沈 躍 黃忠裕 劉 慧
(江蘇大學(xué)電氣信息工程學(xué)院, 鎮(zhèn)江 212013)
隨著人們保護環(huán)境和節(jié)約資源意識的提高,精準施藥技術(shù)得到越來越多的推廣和應(yīng)用[1-3]。其中,脈沖寬度調(diào)制(Pulse width modulation,PWM)變量噴藥是精準噴霧過程中的一種重要控制方式,諸多學(xué)者對此進行了研究[4-7]。盡管PWM變量噴霧技術(shù)有良好的流量調(diào)節(jié)特性,但由于電磁閥的磁滯現(xiàn)象和閥芯機械慣性,造成了PWM對電磁閥進行控制時存在死區(qū)[8-9]。
為了提高電磁閥的動態(tài)響應(yīng)特性,蔣煥煜等[10]使用響應(yīng)面法對改進型脈沖寬度調(diào)制控制參數(shù)進行優(yōu)化,有效縮短了電磁閥響應(yīng)時間,但試驗電路使用傳統(tǒng)的單電壓驅(qū)動電路;LIU等[11]設(shè)計了一種多通道變量噴霧數(shù)字流量控制器,提高了電磁閥的使用壽命,噴霧流量控制精度高,但適用的線性范圍只能達到控制周期的10%~90%;劉浩等[12]設(shè)計了一種寬電壓輸出的驅(qū)動電路,通過多級自適應(yīng)電壓激勵驅(qū)動策略,減少了閥芯的開啟、關(guān)閉時間,但是需要額外的電源變換電路,降低了能量使用效率。
本文在前人的研究基礎(chǔ)上,利用電磁閥的電感特性[13],設(shè)計基于BOOST電路的電磁閥流量控制器。采用雙電壓驅(qū)動的電磁閥,無需電源電壓轉(zhuǎn)換電路,能更精確寬范圍地控制多個獨立噴嘴的流量。
變量噴霧使用的電磁閥為常閉狀態(tài),為了使電磁閥正常打開,電磁線圈流過的電流需產(chǎn)生足夠強度的磁場,使電磁閥上的動鐵和定鐵吸合[14]。圖1是電磁閥常閉和打開結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1 電磁閥結(jié)構(gòu)示意圖
由于常閉電磁閥閥芯在動作過程中受到電磁慣性和機械慣性[15-16],造成了電磁閥的響應(yīng)延時。在電磁閥動作過程中,閥芯主要受到電磁力、液壓力、彈簧力、阻尼力的作用[17]。為了縮短電磁閥的開啟響應(yīng)時間,需要在閥芯動作時提供較大的電磁力。忽略電磁閥動作過程中電感的變化,可得電磁力方程為
(1)
式中Fm——電磁力,N
L——電磁線圈電感,H
i——電磁線圈流過的電流,A
N——線圈匝數(shù)
Ae——電磁作用面積,m2
μo——空氣磁導(dǎo)率,H/m
由式(1)可知,在電磁閥結(jié)構(gòu)參數(shù)不變的情況下,電磁力取決于電磁閥線圈電流。再由電感的伏安特性可知,提高電磁閥的輸入電壓可以增大電磁線圈的電流,從而縮短電磁閥的響應(yīng)時間。
BOOST電路拓撲結(jié)構(gòu)如圖2所示,BOOST是一種開關(guān)直流升壓電路,它可以使輸出電壓比輸入電壓高[18-19]。BOOST電路采用恒頻控制方式,占空比可調(diào)。如圖2所示,MOSFET管Q導(dǎo)通時電感L充電,并開始儲能,二極管D防止電容對地放電;管Q關(guān)斷時,電感L存儲的能量通過二極管D給電容C充電,電容兩端電壓升高,且高于輸入電壓,升壓完畢。
圖2 BOOST電路拓撲結(jié)構(gòu)
本文利用電磁線圈的電感特性和閥體保持階段高頻的PWM信號對輸出電容進行升壓,并將存儲在電容中的高電位電壓用于電磁閥的打開階段,加速電磁閥導(dǎo)通。
為了降低電磁閥工作的死區(qū),改進了噴嘴流量和占空比的線性區(qū)間,設(shè)計了一款多噴嘴輸出的電磁閥流量控制器,結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。流量控制器由1個單片機、2個基于I2C總線控制的PWM信號發(fā)生器和電磁閥驅(qū)動電路組成,輸入電壓為12V DC。流量控制器通過RS-485總線連接上位機,并基于Modbus通信協(xié)議接收上位機的控制指令。
圖3 電磁閥流量控制器結(jié)構(gòu)示意圖
圖4 電磁閥驅(qū)動電路原理圖
設(shè)計了基于BOOST電路的電磁閥驅(qū)動電路,如圖4所示。它由圖騰柱驅(qū)動電路、BOOST電路和高電位電磁閥驅(qū)動電路組成。R5、Q4和Q5組成的圖騰柱驅(qū)動電路,如圖4中綠色標號器件。二極管D1、電磁閥電磁線圈L1、保險絲F1、MOSFET管Q1、肖特基二極管D3、瞬態(tài)抑制二極管TVS和電解電容C1組成BOOST電路,如圖4中紅色標號器件。MOSFET管Q2、二極管D2、電磁閥電磁線圈L1、保險絲F1和MOSFET管Q1組成高電位電磁閥驅(qū)動電路。圖4中,PWM1端口輸入的信號控制MOSFET管Q1,PWM2端口輸入的信號控制MOSFET管Q2。
圖5 電磁閥流量控制器電路板
PWM信號發(fā)生器由2個PCA9685PW和外圍電路組成。在IAR for STM8開發(fā)平臺下,用C語言編寫單片機STM8S005K6T的程序。單片機通過I2C總線向PCA9685PW發(fā)送控制指令,使每片PCA9685PW輸出10路占空比可調(diào)的PWM信號,電路板如圖5所示。
本文使用的電磁閥為美國TeeJet公司生產(chǎn)的DS55295-12型電磁閥,該電磁閥參數(shù)如表1所示。
表1 DS55295-12型電磁閥參數(shù)
如圖4所示,在電容C1升壓過程中,為了防止電磁線圈L1產(chǎn)生的反電動勢超出電容C1的耐壓值和MOSFET管Q1的漏源電壓,在電容C1端并聯(lián)單向瞬態(tài)抑制二極管TVS,將電壓箝位到24V DC。經(jīng)測試,電磁閥在24V DC下導(dǎo)通5 ms,可有效打開。電容C1所需要的容值計算式為
QL=Ptc
(2)
(3)
式中QL——電磁閥吸收能量,J
P——電磁閥功率,W
tc——Q2和Q1導(dǎo)通時間,s
Qc——電容C1釋放的能量,J
C1——電容容值,F(xiàn)
Uh——高電位電壓,24 V
Ul——低電位電壓,12 V
根據(jù)能量守恒定律,可知QL等于Qc,代入數(shù)值得到C1為231.5 μF。為了減少電容電壓的衰減,取計算容值的2~3倍為電容C1容值,因此選擇耐壓值為35 V,電容值為680 μF的電解電容。
電磁閥依次工作在加速導(dǎo)通、維持導(dǎo)通和關(guān)閉模式。
加速導(dǎo)通模式:高電位電磁閥驅(qū)動電路工作,控制Q2和Q1導(dǎo)通,電容C1存儲的高電位的24V DC通過MOSFET管Q2和二極管D2流過電磁閥的電磁線圈L1,電磁閥打開,如圖6a所示。相比較于12V DC,24V DC驅(qū)動的電磁閥能更快地達到峰值電流,提高了開閥響應(yīng)速度。
維持導(dǎo)通模式:BOOST電路工作,Q2始終關(guān)閉,Q1工作在高頻通斷狀態(tài)。此時電磁閥電感線圈L1中維持的電流足夠保持電磁閥導(dǎo)通。在Q1導(dǎo)通時,輸入12V DC通過二極管D1流過電磁閥的電磁線圈L1,電磁閥線圈L1開始儲能,并維持電磁閥導(dǎo)通,如圖6b所示。Q1關(guān)閉時,由于電磁線圈L1的電感特性,電流不能突變,存儲在電磁線圈L1的能量通過二極管D3流向電容C1,電容C1電壓升高到瞬態(tài)抑制二極管TVS擊穿電位24V DC,如圖6c所示。如表1所示,電磁閥電磁線圈電感為9 mH,電磁線圈儲能較強,為了減少電磁閥在高頻狀態(tài)下對電路的干擾,設(shè)定BOOST電路在維持導(dǎo)通模式下的工作頻率為1 kHz。
關(guān)閉模式:BOOST電路、高電位電磁閥驅(qū)動電路都停止工作,Q2和Q1關(guān)閉,電磁線圈L1中的能量通過二極管D3和瞬態(tài)抑制二極管TVS迅速釋放到地端,電磁閥關(guān)閉,如圖6d所示。
圖6 電磁閥工作狀態(tài)
圖7 不同占空比下的電磁閥狀態(tài)
由于電磁閥的電磁特性,造成了電磁閥的回滯現(xiàn)象[20]。在電磁閥維持導(dǎo)通模式下,設(shè)置MOSFET管Q1的占空比為0~100%,每10%步進,測試不同占空比狀態(tài)下電磁閥的開關(guān)狀態(tài),如圖7所示。測得電磁閥的關(guān)閉閾值為20%占空比,導(dǎo)通閾值為70%占空比。同時,為了保證BOOST電路能為電容C1充電,設(shè)定高頻模式下控制周期的20%為死區(qū)時間。最終,設(shè)定維持導(dǎo)通模式下的占空比在20%~80%區(qū)間內(nèi)。本文通過模糊控制算法設(shè)置維持打開占空比工作在合適的值,保證了儲能電容能為加速打開模式提供足夠的電能。
圖8 維持打開占空比模糊控制結(jié)構(gòu)圖
模糊控制是把精確的數(shù)值轉(zhuǎn)換為模糊集合中的元素,再經(jīng)過模糊推理得到模糊化的輸出變量,最后對輸出變量進行解模糊,輸出精確的控制量[21-22]。如圖8所示,模糊控制器的輸入為當(dāng)前周期與上一周期電磁閥導(dǎo)通占空比的差值以及當(dāng)前周期電磁閥導(dǎo)通占空比,經(jīng)過模糊推論,輸出維持導(dǎo)通占空比。
當(dāng)前周期電磁閥打開占空比kn,模糊語言值為{ZO(零)、PS(正小)、PM(正中)、PB(正大)},變化范圍為[0,100],論域為{0,30,60,90,100};當(dāng)前周期與上一周期電磁閥導(dǎo)通占空比的差值e,模糊語言值為{NB(負大)、NS(負小)、ZO(零)、PS(正小)、PB(正大)},變化范圍為[-30,30],論域為{-30,-10,0,10,30};輸出維持導(dǎo)通占空比km模糊語言值為{S(小)、M(中)、B(大)、VB(極大)},變化范圍為[20,80],論域為{20,40,60,80},輸入輸出的隸屬函數(shù)為對稱三角形函數(shù)。根據(jù)試驗操作經(jīng)驗可知,當(dāng)前周期電磁閥導(dǎo)通占空比kn較小時,輸出維持導(dǎo)通占空比km應(yīng)設(shè)置較大值,為儲能電容提供足夠的電能;當(dāng)前周期與上一周期電磁閥導(dǎo)通占空比的差值e較大或者較小時,儲能電容中存儲的電量將受到影響。模糊推理規(guī)則采用IF-THEN語句,維持導(dǎo)通占空比設(shè)定值的推理規(guī)則如表2所示。運用Matlab軟件的FIS編輯器對模糊控制進行仿真得到模糊規(guī)則曲面,如圖9所示。
表2 模糊控制規(guī)則
圖9 輸入、輸出變量關(guān)系曲面
當(dāng)前,成熟的變量噴霧電磁閥驅(qū)動策略主要為單電壓普通PWM模式激勵。但這種驅(qū)動方式的電磁閥開啟響應(yīng)時間相較于雙電壓驅(qū)動方式較長。本文在電磁閥由關(guān)閉到打開階段,設(shè)置電磁閥工作在加速導(dǎo)通模式;電磁閥有效打開后設(shè)置電磁閥工作在維持導(dǎo)通模式,維持導(dǎo)通工作頻率為1 kHz,通過模糊控制算法選擇維持導(dǎo)通占空比km;在電磁閥由打開到關(guān)閉過程階段,設(shè)置電磁閥工作在關(guān)閉模式。電磁閥的控制周期為100 ms,有效打開時間為5 ms,電磁閥控制流程圖如圖10所示。圖11為傳統(tǒng)和改進PWM控制方法波形圖,占空比均為60%。圖11中1階段為加速導(dǎo)通模式,2階段為維持導(dǎo)通模式,3階段為關(guān)閉模式,其中2階段維持導(dǎo)通占空比為44%。
圖10 電磁閥控制流程圖
圖11 傳統(tǒng)和改進PWM控制方法波形圖
試驗平臺如圖12所示,主要包括人機控制部分、恒壓控制部分和變量噴霧部分。其中人機控制部分主要由計算機、USB轉(zhuǎn)串口和串口轉(zhuǎn)485模塊組成;恒壓控制部分主要由藥箱、隔膜泵(DP-70型,上海新西山實業(yè)實業(yè)有限公司)、壓力傳感器(WMB2012-HS型,燁立工控)和隔膜泵控制器組成;變量噴霧部分由電磁閥驅(qū)動器、電磁閥和噴頭(XR8001VS型,美國TeeJet公司)組成,噴頭適用壓力范圍為100~400 kPa。量杯用于收集電磁閥噴灑的藥液。噴頭噴霧角為80°,量杯杯口距離噴嘴1.5 cm,噴頭垂直于量杯,防止噴出的藥液落入量杯之外。
圖12 流量采集試驗平臺
在電磁閥噴霧過程中,需要對壓力進行閉環(huán)控制,保證采集流量數(shù)據(jù)的準確性。計算機將期望的壓力發(fā)送到隔膜泵控制器,隔膜泵控制器檢測壓力傳感器的壓力信號,通過PID控制算法,實現(xiàn)輸出壓力的恒定。設(shè)定噴霧時間為60 s,噴霧結(jié)束后讀取量杯中液體的體積,計算流量。
為了研究傳統(tǒng)方式[11]和本文方法的電磁閥流量和占空比之間的線性關(guān)系,測試XR8001型噴嘴在110、180、250、320、390 kPa壓力下的流量,試驗占空比依次為3%、4%、6%、8%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、92%、94%、96%、97%,占空比小于3%電磁閥不能打開,流量為0,大于97%電磁閥不能有效關(guān)閉,輸出流量停止變化。每組試驗重復(fù)5次,求取平均值和標準差,如表3所示。選取采集數(shù)據(jù)中每組最大流量數(shù)據(jù)和XR8001型噴嘴手冊中的連續(xù)噴霧流量數(shù)據(jù)對比,在100、150、200、250、300、400 kPa壓力下,對應(yīng)的手冊流量為0.23、0.28、0.32、0.36、0.39、0.45 L/min。不同壓力下手冊數(shù)據(jù)和試驗的最大流量數(shù)據(jù)相對誤差小于5%,說明采集的試驗數(shù)據(jù)可靠。
表3 傳統(tǒng)方式和本文方式采集的流量
傳統(tǒng)模式在前4種壓力試驗下,占空比3%~8%對應(yīng)采集的流量為0,在壓力390 kPa試驗下,占空比3%~6%對應(yīng)采集的流量為0,說明電磁閥并沒有打開,為了保證數(shù)據(jù)擬合的有效性,只對非零數(shù)據(jù)區(qū)間進行線性擬合;同理,改進模式也只對非零數(shù)據(jù)區(qū)間進行擬合,并計算決定系數(shù)和適用區(qū)間,處理結(jié)果如表4所示。擬合線性方程為
Q=aDc+b
(4)
式中Q——噴嘴流量,L/min
a、b——標定常數(shù)
Dc——PWM占空比,%
由表4可知,隨著壓力的增大,傳統(tǒng)方式和本文方式線性回歸方程的決定系數(shù)均有所增加。傳統(tǒng)方式噴霧壓力為110、180、250、320、390 kPa時,決定系數(shù)為0.994 6、0.995 8、0.996 2、0.996 3、0.996 7,同樣,改進方式?jīng)Q定系數(shù)為0.995 4、0.996 3、0.996 9、0.997 2、0.997 3。此外,同一噴霧壓力下,改進方式的決定系數(shù)比傳統(tǒng)方式的決定系數(shù)略高。改進模式占空比適用范圍得到了提高,在110、180、250、320、390 kPa壓力下,PWM線性區(qū)間分別從10%~92%、10%~92%、10%~92%、10%~92%、8%~92%提高至4%~92%、4%~94%、4%~94%、4%~94%、3%~94%。電磁閥流量和占空比適用區(qū)間的增加提高了農(nóng)藥利用率,尤其在占空比(0,10%)區(qū)間內(nèi),改進方式藥液使用量分別是傳統(tǒng)方式的86.85%、92.09%、83.15%、85.57%、86.54%。在壓力250 kPa下根據(jù)擬合的線性回歸方程進行變量噴霧,為了確保靶標上有足夠的藥液沉積,傳統(tǒng)方法輸出流量對應(yīng)占空比低于10%的均設(shè)為10%,對應(yīng)占空比大于92%的均改為100%,而改進方法輸出流量對應(yīng)占空比低于4%的設(shè)為4%,對應(yīng)占空比大于94%的設(shè)為100%。因此,在壓力250 kPa下,傳統(tǒng)方式輸出流量對應(yīng)占空比在(0,10%)區(qū)間,輸出流量均為0.957 L/min,而改進方式輸出流量對應(yīng)占空比在(0,4%)區(qū)間輸出流量均為0.074 L/min,占空比在[4%,10%)區(qū)間對應(yīng)輸出流量線性區(qū)間為[0.074,0.092 6) L/min,對占空比在(0,10%)區(qū)間的流量進行面積分析,發(fā)現(xiàn)改進方式藥液使用量是傳統(tǒng)方式的83.15%。
表4 改進前后數(shù)據(jù)處理
(1)設(shè)計了一款應(yīng)用于農(nóng)業(yè)變量噴霧領(lǐng)域的電磁閥流量控制器,利用電磁閥的電感特性,將BOOST電路和傳統(tǒng)的電磁閥驅(qū)動電路相結(jié)合,實現(xiàn)了電磁閥的雙電壓供電。使用改進型PWM控制方式,在電磁閥打開時接入高電壓,維持階段使用高頻PWM控制,并為儲能電容充電,通過瞬態(tài)抑制二極管迅速釋放電流,使電磁閥快速關(guān)閉。
(2)使用XR8001型噴頭,通過搭建的試驗平臺,測試了110、180、250、320、390 kPa壓力下改進前后的占空比和流量,并進行了線性擬合,結(jié)果表明,流量對應(yīng)占空比的線性區(qū)間分別從10%~92%、10%~92%、10%~92%、10%~92%、8%~92%提高到了4%~92%、4%~94%、4%~94%、4%~94%、3%~94%。更寬范圍的線性區(qū)間提高了藥液使用率,尤其是占空比在(0,10%)區(qū)間內(nèi),改進方式藥液使用量是傳統(tǒng)方式的86.85%、92.09%、83.15%、85.57%、86.54%。