國家創(chuàng)新體系中產(chǎn)業(yè)政策的引領對策研究
——以集成電路產(chǎn)業(yè)為例

黃時進

(華東理工大學 馬克思主義學院，上海 200237)

2018年美國制裁中興事件對中國是個鏡鑒，集成電路產(chǎn)業(yè)的短板引起社會各界的高度關注。2019年5月初，中美貿(mào)易戰(zhàn)升級，中國“芯”的安全問題又一次引發(fā)國人高度重視。如何切實提高集成電路等關鍵核心技術創(chuàng)新能力，在牢牢掌握核心技術的前提下構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)化體系等問題成為當前學術熱點。本文運用國家創(chuàng)新體系理論，在概述當前我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及存在問題的基礎上，借鑒美日韓在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中運用產(chǎn)業(yè)政策引導的經(jīng)驗，在此基礎上提出中國國家創(chuàng)新體系中集成電路產(chǎn)業(yè)政策引領的構(gòu)建策略。

一、國家創(chuàng)新體系中產(chǎn)業(yè)政策作用的相關觀點綜述

國家創(chuàng)新體系(National Innovation System，NIS)理論最先由弗里曼(Freeman)在其著作《技術和經(jīng)濟運行：來自日本的經(jīng)驗》中提出，他把“國家創(chuàng)新體系”定義為：“NIS 是由公共部門和私營部門中各種機構(gòu)組成的網(wǎng)絡，這些機構(gòu)的活動以及相互作用促進了新技術的開發(fā)、引進、改進和擴散。”[1]倫德瓦爾(Lundvall，1992)和納爾遜(Nelson，1993)在此基礎上分別拓展了NIS的概念，前者認為“NIS由在生產(chǎn)、擴散和使用有用知識時能夠產(chǎn)生相互影響的要素構(gòu)成”[2]，后者認為“NIS由能夠提高國內(nèi)企業(yè)創(chuàng)新效率的相互影響的一系列國家制度組成”[3]。艾德奎斯特(C.Edquist，1995)進一步將NIS的概念概括為“影響創(chuàng)新的重要的經(jīng)濟、社會、政治、組織、制度和其它因素的集合”[4]。

綜合NIS 理論的前期研究成果，經(jīng)濟合作與發(fā)展組織(OECD) 在《國家創(chuàng)新體系》(NationalInnovationSystem)報告中，對NIS界定是：“為創(chuàng)造、儲備及轉(zhuǎn)讓知識、技能和新產(chǎn)品的相互作用，而參加新技術發(fā)展和擴散的企業(yè)、大學、研究機構(gòu)及中介組成的網(wǎng)絡系統(tǒng)，這個網(wǎng)絡系統(tǒng)決定著一個國家的創(chuàng)新能力與業(yè)績。”[5]2006年中國國務院頒布的《國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020)年)》對NIS明確定義為：“國家創(chuàng)新體系是以政府為主導、充分發(fā)揮市場配置資源的基礎性作用、各類科技創(chuàng)新主體緊密聯(lián)系和有效互動的社會系統(tǒng)”[6]。從以上對NIS的界定可以看出，國內(nèi)外對于國家創(chuàng)新體系都認同為：圍繞創(chuàng)新而緊密聯(lián)系的產(chǎn)學研，以及為之提供服務的政府、金融和中介組織等所構(gòu)建的體系。

對于政府在國家創(chuàng)新體系中的作用，學者們主要從政策工具維度、科技系統(tǒng)構(gòu)建維度以及國家(地區(qū))經(jīng)濟增長和國家環(huán)境等多個維度開展研究。從政策工具維度而言，政府支持國家創(chuàng)新體系的方式主要通過產(chǎn)業(yè)政策轉(zhuǎn)變?yōu)檎咝袨楹驼攥F(xiàn)實，來實現(xiàn)自己創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展目標。美國沃頓學會認為產(chǎn)業(yè)政策集中在四個方面：一是營造市場環(huán)境，即營造自由競爭的市場環(huán)境，防止惡性競爭；二是激勵政策，即鼓勵科技創(chuàng)新、模式創(chuàng)新和市場開拓;三是結(jié)構(gòu)優(yōu)化，即完善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化和升級；四是鼓勵國際合作，即鼓勵國際合作，營造良好的外貿(mào)環(huán)境[7]。Rothwell和Zegveld認為國家創(chuàng)新政策應包括科技政策及產(chǎn)業(yè)政策，依據(jù)作用層面，將產(chǎn)業(yè)政策分為三類：一是供給面(Supply)，即政府通過資金、人才、知識、科技基礎設施和公共服務等提供要素供給支持；二是需求面 (Demand)，即政府出臺制定采購政策，引導市場需求來給予支持；三是環(huán)境面 (Environmental)，即通過出臺金融政策、稅收政策等營造支持的宏觀環(huán)境[8]。國內(nèi)學者比較認同Rothwell 和 Zegveld 的產(chǎn)業(yè)政策理論，在此基礎上結(jié)合中國的具體國情展開研究，盧鋒提出正確區(qū)分“產(chǎn)業(yè)政策作為手段與其設定目標之間關系”等四種關系[9]，來“反思產(chǎn)業(yè)政策，力推國內(nèi)改革”，魏際剛、趙昌文呼吁系統(tǒng)與辯證地分析產(chǎn)業(yè)政策[10]，“高質(zhì)量發(fā)展推動產(chǎn)業(yè)政策適時調(diào)整” 等。

二、中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、存在問題及分析

(一)當前中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

據(jù)新華社2019年4月9日報道， 2019年全國電子信息行業(yè)工作座談會上，任愛光處長(工業(yè)和信息化部電子信息司集成電路處)介紹了我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最新情況：2018年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達到6 532億元。其中，集成電路設計業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，先進設計水平達到7納米，但仍以中低端產(chǎn)品為主。另外，14納米邏輯工藝即將量產(chǎn)，但與國外仍有兩代差距。

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《中國集成電路行業(yè)市場需求預測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報告》統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示：2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)總銷售收入高達4 335.5億元，比上年增長了20.1%。到2017年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入達到了5 411.3億元，同比增長24.8%。截止至2018年底，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入增長至6 532億元，同比增長20.7%[11](如圖1所示)。

據(jù)海關總署公布：2018年，中國集成電路進口量為4 175.7億塊(個)，同比增長了10.80%。進口集成電路金額為20 584.1億元人民幣(約合3 120.6億美元)，同比增長19.8%。值得注意的是：2018年4月16日，美國商務部工業(yè)與安全局(BIS)禁止美國公司向中興通訊出口包括芯片在內(nèi)的電訊零部件產(chǎn)品，當即中興通訊公司的主要經(jīng)營活動無法正常進行。

以上數(shù)據(jù)和中興事件表明目前中國集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀是擁有全球規(guī)模最大的集成電路市場，一方面產(chǎn)量和質(zhì)量都無法滿足國內(nèi)需求，嚴重依賴進口；另一方面核心技術受制于人的困境還沒有得到根本改變。

(二)當前中國集成電路產(chǎn)業(yè)存在的問題及分析

首先，產(chǎn)業(yè)政策與國家創(chuàng)新體系沒有有效耦合。當前中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中，產(chǎn)業(yè)政策和國家創(chuàng)新體系(NIS)雖然也在一定程度上相互作用并彼此影響，但遠遠沒有實現(xiàn)良性互動，更沒有構(gòu)建相互依賴、相互協(xié)調(diào)、相互促進的動態(tài)關聯(lián)關系，即國家雖然通過一系列政策來扶持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但這些產(chǎn)業(yè)政策還沒能夠有效地幫助構(gòu)建充分發(fā)揮市場配置資源的基礎性作用、各類科技創(chuàng)新主體緊密聯(lián)系和有效互動的社會系統(tǒng)。產(chǎn)業(yè)政策與國家創(chuàng)新體系沒有實現(xiàn)有效耦合。

其次，自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系尚未有效構(gòu)建。集成電路是創(chuàng)新型高技術產(chǎn)業(yè)，專利在一定程度上是衡量集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力的重要指標，由于我國集成電路產(chǎn)業(yè)起步較晚、科技和產(chǎn)業(yè)底子薄，在設計、制造工藝、封裝測試各環(huán)節(jié)的核心技術上都遭遇發(fā)達國家的專利壁壘，因此通過自主創(chuàng)新，在核心技術的專利申請方面實現(xiàn)追趕和超越是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展強大的必由之路。但當前與發(fā)達國家相比，我國集成電路發(fā)明專利比例較低，還不能滿足發(fā)展的需要，其主要原因在于我國集成電路自主創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系尚未有效構(gòu)建，還沒有形成激勵發(fā)明專利與市場化有效轉(zhuǎn)化的生態(tài)體系。

第三，集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)動不夠且產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)缺乏協(xié)同發(fā)展。進入21世紀后，摩爾定律對于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的邊際效益逐步減弱，支撐集成電路發(fā)展的理論和實踐創(chuàng)新的步伐放慢，這在一定程度上倒逼集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)合作水平提升，產(chǎn)業(yè)鏈中的各個龍頭企業(yè)進行有效的開放、協(xié)同，成為研發(fā)新的進路。當前，中國集成電路整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)初具規(guī)模，但從產(chǎn)業(yè)鏈的整合和聯(lián)動來看，還是比較薄弱，特別是整機與芯片企業(yè)缺乏聯(lián)動，而且產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)缺乏協(xié)同發(fā)展。

第四，龍頭企業(yè)匱乏，產(chǎn)業(yè)整體競爭力弱。當前全球集成電路產(chǎn)業(yè)“大者恒強”局面不斷強化，市場份額正加速向英特爾、三星等龍頭企業(yè)集中。然而，我國集成電路企業(yè)卻規(guī)模普遍偏小、產(chǎn)業(yè)整體競爭力弱、市場集中度相對較低，特別是一些地方搞“政績工程”，在不具備相應資源和支撐條件下，不計成本一哄而上，遍地開花地上馬集成電路產(chǎn)業(yè)，最終導致無序競爭、形不成規(guī)模、低水平重復建設，這樣又進一步削弱了我國集成電路產(chǎn)業(yè)整體競爭力。

第五，專業(yè)技術人才供給不足。據(jù)《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(2017-2018)》預測：“在2020年前后，我國集成電路行業(yè)人才需求規(guī)模約72萬人，但現(xiàn)有人才存量約40萬，人才缺口將達到32萬，年均人才需求數(shù)為10萬人左右，而每年高校集成電路專業(yè)領域的畢業(yè)生中僅有不足3萬人進入到本行業(yè)就業(yè)”[12]，專業(yè)技術人才供給不足的問題將嚴重阻礙我國集成電路產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

三、國家創(chuàng)新體系中產(chǎn)業(yè)政策引領作用的國際經(jīng)驗及其啟示

作為互聯(lián)網(wǎng)時代的基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平在一定程度上影響著國家的綜合國力和國際影響力，因此是發(fā)達國家和新興追趕型國家高度重視的產(chǎn)業(yè)。由于集成電路產(chǎn)業(yè)投資大、風險高，即便是市場機制比較完善的發(fā)達國家，也需要依托國家創(chuàng)新體系，通過產(chǎn)業(yè)政策的引領來促進和振興其發(fā)展，美國、日本和韓國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展、崛起，都長期地、持續(xù)地得到本國政府的大力支持，產(chǎn)業(yè)政策在其發(fā)展過程中均起到了關鍵性的作用。

(一)產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中的引領和支持作用

政府通過制定和實施相關產(chǎn)業(yè)政策，將在國家創(chuàng)新體系中從三個方面發(fā)揮引領和支持作用：其一，在統(tǒng)籌經(jīng)濟社會發(fā)展全局的前提下，政府實施對集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)化升級扶持政策，同時通過貨幣、財政等經(jīng)濟政策以及科技基礎設施和公共服務等提供要素供給支持。其二，通過追蹤世界科技前沿和產(chǎn)業(yè)變革趨勢，政府實施集成電路產(chǎn)業(yè)具有顯著目標導向作用的政策，能積極引導人才集聚、資金投放、技術研發(fā)等聚焦到國家戰(zhàn)略需求的具體目標上。其三，集成電路產(chǎn)業(yè)具有涉及面廣、技術難、投資大、周期長等特征，政府的產(chǎn)業(yè)政策通過對集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展長期的、可持續(xù)的支持，并根據(jù)科技進步和市場需求變化而不斷進行調(diào)整和完善，來彌補“市場失靈”缺陷，從而促進集成電路產(chǎn)業(yè)能進入良性發(fā)展。美國、日本和韓國在發(fā)展本國集成電路產(chǎn)業(yè)時，產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中就充分發(fā)揮了引領和支持的作用。

美國政府把振興美國集成電路產(chǎn)業(yè)作為美國的國家戰(zhàn)略，通過產(chǎn)業(yè)政策,美國政府以直接或者間接的方式支持半導體的技術開發(fā)，從20世紀50年代開始，美國國防軍工部門通過采購大量產(chǎn)品，確保美國國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)和市場消化的良性循環(huán)。在1987年，美國政府出資，在美國國防部和國防部先進研究計劃署(Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA)的支持下，引導美國IBM、TI和HP等13個半導體企業(yè)組建了半導體制造技術戰(zhàn)略聯(lián)盟(Semiconductor Manufacturing Technology)，以此聯(lián)盟為核心，逐步形成政府、國家研究機構(gòu)、大學和民間研究機構(gòu)及企業(yè)之間的聯(lián)合開發(fā)體制和機制，進而逐步發(fā)展成為商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的集成電路國家創(chuàng)新體系[13]。為了保持美國在集成電路產(chǎn)業(yè)的領先地位，美國國防部高級研究計劃署(DARPA)于2017年6月啟動了“電子復興計劃”(Electronics Resurgence Initiative，ERI)，被業(yè)界譽為美國政府將通過產(chǎn)業(yè)政策開啟的下一次電子革命。

20世紀70年代，在石油危機等事件以及集成電路技術領域大幅落后于美國的情況下，日本及時調(diào)整產(chǎn)業(yè)政策，通過“產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)審議會”，將從支持耗能高的初級重化學工業(yè)產(chǎn)業(yè)政策調(diào)整為支持耗能少的知識密集型產(chǎn)業(yè)政策，特別是針對集成電路產(chǎn)業(yè)[14]：“產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)審議會”審核并通過了通產(chǎn)省提出的設立“下一代電子計算機用超大規(guī)模集成電路(VLSI)開發(fā)促進費補助金”的預算案。為落實產(chǎn)業(yè)政策，通產(chǎn)省于1975年7月成立了包含多名產(chǎn)業(yè)界和學術界人士在內(nèi)的“VLSI研究開發(fā)政策委員會”。經(jīng)該委員會充分醞釀，通產(chǎn)省最終決定于1976年3月10日成立由政府和民間企業(yè)共同出資的共同研究開發(fā)組織——“VLSI技術研究組合”。根據(jù)北京大學周程教授統(tǒng)計分析：“VLSI組合啟動以前，日本半導體生產(chǎn)設備的80%左右依賴從美國進口，但到了1980年代中期全部半導體生產(chǎn)設備都實現(xiàn)了國產(chǎn)化，至1980年代末日本的半導體生產(chǎn)設備的世界市場占有率超過了50%。”[15]

韓國政府為了扶持半導體產(chǎn)業(yè)，1975年公布了以實現(xiàn)電子配件及半導體生產(chǎn)本土化的六年計劃。1986年10月，韓國政府開始執(zhí)行《超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃》，聚焦DRAM芯片核心基礎技術開發(fā)，要求以政府為主、民間為輔進行投資。至1992年，三星開發(fā)出了64M規(guī)格的DRAM芯片，開始實現(xiàn)了在內(nèi)存芯片領域在技術和市場世界領跑者地位。2016年，韓國政府制定并執(zhí)行“系統(tǒng)集成半導體基礎技術開發(fā)事業(yè)”的產(chǎn)業(yè)政策，以保持其在內(nèi)存芯片領域的領先地位。

(二)產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中促進政產(chǎn)學合作的作用

“從創(chuàng)新單元看，國家創(chuàng)新體系由國家科研院所、大學、企業(yè)與社會研發(fā)機構(gòu)等單元組成?！盵16]政產(chǎn)學功能互補，相互協(xié)同才能有效地提升創(chuàng)新能力和創(chuàng)新效率，促進整個國家創(chuàng)新體系的健康可持續(xù)發(fā)展。國家產(chǎn)業(yè)政策可在以下幾個方面促進政產(chǎn)學合作：一是宏觀調(diào)控作用。產(chǎn)業(yè)政策從宏觀層面合理配置產(chǎn)學研各方資源，促進集成電路技術創(chuàng)新和技術外溢所需的各種生產(chǎn)要素進行有效組合。二是提供要素供給支持作用。產(chǎn)業(yè)政策從財政、稅收等多個方面為產(chǎn)學研結(jié)合提供良好的政策環(huán)境，支持建設科技園、孵化器等促進產(chǎn)學研結(jié)合的基礎設施和法律金融中介公司等服務機構(gòu)。三是促進產(chǎn)學研合作的自我調(diào)節(jié)。產(chǎn)業(yè)政策從鼓勵大學、科研機構(gòu)和企業(yè)進行有效合作出發(fā)，促進產(chǎn)學研之間自發(fā)開展合作等。

1980年美國聯(lián)邦政府出臺《斯蒂文森—懷德勒技術創(chuàng)新法》(Stevenson-WydlerTechnologyInnovationactof1980)，要求聯(lián)邦政府出臺產(chǎn)業(yè)政策，用固定的預算協(xié)助“產(chǎn)學”之間的共同開發(fā)研究行為。1984年美國國會通過《國家合作研究法》(NationalCooperativeResearchActof1984)避免《反托拉斯法》對半導體產(chǎn)業(yè)政產(chǎn)學結(jié)合的約束，1993年修改后更名為《國家合作研究與生產(chǎn)法》(NationalCooperativeResearchandProductionActof1993)鼓勵企業(yè)的共同研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。美國各州政府紛紛出臺產(chǎn)業(yè)政策支持建設政產(chǎn)學合作的科學園、工業(yè)/大學聯(lián)合研究中心(I/UCRC)和科技創(chuàng)新中心，例如硅谷科學園、北卡三角科學園和波士頓128公路科學園，特別是硅谷科學園是全世界集成電路研發(fā)和創(chuàng)新中心。

日本振興集成電路產(chǎn)業(yè)政策采用“官民協(xié)調(diào)的方式”，即日本政府與產(chǎn)業(yè)界、金融界共同為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展出謀劃策，政府產(chǎn)業(yè)政策促進VLSI組合中政產(chǎn)學逐漸形成相互協(xié)調(diào)、相互討論、共同推進的方式，最終讓“VLSI技術研究組合”成為“官產(chǎn)學合作實施趕超型技術創(chuàng)新的一個杰作”[17]。

韓國在半導體生產(chǎn)本土化和技術創(chuàng)新發(fā)展歷程中，實施“官民一體”的DRAM共同開發(fā)產(chǎn)業(yè)政策，推動“資金+技術+人才”的政產(chǎn)學高效融合。以1988年三星完成4M的DRAM芯片設計為例，這就是在韓國政府支持下，由韓國科學和技術部(MOST)下屬的韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學，“官產(chǎn)學”一起進行技術攻關，為韓國DRAM芯片產(chǎn)業(yè)邁進世界第一陣容奠定了堅實的基礎。

(三)產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中促進企業(yè)成為創(chuàng)新主體的作用

企業(yè)是國家創(chuàng)新體系中的創(chuàng)新主體，而政府的產(chǎn)業(yè)政策是激勵企業(yè)開展技術創(chuàng)新活動的主要手段之一。政府的產(chǎn)業(yè)政策一方面可以通過直接層面給予企業(yè)技術創(chuàng)新支持，即資金、人才和基礎設施的直接投入，以及出臺定向的采購政策確保企業(yè)的市場和利潤。另一方面可以通過間接層面如稅收政策、金融政策、對外貿(mào)易政策等為企業(yè)技術創(chuàng)新營造適宜的環(huán)境。

美國的產(chǎn)業(yè)政策，對美國集成電路企業(yè)，一方面進行技術研發(fā)資助、風險投資、產(chǎn)品采購等直接支持，一些半導體廠商例如英特爾、AMD、應用材料、閃迪、英偉達和賽靈思等，以及KLA-Tencor和Lam Research等半導體設備公司都是受益者；另一方面，美國出臺保護美國本土集成電路企業(yè)的國際貿(mào)易政策，以保護其在國際市場競爭中的利益。美國政府1986年與日本政府簽訂了《半導體貿(mào)易協(xié)議》，主要內(nèi)容是日本必須更加開放本國的半導體市場允許外國廠商進入，且不得對美國半導體市場進行傾銷。1987年3月美國政府對含日本芯片的日本產(chǎn)品征收反傾銷稅。1991年，美日《半導體貿(mào)易協(xié)議》續(xù)約，日本同意將20%的微電子芯片市場開放給美國與其他外國廠商。近年來隨著中國的迅速發(fā)展，美國認為其半導體產(chǎn)業(yè)受到中國威脅，為了維持其領先地位，美國外資投資委員會(CFIUS)2016年、2017年否決了一系列中國半導體企業(yè)對美國半導體企業(yè)的收購。

日本VLSI計劃于1976年3月正式啟動時，是由通產(chǎn)省支持富士通、日立、三菱、日本電氣(NEC)和東芝這5家集成電路大企業(yè)聯(lián)合實施，這5家企業(yè)成為VLSI計劃實施初期最核心的創(chuàng)新主體。隨著VLSI計劃的推進，集成電路產(chǎn)業(yè)的上游企業(yè)，尤其是半導體裝置生產(chǎn)企業(yè)和半導體材料生產(chǎn)企業(yè)都不同程度地參與到合作研究開發(fā)中來，“到2000年時，除荷蘭的AMSL外，生產(chǎn)、銷售這種關鍵生產(chǎn)設備(半導體加工)的廠家都是清一色的日本公司”[18]。

韓國實施“政府+大財團”的產(chǎn)業(yè)政策，支持三星和現(xiàn)代等大企業(yè)進入集成電路產(chǎn)業(yè)，1983年，三星在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠，在韓國政府1983年至1987年間實施的“半導體工業(yè)振興計劃”支持下，1992年三星開發(fā)出世界第一個64M規(guī)格的DRAM，超過日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

(四)產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中構(gòu)建創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的作用

美國總統(tǒng)科技顧問委員會(PCAST)2004年1月發(fā)表的研究報告《維護國家的創(chuàng)新生態(tài)體系、信息技術制造和競爭力》認為：國家的技術和創(chuàng)新領導地位取決于有活力的、動態(tài)的“創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)”(Innovation Ecosystem)，而非機械的終端對終端的過程[19]。同年6月發(fā)表的研究報告《維護國家的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)：保持美國科學和工程能力之實力》認為：“美國創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的一個核心驅(qū)動因素是國家關于科學、技術、工程和數(shù)學的技能上的實力?！盵20]美國的產(chǎn)業(yè)政策一方面支持基礎教育和基礎研究，為集成電路產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)并吸引來自全世界的人才，為美國集成電路創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)提供持續(xù)不竭的支持動力；另一方面支持應用研究、開發(fā)、研發(fā)設備等多個環(huán)節(jié)，為硅谷和128號公路等科技園的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)提供必要的基礎條件。而且，美國的產(chǎn)業(yè)政策會根據(jù)時代變遷和內(nèi)外部環(huán)境的變化進行及時調(diào)整，確保能維護創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的生命力。2015年，美國啟動了國會半導體核心會議，以專門研究半導體產(chǎn)業(yè)政策。隨后，美國國會研究服務中心和總統(tǒng)科技顧問委員會先后在2016年、2017年發(fā)布了《美國半導體制造：產(chǎn)業(yè)趨勢、國際競爭與聯(lián)邦政策》和《持續(xù)鞏固美國半導體產(chǎn)業(yè)領導地位》兩份指引性報告。2017年1月，美國總統(tǒng)行政辦公室、美國總統(tǒng)科技顧問委員會等機構(gòu)發(fā)布《向總統(tǒng)報告：確保美國半導體產(chǎn)業(yè)的領導者地位》的報告，強調(diào)對中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進行遏制，并提出了對美國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造更好環(huán)境的政策建議。

日本VLSI項目的成功，是日本“官產(chǎn)學”一體化產(chǎn)業(yè)政策在國家創(chuàng)新體系中構(gòu)建創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的重要實踐，VLSI將五家平時互相競爭的大型集成電路公司，和通產(chǎn)省所屬的電子技術綜合研究所組織起來協(xié)同攻關，不僅集中人才優(yōu)勢，而且促進了日本國內(nèi)頂級集成電路科研人員的相互交流和合作，推動了日本集成電路技術的追趕和創(chuàng)新能力，為日本半導體產(chǎn)業(yè)1980年代后期崛起奠定了基礎。

韓國以DRAM為核心的集成電路產(chǎn)業(yè)成功發(fā)展歷程中，政府的產(chǎn)業(yè)政策主要從兩個方面在國家創(chuàng)新體系中構(gòu)建創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)：一是培養(yǎng)韓國本土的集成電路人才。在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期的1975年，韓國政府制訂了推動半導體業(yè)發(fā)展的六年計劃，同時建立了韓國高級科學技術研究院(KAIST)和韓國電子技術研究所(KIET)，進行超大規(guī)模集成電路的研究，不僅促進了集成電路工業(yè)的發(fā)展，而且為韓國培養(yǎng)了大批相關領域方面的人才。同時韓國積極派遣留學生出國深造，并吸收海外高級科技人才從事韓國集成電路科技發(fā)展工作。二是通過產(chǎn)業(yè)政策支持政府、研究所和LG、三星、現(xiàn)代三大企業(yè)成立聯(lián)合研究開發(fā)項目，使得韓國企業(yè)實現(xiàn)在4M和16M的DRAM上實現(xiàn)自主開發(fā)的突破，躋身世界集成電路產(chǎn)業(yè)一流陣營。從20世紀 90年代后，韓國實施中小企業(yè)扶植政策，有效地提供了其集成電路技術創(chuàng)新能力。

四、中國國家創(chuàng)新體系中集成電路產(chǎn)業(yè)政策的引領發(fā)展策略

2019年5月初開始，中美貿(mào)易戰(zhàn)升級。在困難與機遇交織的復雜形勢下，需要充分發(fā)揮我國社會主義制度優(yōu)勢，借鑒美國、日本和韓國的經(jīng)驗與教訓，從宏觀、中觀和微觀三個層面發(fā)揮國家創(chuàng)新體系中產(chǎn)業(yè)政策的引領作用，加快推進創(chuàng)新驅(qū)動進程，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展成世界一流的強大產(chǎn)業(yè)。

(一)宏觀層面：構(gòu)建基于創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)的集成電路國家創(chuàng)新體系

一是通過產(chǎn)業(yè)政策營造有利于可持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的制度環(huán)境。正如習近平總書記強調(diào)的：“推進自主創(chuàng)新，最緊迫的是要破除體制機制障礙，最大限度解放和激發(fā)科技作為第一生產(chǎn)力所蘊藏的巨大潛能。”[21]我國需要通過頂層設計，圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，以國家中長期戰(zhàn)略規(guī)劃和國家重大科技專項為牽引，通過產(chǎn)業(yè)政策，逐步推進破除制約集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的體制和政策性障礙，如根據(jù)國內(nèi)外情況變化適時調(diào)整投融資政策、所得稅、進出口退稅、產(chǎn)業(yè)鏈本土化、勞動法、員工期權激勵和 IPO 上市政策等，營造有利于集成電路產(chǎn)業(yè)可持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的政治環(huán)境、法制環(huán)境和商業(yè)環(huán)境。

二是通過產(chǎn)業(yè)政策提升創(chuàng)新供給能力和基礎要素條件。通過產(chǎn)業(yè)政策，增強科技人力資源，集聚和培養(yǎng)優(yōu)秀人才是提升集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新供給能力、夯實基礎要素條件的首要任務。一方面以全球格局吸引高層次具有領軍作用的技術人才、擅長國際化市場的經(jīng)營管理人才等來投身國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)；另一方面，通過設立專項獎學金以及留學基金，引導和激勵高校、科研院所培養(yǎng)集成電路產(chǎn)業(yè)需要的基礎研究人才和應用研究人才。

三是通過產(chǎn)業(yè)政策構(gòu)筑面向全球的積極開放式創(chuàng)新。通過產(chǎn)業(yè)政策，充分發(fā)揮我國作為集成電路最大市場的優(yōu)勢，在全球范圍內(nèi)利用和整合創(chuàng)新資源，吸引國際產(chǎn)業(yè)和技術轉(zhuǎn)移，累積自身的創(chuàng)新基礎和能力，促進自主創(chuàng)造和合作創(chuàng)新交融發(fā)展；同時，充分發(fā)揮我國集成電路產(chǎn)業(yè)多種創(chuàng)新資源、多個創(chuàng)新主體，以及多種互動、擴散渠道共存的優(yōu)勢，通過產(chǎn)業(yè)政策強化應用導向，以巨大、多樣的國內(nèi)市場為主、國際市場為輔，逐步讓國產(chǎn)集成電路產(chǎn)品能通過市場檢驗而獲得持續(xù)創(chuàng)新進步，形成國際競爭力。

(二)中觀層面：打造政產(chǎn)學研用價值鏈和創(chuàng)新鏈緊密聯(lián)合體

一是以產(chǎn)業(yè)政策為引導，以集成電路產(chǎn)業(yè)價值鏈和創(chuàng)新鏈為聯(lián)系紐帶，打造政產(chǎn)學研用緊密聯(lián)合體。一方面以行業(yè)龍頭企業(yè)為主體，聯(lián)合高校、科研院所組建技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，設立研發(fā)中心；另一方面，建設良好的創(chuàng)新公共服務基礎平臺，為各創(chuàng)新主體的緊密聯(lián)系，為初創(chuàng)企業(yè)的孵化，提供全方位服務。

二是以產(chǎn)業(yè)政策為引導，政府通過長期低息貸款和研發(fā)項目資助，對集成電路創(chuàng)新鏈的前端，需要組織多部門協(xié)同的基礎性、重大領域的研發(fā)環(huán)節(jié)，給予直接支持。

三是以產(chǎn)業(yè)政策為引導，在集成電路創(chuàng)新鏈商業(yè)化環(huán)節(jié)，充分發(fā)揮市場的決定性作用，而政府則減少干預。

(三)微觀層面：促進大型企業(yè)戰(zhàn)略性創(chuàng)新和中小企業(yè)靈活創(chuàng)新相融合

一是通過產(chǎn)業(yè)政策，促進央企以及大型民營企業(yè)在集成電路產(chǎn)業(yè)中國家戰(zhàn)略性、基礎性的重大項目，特別是亟待攻克的重大核心技術，如半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的光刻膠及光刻機、單晶爐等半導體制造設備，以及核心產(chǎn)業(yè)鏈的 IC 設計、 IC 制造等領域，發(fā)揮創(chuàng)新示范作用。

二是通過產(chǎn)業(yè)政策，激勵和支持中小企業(yè)在集成電路產(chǎn)業(yè)領域進行開放式研發(fā)與創(chuàng)新，在細分領域孵化和培育“小巨人”企業(yè)。

三是通過產(chǎn)業(yè)政策，促進集成電路領域大中小企業(yè)構(gòu)建開放式互動合作創(chuàng)新體系，以技術研發(fā)和市場流通為引導，根據(jù)大中小企業(yè)間的差異性和互補性進行資源上的流動和分享。