快一點(diǎn)！0費(fèi)用固態(tài)硬盤加速攻略

需要說(shuō)明的是，目前固態(tài)硬盤的主要接口分為兩類，一類是SATA接口，一類是M.2接口。前者使用AHCI協(xié)議，后者則主要是NVMe協(xié)議的（也有極少部分使用AHCI協(xié)議）。所以，筆者今天會(huì)將兩種接口不同協(xié)議的固態(tài)硬盤優(yōu)化方法一并提出，供大家參考。

AHCI、NVMe是什么

正如筆者所言，固態(tài)硬盤從接口上分為SATA接口和M.2接口，而從（上層）協(xié)議上看，則分別是AHCI協(xié)議和NVMe協(xié)議為主。那么這二者究竟什么區(qū)別呢？

SATA是一種物理接口類型，執(zhí)行AHCI協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)。AHCI全稱為串行ATA高級(jí)主控接口/高級(jí)主機(jī)控制器接口，是在英特爾的指導(dǎo)下，由多家公司聯(lián)合研發(fā)的接口標(biāo)準(zhǔn)，它允許存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)程序啟用高級(jí)串行ATA功能。使用AHCI協(xié)議的SATA接口固態(tài)硬盤是目前最為廉價(jià)和常見的固態(tài)硬盤接口，缺點(diǎn)便是物理帶寬極限只有6Gbps，無(wú)法滿足現(xiàn)在的高速讀取需要。

所謂NVMe協(xié)議，是一種基于非易失性存儲(chǔ)器的傳輸規(guī)范，NVMe協(xié)議由包含90多家公司在內(nèi)的工作小組所定制，其充分利用PCI-E通道的低延時(shí)以及并行性，可以極大地提高固態(tài)硬盤的讀寫性能。它最多可使用4條PCIe通道，當(dāng)使用PCIe 3.0標(biāo)準(zhǔn)時(shí)理論帶寬最高可達(dá)32Gbps，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)AHCI協(xié)議。

知道了不同接口、協(xié)議之間的差別，下面就是實(shí)際操作環(huán)節(jié)。其實(shí)無(wú)論SATA接口還是M.2接口的固態(tài)硬盤，提速的本質(zhì)方法是一樣的——修改電源管理設(shè)置，不過(guò)具體在操作上略有差別而已。

SATA接口固態(tài)硬盤提速方法

首先是SATA接口固態(tài)硬盤的提速方法，右鍵點(diǎn)擊左下方的開始菜單，找到“Windows PowerShell（管理員）”項(xiàng)點(diǎn)擊運(yùn)行。這里特別注意，不是直接運(yùn)行“WindowsPowerShell”，務(wù)必使用“WindowsPowerShell（管理員）”。

在Powe r She l l界面下，輸入以下命令并回車執(zhí)行：“powercfg -attributes 0012ee47-9041-4b5d-9b77-535fba8b1442 0b2d69d7-a2a1-449c-9680-f91c70521c60 -ATTRIB_HIDE”，運(yùn)行完畢關(guān)閉窗口即可。

左鍵點(diǎn)擊開始菜單，選擇齒輪狀圖標(biāo)進(jìn)入設(shè)置界面，選擇“系統(tǒng)”。

打開“電源和睡眠”頁(yè)面，右側(cè)滾動(dòng)條下拉，找到“其他電源設(shè)置”點(diǎn)擊打開。

在電源選項(xiàng)中，點(diǎn)擊當(dāng)前你正在使用的配置計(jì)劃，如下圖中“平衡（推薦）”的“更改計(jì)劃設(shè)置”。

在新頁(yè)面中，點(diǎn)擊“更改電源高級(jí)設(shè)置”

在彈出的頁(yè)面內(nèi)，找到“ 硬盤”點(diǎn)擊+ 號(hào)，可以看到剛剛在PowerShell內(nèi)添加的AHCI LinkPower Management - HIPM/DIPM設(shè)置，點(diǎn)擊“設(shè)置”后的下拉菜單，里面有幾個(gè)選項(xiàng)，分別是：

HIPM - 主機(jī)控制

DIPM - 設(shè)備控制

HIPM + DIPM - 混合控制

Lowest - 最低功耗模式

Active - 關(guān)閉節(jié)能模式

為了讓SATA接口固態(tài)硬盤保持最高性能，這里我們選中Active即可。

接下來(lái)，我們還是要重新進(jìn)入“Windows PowerShell（管理員）”模式，方法同剛剛一樣，但是輸入另一個(gè)添加命令：“power cf g-attributes 0012ee47-9041-4b5d-9b77-535fba8b1442 dab60367-53fe-4fbc-825e-521d069d2456-ATTRIB_HIDE”，確認(rèn)回車執(zhí)行。

同樣重復(fù)上面打開“更改電源高級(jí)設(shè)置”的方法，點(diǎn)擊“硬盤”+號(hào)打開折疊列表，可以看到多了一個(gè)“AHCI Link Power Management -Adaptive”項(xiàng)。這個(gè)設(shè)置可以決定固態(tài)硬盤進(jìn)入休眠狀態(tài)的等待時(shí)間，默認(rèn)是100。如果想讓固態(tài)硬盤盡快休眠來(lái)降低功耗和發(fā)熱，可以設(shè)置在50左右;如果想讓硬盤一直保持高速敏捷的響應(yīng)能力，那么建議設(shè)置在200左右。

M.2接口固態(tài)硬盤提速方法

首先要說(shuō)明，這里提到M.2接口固態(tài)硬盤的提速方法，還是針對(duì)NVMe協(xié)議的產(chǎn)品，不是針對(duì)M.2接口的AHCI協(xié)議產(chǎn)品。

同樣，我們首先還是需要使用PowerShell來(lái)添加一個(gè)管理選項(xiàng)。依照之前的方法打開PowerShell，然后輸入如下命令：“powercfg-attributes0012ee47-9041-4b5d-9b77-535fba8b1442d639518a-e56d-4345-8af2-b9f32fb26109-ATTRIB_HIDE”。

這時(shí)候在高級(jí)電源設(shè)置的硬盤選項(xiàng)里添加一個(gè)PrimaryNVMeIdleTimeout項(xiàng)目，設(shè)置NVMe固態(tài)硬盤空閑超過(guò)某個(gè)時(shí)長(zhǎng)后，進(jìn)入節(jié)能模式。如果要適當(dāng)節(jié)能降溫就設(shè)置得小一些，讓硬盤稍有空閑就趕緊休息散熱，需要更高性能就將這個(gè)值設(shè)置得大一些即可。

這里也要提示大家，其實(shí)固態(tài)硬盤的功耗并不高，即便是滿載讀寫其功耗也比機(jī)械硬盤來(lái)得小，所以我們才有機(jī)會(huì)從電源管理上入手，“犧牲”可以忽略不計(jì)的能耗換取更好的讀寫性能。但是固態(tài)硬盤對(duì)高溫的容忍度并不高，特別是高速產(chǎn)品的主控部分，所以為固態(tài)硬盤，尤其是M.2接口固態(tài)硬盤做好散熱措施才是根本，大家可以參考本刊2020年第6期的《別把它熱“壞”了固態(tài)硬盤散熱不能忘》一文。