻率合成器的小型化設(shè)計。本次頻率合成器選取的恒溫晶振相位噪聲約為-155 dBc/Hz@1 kHz,根據(jù)倍頻器的相位噪聲理論,倍頻后輸出信號的相位噪聲值為
式中,Li為輸入信號的單邊帶相位噪聲;N為倍頻次數(shù);ΔL為電路的附加噪聲。[3]
通過電路的優(yōu)化設(shè)計,可使附加噪聲對相位噪聲的惡化控制在5 dB以內(nèi)。對S波段高頻標點源,晶振信號的最大倍頻次數(shù)為26次,理論上惡化約28 dB,加上電路的附加噪聲,實際輸出S波段頻標源的相位噪聲應(yīng)該優(yōu)于-122 dBc/Hz@1 kHz。
低頻標頻率為260~455 MHz(及340~535 MHz),頻率步進5 MHz。本次頻率合成器設(shè)計時采用全數(shù)字化的信號產(chǎn)生方式DDS來生成P波段低頻標信號,其性能指標如表2所示。
表2 DDS頻標源的性能指標
可以看出,DDS頻標源在400 MHz輸出時相位噪聲典型值為-128 dBc/Hz@1 kHz,其參考輸入頻率為4 GHz,這可由100 MHz晶振參考信號通過梳齒波發(fā)生器并由窄帶濾波器選取產(chǎn)生。該DDS頻標源的最大輸出頻率為1 600 MHz,使用時可通過軟件設(shè)定其輸出頻率為260~455 MHz(及340~535 MHz),頻率步進設(shè)為5 MHz。
S波段高頻標在2.6 GHz輸出時偏移1 kHz處的相噪噪聲優(yōu)于-122 dBc/Hz。P波段低頻標在400 MHz輸出時相位噪聲為-128 dBc/Hz@1 kHz。根據(jù)混頻器的相位噪聲原理,當兩路輸入信號相噪近似相等時輸出相噪惡化3 dB,而當兩路輸入信號相噪相差較大時,輸出相噪主要取決于相噪較差的輸入信號。[4]故理論輸出信號相噪約為-122 dBc/Hz@1 kHz,考慮到后級功率放大電路等附加噪聲影響,實際推導(dǎo)得到的輸出信號相噪指標在1 kHz處應(yīng)該優(yōu)于-115 dBc/Hz。
該頻率合成器兼顧了跳頻時間、相位噪聲、雜散抑制以及結(jié)構(gòu)體積,研制結(jié)果如圖2~圖4所示。
圖2 S波段高頻標FBAR點源的相位噪聲特性曲線
圖3 輸出2 740 MHz時的雜散抑制和相位噪聲特性曲線
圖4 頻率合成器研制實物圖
圖2為S波段FBAR點源的相位噪聲特性曲線??梢钥闯?,2.4 GHz的相位噪聲實測為-125 dBc/Hz@1 kHz,2.6 GHz的相位噪聲實測為-123 dBc/Hz@1 kHz,與理論分析值基本相符。圖3為選取頻率合成器最高輸出頻點2 740 MHz,對其雜散抑制與相位噪聲特性進行測試的結(jié)果??梢钥闯?,其雜散抑制大于69 dBc,相位噪聲優(yōu)于-119 dBc/Hz@1 kHz。該頻率合成器信號的最大輸出功率為12 dBm,末級的數(shù)控衰減可實現(xiàn)0~7 dB衰減控制,從而實現(xiàn)輸出信號功率從5~12 dBm可調(diào)。通過軟件的靈活設(shè)置,可實現(xiàn)系統(tǒng)所需頻率合成器的兩種不同頻帶信號輸出。圖4為頻率合成器的研制實物圖,其外形尺寸為175 mm?145 mm?25 mm,實現(xiàn)了小型化設(shè)計。由上,本次研制的S波段捷變頻頻率合成器的所有技術(shù)指標均滿足設(shè)計要求。
本文采用直接模擬頻率合成與DDS技術(shù)相結(jié)合的方案,實現(xiàn)了S波段高集成、低雜散、低相位噪聲的捷變頻頻率合成器設(shè)計,具有輸出信號的頻率、功率可調(diào)的特點。本次研制的頻率合成器其各項指標均滿足系統(tǒng)的要求,已成功應(yīng)用于某大型陣地雷達系統(tǒng),工作穩(wěn)定可靠。