林曉君,司徒丹娜,胡寧洋,李玲玲,伍 倩,董亞莉
(紹興文理學(xué)院化學(xué)化工學(xué)院,浙江 紹興 312000)
隨著現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展,工業(yè)用水越來越多,隨之而來的廢水排放也日益增多,影響了人們的生產(chǎn)和生活。我國的染料行業(yè)是廢水排放的重要來源之一,而染料廢水普遍具有毒性大、色澤多、難降解、排放量大等特點,因此,染料廢水的有效處理成為人類亟待解決的重大課題[1-2]。目前,廢水處理技術(shù)主要有物化技術(shù)、化學(xué)氧化技術(shù)、生物降解技術(shù)等。但是這些方法存在成本高、效率低、設(shè)備復(fù)雜、二次污染等不足,找到一種成本低、綠色環(huán)保、高效的技術(shù)純化染料廢水成為當(dāng)今研究的熱點[3-4]。
20世紀(jì)70年代以來,光催化技術(shù)迅速發(fā)展,使染料廢水的降解成為可能,也因其環(huán)保節(jié)能的特性逐漸成為研究者們的首選。影響光催化性能的因素主要有三點:光吸收、電荷傳輸以及表面氧化還原反應(yīng)[5]。因此,制備光吸收能力強、電荷傳輸快和氧化還原能力強的光催化劑是提高光催化性能的關(guān)鍵。氧化鋅(ZnO)作為一種常用的光催化劑,具有無毒、價格低廉、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和紫外光吸收能力強等特性,廣泛用于紫外線屏蔽、抗菌、光學(xué)及光催化領(lǐng)域。但是,ZnO帶隙較寬、光譜響應(yīng)范圍窄,只能吸收占太陽光總能量約4%的紫外光,而可見光約占太陽光總能量的43%,這限制了ZnO的應(yīng)用。因此,如何降低ZnO的禁帶寬度,提高可見光的吸收,促進光生電子空穴對的分離,成為研究者關(guān)注的熱點。本文主要綜述了氧化鋅的性質(zhì)及應(yīng)用,以及為了提高太陽光的利用率,對摻雜氧化鋅的方法進行了總結(jié)。
目前,氧化鋅(ZnO)主要有六方型的纖鋅礦結(jié)構(gòu)、四方型閃鋅礦結(jié)構(gòu)以及巖鹽結(jié)構(gòu)。常見的氧化鋅屬于六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),穩(wěn)定性高[6]。ZnO常溫下為3.37 eV的帶隙寬度,載流子濃度極低,屬于絕緣材料。目前制備的氧化鋅一般為n型半導(dǎo)體。納米ZnO具有良好的低阻性質(zhì),電子可在ZnO導(dǎo)帶和價帶的空穴、能帶與缺陷能級之間進行躍遷釋放出能量,是當(dāng)今重要的光催化材料[7]。此外,ZnO材料本身受外界壓力的影響,它會在受力方向產(chǎn)生相應(yīng)的電荷,并隨壓力的增大而增大。
氧化鋅是具有許多特殊優(yōu)異性質(zhì)的一種半導(dǎo)體功能材料,比如熒光性、抗菌性、非遷移性、吸收和散射光能力等,在醫(yī)療、紡織、化工、橡膠、陶瓷行業(yè)都有著廣泛的應(yīng)用[8-10]。
1.2.1 氣體敏感材料
ZnO比表面積大,活性高,對環(huán)境變化反應(yīng)敏感,會隨表面吸附氣體種類和濃度的不同電阻率發(fā)生改變,可用于氣體感應(yīng)。通過摻雜某些元素,以調(diào)整ZnO對有害氣體、污染氣體等的敏感性,提升其感應(yīng)效果。根據(jù)此性質(zhì),ZnO可以制成多種氣敏傳感器[11]。
1.2.2 壓電器件
ZnO的壓電耦合特性,可用于構(gòu)造壓電式納米器件。目前,壓電場效應(yīng)晶體管、壓電應(yīng)力傳感器、壓電諧振器和納米壓電發(fā)電機大多都是以一維ZnO微納米結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)構(gòu)建的,實現(xiàn)了用壓力觸發(fā)電子器件。ZnO推動了納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,并展示出在電子器件優(yōu)化方面廣闊的應(yīng)用前景。
1.2.3 光電材料
納米ZnO具有穩(wěn)定性好、電子遷移率高等優(yōu)點,在光電轉(zhuǎn)換領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。如使用納米ZnO作為光陽極的染料敏化太陽能電池是一種新型的光電轉(zhuǎn)換太陽能電池[12],現(xiàn)今已經(jīng)占據(jù)了一定的市場。通過改變ZnO的形貌,如棒狀、空心球狀等,可以有效提高染料敏化電池的工作效率。
1.2.4 光催化材料
納米ZnO半導(dǎo)體屬于寬帶隙,在紫外光激發(fā)下,光催化性能良好。在日光照射下,可通過摻雜其它材料進行復(fù)合,從而拓寬納米ZnO的光響應(yīng)范圍,提高光降解率。對比使用廣泛的TiO2,ZnO在降解生物難降解的有毒污染物上有更高的光催化活性和量子產(chǎn)率,可用于大規(guī)模的水污染凈化。
ZnO禁帶寬度與TiO2相近,為3.37 eV,存在光吸收范圍低、光生載流子易復(fù)合、表面氧化還原反應(yīng)位點少等缺點[13]。通過金屬元素摻雜、非金屬元素摻雜、金屬共摻雜等方法,以減小氧化鋅的禁帶寬度,增加太陽光的利用率,這是提高氧化鋅光催化活性的有效方法。
將金屬元素摻入ZnO后,基于金屬元素的不同特性,ZnO會產(chǎn)生晶格缺陷。利用這些晶格缺陷來捕獲光生電子和空穴,達到使電荷與空穴分離的目的,從而提高光催化性能[14]。
2.1.1 Al元素摻雜
王玉新等[15]探究了摻雜不同含量Al元素對ZnO光催化性能的影響。研究發(fā)現(xiàn),一定濃度的Al,可以控制ZnO在某個方向上的生長限度。但Al元素超過一定濃度時,反而會降低ZnO的光催化性能。實驗證明,Al3+代替了Zn2+的位點后,增加了可見光峰強,證明ZnO晶格內(nèi)產(chǎn)生了缺陷,增強了光催化效果。
孟占昆等[16]通過溶膠-凝膠法制備了Al摻雜納米ZnO材料,研究了其形貌、晶體結(jié)構(gòu)以及氣敏特性。結(jié)果表明,Al摻雜后ZnO晶粒表面粗糙,比表面積增大,氣敏性能增強;隨著Al摻雜含量的增多,ZnO特征衍射峰加寬,表明Al摻雜后會抑制晶粒的形成,降低了氣敏性能。
2.1.2 Ce元素摻雜
潘榮飛等[17]通過水熱法制備ZnO,探究不同溫度煅燒ZnO前驅(qū)體和不同稀土鈰含量摻雜ZnO對光催化降解亞甲基藍效果的影響,并對Ce摻雜的ZnO進行了表征。結(jié)果顯示,最佳煅燒溫度是400 ℃;低于400 ℃時,隨著溫度上升Ce/ZnO的光催化能力提高;超過400 ℃時,反而會降低。在氙燈照射下,Ce的摻雜量為2%時,光催化性能最好。
2.1.3 Mn元素摻雜
劉巧平等[18]采用水熱法以MnCO3為摻雜劑,制備了納米線狀Mn/ZnO,分布集中且均勻緊密。水熱法結(jié)合緩沖摻雜技術(shù)可控合成沿c軸擇優(yōu)生長的Mn/ZnO納米線,經(jīng)測定紫外峰發(fā)生紅移,表明隨著Mn的摻雜,Zn2+在晶格中的位置被Mn2+取代,提高了近帶邊激子復(fù)合概率,釋放出能量,從而改善ZnO的光學(xué)特性。
2.1.4 Nb元素摻雜
楊敏等[19]通過固相法制備了Nb摻雜ZnO光催化劑,探究其對剛果紅的去除性能。實驗發(fā)現(xiàn)Nb摻雜后的ZnO禁帶寬度變窄,ZnO的光催化活性提高。當(dāng)Nb和ZnO的物質(zhì)的量之比為0.01,用量為80 mg·L-1時,光照120 min使20 mg·L-1的剛果紅溶液降解率為76.5%。該方法優(yōu)化了傳統(tǒng)催化劑制備方法難度大、電子-空穴對易復(fù)合等缺點。
林文勝等[20]采用原位碳化法制備了不同碳含量的LC/ZnO納米復(fù)合材料。利用多種表征方式對LC/ZnO 的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行測試,發(fā)現(xiàn)LC/ZnO復(fù)合材料具有優(yōu)異的紫外和可見光吸收性能。此方法可提高工業(yè)木質(zhì)素利用率,減少環(huán)境污染,提升經(jīng)濟效益。
ZnO本身帶隙寬,只能吸收紫外區(qū)光波,并且其p型摻雜困難,可利用金屬非金屬共摻雜解決。摻雜后的ZnO能適用于多種短波長光電器件中,具有廣闊的應(yīng)用前景[21]。
李春萍等[22]嘗試用Au-N共摻雜纖鋅礦ZnO,通過密度泛函理論計算和模型構(gòu)建研究了其光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明,Au-N共摻雜的ZnO更有利于形成p型半導(dǎo)體、摻雜后其低能帶的吸收峰紅移、帶隙減小,電子態(tài)密度向低能態(tài)變化。Au-N共摻雜的ZnO內(nèi)部的載流子數(shù)目增加,更容易躍遷,光吸收能力變強。
趙惠芳等[23]通過第一性原理的超軟贗勢計算方法研究了N-Ga和2N-Ga共摻雜ZnO?;诿芏确汉碚摰膹念^算量子力學(xué)程序進行理論計算,結(jié)果表明共摻雜后的晶體體積減小,均具有良好的p型化和導(dǎo)電性能。N-Ga共摻雜ZnO的構(gòu)型更穩(wěn)定,但2N-Ga共摻雜ZnO對實現(xiàn)p型化ZnO更有意義。
吳兆豐等[24]用鋁錳共摻雜ZnO納米棒,并用射頻磁控濺射法調(diào)控鋁錳共摻雜ZnO納米棒的生長及形貌。結(jié)果表明,鋁錳共摻雜ZnO復(fù)合物的特征峰為ZnO本征特征峰,鋁、錳摻雜并未形成雜質(zhì)峰;納米棒沿垂直方向生長,說明鋁錳已摻雜進ZnO晶格中。因復(fù)合物具有低電阻,可以制作為自旋電子器件,具有廣闊的市場前景。
季德春等[25]用溶膠-凝膠法制備了Mg、Li共摻雜氧化鋅納米薄膜。表征結(jié)果顯示,隨著Li摻雜量的增加,結(jié)晶性降低,晶體氧空位缺陷產(chǎn)生。對鎂、鋰共摻雜ZnO進行的霍爾電性分析,發(fā)現(xiàn)其n型狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閜型,但導(dǎo)電狀態(tài)由p型轉(zhuǎn)變?yōu)閚型,Mg的摻雜使n型半導(dǎo)體又轉(zhuǎn)為p型半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體光催化劑是處理染料廢水的一種綠色高效材料,光吸收、電荷傳輸以及表面氧化還原反應(yīng)是影響光催化的三種重要的因素。對于ZnO半導(dǎo)體來說,其無毒無害、成本低的特點使它成為有效光催化降解廢水的重要途徑之一。由于其禁帶寬度約為3.37 eV,僅對于紫外光有響應(yīng),提高其對可見光吸收的有效方法之一是通過元素摻雜的形式,使得ZnO復(fù)合材料高效吸收可見光。經(jīng)過摻雜后ZnO,表現(xiàn)出更高的載流子濃度,光催化能力明顯增強,ZnO實現(xiàn)p型摻雜化更有意義,在光電領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。
半導(dǎo)體ZnO的應(yīng)用十分廣泛,其制備簡單,無毒無害的特點,使其在光催化降解污水方面有巨大的利用價值和市場應(yīng)用潛力,值得科研工作者深入研究。