能子禮超,楊 紅,海來伍加,劉盛余,何廷宇
(1. 西昌學院 資源與環(huán)境學院,四川 西昌 615000;2. 成都信息工程大學 資源環(huán)境學院,四川 成都 610225;3. 西昌學院 環(huán)境經(jīng)濟科學研究中心,四川 西昌 615000)
汞是致癌、致畸形、致突變的優(yōu)先控制污染物之一[1],已成為僅次于氮氧化物、硫氧化物以及粉塵的第四大氣污染物[2]。而煙氣汞排放是大氣汞污染的最大來源[3-6],主要以Hg0、Hg2+和顆粒態(tài)Hg(Hgp)形式存在[7]。 濕法煙氣脫硫(WFGD)設備可去除Hg2+[8],除塵設備可捕獲Hgp,而Hg0較難通過現(xiàn)有氣體凈化技術除去[9-11]。Hg0凈化技術的開發(fā)是當今大氣汞污染治理領域的難題[12]。
煙氣脫汞方法分為干法(吸附法)和濕法(氧化吸收法)[13]?;钚蕴繃娚浼夹g是商業(yè)化較為成熟的干法煙氣脫汞方法[14-15],但活性炭成本高、耗量大、再生難,因此,開發(fā)高效廉價的吸附劑成為一個重要方向[16-19]。氧化吸收法主要是添加氧化劑將Hg0氧化成Hg2+,實現(xiàn)汞的高效去除[20]。利用現(xiàn)有WFGD技術實現(xiàn)多污染物聯(lián)合控制,是最適合中國國情的煙氣脫汞方法[21]。
目前,用于氧化脫汞的氧化劑有 KMnO4,K2S2O8,NaClO2,NaClO3,NaClO4,O3等[22-24]。KClO在酸性條件下的KClO/Cl-標準電極電勢為1.47 V,而Hg0的氧化標準電極電勢為0.85 V[25],因此,KClO在適當?shù)臈l件下可以氧化去除Hg0。本工作基于KClO氧化去除煙氣中Hg0的條件實驗,探索KClO氧化去除Hg0的反應機理,以期為實現(xiàn)WFGD同時脫硫脫汞提供參考。
Hg0:分析純;N2:純度99.9%;KClO:分析純。
實驗裝置主要包括:汞發(fā)生器、混合加熱器、反應器、恒溫水浴鍋等,見圖1。用轉(zhuǎn)子流量計控制N2載氣流量為0.1 Nm3/h,將汞滲透管(美國VICI Metronics公司)揮發(fā)的Hg0帶出,混合加熱后進入反應器中與KClO溶液反應,Hg0被氧化吸收去除,尾氣凈化后外排。
圖1 實驗裝置示意
采用酸性高錳酸鉀溶液吸收氣體中Hg0,標定后采用AFS-820型原子熒光光度計(北京吉天儀器有限公司)測定Hg質(zhì)量濃度[20,21,26],計算Hg0去除率。
反應溫度影響KClO溶液氧化吸收Hg0的途徑主要有:影響Hg0在溶液中的擴散速率和溶解量;影響溶液中KClO的形態(tài)分布和有效氧化物質(zhì)的產(chǎn)生量;影響化學反應速率。在汞滲透管溫度為50℃、吸收液初始pH為3.20、吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)為10%的條件下,反應溫度對Hg0去除率的影響見圖2。由圖2可見:Hg0去除率隨反應溫度的升高而減小,說明提高反應溫度不利于KClO溶液氧化吸收Hg0;當反應時間為20 min時,Hg0去除率從10 ℃時的55.68%減小到70 ℃時的25.65%,減小了30.03百分點。
圖2 反應溫度對Hg0去除率的影響
以反應時間為20 min時的去除率為參照,反應溫度對Hg0去除率下降量的影響見圖3。由圖3可知:反應溫度為10 ℃時Hg0去除率下降量最低,反應溫度為70 ℃時Hg0去除率下降量最高;反應溫度為10,30,50,70 ℃時,反應時間為200 min時的Hg0去除率比20 min時分別下降了34.18,40.50,68.24,82.34百分點。
圖3 反應溫度對Hg0去除率下降量的影響
KClO在酸性條件下可將Hg0氧化成Hg2+,但溶液中KClO可能發(fā)生熱分解從而抑制吸收反應的進行,見式(1)~(2)。
KClO熱分解過程中[O]較難生成,O2大部分會被載氣帶出。溫度越高,熱解速率越快,溶液中參與反應的活性組分就越少,Hg0去除率也就越低。此外,Hg0的溶解度隨溫度增加而減少,Hg0在25 ℃和55 ℃水中的溶解度分別為1.1×10-6g和2.7×10-7g,因此,反應溫度從10 ℃提高到70 ℃時, Hg0去除率降低了30.03百分點。同時KClO屬于強堿弱酸性質(zhì),溶液中的KClO電離形成HClO/ClO-體系,HClO/ClO-體系與Hg0反應產(chǎn)生HgCl2和H2O,見式(3)~(5)。式(5)屬于放熱反應,提高反應溫度不利于反應發(fā)生。因此提高反應溫度不利于提高脫汞效果。
在反應溫度為30 ℃、吸收液初始pH為3.00、吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)為10%的條件下,汞滲透管溫度對Hg0去除率的影響見圖4。由圖4可見:KClO溶液氧化吸收Hg0的效果受汞滲透管溫度的影響,隨汞滲透管溫度增加,Hg0去除率先升高然后降低;汞滲透管溫度從30 ℃升高至50 ℃時,Hg0去除率從27.06%提高到58.22%,提高了31.16百分點;汞滲透管溫度增加到70 ℃和90 ℃時,Hg0去除率比50 ℃時分別降低了30.85百分點和40.57百分點。
圖4 汞滲透管溫度對Hg0去除率的影響
汞滲透管的溫度控制著Hg0揮發(fā)量,決定了氣相主體中Hg0的濃度,控制著Hg0從氣相到液相的擴散速率。當氣相主體中Hg0濃度逐漸上升時,Hg0的氣相擴散速率成為整個反應的限速步驟,增大了Hg0在氣相主體和氣液界面的分壓差。同時,根據(jù)Fick定律,Hg0擴散通量隨濃度差的增大而增大,擴散至氣液界面參與反應的Hg0的數(shù)量增多,從而提高了Hg0去除率。但由于擴散速率和擴散通量對Hg0去除率的貢獻受到反應速率的影響,氣相主體Hg0含量的持續(xù)增加促使反應限速步驟從氣膜移向液膜,因此進一步提高氣相主體中Hg0含量,Hg0去除率不再升高反而下降。
在反應溫度為30 ℃、汞滲透管溫度為50 ℃、吸收液初始pH為5.00的條件下,吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)對Hg0去除率的影響見圖5。
圖5 吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)對Hg0去除率的影響
由圖5可見:Hg0去除率隨KClO質(zhì)量分數(shù)增加而增加,KClO質(zhì)量分數(shù)從1%增加至10%時,Hg0去除率相對快速提高了22.51百分點;繼續(xù)增大KClO質(zhì)量分數(shù)則Hg0去除率增加緩慢,KClO質(zhì)量分數(shù)從10%增大至30%時,Hg0去除率僅提高了6.00百分點。說明吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)低于10%時,Hg0和KClO溶液之間氣液兩相傳質(zhì)反應效率由液相主體控制;KClO質(zhì)量分數(shù)為20%~30%時Hg0去除率的增大可能是反應產(chǎn)物起了促進作用,主要反應產(chǎn)物有KCl、HgCl2和H2O。
在反應溫度為30 ℃、汞滲透管溫度為50 ℃、吸收液KClO質(zhì)量分數(shù)為10%的條件下,吸收液初始pH對Hg0去除率的影響見圖6。從圖6可見,隨著吸收液初始pH的提高,Hg0去除率降低,說明酸性環(huán)境更有利于KClO溶液氧化吸收Hg0。其主要原因是因為KClO的氧化還原電勢隨溶液pH的變化而有較大幅度的變化。KClO的氧化還原電勢在pH=1.00時為1.47 V,pH=14.00時為0.84 V,而Hg2+/Hg0的標準電極電勢為0.85 V,因此溶液堿性越強則氧化Hg0的能力就越弱,去除率就越低。pH為13.00時,Hg0去除率僅為22.87%,此時去除率主要靠Hg0的擴散作用,KClO已不能氧化Hg0。
反應過程中吸收液pH的變化見圖7。
圖6 吸收液初始pH對Hg0去除率的影響
圖7 反應過程中吸收液pH的變化
由圖7可見:不同初始pH的吸收液隨著反應的進行pH均上升,初始pH為3.00,5.00,13.00的吸收液反應110 min后,吸收液pH分別上升至6.22,6.35,13.35,pH增量分別為3.22,1.35,0.35;初始pH為3.00的吸收液在25 min內(nèi)pH快速上升至5.59,初始pH為5.00的吸收液在8 min內(nèi)pH快速上升至5.49。說明反應消耗了大量的H+,且酸性條件下Hg0去除效果更好。在酸性環(huán)境中氧化Hg0的反應為:ClO-+Hg0+2H+=Cl-+Hg2++H2O。由圖7還可知:隨著吸收反應的進行,初始pH為13.00的吸收液的pH緩慢上升至13.35,說明反應過程產(chǎn)生了OH-。在堿性環(huán)境中氧化Hg0的反應為:ClO-+Hg0+H2O=Cl-+Hg2++2OH-。
a)提高反應溫度會降低脫汞性能,加快KClO熱分解,減小Hg0溶解度,抑制氧化還原放熱反應,溫度從10 ℃提高到70 ℃時,Hg0去除率下降了30.03百分點。
b)通過汞滲透管溫度可提高Hg0濃度,增大Hg0在氣相主體和氣液界面的分壓差,進而提高Hg0的傳質(zhì)速率,使Hg0去除率提高;繼續(xù)提高Hg0濃度,反應限速步驟從氣膜移向液膜,使Hg0去除率下降。
c)KClO質(zhì)量分數(shù)低于10%時,Hg0和KClO溶液的氣液兩相傳質(zhì)效率由液相控制。
d)Hg0去除率隨吸收液初始pH的提高而降低,吸收液pH隨反應時間的延長而升高,不同pH下反應機理不同,在酸性環(huán)境中氧化Hg0的反應為:ClO-+Hg0+2H+=Cl-+Hg2++H2O,在堿性環(huán)境中氧化Hg0的反應為:ClO-+Hg0+H2O=Cl-+Hg2++2OH-。