朱世楠,李 楠
(成都京東方光電科技有限公司,四川 成都 611730)
近30年來(lái),顯示技術(shù)經(jīng)歷了CRT-PDP-LCD的技術(shù)演變,目前全球顯示產(chǎn)業(yè)中的巨頭紛紛將資本和研發(fā)力量瞄準(zhǔn)新一代顯示技術(shù)-有機(jī)發(fā)光二極管(Organic light-emitting diode,OLED)。與薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)相比,OLED面板具有自發(fā)光、清晰亮麗、輕薄、響應(yīng)速度快和低功耗等特點(diǎn)[1-2]。
柔性AMOLED顯示面板具有更廣闊的應(yīng)用前景,其利用薄膜晶體管(Thin film transistor,TFT),搭配電容儲(chǔ)存信號(hào)控制OLED的亮度灰階表現(xiàn),具有可彎曲、低能耗、更優(yōu)的顯示質(zhì)量、更長(zhǎng)的壽命等優(yōu)勢(shì)[3-4]。因此,AMOLED被稱(chēng)為未來(lái)20年最有“錢(qián)景”的產(chǎn)業(yè),根據(jù)Displaybank預(yù)測(cè),AMOLED柔性顯示將迎來(lái)爆發(fā)期,市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)數(shù)百億美金[5-6]。
AMOLED顯示面板生產(chǎn)工藝復(fù)雜,在制造過(guò)程中,不可避免地會(huì)出現(xiàn)像素電路中薄膜晶體管(TFT)漏電流等工藝異常,導(dǎo)致亮點(diǎn)的產(chǎn)生[7]。因?yàn)槿搜蹖?duì)亮點(diǎn)的敏感度較高,對(duì)暗點(diǎn)的敏感度較低,較高級(jí)別的出貨允許一定規(guī)格的暗點(diǎn)存在,但是不允許亮點(diǎn)存在。亮點(diǎn)的發(fā)生嚴(yán)重影響產(chǎn)品的良率,會(huì)整體拉高生產(chǎn)成本。為了提升良率,在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)使用激光設(shè)備將亮點(diǎn)不良修復(fù)為暗點(diǎn),使其轉(zhuǎn)化為良品[8]。
AMOLED面板亮點(diǎn)不良修復(fù)原理一般有兩種,分別為陰陽(yáng)極短路和陰極隔離。陰陽(yáng)極短路由裝置激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備實(shí)現(xiàn),其信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)高,修復(fù)成功率較低。陰極隔離由裝置振鏡掃描機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備實(shí)現(xiàn),其信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)低,修復(fù)成功率高。
本文介紹AMOLED面板亮點(diǎn)不良主要修復(fù)方法及其原理。以一款主流AMOLED面板為試驗(yàn)樣品,使用裝置有激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備,通過(guò)嘗試兩種加工方法,實(shí)現(xiàn)陰極隔離。最終找到最優(yōu)方法,提升修復(fù)良率。在不提升設(shè)備成本的基礎(chǔ)上改善設(shè)備工藝性能。
圖1是一種當(dāng)前市場(chǎng)主流的AMOLED面板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),其中,圖(a)為其單個(gè)子像素在修復(fù)前的正視圖。圖(b)為圖(a)的A-A’剖視圖。
1.陰極;2.像素定義層;3.有機(jī)發(fā)光層;4.陽(yáng)極;5.基板與開(kāi)關(guān)電路;6.封裝層
封裝層一般使用材料為SiONx,對(duì)修復(fù)常用波長(zhǎng)(例如532 nm)的激光吸收率低。陰極的主要成分為Ag和Mg,其膜層厚度比例一般為Ag∶Mg=8∶2,熔點(diǎn)分別為Ag(961.78 ℃)Mg(648 ℃)。陽(yáng)極主要成分為Ag和ITO[9-10]。有機(jī)發(fā)光材料從陽(yáng)極往上一般包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層,該部分材料Tm(熔限終止溫度)在250~360 ℃之間,Td(受熱分解溫度)在300~520 ℃之間[11]。
陰陽(yáng)極短路原理主要使用裝置激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備實(shí)現(xiàn)。激光調(diào)形機(jī)構(gòu)是使用兩個(gè)伺服電機(jī)精確控制4片金屬薄片構(gòu)造一個(gè)狹縫,移動(dòng)金屬薄片可改變透過(guò)該機(jī)構(gòu)的激光束形狀和大小[12]。AMOLED產(chǎn)品亮點(diǎn)修復(fù)使用激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的精度為0.1 μm,再現(xiàn)性偏差需小于0.1 μm。圖2為一種激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的實(shí)物圖。
圖2 激光調(diào)形機(jī)構(gòu)
實(shí)現(xiàn)陰陽(yáng)極短路原理的加工方法稱(chēng)為點(diǎn)修復(fù)法。該方法使用激光調(diào)形機(jī)構(gòu)構(gòu)造一束點(diǎn)狀脈沖激光束,照射加工區(qū)域。加工位置溫度高于Ag熔點(diǎn),即高于961.78 ℃。
在加工區(qū)域邊緣的熱影響區(qū)域,電子和空穴注入層、傳輸層、阻擋層等膜層的有機(jī)高分子導(dǎo)電材料互相熔融混合,各膜層功能失效,陰極與陽(yáng)極導(dǎo)通,被修復(fù)亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)。
在加工位置中間區(qū)域,有機(jī)發(fā)光材料受熱分解并產(chǎn)生高溫氣體,當(dāng)加工能量增大或者脈沖個(gè)數(shù)增多,連續(xù)產(chǎn)生的高溫氣體在較小空間區(qū)域堆積,可能導(dǎo)致封裝層損傷,使水氧侵入,出現(xiàn)信賴(lài)性異常。
陰陽(yáng)極短路的加工方式受陰極與全部有機(jī)發(fā)光材料影響,該10余層材料中任何一種材料種類(lèi)和膜層厚度出現(xiàn)變更,都可能影響陰陽(yáng)極短路的效果或者出現(xiàn)信賴(lài)性異常,都需重新驗(yàn)證修復(fù)加工條件,進(jìn)行相關(guān)的信賴(lài)性測(cè)試,此周期較長(zhǎng)為10 d。另外,陽(yáng)極與開(kāi)關(guān)電路膜層短路導(dǎo)致的亮點(diǎn)不良,經(jīng)過(guò)陰陽(yáng)極短路修復(fù),可能在修復(fù)后會(huì)出現(xiàn)亮線等其他不良現(xiàn)象,導(dǎo)致修復(fù)成功率降低。
陰極隔離原理主要使用裝置雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備實(shí)現(xiàn),圖3為一種雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu)的實(shí)物圖。
雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu)的關(guān)鍵器件是振鏡。其利用反射鏡使光束發(fā)生偏轉(zhuǎn),速度與精度高,是一種優(yōu)良的矢量掃描器件。對(duì)于雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu),其掃描過(guò)程如同用筆寫(xiě)字的過(guò)程,將激光束看作畫(huà)筆,然后按照設(shè)計(jì)的掃描軌跡進(jìn)行移動(dòng)[13]。
圖3 雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu)
實(shí)現(xiàn)陰極隔離原理的加工方法是使用一束固定形狀的高頻脈沖激光,在亞像素上方陰極膜層沿設(shè)定路徑高速掃描。通過(guò)調(diào)節(jié)加工功率和掃描路徑,使加工區(qū)域的陰極及其以下部分有機(jī)發(fā)光材料熔融混合,被修復(fù)亞像素的發(fā)光層與面板整個(gè)陰極平面隔斷,陰極層中的電子無(wú)法遷移至發(fā)光層,從而被修復(fù)亮點(diǎn)變?yōu)榘迭c(diǎn)。此種修復(fù)方式的優(yōu)點(diǎn)是受激光影響的有機(jī)發(fā)光材料較少,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)小,修復(fù)成功率可達(dá)到100%。
雙軸振鏡掃描機(jī)構(gòu)及其控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜精密,成本較激光調(diào)形機(jī)構(gòu)高,單個(gè)機(jī)構(gòu)成本差異為CNY 60萬(wàn)元。因激光調(diào)形機(jī)構(gòu)成本低,目前AMOLED面板生產(chǎn)廠家更多選擇使用裝置激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光修復(fù)設(shè)備來(lái)修復(fù)亮點(diǎn)不良。
本文建立的修復(fù)模型是使用裝置激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光設(shè)備,實(shí)現(xiàn)陰級(jí)隔離原理。在不提高設(shè)備成本的基礎(chǔ)上降低信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn),提升了產(chǎn)品良率。
為達(dá)到上述目的,本文提出兩種修復(fù)方案,即矩形修復(fù)法和線修復(fù)法。
矩形修復(fù)法是使用一束固定形狀的激光沿待修復(fù)亞像素四周矩形路徑進(jìn)行照射,使像素上方陰極與面板整體陰極分割。圖4為矩形修復(fù)法修復(fù)后亞像素示意圖,包括激光切割路徑。其中,圖(a)為修復(fù)后正視圖,圖(b)為圖(a)的B-B’剖視圖。
1.陰極;2.像素定義層;3.有機(jī)發(fā)光層;4.陽(yáng)極;5.基板與開(kāi)關(guān)電路;6.封裝層;7.矩形加工修復(fù)路徑
1.陰極 2.像素定義層;3.有機(jī)發(fā)光層;4.陽(yáng)極;5.基板與開(kāi)關(guān)電路;6.封裝層;8.修復(fù)熔融區(qū);9.線加工路徑
線修復(fù)法是使用一束橫向窄條激光,沿待修復(fù)亞像素從上往下線形勻速掃描,將像素上方陰極及其下方的少量有機(jī)材料熔融混合,達(dá)到陰極隔離目的。圖5為線修復(fù)法修復(fù)后亞像素示意圖,其中包括加工路徑與修復(fù)后熔融區(qū)。
使用現(xiàn)有裝置激光調(diào)形機(jī)構(gòu)的激光修復(fù)設(shè)備,分別使用兩種修復(fù)方法加工目標(biāo)亞像素,從修復(fù)可行性和修復(fù)成功率、FIB測(cè)試封裝層是否損傷、信賴(lài)性測(cè)試是否異常3個(gè)方面驗(yàn)證修復(fù)模型的準(zhǔn)確性。
對(duì)于本實(shí)驗(yàn)使用激光設(shè)備,其工藝參數(shù)主要包括波長(zhǎng)、加工功率、激光束大小、脈沖頻率(1~100 Hz)、加工速度(1~400 μm/s)、加工次數(shù)。對(duì)于測(cè)試樣品,波長(zhǎng)為532 nm的激光加工效果最佳。為在保證修復(fù)效果的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高速加工,脈沖頻率固定為100 Hz。
表1為矩形修復(fù)法主要加工參數(shù)。表2為線修復(fù)法主要加工參數(shù)。其中,增大激光束大小、加工功率、加工次數(shù),減小加工速度,修復(fù)成功率升高,修復(fù)位置損傷增大,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)提高;相反,減小激光束大小、加工功率、加工次數(shù),增加加工速度,修復(fù)位置損傷減小,修復(fù)成功率降低,修復(fù)位置損傷減小,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)減低。
表1 矩形修復(fù)法加工參數(shù)范圍
表2 線修復(fù)法加工參數(shù)范圍
同款產(chǎn)品,兩種加工方法,通過(guò)調(diào)試其激光束大小、加工速度、激光加工功率、加工次數(shù),找到最佳加工條件。
在確保成功率的前提下為縮短修復(fù)時(shí)間,應(yīng)盡可能減少加工次數(shù),增加加工速度。最終滿(mǎn)足可將亮點(diǎn)修復(fù)為暗點(diǎn)、修復(fù)成功率高、修復(fù)時(shí)間短。
對(duì)修復(fù)成功的亞像素,在其損傷較嚴(yán)重的位置,一般為加工路徑的起始和結(jié)束位置,進(jìn)行FIB測(cè)試分析,確認(rèn)封裝層是否損傷。
加工條件初步確定后,制作信賴(lài)性測(cè)試樣品,往往包括數(shù)百個(gè)修復(fù)后亞像素,投入信賴(lài)性測(cè)試。測(cè)試時(shí)間為10 d,確認(rèn)該修復(fù)工藝條件是否存在信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)。并根據(jù)結(jié)果制定各加工參數(shù)監(jiān)控管理范圍。
在上述理論和實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)下,通過(guò)兩種修復(fù)方法可行性、成功率、信賴(lài)性等綜合分析比較,選擇最佳修復(fù)方法,將其應(yīng)用到量產(chǎn)中。
可行性和成功率測(cè)試結(jié)果如表3所示,通過(guò)調(diào)試相關(guān)加工參數(shù),兩種方式均可實(shí)現(xiàn)將亮點(diǎn)修復(fù)為暗點(diǎn)。其中,線修復(fù)成功率可達(dá)到100%,而矩形加工成功率較低,為33.5%。
表3 可行性和成功率測(cè)試結(jié)果
經(jīng)過(guò)分析,矩形修復(fù)其成功率較低是因?yàn)樵谙袼囟x層上方的陰極非平坦,較難確定同一高度的陰極加工路徑。當(dāng)激光未聚焦至加工路徑上陰極材料時(shí),該區(qū)域激光能量密度減小導(dǎo)致出現(xiàn)陰極殘留。任何切割殘留都將導(dǎo)致修復(fù)失敗,而增加修復(fù)次數(shù)將成倍增加修復(fù)時(shí)間。
線修復(fù)使用一束寬激光束掃描待修復(fù)亞像素上方,可確保加工的陰極區(qū)域固定在同一高度,不易出現(xiàn)陰極殘留,成功率較高。對(duì)兩種方式修復(fù)后產(chǎn)品進(jìn)行FIB測(cè)試,如圖6所示,發(fā)現(xiàn)在矩形修復(fù)的加工起始位置和結(jié)束位置重合處,封裝層出現(xiàn)較大損傷。
經(jīng)分析,其原因是激光加工運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的加速度和減速度較小,導(dǎo)致在加工起始位置和結(jié)束位置的激光脈沖增多,加工區(qū)域陰極下方的有機(jī)材料損傷大,受熱分解產(chǎn)生高溫氣體多,并且該位置加工區(qū)域小,在較小加工區(qū)域連續(xù)產(chǎn)生較多高溫氣體,導(dǎo)致出現(xiàn)封裝層損傷。
線加工后像素上方陰極被熔融,因?yàn)榫€加工的加工功率低,對(duì)陰極下方有機(jī)材料損傷小,受熱分解產(chǎn)生氣體少,并且線加工方式加工區(qū)域大;在較大加工區(qū)域產(chǎn)生少量氣體,封裝層未受損傷。
圖6 FIB測(cè)試
因?yàn)榫匦涡迯?fù)成功率低,修復(fù)后封裝層易出現(xiàn)損傷,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)高,故此種修復(fù)方法不被采用。
最優(yōu)線修復(fù)方法加工條件必須滿(mǎn)足在無(wú)信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)、修復(fù)成功率高的前提下修復(fù)時(shí)間最短。
為綜合分析加工速度、激光束寬度、脈沖頻率對(duì)修復(fù)效果的影響,將各個(gè)激光脈沖之間重疊程度定義為光斑重疊率,光斑重疊率計(jì)算公式如式(1)所示。
(1)
式中:v為加工速度,D為激光束寬度,f為脈沖頻率。根據(jù)線修復(fù)原理,為保證最優(yōu)加工效果,加工過(guò)程中連續(xù)的2個(gè)激光脈沖必須重疊,即光斑重疊率需≥0。
首先根據(jù)待修復(fù)亞像素形狀與大小,選定激光束長(zhǎng)度為30 μm。又因運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)存在加速度與減速度,當(dāng)激光束寬度變大,起始位置與結(jié)束位置激光能量密度增大,下方有機(jī)材料受損嚴(yán)重。當(dāng)激光束寬度減小,在較快的加工速度下,修復(fù)區(qū)域光斑重疊率降低,單位面積的激光能量密度減小,修復(fù)成功率降低。最終選定最佳激光束寬度為3 μm。
為保證最短修復(fù)時(shí)間,激光脈沖頻率設(shè)定為激光器最大值100 Hz。為保證光斑重疊率≥0,加工速度設(shè)定為300 μm·s-1。為避免運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)與激光發(fā)射不同步的情況,在起始位置和結(jié)束位置分別設(shè)置了少量延時(shí),并設(shè)定加工次數(shù)為2次。根據(jù)測(cè)試,該參數(shù)在保證成功率最優(yōu)的前提下加工時(shí)間最短,與點(diǎn)修復(fù)方式相近,約2.7 s。根據(jù)能量大小制作信賴(lài)性測(cè)試樣品,投入信賴(lài)性測(cè)試,共測(cè)試10 d。如表4所示,確認(rèn)功率范圍在10~22 μW間無(wú)信賴(lài)性異常,加工功率小于10 μW時(shí),修復(fù)成功率降低。大于22 μW時(shí)會(huì)因能量過(guò)大影響其他正常亞像素。在后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中,需嚴(yán)密監(jiān)控管理該激光能量范圍。
表4 線修復(fù)信賴(lài)性測(cè)試結(jié)果
將點(diǎn)修復(fù)法變更為線修復(fù)方法后,對(duì)其成功率進(jìn)行統(tǒng)計(jì),變更前和變更后各取5 000份修復(fù)樣本,其成功率改善情況如圖7所示。可以看出,使用線修復(fù)后,修復(fù)成功率顯著提升,達(dá)到100%。經(jīng)分析,之前存在的修復(fù)后亮線(占比2.53%)、多次修復(fù)失敗(占比0.57%)等不良比例降低為0%。
圖7 線修復(fù)導(dǎo)入前后良率對(duì)比圖
本文使用激光調(diào)形機(jī)構(gòu)類(lèi)型激光設(shè)備,對(duì)于AMOLED面板亮點(diǎn)不良,研究矩形修復(fù)和線修復(fù)兩種實(shí)現(xiàn)陰極隔離的方法。結(jié)果表明,兩種方法均可以實(shí)現(xiàn)陰極隔離修復(fù)方式。但因矩形修復(fù)方法成功率低,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)極高,在生產(chǎn)過(guò)程不采用。線修復(fù)方法修復(fù)成功率高,信賴(lài)性風(fēng)險(xiǎn)低。在生產(chǎn)過(guò)程中,對(duì)某款產(chǎn)品進(jìn)行應(yīng)用后,修復(fù)成功率可達(dá)到100%。