韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的案例分析及經(jīng)驗借鑒

王超 李倩

摘 ? 要：20世紀80-90年代，面對DRAM核心技術(shù)受制于人的困境，韓國通過出臺發(fā)展DRAM的專門戰(zhàn)略規(guī)劃、加大DRAM研發(fā)投入、構(gòu)建官產(chǎn)學研發(fā)聯(lián)合體并聯(lián)合實施超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃等措施，成功實現(xiàn)DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)突破。文章重點分析了韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的典型案例，從體制機制、組織模式、政策措施方面剖析了韓國發(fā)展DRAM技術(shù)的實踐經(jīng)驗，以期為我國加強IT領域關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)，早日實現(xiàn)技術(shù)突破提供參考和借鑒。

關(guān)鍵詞：DRAM;關(guān)鍵核心技術(shù);體制機制;組織模式;政策措施

中圖分類號： TN301 ? ? ? ? ?文獻標識碼：A

Abstract： In the 1980s and 1990s， faced with the dilemma of DRAM core technology being controlled by people， South Korea introduced a special strategic plan for DRAM development， increased DRAM R & D investment， built an official industry-university R & D complex， and jointly implemented a joint development plan for VLSI technology And other measures to successfully achieve breakthroughs in key DRAM core technologies. This paper focuses on the typical cases of South Korea's breakthrough in the key core technologies of DRAM， and analyzes the practical experience of South Korea's development of DRAM technology from the aspects of system mechanism， organization mode and policy measures， in order to provide reference for China to strengthen the research and development of key core technologies in the IT field and achieve the technological breakthrough as soon as possible.

Key words： DRAM; key core technology; institutional mechanism; organizational model; policy measures

1 引言

20世紀70年代，韓國嚴重缺乏自主技術(shù)、過分依賴國外供應商提供芯片，淪為專門從事簡單的晶體管和ICs組裝的裝配生產(chǎn)基地。為扭轉(zhuǎn)困境，韓國通過出臺發(fā)展DRAM的專門戰(zhàn)略規(guī)劃、加大DRAM研發(fā)投入、構(gòu)建官產(chǎn)學研發(fā)聯(lián)合體并聯(lián)合實施超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃等措施，十余年內(nèi)掌握DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)，并一直牢牢把握DRAM技術(shù)制高點。韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的體制機制、組織模式、政策措施方面的經(jīng)驗，對于我國掌握IT核心技術(shù)具有重大的理論借鑒意義和實踐參考價值。

2 韓國DRAM技術(shù)發(fā)展背景

半導體技術(shù)產(chǎn)業(yè)是一種高技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，也是一個國家核心競爭力的重要象征。20世紀60年代，韓國半導體產(chǎn)業(yè)以技術(shù)引進和從事硬件的生產(chǎn)加工及服務起步。1965-1973年間，仙童半導體（Fairchild）、摩托羅拉（Motorola）等11家美國半導體公司，三洋（Sanyo）和東芝（Toshiba）等7家日本半導體公司先后在韓國投資設廠，利用韓國廉價勞動力，采用大進大出的來料加工模式，使得韓國淪為專門從事簡單的晶體管和ICs組裝的裝配生產(chǎn)基地，并未真正取得半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的進步。單純依靠技術(shù)的引進與模仿、嚴重缺乏自主技術(shù)、過分依賴國外供應商提供芯片等基礎性電子組件、產(chǎn)業(yè)發(fā)展嚴重受制于人的現(xiàn)狀，使得韓國政府下定決心以自主創(chuàng)新和掌握自主知識產(chǎn)權(quán)為目標，大力發(fā)展半導體尤其是DRAM技術(shù)產(chǎn)業(yè)。

3 出臺促進DRAM自主創(chuàng)新的政策措施

3.1調(diào)整半導體領域合資政策，防止國內(nèi)企業(yè)對國外技術(shù)過于依賴

鑒于美國、日本企業(yè)通過在韓成立合資公司，逐步使韓國淪為裝配生產(chǎn)基地的現(xiàn)狀，韓國政府調(diào)整半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展思路，控制技術(shù)引進，強化技術(shù)吸收與創(chuàng)新。一是修改外資投資法規(guī)。韓國借鑒日本“市場換取技術(shù)”模式，在日本三洋于1974年完成對韓國三星的電子技術(shù)轉(zhuǎn)移后，通過修改外資投資法規(guī)，堅決不對合資企業(yè)開放國內(nèi)半導體市場，迫使日本三洋和NEC停止在韓投資，退出韓國市場。同時，韓國對引進的半導體技術(shù)實行嚴格監(jiān)督和審查，鼓勵有選擇地引進關(guān)鍵技術(shù)和設備，提倡在引進先進技術(shù)的同時，強化技術(shù)吸收，發(fā)展自主科研力量。二是明確半導體產(chǎn)業(yè)本土化路徑。1975年，韓國政府制定《推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六年計劃》，強調(diào)要實現(xiàn)電子配件及半導體生產(chǎn)的本土化，通過建設一批研究機構(gòu)、獲取海外公司特許、引進顧問工程師，而非通過跨國公司的投資的方式發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，以防止國內(nèi)企業(yè)對國外技術(shù)過于依賴，避免外國投資企業(yè)控制韓國半導體產(chǎn)業(yè)。

3.2 將DRAM作為韓國半導體技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點領域，分階段出臺專門戰(zhàn)略規(guī)劃加速推動發(fā)展

1973年韓國政府將半導體電子列為六大戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)之一。1975年，韓國政府出臺了《推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六年計劃》（以下簡稱《六年計劃》），初步規(guī)劃了以存儲芯片為主，技術(shù)上先引進、消化吸收、再創(chuàng)新的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑，為未來韓國半導體產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展奠定了堅實的基礎。

20世紀80年代，為引導更多企業(yè)進入DRAM領域，增強韓國DRAM產(chǎn)業(yè)實力，韓國政府先后發(fā)布了《半導體工業(yè)綜合發(fā)展計劃》《國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)扶持計劃》《半導體產(chǎn)業(yè)育成計劃》等規(guī)劃文件，明確提出支持4M DRAM的開發(fā)，要實現(xiàn)國內(nèi)民用消費電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設備的進口替代，實現(xiàn)完整的國內(nèi)自給自足的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標。系列規(guī)劃的出臺，極大刺激了韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，三星、LG、現(xiàn)代等財閥相繼進入半導體領域，重資下注DRAM產(chǎn)業(yè)，并在數(shù)年內(nèi)便通過引進消化吸收的方式掌握了完整的DRAM技術(shù)體系，奠定了后續(xù)實施大規(guī)模DRAM技術(shù)攻關(guān)的技術(shù)基礎。

20世紀90年代，在DRAM技術(shù)基本達到歐美國家同等水平后，韓國政府開啟半導體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程，并推進DRAM上下游協(xié)同發(fā)展，打造自主可控的產(chǎn)業(yè)發(fā)展鏈條。1990年，韓國實施《半導體設備國產(chǎn)化五年計劃》，出資2000億韓元，鼓勵韓國企業(yè)投資半導體設備和電子化學品原料供應鏈，推動半導體核心部件國產(chǎn)化。1993年，韓國政府出臺《21世紀電子發(fā)展規(guī)劃》，確立了半導體產(chǎn)業(yè)自力更生的方針，規(guī)定不再增加從國外購買電子設備和建設工廠工程的合同，在非引進不可的特殊情況下，韓國企業(yè)必須聯(lián)合、共同承包。在上述計劃的支持下，韓國工貿(mào)部設立了兩個工業(yè)園區(qū)，專門供給半導體設備廠商設廠，并以優(yōu)厚的條件招攬美國化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網(wǎng)屏）等廠商在韓國設立合資公司。系列舉措，使得韓國半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵設備和電子化學品原材料初具規(guī)模，避免了由于上游供應問題導致DRAM“卡脖子”的困境。

3.3 設立重大專項，政企合力實施DRAM技術(shù)攻關(guān)計劃

20世紀80年代，韓國的DRAM技術(shù)仍然與美日先進技術(shù)存在數(shù)年的差距。1986年，三星開發(fā)4M DRAM芯片時，甚至遭遇了德州儀器發(fā)起的DRAM設計專利權(quán)訴訟。這使得韓國政府意識到，發(fā)展DRAM技術(shù)需要大量資金和技術(shù)投入，單個企業(yè)已經(jīng)不足以攻克如此高的研發(fā)難度。

1986年10月起，韓國政府牽頭聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代等DRAM龍頭企業(yè)和多所高校，實施了國家聯(lián)合攻關(guān)計劃—超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃，重點開展1M到64M的DRAM核心基礎技術(shù)開發(fā)，實現(xiàn)了韓國DRAM 技術(shù)水平的大幅躍升和對美日的趕超。以三星為例，1983年，三星公司僅實現(xiàn)64K DRAM芯片的研發(fā)，其研發(fā)速度還落后于美國和日本4年;1988年，三星完成了4M DRAM芯片的設計，此時其研發(fā)速度僅比日本晚6個月;1992年，三星開發(fā)出了64M DRAM芯片，實現(xiàn)了在技術(shù)和市場上趕超美日的目標。1995年，三星自主研發(fā)出256M DRAM，標志著韓國半導體實現(xiàn)了由引進技術(shù)到自主創(chuàng)新的技術(shù)跨越。

3.4 加強國家采購和出口貿(mào)易，促進DRAM技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大

一方面，韓國立法確立對DRAM等高新技術(shù)產(chǎn)品的政府采購制度。為加強對DRAM等高新技術(shù)的引進消化吸收，韓國政府以立法的形式強制對高新技術(shù)產(chǎn)品實施政府采購，如《科學技術(shù)促進法》《科技振興法》，以及以總統(tǒng)令形式發(fā)布的《政府合同法實施細則》等規(guī)定，對尚處于市場發(fā)展早期需重點扶持的本國高新技術(shù)產(chǎn)品，在性能相近的情況下，即使價格高于國外同類產(chǎn)品，政府仍應優(yōu)先采購或委托其產(chǎn)業(yè)鏈領頭企業(yè)代為產(chǎn)業(yè)扶持。韓國的高新技術(shù)產(chǎn)品政府采購制度，對DRAM等高新技術(shù)發(fā)展起到了巨大的鼓勵和扶持作用。

另一方面，韓國避免大規(guī)模對美出口半導體，防止美韓直接貿(mào)易摩擦。1985-1992年間，韓國抓住美日半導體貿(mào)易沖突的重大歷史機遇，不斷向歐美日輸出DRAM相關(guān)產(chǎn)品。1993年，在被美國鎂光公司起訴、美國商務部判定韓國三星、LG、現(xiàn)代三大財閥存儲器傾銷，并支付反傾銷關(guān)稅后，韓國調(diào)整出口政策，將日本、中國臺灣等亞洲國家和地區(qū)作為主要銷售對象，盡量避免與美國發(fā)生貿(mào)易摩擦。

4 優(yōu)化DRAM自主創(chuàng)新的組織模式

4.1 支持以大企業(yè)為創(chuàng)新主體，實現(xiàn)DRAM技術(shù)的原始積累和自主創(chuàng)新

為彌補DRAM研發(fā)能力的不足，韓國政府以三星、LG、現(xiàn)代等大企業(yè)為DRAM創(chuàng)新主體，通過宏觀調(diào)控政策把95%的資金提供給大企業(yè)，支持韓國大企業(yè)通過并購、技術(shù)貿(mào)易、開設研發(fā)分支機構(gòu)等來提升研發(fā)能力，實現(xiàn)DRAM技術(shù)的原始積累。

以三星為例，超強的技術(shù)消化吸收能力是三星取得DRAM技術(shù)領先的關(guān)鍵。一是三星注重使用競爭創(chuàng)新的模式提升企業(yè)內(nèi)部的創(chuàng)新效率。例如，在攻關(guān) 256K、1M DRAM時，三星將研發(fā)團隊分為國內(nèi)組與海外組，就一個技術(shù)同時進行研究。國內(nèi)組先于海外組五個月完成256K DRAM研發(fā)，因此，三星先采用了國內(nèi)組技術(shù)路線進行產(chǎn)品生產(chǎn)，但由于海外組開發(fā)成功的產(chǎn)品在性能、成本等諸多方面表現(xiàn)更為優(yōu)秀，隨即改用生產(chǎn)海外組研發(fā)的技術(shù)路線。這種允許多個研究團隊公開競爭的技術(shù)創(chuàng)新模式加快了DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)速度。二是三星采取跳躍式的研發(fā)模式。韓國DRAM技術(shù)按照4M-16M-64M-256M-1G的軌跡發(fā)展，但三星內(nèi)部在推進DRAM技術(shù)創(chuàng)新時采用了跳躍式研發(fā)推進模式，即實現(xiàn)4M DRAM攻關(guān)的研發(fā)團隊，跳過16M DRAM直接進入64M DRAM的研究，實現(xiàn)16M DRAM的團隊則直接研發(fā)256M DRAM。跳躍式的DRAM研發(fā)模式對三星乃至韓國DRAM 技術(shù)的發(fā)展起到了極大推動作用，大幅縮短了 DRAM 技術(shù)從跟跑到領跑的時間，成為攻克核心技術(shù)的關(guān)鍵要素。三是三星與美國、日本等國的頂尖半導體企業(yè)組成新的國際層面的聯(lián)合研發(fā)團隊進行半導體技術(shù)研發(fā)，并在美國、歐洲、日本等地開設分支機構(gòu)、聘請高技術(shù)人才，以獲得世界前沿技術(shù)。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，1990年，三星建立了26個研發(fā)中心，LG和現(xiàn)代各有18、14個研發(fā)中心。1980年三星在半導體領域的研發(fā)費用僅為850萬美元，到1994年已經(jīng)增長至9億美元。

4.2 構(gòu)建以政府牽頭、寡頭競合、高校參與的“官產(chǎn)學”研發(fā)聯(lián)合體，實現(xiàn)DRAM技術(shù)的趕超

一是韓國采用了由國家牽頭政府與企業(yè)共同出資、產(chǎn)學研合作攻克DRAM“卡脖子”技術(shù)的項目管理模式。以超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同研發(fā)計劃為例，韓國組建的聯(lián)合研發(fā)團隊由韓國電子通信研究院為首的國立科研機構(gòu)，三星、LG、現(xiàn)代3家DRAM領域龍頭企業(yè)，以及6家大學共同組成。韓國電子通信研究院負責項目管理與統(tǒng)籌，包括預算分配、評價、人事權(quán)等內(nèi)容，并最終上報科技部;國立科研機構(gòu)與大學重點開展基礎研究;企業(yè)作為需求主體與應用主體提交具體技術(shù)需求到研發(fā)團隊，并在技術(shù)路線與技術(shù)方案的設計中發(fā)揮主導作用。在經(jīng)費投入上，DRAM 研發(fā)經(jīng)費的投入采用政府和企業(yè)共同出資的方式，最初以政府投入為主，由政府承擔大部分新技術(shù)的開發(fā)風險，企業(yè)在基礎技術(shù)上繼續(xù)大規(guī)模投資，開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)和工藝技術(shù)。作為補償，企業(yè)在使用這些基礎技術(shù)時，需按其消費額交納技術(shù)使用費，費用一半歸政府，一半歸韓國電子通信研究院。參與基礎技術(shù)開發(fā)的企業(yè)可以少交（或不交）技術(shù)使用費，其他企業(yè)則相對需交5-6倍的技術(shù)使用費。政府在基礎技術(shù)開發(fā)成功以后，并不向工業(yè)化生產(chǎn)投資，也不參與企業(yè)的經(jīng)營活動，而是通過市場機制，讓企業(yè)在國內(nèi)、國際的競爭中自我發(fā)展。

二是技術(shù)攻關(guān)過程中充分考慮寡頭企業(yè)的競爭和合作。韓國DRAM技術(shù)攻關(guān)采用基礎技術(shù)共同開發(fā)、關(guān)鍵核心技術(shù)多條技術(shù)路線同時開展研究的競爭合作模式，即在參與研發(fā)的研究機構(gòu)、企業(yè)間實現(xiàn)基礎技術(shù)與知識的共享，對基于基礎技術(shù)的生產(chǎn)技術(shù)和工藝技術(shù)等關(guān)鍵核心技術(shù)，支持企業(yè)獨立開發(fā)、互相競爭。例如，當時國際主流的 DRAM 制程技術(shù)路線有溝槽式（Trench）和堆棧式（Stack）兩種，三星采用堆棧式并率先獲得成功，LG 采用混合式并第二個完成，現(xiàn)代先采用溝槽式而后轉(zhuǎn)向堆棧式。韓國這種針對同一技術(shù)開展多技術(shù)路線競爭的模式，大大加快了關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)效率，使得韓國幾乎所有 DRAM 技術(shù)的攻克都早于目標時間。

三是確立了以先進DRAM技術(shù)為導向的科研攻關(guān)模式。韓國高度重視跟蹤先進DRAM的技術(shù)發(fā)展情況，將其作為DRAM 研究團隊攻關(guān)核心關(guān)鍵技術(shù)管理的重要一環(huán)，項目實施各個階段持續(xù)跟蹤DRAM技術(shù)動向、技術(shù)水平、主要研究技術(shù)路線、核心研究團隊、各國技術(shù)優(yōu)劣勢、未來應用等。立項階段，重點闡述技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與立項必要性，將國際技術(shù)動向作為項目申請的重要材料;實施階段，實時跟蹤國際技術(shù)最新進展，當外部環(huán)境與技術(shù)發(fā)生重大變化時，采用動態(tài)目標策略及時調(diào)整技術(shù)方向和路線以免重復研究或在錯誤路線上越走越遠;結(jié)題階段，結(jié)合國際技術(shù)動向，將項目成果在世界技術(shù)水平中所處的位置作為結(jié)題的重要依據(jù)。

5 改革DRAM自主創(chuàng)新的體制機制

5.1改革科技管理體制，適應半導體等新興技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

20世紀70年代，韓國政府逐漸意識到單純的技術(shù)引進無法幫助實現(xiàn)韓國半導體技術(shù)的領先，加強半導體等新興技術(shù)的自主研發(fā)勢在必行。1972年，韓國設立了由國務總理擔任主席的“綜合科學技術(shù)審議會”，承擔國家科學技術(shù)最高協(xié)調(diào)機構(gòu)的角色，以更好加強科技政策的制定。1977年，韓國政府成立了“韓國科學基金會”，重在加強對基礎科學研究活動的支持力度，對于加強半導體技術(shù)的消化吸收，降低對引進技術(shù)和模仿技術(shù)的依賴起到了重要促進作用。

20世紀80年代開始，韓國將國家發(fā)展戰(zhàn)略由“出口驅(qū)動”向“技術(shù)驅(qū)動”轉(zhuǎn)變，將提升國家自主創(chuàng)新能力作為主要發(fā)展目標。韓國進一步推動科技管理體制改革，于1982年設立國家科學技術(shù)振興擴大會議，審議、調(diào)整科技政策和法規(guī);1988 年成立科學技術(shù)委員會，由“副總理”任委員長，分析國內(nèi)外科技發(fā)展動向，制定并調(diào)整國家科技發(fā)展計劃;1989年，成立國家科學技術(shù)咨詢委員會，為總統(tǒng)提供科技咨詢。這些科技管理體制改革措施有助于韓國聚焦半導體等新興領域發(fā)展，不斷強化自主創(chuàng)新能力。20世紀80年代正值韓國DRAM技術(shù)消化吸收的關(guān)鍵時期，韓國政府出臺了《半導體工業(yè)綜合發(fā)展計劃》《國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)扶持計劃》《半導體產(chǎn)業(yè)育成計劃》等多項半導體科研計劃，對韓國DRAM技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到巨大推動作用。

5.2 強化企業(yè)主體地位，由政府主導創(chuàng)新向政產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新機制轉(zhuǎn)變

在韓國科技發(fā)展初期，韓國科技創(chuàng)新以政府為主導，政府支出占全國研發(fā)總支出的70% 以上，企業(yè)投入不足20%，重大科研項目由政府研究機構(gòu)承擔。如韓國政府于1976年成立韓國電子技術(shù)研究所（KIET），分為半導體設計、制程、系統(tǒng)三大部門，主要負責超大規(guī)模集成電路的研究，半導體產(chǎn)業(yè)國家級科研項目的開發(fā)，吸收并向企業(yè)傳播國外技術(shù)等。政府主導創(chuàng)新客觀上導致了韓國半導體領域技術(shù)創(chuàng)新能力不足，難以擺脫關(guān)鍵核心技術(shù)“卡脖子”的困境。

在韓國確立半導體核心技術(shù)“引進-消化吸收-自主創(chuàng)新”的科技創(chuàng)新發(fā)展道路后，韓國政府不斷調(diào)整職責，將其創(chuàng)新角色逐步由“主導”向“引導”轉(zhuǎn)變。在該階段，政府減少了對半導體企業(yè)的各種指令、考核，使得半導體企業(yè)有了更大的發(fā)展自由度，在創(chuàng)新過程中的主體地位不斷得到加強，政府主導創(chuàng)新的機制逐步轉(zhuǎn)向政產(chǎn)協(xié)同創(chuàng)新。

1986年，韓國設立“產(chǎn)學合同委員會”并制定《產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究組合培養(yǎng)法》，支持開展產(chǎn)學研交流和科技聯(lián)合攻關(guān)等活動，在國家層面初步確立了產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新機制。隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計劃等一系列國家技術(shù)攻關(guān)的實施，韓國半導體領域的政府牽頭、寡頭競合、高校參與的政產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新機制開始形成。1993年，韓國出臺了《韓國合作研究開發(fā)振興法》，對產(chǎn)學研開展的聯(lián)合研究活動優(yōu)先提供研究經(jīng)費、研究設施和信息等方面的支持，將產(chǎn)學研合作納入法制化軌道。在韓國政府的有效“催化”下，韓國半導體企業(yè)與高校、科研院所的聯(lián)系更加密切，科技成果加速轉(zhuǎn)化，政產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新機制不斷完善，為韓國在DRAM領域長期保持技術(shù)領先地位提供了重要保障。

5.3 建立關(guān)鍵技術(shù)前瞻性預測研究機制，是韓國長期引領DRAM技術(shù)發(fā)展的重要原因

進入20世紀90年代，韓國的DRAM技術(shù)已處于國際領先地位，為保持韓國在DRAM甚至半導體領域的持續(xù)的技術(shù)領先，韓國成立了韓國科學技術(shù)評價院，并大力推進科技計劃管理和決策的重大變革—關(guān)鍵技術(shù)選擇和技術(shù)前瞻，確定半導體等新興技術(shù)的創(chuàng)新研究方向，并在此基礎上組織實施一系列研發(fā)計劃。

1992年，韓國科學技術(shù)政策研究院首先開展大規(guī)模的關(guān)鍵技術(shù)前瞻性預測研究工作，并配合科技部制訂“高度先進國家計劃（G7計劃）”，將下一代半導體等11個領域作為重點研發(fā)方向，韓國的關(guān)鍵技術(shù)前瞻性預測機制初步形成。1993年，韓國科學技術(shù)政策研究院和韓國科學技術(shù)計劃評價院共同啟動關(guān)鍵技術(shù)、前沿技術(shù)的預測研究，確定1995-2015年間重點創(chuàng)新技術(shù)。之后，韓國出臺了《科學技術(shù)基本法》，正式確立了中長期關(guān)鍵技術(shù)的前瞻性預測研究機制。借鑒相關(guān)研究成果，韓國政府于1998年發(fā)布《面向21世紀的產(chǎn)業(yè)政策方向及知識型新產(chǎn)業(yè)發(fā)展方案》，提出集中發(fā)展半導體、計算機等28個知識型產(chǎn)業(yè)及服務業(yè)。注重關(guān)鍵技術(shù)的前瞻性研究，建立關(guān)鍵技術(shù)前瞻性預測機制是韓國DRAM持續(xù)保持世界領先地位的重要原因。

6 對我國的啟示

核心技術(shù)是國之利器，關(guān)乎國家安全和長遠利益。當前我國在解決關(guān)鍵核心技術(shù)領域“卡脖子”問題過程中仍存在體制機制不順暢、制度政策不健全、組織模式不高效等系列問題，韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的經(jīng)驗，對我國具有重要的借鑒意義。體制機制方面，效仿韓國，不斷完善政產(chǎn)學研結(jié)合的協(xié)同創(chuàng)新機制，由政府承擔大部分新技術(shù)開發(fā)風險，充分發(fā)揮高校、企業(yè)在基礎技術(shù)、應用技術(shù)研發(fā)中的作用，突出企業(yè)的創(chuàng)新主體地位，實現(xiàn)重大技術(shù)突破產(chǎn)出以及科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化。組織模式方面，以聯(lián)合體形式推進關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，推動加強技術(shù)攻關(guān)過程中參與單位的競爭和合作，知識產(chǎn)權(quán)共享，盡快實現(xiàn)技術(shù)突破。摒棄以論文、專利數(shù)量作為評價指標的傳統(tǒng)評價體系，把能否快速實現(xiàn)技術(shù)的商品化、產(chǎn)業(yè)化作為核心評價指標。政策措施方面，國家應當加大對半導體芯片等領域關(guān)鍵核心技術(shù)的長期穩(wěn)定支持力度，引導企業(yè)加大核心技術(shù)領域的研發(fā)投入。通過政府采購、加強出口等形式，不斷擴大國產(chǎn)技術(shù)產(chǎn)品的市場規(guī)模，推動其做大做強。

7 結(jié)束語

本文重點分析了韓國突破DRAM關(guān)鍵核心技術(shù)的典型案例，從體制機制、組織模式、政策措施方面剖析了韓國發(fā)展DRAM技術(shù)的實踐經(jīng)驗，對于我國加強IT領域關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)，早日實現(xiàn)技術(shù)突破具有重大的理論借鑒意義和實踐參考價值。

基金項目：

國家自然科學基金（項目編號：71941021）。

參考文獻

[1] 汪超，張慧智.韓國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的成功經(jīng)驗及啟示[J].東北亞經(jīng)濟研究，2018， 2（05）：46-55.

[2] 金瑛，胡智慧，劉濤，等.韓國攻克半導體關(guān)鍵技術(shù)的組織管理模式及啟示[J].世界科技研究與發(fā)展，2019，041（001）：97-101.

[3] 國務院發(fā)展研究中心，國際技術(shù)經(jīng)濟研究所.韓國國家關(guān)鍵技術(shù)的選擇[J].今日科技， 2002，000（001）：19-20.

[4] 陳曉暉，叢培鑫.韓國追趕型科技創(chuàng)新模式中國家制度安排的特點探析[J].科技創(chuàng)新導報，2014（15）.

[5] 于燮康.集成電路產(chǎn)業(yè)政策上國外先進的經(jīng)驗和教訓[J].中國電子商情：基礎電子， 2008（11）：26+28+30.

[6] 生延超.日本、韓國的技術(shù)趕超及其對中國的啟示[J].中國科技論壇， 2009（06）：138-142.

[7] 韓鳳芹，景婉博.以體制改革推動科技創(chuàng)新—韓國的實踐與啟示[J].經(jīng)濟研究參考， 2017，000（027）：26-33，44.

[8] 董哲一，王超.以CPU、操作系統(tǒng)為核心的國內(nèi)外信息技術(shù)產(chǎn)品生態(tài)體系現(xiàn)狀對比分析[J].網(wǎng)絡空間安全，2018（12）.

[9] 李丹.韓國科技創(chuàng)新體制機制的發(fā)展與啟示[J].世界科技研究與發(fā)展，2018，40（04）：70-84.

[10] 孟澤.韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路[J].世界電子元器件， 1996（8）：29-35.