孫蓓云,秦 鋒,聶 鑫
(強(qiáng)脈沖輻射模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安710024;西北核技術(shù)研究所,西安710024)
轉(zhuǎn)移阻抗是衡量屏蔽電纜屏蔽效能的一個(gè)重要特征參量,轉(zhuǎn)移阻抗越小,電纜的屏蔽效能越高。Vance等[1]給出了幾種典型結(jié)構(gòu)屏蔽電纜轉(zhuǎn)移阻抗的理論計(jì)算方法,但由于電磁耦合的機(jī)理比較復(fù)雜,對(duì)于編織屏蔽電纜或具有復(fù)雜屏蔽結(jié)構(gòu)的電纜,轉(zhuǎn)移阻抗通常在實(shí)驗(yàn)室通過(guò)測(cè)試獲得。轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試方法有多種[2-8],最常用的是三同軸法。IEC 62153-4-3:2013[9]標(biāo)準(zhǔn)給出了方法A、方法B和方法C共3種基于三同軸法的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試方法。方法C中,可采用金屬管構(gòu)成三同軸結(jié)構(gòu),也可采用金屬編織套構(gòu)成三同軸結(jié)構(gòu),本文分別稱為方法C1和方法C2。由于方法C所需的測(cè)試設(shè)備較少,電纜樣本的制備比方法A和方法B簡(jiǎn)單,且可測(cè)試的上限頻率比方法A和方法B低的缺點(diǎn)可通過(guò)縮短電纜樣本的耦合長(zhǎng)度來(lái)彌補(bǔ),人們更愿意采用方法C來(lái)測(cè)試屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗,如美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-C-85485[10]中規(guī)定的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試方法就與文獻(xiàn)[9]中的方法C2相同。利用三同軸法測(cè)試屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗時(shí),耦合長(zhǎng)度不同的電纜樣本在高頻段的測(cè)試結(jié)果會(huì)有差異。本文從三同軸法的頻率響應(yīng)系數(shù)出發(fā),通過(guò)分析方法C的頻率響應(yīng)和SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),給出了不同測(cè)試結(jié)構(gòu)和同種測(cè)試結(jié)構(gòu)不同耦合長(zhǎng)度電纜樣本的頻率響應(yīng)及其對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果的影響。
圖1為三同軸法原理圖[11]。被測(cè)屏蔽電纜構(gòu)成內(nèi)部傳輸線,電纜屏蔽導(dǎo)體與金屬管或金屬編織套構(gòu)成外部傳輸線,電纜屏蔽導(dǎo)體是內(nèi)部傳輸線的外導(dǎo)體,同時(shí)又是外部傳輸線的內(nèi)導(dǎo)體。匹配電路、終端電阻和阻尼電阻為測(cè)試電路的3個(gè)負(fù)載電阻。信號(hào)源與示波器或網(wǎng)絡(luò)分析儀的位置可互換。
圖1 三同軸法原理圖Fig.1 The diagram of the triaxial method
三同軸法等效電路如圖2所示。其中,內(nèi)部傳輸線的標(biāo)號(hào)為1;外部傳輸線的標(biāo)號(hào)為2;Z1、εr1、β1分別為內(nèi)部傳輸線的特性阻抗、相對(duì)介電常數(shù)和傳播常數(shù);Z2、εr2、β2分別為外部傳輸線的特性阻抗、相對(duì)介電常數(shù)和傳播常數(shù);L為耦合長(zhǎng)度;ZT為轉(zhuǎn)移阻抗;YT為轉(zhuǎn)移導(dǎo)納;R1n為內(nèi)部傳輸線的近端電阻;R1f為內(nèi)部傳輸線的遠(yuǎn)端電阻;R2f為外部傳輸線的遠(yuǎn)端電阻;Ug為信號(hào)源電壓;U2f為外部傳輸線遠(yuǎn)端電壓。
圖2 三同軸法的等效電路Fig.2 Equivalent circuit of the triaxial method
如果內(nèi)部與外部傳輸線的材料是非磁性材料,并忽略內(nèi)部與外部傳輸線的損耗和轉(zhuǎn)移導(dǎo)納的影響(一般情況下,轉(zhuǎn)移導(dǎo)納的影響可忽略不計(jì)),外部傳輸線遠(yuǎn)端電壓U2f與信號(hào)源電壓Ug之比為[11]
(1)
其中,g為三同軸法的頻率響應(yīng)系數(shù)
{r·[cosx-cos (nx)]-j·n·sin (nx)+j·sinx}
(2)
其中,
[cos (nx)+j·v·sin (nx)];
其中,λ1和λ2分別為內(nèi)部傳輸線與外部傳輸線中電磁波的波長(zhǎng)。
在低頻段,λ?L,g=1;隨著頻率升高,g開(kāi)始產(chǎn)生振蕩。文獻(xiàn)[11]將三同軸法可測(cè)試上限頻率定義為g偏離低頻響應(yīng)3 dB時(shí)的頻率。
在IEC 62153-4-3:2013中,方法C的負(fù)載條件如表1所列。一般情況下,信號(hào)源、示波器和網(wǎng)絡(luò)分析儀的內(nèi)電阻為50 Ω。
表1 方法C的負(fù)載條件Tab.1 Load conditions of method C
典型射頻電纜的絕緣介質(zhì)為聚乙烯(PE),相對(duì)介電常數(shù)為2.3;護(hù)套為聚氯乙烯(PVC),相對(duì)介電常數(shù)為5.0。如采用方法C1測(cè)試該類(lèi)電纜的轉(zhuǎn)移阻抗,內(nèi)部傳輸線相對(duì)介電常數(shù)εr1=2.3,外部傳輸線相對(duì)介電常數(shù)εr2=1.0;如采用方法C2測(cè)試該類(lèi)電纜的轉(zhuǎn)移阻抗,內(nèi)部傳輸線相對(duì)介電常數(shù)εr1=2.3,外部傳輸線相對(duì)介電常數(shù)εr2=5.0。方法C1、C2的頻率響應(yīng)分別如圖3和圖4所示。由圖3可見(jiàn),隨著v值減小,g=-3 dB處的L/λ1增加,表明在耦合長(zhǎng)度相同的條件下,減小金屬管的內(nèi)徑,v值減小,可提高方法C1的可測(cè)試上限頻率。由圖4可見(jiàn),隨著v值增加,g=-3 dB處的L/λ1增加,但增加的幅度較小,表明在耦合長(zhǎng)度相同的條件下,v值雖有變化,但方法C2的可測(cè)試上限頻率卻十分接近。另外,通過(guò)比較圖3和圖4可見(jiàn),在接近可測(cè)試上限頻率的高頻段,方法C1的|g|小于1,而方法C2的|g|大于1。
對(duì)于其他類(lèi)型的屏蔽電纜,方法C1和方法C2的頻率響應(yīng)分別與圖3和圖4所示的變化規(guī)律相似。
圖3 方法C1的頻率響應(yīng)Fig.3 Frequency response of method C1
圖4 方法C2的頻率響應(yīng)Fig.4 Frequency response of method C2
采用三同軸法測(cè)試屏蔽電纜的轉(zhuǎn)移阻抗時(shí),根據(jù)式(1),轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試結(jié)果為
(3)
即轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果為所用測(cè)試方法的頻率響應(yīng)系數(shù)與真實(shí)轉(zhuǎn)移阻抗的乘積。由圖3和圖4可見(jiàn),在低頻段,方法C1和方法C2的|g|=1,|gZT|=|ZT|。在接近可測(cè)試上限頻率的高頻段,方法C1的|g|<1,|gZT|<|ZT|;而方法C2的|g|>1,|gZT|>|ZT|。圖5為L(zhǎng)=30 cm時(shí),采用方法C1 (w=1,r=0,v=3.0)和方法C2 (w=1,r=0,v=0.23)獲得的SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果。圖5中,虛線為根據(jù)1~10 MHz測(cè)試數(shù)據(jù)線性外推的轉(zhuǎn)移阻抗。
圖5 L=30 cm時(shí),采用方法C1和方法C2 測(cè)得的SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗Fig.5 The transfer impedances of SYV50-3-4 coaxial cable measured by method C1 and C2 when L is 30 cm, respectively
由圖5可見(jiàn),在低頻段,2種測(cè)試方法的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果均為0.011 Ω·m-1,與SYV-50-3-4同軸電纜屏蔽導(dǎo)體直流電阻的實(shí)測(cè)值0.010 8 Ω·m-1十分接近,驗(yàn)證了測(cè)試方法可靠性;在接近可測(cè)試上限頻率的高頻段,方法C1的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果小于外推值,而方法C2的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果大于外推值,這驗(yàn)證了測(cè)試結(jié)構(gòu)的頻率響應(yīng)對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果的影響。方法C1中,外傳輸線由內(nèi)徑為40 mm的銅管構(gòu)成。根據(jù)式(2),當(dāng)L=30 cm時(shí),方法C1的可測(cè)試上限頻率約為50 MHz,方法C2的可測(cè)試上限頻率約為76 MHz,方法C2要優(yōu)于方法C1。SYV-50-3-4同軸電纜是一種常用的射頻電纜,其特性阻抗為50 Ω,電纜的結(jié)構(gòu)為:內(nèi)導(dǎo)體為銅,直徑為0.91 mm;絕緣體為聚乙烯(PE),直徑為(2.95±0.15) mm;屏蔽導(dǎo)體為銅絲編織屏蔽;編織角為23 °;編織束為16;編織束的導(dǎo)體數(shù)目為6;編織導(dǎo)體直徑為0.15 mm;護(hù)套為聚氯乙烯(PVC),直徑為(5.0±0.20) mm。
除測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果有影響之外,采用同種測(cè)試結(jié)構(gòu),電纜樣本耦合長(zhǎng)度的變化也會(huì)對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。仍以SYV-50-3-4同軸電纜為例,L=100,30,10 cm時(shí),采用方法C2的頻率響應(yīng),如圖6所示,對(duì)應(yīng)的可測(cè)試上限頻率分別約為23,76,230 MHz,當(dāng)f=20 MHz時(shí),|g|分別為1.29,1.02,1.00。
圖6 L=100,30,10 cm時(shí), 采用方法C2的頻率響應(yīng)Fig.6 The frequency responses of method C2 when L is 100, 30, 10 cm ,respectively
由圖6可見(jiàn),縮短電纜樣本的耦合長(zhǎng)度,既可提高轉(zhuǎn)移阻抗的可測(cè)試上限頻率,又可提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。圖7為L(zhǎng)=100,30,10 cm時(shí),采用方法C2測(cè)得的SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗。由圖7可見(jiàn),在低頻段,3種耦合長(zhǎng)度電纜樣本轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試結(jié)果均約為0.011 Ω·m-1;在接近可測(cè)試上限頻率的高頻段,耦合長(zhǎng)度越長(zhǎng),轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試結(jié)果越大,與理論預(yù)期相符。根據(jù)頻率響應(yīng)分析可知,耦合長(zhǎng)度為10 cm時(shí),SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試結(jié)果最為準(zhǔn)確。
圖7 L=100,30,10 cm時(shí),采用方法C2 測(cè)得的SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗Fig.7 The transfer impedances of SYV50-3-4 cable measured by method C2 when L is 100, 30, 10 cm, respectively
三同軸法是最常用的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試方法。本文給出了三同軸法的頻率響應(yīng)系數(shù)解析公式,基于SYV-50-3-4同軸電纜參數(shù)計(jì)算了IEC 62153-4-3:2013標(biāo)準(zhǔn)中方法C1和方法C2的頻率響應(yīng),并通過(guò)SYV-50-3-4同軸電纜轉(zhuǎn)移阻抗的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),分析了不同測(cè)試結(jié)構(gòu)及同種測(cè)試結(jié)構(gòu)不同耦合長(zhǎng)度電纜樣本對(duì)轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果的影響,得到如下結(jié)論:
1)在相同耦合長(zhǎng)度的條件下,方法C2的可測(cè)試上限頻率高于方法C1;在接近可測(cè)試上限頻率的高頻段,方法C1的轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果小于實(shí)際值,而方法C2轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果大于實(shí)際值。
2)無(wú)論采用何種負(fù)載條件的三同軸法,縮短電纜樣本的耦合長(zhǎng)度,在提高轉(zhuǎn)移阻抗可測(cè)試上限頻率的同時(shí),還可提高測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性。
在實(shí)際應(yīng)用中,考慮到方法C2所需測(cè)試儀器較少,電纜樣本制備較容易,推薦首選方法C2進(jìn)行屏蔽電纜轉(zhuǎn)移阻抗的測(cè)試,且在測(cè)量?jī)x器靈敏度允許并保證測(cè)試結(jié)果可信的前提下,盡量縮短電纜樣本的耦合長(zhǎng)度,提高轉(zhuǎn)移阻抗測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。