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    多磁極的旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置設(shè)計研究

    2021-03-23 06:37:42馮永濤邢紀奎黃圓明劉一琦
    科學技術(shù)創(chuàng)新 2021年7期
    關(guān)鍵詞:旋轉(zhuǎn)磁場控制電路磁場

    馮永濤 邢紀奎 肖 健 黃圓明 徐 澤 劉一琦*

    (東北林業(yè)大學機電工程學院,黑龍江 哈爾濱150040)

    1 旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置的設(shè)計

    1.1 旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置的設(shè)計背景。目前針對疾病的藥物越來越多,但一些藥物在服用后只有少量可以到達靶區(qū),要提高靶區(qū)的藥物濃度需要加大服藥劑量,這樣會產(chǎn)生不利的影響。因此針對這樣的具體問題:研究藥物通過特殊磁性載體在磁場的作用下,特異性地作用于靶區(qū)的周圍,使人們減少藥物的服用,具有重要的研究意義。

    1.2 旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置的設(shè)計目標。在以往的針對靶向磁場發(fā)生上的磁場發(fā)生裝置的設(shè)計很少,我們利用多磁極的電磁線圈或者多維的亥姆霍茲線圈,每組線圈在開關(guān)控制裝置的作用下改變通入電流的相序產(chǎn)生空間旋轉(zhuǎn)的磁場,并且可以通過調(diào)整線圈電流頻率來變換磁場旋轉(zhuǎn)的速度。這樣便能應(yīng)用于靶向藥物控釋系統(tǒng)中,不僅可以研究磁感應(yīng)強度大小對藥物控釋的影響,還可以探究磁場旋轉(zhuǎn)速度對實驗的影響。

    1.3 旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置的總體設(shè)計分析。在項目中我們設(shè)計了旋轉(zhuǎn)磁場的具體實現(xiàn)方式,如圖1 流程圖所示。首先我們在MATALB 仿真軟件上,研究磁場的相序電流控制與旋轉(zhuǎn)磁場的形成狀態(tài)的關(guān)系,接著我們設(shè)計電源電路實現(xiàn)勵磁電流的供給,控制電路采取C51 單片機控制的方式,輸出一定的電流波形,并且可以對電流的大小、頻率進行調(diào)整,從而控制旋轉(zhuǎn)磁場的速度;驅(qū)動電路采用推挽電路或由自舉供電及驅(qū)動芯片構(gòu)成的驅(qū)動電路以滿足實驗的功率需要;主電路采用全橋逆變電路,其中開關(guān)器件的功能是完成在某個周期內(nèi)的開通和關(guān)斷,從而對電流相序進行控制,使磁場旋轉(zhuǎn)起來,從而產(chǎn)生我們需要的旋轉(zhuǎn)磁場。

    圖1 旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置設(shè)計流程圖

    2 生物藥物控釋系統(tǒng)的實現(xiàn)

    2.1 旋轉(zhuǎn)磁場的生成原理與仿真結(jié)果。對稱磁極產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場:如表1 所示,每組線圈在控制電路和開關(guān)控制裝置的作用下改變通入電流的相序,本設(shè)計選擇使用3 組對稱電磁線圈來產(chǎn)生對稱旋轉(zhuǎn)磁場。

    表1 三對電磁線圈導通時序表

    2.2 主電路的設(shè)計。旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置的關(guān)鍵部分是主電路。因為三個電磁線圈在導通時的設(shè)計要求相同,所以在設(shè)計時只設(shè)計其中一個線圈的主電路即可。本設(shè)計采用極性交替出現(xiàn)的旋轉(zhuǎn)磁場來滿足藥物的折返振蕩要求。主電路的仿真圖如圖2 所示。本文設(shè)計的裝置中,由單片機控制靶向磁場的旋轉(zhuǎn),主電路是由四個MOSFET 構(gòu)成的全橋逆變電路,可以帶動一對電磁線圈按照預(yù)先規(guī)定的方式旋轉(zhuǎn),生成的波形如圖3 所示。極性交替出現(xiàn)的磁場就由此而產(chǎn)生。據(jù)此,藥物就可以在試管壁上來回折返振蕩,減少藥物在試管壁上的殘留,實現(xiàn)高效運輸?shù)男Ч?/p>

    圖2 主電路仿真圖

    2.3 控制電路的設(shè)計??刂齐娐吩谡麄€靶向磁場發(fā)生器的設(shè)計中是至關(guān)重要的,因為控制電路設(shè)計出的時序是旋轉(zhuǎn)磁場產(chǎn)生的根本原因。本設(shè)計的控制電路是由單片機來產(chǎn)生的。由于單片機的價格比較便宜,而且能夠完全滿足控制要求。我們采用按鍵開關(guān)來實現(xiàn)對單片機波形頻率的控制,通過頻率控制來對旋轉(zhuǎn)磁場的速度進行改變,因為要輪流導通旋轉(zhuǎn)磁場的三對磁極,所以選擇P1.0、P1.1、P1.2 三個引腳輪流導通,如圖4 為控制電路的仿真圖。

    圖3 電路輸出波形圖

    圖4 控制電路的仿真圖

    2.4 驅(qū)動電路的設(shè)計。我們設(shè)計了基于IR2101 的驅(qū)動電路,將單片機輸出的5V 的信號進行放大至9V 左右,以滿足開關(guān)管導通的要求。圖5 是IR2101 驅(qū)動芯片的外圍電路,HO 和LO 兩個輸出分別接入全橋逆變電路的上下橋臂,使其導通。

    2.5 旋轉(zhuǎn)磁場的仿真。我們設(shè)計了所需要的電磁線圈,鐵芯材料采用硅鋼片,每個線圈匝數(shù)約為17 匝,輸入電流約為10A,如圖6、7 所示的磁場仿真為在一對磁極通入電流后產(chǎn)生的磁場情況和磁場的軸線分布情況。

    圖5 驅(qū)動電路的仿真圖

    圖6 磁場分布仿真圖

    圖7 軸線磁場分布圖

    3 結(jié)論

    本文綜合目前已有的靶向引導磁場的電磁場發(fā)生裝置,設(shè)計了一種多磁極的旋轉(zhuǎn)磁場發(fā)生裝置。該裝置的驅(qū)動電路部分由單片機、D 觸發(fā)器以及對應(yīng)的門電路而成,程序簡單、易于實現(xiàn),可以實現(xiàn)磁場的旋轉(zhuǎn),并對所產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)磁場進行有效的頻率控制;主電路中選取電力場效應(yīng)晶體管MOSFET 作為開關(guān)管,能夠有效減少關(guān)斷時間,可以使電磁線圈電流迅速下降;驅(qū)動電路采用了IR2101 芯片自舉供電的設(shè)計方法,能夠節(jié)約電源成本,經(jīng)實驗印證可知,驅(qū)動電路的輸出信號能夠驅(qū)動開關(guān)管MOSFET。

    該電磁場發(fā)生裝置可以產(chǎn)生空間旋轉(zhuǎn)的磁場,并通過調(diào)節(jié)線圈電流的頻率和大小來改變磁場旋轉(zhuǎn)的速度和產(chǎn)生磁場的強度,結(jié)構(gòu)簡單、較容易實現(xiàn),可以應(yīng)用于生物藥物控釋系統(tǒng),利用旋轉(zhuǎn)磁場控制藥物作用于靶區(qū)的周圍,減少藥物對患者的機體損傷。

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