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    莨菪烷基添加劑對FFS模式中殘像的影響

    2021-04-09 13:48:26胡葉廷周雷勇李曉娜遠藤浩史森崇德
    液晶與顯示 2021年4期
    關(guān)鍵詞:灰階偏置液晶

    胡葉廷, 周雷勇, 李曉娜, 遠藤浩史, 森崇德

    (1. 捷恩智液晶材料有限公司,江蘇 蘇州 215011;2. JNC石油化學(xué)株式會社,日本 千葉 市原 290-8551)

    1 引 言

    液晶顯示器由于其輕薄、低功耗、高品質(zhì)以及高信賴性的特點使其在顯示領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用[1]。但隨著時代的發(fā)展,人們除了對液晶顯示器高性能的需求外,對其信賴性的要求也越來越嚴苛。殘像作為影響液晶顯示器信賴性的一個重要因素,它的產(chǎn)生會嚴重損害液晶顯示器的畫面品質(zhì)。

    殘像主要表現(xiàn)為液晶顯示器長時間顯示同一個畫面,把畫面切換到下一個畫面時,先前的畫面會殘留在下一個畫面中。而根據(jù)殘像狀態(tài)的不同,殘像可分為面殘像與線殘像。殘像的發(fā)生受很多因素影響,包括液晶、配向膜、框膠、生產(chǎn)工藝等。殘像產(chǎn)生機理主要包含兩個并存因素,一個是液晶面板中的離子型不純物,另一個是直流偏置電壓[2]。

    目前,在液晶顯示領(lǐng)域中,邊緣場切換廣角技術(shù)(FFS)模式作為一種廣泛使用的顯示模式,其根據(jù)用途的不同會分別使用正性或負性液晶。正性液晶具有響應(yīng)速度快,信賴性好的特點,因此被車載等顯示領(lǐng)域所青睞。而負性液晶由于其出色的透過率與對比度,更多地被應(yīng)用于高品質(zhì)FFS模式液晶顯示器[3]。但由于負性液晶單體分子結(jié)構(gòu)本身的原因,導(dǎo)致其含有的離子型不純物偏多,同時在紫外光照射和高溫環(huán)境下比正性液晶更易發(fā)生分解和破壞,會進一步導(dǎo)致其離子型不純物增多,所以負性液晶的殘像問題更容易發(fā)生且更嚴重[4]。此外,由于FFS模式具有不對稱的橫向電場,容易形成橫向直流偏置電壓(DC偏置),進而致使FFS模式出現(xiàn)殘像的情況尤為嚴重[2,5]。

    關(guān)于殘像的研究中,BOE公司在低ΔVHR條件下,降低配向膜材料的電阻率使存儲電荷釋放加快,殘像得到改善[6],同時還提出了降低型號線數(shù)量、降低信號線與公共電極線的交疊面積、增大信號線與公共電極的距離、外圍電路補償?shù)葰埾窀纳品桨竅7]。IVO公司研究了配向膜對液晶分子的錨定力與殘像的關(guān)聯(lián)[8]。本公司通過電子自旋共振譜儀(ESR)與紫外-可見光譜儀(UV-Vis)研究了從配向膜中產(chǎn)生的游離聚酰亞胺陰離子對殘像的影響[9],并有研究提出通過添加納米顆粒材料可以吸附液晶中的雜質(zhì)離子[10]。

    本文通過在負性液晶中添加新型莨菪烷基添加劑,旨在減小液晶盒中殘留DC偏置電壓的累積且加速電荷的釋放,以達到改善殘像的目的,為負性FFS模式中殘像改善提供一種新的方向。

    2 實 驗

    2.1 實驗樣品

    本實驗選用的封膠材料為日本三鍵紫外線硬化膠,型號3052B。莨菪烷基添加劑,盒厚3.2 μm的液晶盒以及實驗用量產(chǎn)負性液晶均為捷恩智液晶材料公司生產(chǎn)。液晶的相關(guān)物性參數(shù)如表1所示。

    表1 液晶參數(shù)Tab.1 Properties of LC mixture

    2.2 實驗設(shè)備

    本實驗對閃爍漂移、殘留DC與面殘像測試采用色彩分析儀(日本KONIKA MINOLTA,型號CA-310)測定;線殘像由自動控制器(美國National Instruments,型號PXle-1071)進行實驗。

    2.3 閃爍漂移測試

    將測試用液晶盒施加L255灰階電壓30 min,然后切換至L127灰階電壓進行閃爍測試,循環(huán)測試4次。

    2.4 DC殘留電壓測試

    在常溫下對測試用液晶施加L127灰階交流電壓120 s,然后在施加L127交流電壓同時施加3 V直流電壓1 h后,撤去直流電壓,測試其亮度變化,測試時間為30 min。

    2.5 面殘像測試

    將測試用液晶盒施加L255灰階電壓30 min,然后切換至L127灰階電壓進行亮度測試,偏置電壓范圍設(shè)置為±0.2 V,測定間隔為0.02 V,循環(huán)測試4次。

    2.6 線殘像測試

    在室溫條件下,利用4×4棋盤格對面板的線殘像特性進行評估。圖1為面板老化畫面,其中黑色方格為L0灰階電壓下顯示畫面,白色方格為L255灰階電壓下顯示畫面,維持該棋盤格畫面96 h后,將面板驅(qū)動電壓切換至L127灰階電壓,在頻率30 Hz下對面板的線殘像情況進行評價,其呈現(xiàn)的具體畫面如圖2所示。

    圖1 4×4棋盤格Fig.1 4×4 check board

    圖2 線殘像示意圖Fig.2 Schematic diagram of line image sticking

    3 結(jié)果與討論

    3.1 閃爍漂移結(jié)果

    FFS模式液晶顯示器在驅(qū)動時,由于電極設(shè)計等因素造成實際正負幀的像素電壓不完全對稱,從而導(dǎo)致正負幀的透過率存在差異,出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。

    圖3 閃爍漂移曲線Fig.3 Flicker drift curves

    圖3為樣品A和B的閃爍隨老化時間的增加而變化的結(jié)果。由圖3可知,未添加莨菪烷基添加劑的樣品A隨著老化時間增加,閃爍先逐漸增大,之后增大幅度逐漸趨緩。這是由于液晶盒內(nèi)部存在的DC偏置使得液晶中的離子型不純物產(chǎn)生積聚,進而形成殘留DC偏置,從而導(dǎo)致原先在Vcom(交流驅(qū)動電壓的中心值)電壓下對稱的正負幀透過率出現(xiàn)差異。而加入質(zhì)量分數(shù)為1×10-4添加劑的樣品B,隨老化時間的增加,其閃爍增大的幅度明顯小于樣品A。這表明添加劑的使用可以有效減小液晶盒內(nèi)由驅(qū)動產(chǎn)生的殘留DC偏置。

    3.2 DC殘留電壓釋放結(jié)果

    配向膜在DC偏置作用下選擇性地吸附液晶中的離子型不純物,形成殘留DC偏置。通過在交流電驅(qū)動同時施加直流電可增大偏置作用,加速形成殘留DC偏置。在解除直流電后,積聚在配向膜上的離子型不純物形成的殘留DC偏置會逐漸消失。

    圖4 殘留DC釋放特性Fig.4 Properties of residual DC release

    圖4是樣品A和B中殘留DC偏置導(dǎo)致的亮度變化曲線。由圖4可知,樣品A在交流驅(qū)動同時施加直流電1 h后,釋放階段最大亮度為750 cd/m2,且釋放200 s后亮度恢復(fù)至初始亮度;而樣品B釋放階段最大亮度為550 cd/m2,與樣品A相比DC偏置累積減少30%,并在釋放10 s后亮度恢復(fù)至初始亮度,相比樣品A,其釋放時間約縮短了95%。這是因為未使用添加劑的樣品A,配向膜電阻遠大于液晶的電阻,導(dǎo)致液晶盒內(nèi)的電荷聚集在液晶與配向膜的界面,難以釋放,并由電量公式Q=CV可知,聚集的電荷增多會導(dǎo)致殘留電壓增大,進而使得亮度變大;而樣品B在使用了添加劑后,添加劑附著在配向膜表面,使得配向膜表面的電阻值下降,因此液晶與配向膜之間的電阻差減小,所以電荷可以較容易地釋放至配向膜,積聚情況得到明顯改善[11-12]。

    3.3 面殘像測試結(jié)果

    在FFS模式中,交流電(AC)殘像是因為液晶分子經(jīng)過長時間的驅(qū)動,無法恢復(fù)到原先正確的排列位置,其表現(xiàn)為對應(yīng)的灰階亮度會發(fā)生變化;而DC殘像是由液晶盒中殘留DC偏置造成,并可通過調(diào)整Vcom電壓進行改善[5,12]。

    圖5 Vcom-亮度隨老化時間的變化Fig.5 Brightness dependency of Vcomafter aging

    圖6 Vcom-亮度隨老化時間的變化Fig.6 Brightness dependency of Vcom after aging

    圖5和圖6分別是樣品A和B在老化0,30,60,90 min后亮度與Vcom的測試曲線圖。由圖5可知,隨著老化時間的增加,樣品A的Vcom-亮度向右上方發(fā)生了明顯的漂移,這表明樣品A中存在AC與DC殘像。其中老化30 min后的Vcom-亮度向上漂移8 cd/m2,Vcom向右漂移了0.7 V。由圖6可知,樣品B添加添加劑后,Vcom-亮度向上方漂移2 cd/m2,Vcom電壓向右漂移了0.02 V。相較于樣品A,樣品B的Vcom-亮度向上以及Vcom電壓向右漂移的幅度明顯減小,這表明添加劑使用后,AC與DC殘像同時得到了改善。

    3.4 線殘像測試結(jié)果

    圖7和圖8是樣品A和B分別老化0 h與96 h后在L127灰階,30 Hz條件下觀察所得的線殘像結(jié)果。

    圖7 樣品A在0 h(a),96 h(b)老化時間下線殘像結(jié)果。Fig.7 Line image sticking of sample A at t=0 h(a), t=96 h (b).

    圖8 樣品B在0 h(a),96 h(b)老化時間下線殘像結(jié)果。Fig.8 Line image sticking of sample B at t=0 h(a), and t=96 h(b).

    從圖7(a)和7(b)可看出,經(jīng)過96 h驅(qū)動后樣品A在像素邊緣處出現(xiàn)了明顯的線殘像。這是由于棋盤格老化過程中L0與L255的驅(qū)動電壓不同,使得黑白像素內(nèi)形成了大小不等的殘留DC偏置,切換至L127灰階,面內(nèi)存在大小不等的殘留DC偏置使像素之間存在電壓差,進而導(dǎo)致液晶盒內(nèi)的離子型不純物向邊界聚集而形成了殘留DC偏置,透過率因此發(fā)生變化,表現(xiàn)為線殘像。由圖8(a)和8(b)可知,樣品B未出現(xiàn)線殘像。由前述可知,添加新添加劑后,可有效減少液晶盒由于驅(qū)動導(dǎo)致產(chǎn)生的DC殘留電壓積聚并加快釋放速率,因此黑白格像素之間電壓差減小,線殘像得到改善。

    4 結(jié) 論

    本文通過在負性液晶中添加一種新型莨菪烷基添加劑的方法,研究了其對FFS模式中殘像的影響。實驗結(jié)果表明,莨菪烷基添加劑使用后,閃爍漂移得到改善;液晶盒中DC殘留累積量減少30%且釋放速率提升95%;Vcom漂移量由0.7 V改善至0.02 V,同時Vcom-亮度變化量從8 cd/m2改善至2 cd/m2;線殘像由L3改善至L1。

    本研究在不改變電極設(shè)計的前提下通過使用添加劑,在一定程度上改善了殘像現(xiàn)象,對提升面板的顯示品質(zhì)具有一定的指導(dǎo)意義。

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