一種低功耗K頻段低噪聲放大器*

(中國西南電子技術(shù)研究所，成都 610036)

0 引 言

低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是接收機(jī)的重要部件，其噪聲系數(shù)(Noise Figure,NF)、增益和線性度等指標(biāo)直接影響接收機(jī)的整體性能。衛(wèi)星通信對地面或機(jī)載接收機(jī)的LNA性能提出了很高的要求，因?yàn)樾l(wèi)星發(fā)射的信號到達(dá)用戶端時功率微弱，且信噪比低，需要LNA具備很低的噪聲系數(shù)[1-3](通常要求小于2 dB[3])和高增益(大于20 dB)；另外相控陣接收機(jī)以及移動衛(wèi)星通信設(shè)備都要求低噪聲放大電路具備低功耗的特性。

鍺硅(Silicon Germanium,SiGe)雙極型互補(bǔ)金屬氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工藝，相較于III-V族半導(dǎo)體工藝，具有更高的電路集成度和更低的量產(chǎn)成本；對比硅CMOS電路，具有更高的輸出功率，因此近年來隨著SiGe BiCMOS工藝的不斷進(jìn)步，其在微波和毫米波集成電路領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用[4-5]。但由于硅襯底的導(dǎo)電特性，片上無源元件的品質(zhì)因數(shù)(Quality Factor,Q值)低，高頻條件下電路損耗大，極大制約了SiGe BiCMOS電路的性能，特別是導(dǎo)致更高的電路噪聲系數(shù)[6]。目前硅基電路設(shè)計(jì)一般采用在無源器件下方鋪設(shè)接地金屬平面，以屏蔽電磁場進(jìn)入硅襯底[7]。該方法能在一定程度上提高器件Q值，降低損耗。但對于片上螺旋電感這種占用很大芯片面積的無源器件來說Q值改善有限，因?yàn)槭紫裙枰r底上的接地金屬由于制造工藝制約不能使用實(shí)心地，只能用金屬網(wǎng)格代替，其電導(dǎo)率不高，有電阻效應(yīng)，電磁屏蔽效果較理想情況差；另外，襯底損耗與元件的面積直接相關(guān)[7]，電感面積大，損耗明顯。電感是射頻微波集成電路設(shè)計(jì)必需的元件，提高電感Q值降低損耗是硅基電路設(shè)計(jì)中的一個困難課題。衛(wèi)星通信使用的K頻段[8]頻率較高，上述問題較為突出，已報道的SiGe BiCMOS LNA，僅有少數(shù)在20 GHz實(shí)現(xiàn)了2 dB以下的噪聲系數(shù)[1-2]，但這些LNA的電路功耗大，導(dǎo)致其不適用于對功耗有較高限制要求的應(yīng)用場合。

本文基于0.13 μm SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)并制作了一種共射極(Common Emitter,CE)-共射共基極(Cascode)級聯(lián)的兩級低噪聲放大器。通過優(yōu)化第一級共射極異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的尺寸，實(shí)現(xiàn)輸入匹配、噪聲系數(shù)以及電路功耗的均衡。在此基礎(chǔ)上，本文提出利用SiGe BiCMOS工藝的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)替代傳統(tǒng)的螺旋電感，作為K頻段共射放大器的射極退化電感，以降低LNA整體噪聲系數(shù)。仿真結(jié)果表明在20 GHz，同等電感值條件下，相比傳統(tǒng)螺旋電感，該方法不僅顯著減小了電感占用面積，還可使電感的Q值提高120%，由此帶來約0.1 dB LNA噪聲系數(shù)的改善。

1 工藝及整體設(shè)計(jì)

BiCMOS射頻和毫米波LNA通常采用CE或Cascode結(jié)構(gòu)。共射晶體管的小信號模型如圖1所示。

圖1 共射極晶體管小信號模型

Cascode結(jié)構(gòu)也可以用該模型進(jìn)行分析，這是因?yàn)榭蓪⒐不鶚O放大管視為共射極管的負(fù)載。該模型包含了晶體管外的輸入串聯(lián)電感Lb、射極退化電感Le和負(fù)載RL；在晶體管內(nèi)部，Rb為基極電阻，Cbe和Rbe分別為基極-射極電容和電阻，Cbc為基極-集電極電容，gm為跨導(dǎo)。該結(jié)構(gòu)的輸入阻抗Zin可表示為[9]

(1)

從式(1)可知，調(diào)諧Le可使Zin的實(shí)部等于50 Ω，調(diào)諧Lb可消除Zin的虛部，從而實(shí)現(xiàn)LNA輸入阻抗匹配。另外一方面，在集電極電流密度Jc為常數(shù)的情況下，HBT的最佳噪聲源電阻Rs,opt與射極長度成反比關(guān)系[10]，可通過調(diào)諧晶體管的尺寸使Rs,opt=50 Ω，但在這一過程中，Zin也會發(fā)生改變，因此設(shè)計(jì)方法是首先確定HBT的最佳噪聲電流密度Jc,opt(或工作電流密度Jc,bias)，然后調(diào)整晶體管尺寸，使Rs,opt接近50 Ω，最后調(diào)諧Le和Lb，使Zin=50 Ω，同時實(shí)現(xiàn)輸入阻抗匹配和最佳噪聲匹配。設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于確保Le和Lb具有高Q值，從而在調(diào)諧電感值時不改變Rs,opt的值，并減小電感損耗帶來的放大器噪聲性能損失[3]。

LNA使用0.13 μm SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)制造，該工藝提供6層金屬，工藝截面圖如圖2所示，其中M6厚度達(dá)4 μm，用于信號傳輸線和螺旋電感布線，以降低金屬損耗。

圖2 0.13 μm SiGe BiCMOS工藝截面示意圖

在20 GHz條件下，分別使用提取了版圖寄生效應(yīng)的CE結(jié)構(gòu)(尺寸為0.13 μm×5 μm×3)和Cascode結(jié)構(gòu)(其共射和共基極管的尺寸均為0.13 μm×5 μm×3)對該工藝HBT晶體管的最小噪聲系數(shù)(Minimum Noise Figure,NFmin)與集電極電流密度Jc關(guān)系進(jìn)行仿真計(jì)算，結(jié)果如圖3所示。從圖中可以看出，CE管在Jc≈0.25 mA/μm時具有最小NFmin，約0.9 dB；Cascode管在Jc≈0.45 mA/μm時具有最小NFmin，約1.5 dB。LNA需采用兩級放大的形式實(shí)現(xiàn)大于20 dB的增益，根據(jù)圖3分析結(jié)果，為了獲得最佳的噪聲性能，LNA第一級需采用CE結(jié)構(gòu)。偏置點(diǎn)選取在比Jc,opt稍大的Jc,bias=0.45 mA/μm，以提高第一級放大器的增益，抑制第二級放大器的噪聲。如圖3所示，在該偏置條件下，第一級CE晶體管的NFmin仍然小于1 dB。

圖3 0.13 μm SiGe BiCMOS HBT NFmin和Jc關(guān)系曲線(頻率20 GHz，環(huán)境溫度27 ℃)

最終電路設(shè)計(jì)如圖4所示，LNA采用兩級放大結(jié)構(gòu)，第一級放大器采用CE結(jié)構(gòu)(Q1)，第二級采用Cascode結(jié)構(gòu)(Q2和Q3)。LNA輸入和輸出焊盤采用了接地電感形式的靜電釋放(Electro-Static Discharge,ESD)保護(hù)措施，1.6 V電源電壓VDD加電焊盤采用ESD二極管保護(hù)。上述三個焊盤通過金絲鍵合到外部印制電路板(Printed Circuit Board,PCB)以供芯片測試和使用。Rc1、Lc1和Rc2、Lc2分別是第一級和第二級放大管的饋電電阻和電感，使用電阻電感并聯(lián)的形式以擴(kuò)展放大器的帶寬，提高增益平坦度；R1、L1和C1為穩(wěn)定第一級放大器的并聯(lián)枝節(jié)；R2、L2和C2除穩(wěn)定整體放大器外，還兼具輸出匹配的作用；Cinter和Linter分別是級間匹配電容和電感；Rbias為第二級Q3晶體管的基極偏置電阻。Cin和Cout分別是輸入和輸出端的隔直兼匹配電容。圖4中的偏置模塊為一恒定跨導(dǎo)偏置電路[11]，其為兩級放大器基極提供偏置饋電。

圖4 兩級低噪聲放大器原理圖

經(jīng)優(yōu)化，LNA第一級Q1的尺寸設(shè)定為5 μm×3，在Jc,bias=0.45 mA/μm條件下，其Rs,opt≈63 Ω。此時等噪聲圓圖顯示當(dāng)放大器接50 Ω源阻抗時，噪聲系數(shù)為1.35 dB。進(jìn)一步增大射極長度，雖能使Rs,opt更接近50 Ω，降低匹配后的放大器噪聲系數(shù)，但會導(dǎo)致電路功耗上升及增益下降。在1.6 V偏置條件下，第一級集電極電流約為7 mA，Jc約0.46 mA/μm。第二級Q2和Q3的尺寸均為5 μm×2，同樣偏置在Jc=0.45 mA/μm附件，電流4.46 mA。包含偏置電路在內(nèi)，LNA總工作電流約13 mA，功耗約21 mW。LNA電路元件取值如表1所示。需要注意的是由于工作頻率高，片上電感和傳輸線等無源元件以及片外的鍵合金絲都需要電磁場(Electromagnetic Field,EM)仿真以確定其真實(shí)性能，本文使用HFSS高頻仿真工具完成該工作。

表1 LNA電路元件取值

2 高Q值退化電感設(shè)計(jì)

如前所述，提高電感的Q值對提高LNA噪聲性能具有重要的意義。Lb和Le是兩個關(guān)鍵電感，因?yàn)長b是LNA輸入端的無源器件，其插損值會直接疊加到LNA的整體噪聲系數(shù)中；Le起負(fù)反饋的作用，如果Q值低，對功率匹配及噪聲匹配都會產(chǎn)生較大影響。

Lb采用M6層金屬導(dǎo)帶設(shè)計(jì)，以減小金屬導(dǎo)體電阻。為了降低電磁場耦合到硅襯底造成的損耗，在Lb導(dǎo)體下方采用網(wǎng)格地結(jié)構(gòu)，網(wǎng)格地使用M1層金屬鋪設(shè)，達(dá)到屏蔽效果。Le也可以采用螺旋電感實(shí)現(xiàn)[10]，在K頻段因?yàn)長NA需要的退化電感值較小，如圖5(a)所示，使用0.5圈螺旋即可實(shí)現(xiàn)72 pH的電感值。螺旋線寬15 μm以降低導(dǎo)體電阻，其RFin端接晶體管射極，另一端接電感外圍的地[10](圖中未顯示)。其缺點(diǎn)是螺旋電感占用較大的芯片面積(110 μm×120 μm)，為了放置下該電感，需要額外增大芯片面積；另外根據(jù)EM仿真，如圖6(b)所示，這種結(jié)構(gòu)在20 GHz的Q值仍然較低，僅7.6。針對上述螺旋電感的不足，利用TSV自身的電感效應(yīng)，設(shè)計(jì)了如5(b)所示的TSV電感作為LNA退化電感Le。電感一端由TSV連接芯片背面的地平面，一端由TSV頂部的金屬導(dǎo)帶引出，占用面積僅40 μm×50 μm，約是傳統(tǒng)螺旋電感面積的15%。如圖6所示，EM仿真結(jié)果表明，在5～50 GHz范圍內(nèi)，其電感值變化比螺旋電感小，基本恒定在72 pH；在20 GHz，該TSV電感的Q值達(dá)16.7，相比圖5(a)螺旋電感Q值提高約120%。

圖5 電感結(jié)構(gòu)示意圖(未顯示襯底介質(zhì))

(a)電感值

圖7展示了Le分別使用圖5(a)螺旋電感和圖5(b)TSV兩種電感時，LNA噪聲系數(shù)仿真結(jié)果。從圖中可以看出，在電感值均為72 pH的情況下，使用TSV電感作為退化電感，可使LNA整體噪聲系數(shù)降低約0.1 dB(其中，20 GHz處，NF從1.99 dB降低到1.89 dB)，結(jié)果說明提高退化電感Le的Q值，對降低LNA的噪聲系數(shù)具有實(shí)際意義。

圖7 使用兩種退化電感的LNA噪聲系數(shù)仿真結(jié)果對比(環(huán)境溫度27 ℃)

3 測試結(jié)果及分析

基于0.13μm SiGe BiCMOS工藝加工的LNA芯片照片如圖8(a)所示，芯片面積1 mm×1 mm。芯片放置在測試用PCB中心的開窗處，芯片和PCB均燒結(jié)在金屬鋁腔中。芯片輸入輸出G-S-G焊盤通過金絲分別鍵合到PCB 50 Ω共面波導(dǎo)G-S-G對應(yīng)導(dǎo)帶上，共面波導(dǎo)通過K接頭(KFD5)連接外部測量儀器。VDD焊盤通過金絲鍵合到100 pF 芯片電容，再鍵合到PCB金屬導(dǎo)帶，最后通過穿心電容接1.6 V直流穩(wěn)壓電源。小信號S參數(shù)和噪聲測量的原理框圖分別如圖8(b)和圖8(c)所示。為了準(zhǔn)確測量LNA的噪聲系數(shù)，專門制作了去嵌用的PCB，用于去嵌接頭和PCB共面波導(dǎo)的影響。

測量時，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)到LNA腔體輸入輸出接頭處。在VDD=1.6 V，27 ℃條件下，LNA的小信號仿真結(jié)果和測量結(jié)果如圖9所示。從圖9(a)中可以看出，在10～40 GHz頻率范圍內(nèi)，S參數(shù)的仿真結(jié)果和實(shí)測值相符，兩者之間偏差較小，這些偏差是由于仿真誤差、工藝偏差及測量誤差造成。測量結(jié)果表明，該LNA在18～21.3 GHz頻率范圍內(nèi)增益大于等于23.3 dB，增益波動±0.41 dB，并具有優(yōu)于-10 dB的輸入輸出回波損耗。S11在13～28 GHz頻率范圍內(nèi)小于-5 dB，S22在10～24.2 GHz范圍內(nèi)小于-10 dB。LNA在13.2 GHz具有最大增益25.6 dB，3 dB帶寬頻率覆蓋10～28.2 GHz。

噪聲系數(shù)仿真及測量結(jié)果如圖9(b)所示，測量值已去嵌接頭和共面波導(dǎo)的影響。測量時使用了恒溫載臺控制環(huán)境溫度，并利用金屬腔體屏蔽外界電磁信號以減小外部環(huán)境變化對測量的干擾。測量結(jié)果顯示在18～20.2 GHz頻率范圍內(nèi)，LNA噪聲系數(shù)均小于2 dB，其中在20 GHz，噪聲系數(shù)為1.94 dB時，NF仿真結(jié)果和測量結(jié)果一致。圖9(b)中測量的噪聲系數(shù)在一些頻點(diǎn)上沒有隨頻率單調(diào)變化，這種測量結(jié)果的波動反映了晶體管內(nèi)部載流子熱運(yùn)動等隨機(jī)過程及外部環(huán)境對噪聲系數(shù)測量的影響。圖中的虛線為測量值的擬合曲線，反映了噪聲測量值的平均水平。從圖中可以看出在測量頻率范圍內(nèi)，噪聲系數(shù)測量值的平均值隨頻率增大而變大。K因子由S參數(shù)計(jì)算獲得，其仿真值和實(shí)測值如圖9(c)所示，兩者均大于1，說明LNA無條件穩(wěn)定，并且兩者隨頻率的變化趨勢也基本相符。K因子曲線不具單調(diào)性，在24～31 GHz之間，實(shí)測K因子較為接近1，提示可以改進(jìn)設(shè)計(jì)以提高LNA在該頻段的穩(wěn)定性。測量系統(tǒng)中的噪聲干擾導(dǎo)致了S參數(shù)測量值的起伏，進(jìn)而使得根據(jù)實(shí)測S參數(shù)計(jì)算出的K因子在某些頻點(diǎn)上有跳躍性。

(a)S參數(shù)

使用信號源E8257D和頻譜儀N9030A進(jìn)行功率測量。校準(zhǔn)連接電纜線損后，在20 GHz，信號源輸出功率從-40 dBm開始逐步上升到-25 dBm，測得的LNA輸出功率如圖10所示，結(jié)果顯示LNA的輸入P-1 dB=-29.6 dBm。芯片工作時，測得總電流為13 mA，功耗21 mW。

圖10 LNA P-1 dB測量結(jié)果(VDD為1.6 V，環(huán)境溫度27 ℃)

表2總結(jié)了國內(nèi)外NF在2 dB附近的K頻段SiGe BiCMOS LNA的性能，可以看出，在20 GHz、噪聲系數(shù)小于2 dB的LNA中，本文設(shè)計(jì)的LNA具有最低的功耗；對比噪聲系數(shù)大于2 dB的LNA，本文LNA在同等功耗前提下具有更高的增益和更低的噪聲系數(shù)。

表2 SiGe BiCMOS LNA性能對比

4 結(jié) 論

本文提出一種K頻段高增益低功耗LNA的設(shè)計(jì)方法。通過使用CE-Cascode級聯(lián)的兩級低噪聲放大器結(jié)構(gòu)，優(yōu)化CE輸入級晶體管尺寸，使LNA同時具備低噪聲系數(shù)、高增益和低功耗性能；利用SiGe BiCMOS工藝的硅通孔設(shè)計(jì)高Q值退化電感，相比使用傳統(tǒng)螺旋電感，降低了LNA噪聲系數(shù)。包括偏置電路在內(nèi)的LNA總功耗等于21 mW，表明該LNA適合于對電路功耗有一定限制要求的衛(wèi)星通信等K頻段接收機(jī)應(yīng)用。