一種鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池

著錄項(xiàng)

申請(qǐng)?zhí)枺篊N201910270133.3

申請(qǐng)日：20190404

公開號(hào)：CN109888034A

公開日：20190614

申請(qǐng)（專利權(quán)）人：國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司；國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司西寧分公司；青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司；國(guó)家電投集團(tuán)黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司

發(fā)明人：席珍珍

主分類號(hào)：H01L31/043

分類號(hào)：H01L31/043 H01L31/06

權(quán)利要求

1.一種鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，它采用雙結(jié)疊層結(jié)構(gòu)，底電池為背接觸晶硅太陽(yáng)能電池，頂電池為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池；所述背接觸太陽(yáng)能電池為背結(jié)結(jié)構(gòu)，從下到上依次包括電極、背表面鈍化層、P+/n+區(qū)、晶硅襯底、前表面結(jié)構(gòu)和前表面鈍化層；所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制備在晶硅襯底前表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的晶硅襯底為P型單晶硅襯底、P型多晶硅襯底、N型單晶硅襯底和N型多晶硅襯底中的任意一種。

3.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的晶硅襯底前表面和背表面為制絨面或拋光面中的任意一種。

4.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的前表面結(jié)構(gòu)為無前表面結(jié)構(gòu)、N型前表面場(chǎng)結(jié)構(gòu)(FSF)和P型前表面浮空發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)(FFE)中的任意一種。

5.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的背表面鈍化層為SiO2、SiNx、AlOx、多晶硅或非晶硅中的一種或多種的組合。

6.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的前表面鈍化層為SiO2/多晶硅結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池的P+區(qū)采用激光開槽、印刷鋁漿料或掩膜技術(shù)制得。

8.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸晶硅太陽(yáng)能電池背表面主柵線電極采用低溫主柵銀漿，紫外固化主柵銀漿、銀鋁漿或鋁漿中的任意一種。

9.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池從下到上依次包括透明導(dǎo)電薄膜、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層、緩沖層、電子傳輸層、透明導(dǎo)電薄膜以及頂電極。

10.如權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦/背接觸晶硅疊層太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電薄膜為石墨烯、MoOx、FTO、ITO中的任意一種。