顧玉蓉 ,董紫君 ,王宏杰 ,劉彤宙 ,韓慧麗 ,黎黃川
(1.深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院建筑與環(huán)境工程學(xué)院,廣東深圳518055;2.哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)土木與環(huán)境工程學(xué)院,廣東深圳518055)
全氟化合物(PFCs)是一類人工合成的有機化合物,因具有優(yōu)良的理化性質(zhì)被廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)生產(chǎn)活動中。全氟有機酸是全氟化合物的重要組成部分,其中,全氟辛烷磺酸(PFOS)是目前應(yīng)用最多且最受關(guān)注的一類典型全氟有機酸。在生產(chǎn)及使用過程中,PFOS會向環(huán)境中釋放,因而各類環(huán)境介質(zhì)中都有PFOS檢出,且PFOS已被證實具有多重生物毒性〔1〕。研究表明,工業(yè)廢水的排放是PFOS向環(huán)境中釋放的主要渠道〔2〕。因此,亟需能有效控制水中PFOS的處理技術(shù)。
PFOS化學(xué)性質(zhì)極其穩(wěn)定,常規(guī)的生物法和化學(xué)法均不能使其有效降解。近年來,一些高級處理手段,如光化學(xué)、超聲化學(xué)、電化學(xué)以及球磨法等均被用于水中PFOS的降解〔3〕。由于操作的便捷性,關(guān)于光化學(xué)降解手段的研究最多。但已報導(dǎo)的PFOS光解方法大多存在反應(yīng)條件苛刻、反應(yīng)時間長等缺點,很難運用于實際全氟廢水的處理。
水合電子(eaq-)是一種強還原性物種,還原電勢高達(dá)-2.9 V,近年來被大量用于有機污染物的降解〔4〕。UV/SO32-體系是最常用的eaq-產(chǎn)生方式之一。光化學(xué)研究表明,在反應(yīng)中提高光強可增加eaq-產(chǎn)量。因此,本研究選用高強度紫外光作為反應(yīng)光源,SO32-作為eaq-激發(fā)劑,構(gòu)建高強UV/SO32-體系降解PFOS。值得注意的是,工業(yè)廢水中PFOS含量一般較低(ng/L~μg/L級別)〔5〕,直接應(yīng)用化學(xué)法處理 PFOS會增加處理能耗。C.D.Vecitis等指出,提高PFOS初始濃度,單位濃度PFOS降解所需的能耗可大大降低〔6〕。因此,本研究先利用膜分離法將PFOS在液相中富集后再用化學(xué)法將其降解,以期找到一種可高效、低耗降解水中PFOS的方法。
全氟辛烷磺酸鉀(C8F17SO3K,PFOS,純度98%)、無水亞硫酸鈉(Na2SO3,純度 98%)、硫酸(H2SO4,純度98%)、氫氧化鈉(NaOH,純度97%),均購自阿拉丁試劑有限公司,購買后直接使用。
實驗用膜材料為陶氏反滲透膜(TW30-1812-100),相關(guān)參數(shù)如下:pH3~10,最高操作壓力 2.07MPa,最高操作溫度45℃。
1.3.1 膜富集實驗流程
原水由高壓泵打入膜池內(nèi),在壓差作用下,凈水透過反滲透膜到達(dá)產(chǎn)水側(cè),剩余液體由濃水口排出。實驗中,產(chǎn)水率及操作壓力分別為75%及1.0 MPa。實驗所用膜片需在洗去表面保護液后于去離子水中浸泡12 h后使用。膜分離實驗開始前,用去離子水在1.0 MPa壓力下壓膜2 h,以保證達(dá)到穩(wěn)定的膜通量。
1.3.2 光解實驗裝置及流程
反滲透富集后的濃水中的PFOS由高強UV/SO32-體系進(jìn)行降解。降解實驗在敞口燒杯中進(jìn)行,實驗條件如下:初始PFOS質(zhì)量濃度17.889 mg/L,SO32-濃度10.0 mmol/L,初始溶液pH 9.2,反應(yīng)溫度(25±2) ℃,光強I0為 6.67×10-7einstein/(cm2·s)。 其中,高強度紫外光由高壓汞燈提供,如圖1所示,其主要發(fā)射光波段為200~600 nm。
PFOS濃度采用超高效液相色譜串聯(lián)三重四級桿質(zhì)譜儀(UPLC-MS/MS,H-Class&XEVO TQD,Waters)測定。檢測時液相部分采用BEH C18(2.1 mm×50 mm,1.7 μm)色譜柱,柱溫40℃。流動相為乙腈和乙酸銨(2 mmol/L),二者體積比為25/75。PFOS檢測采用等度洗脫,流速0.3 mL/min,進(jìn)樣體積1 μL,電噴霧電離源采用負(fù)離子模式(ESI-)。其中,源溫度和脫溶劑的溫度分別為120、400℃,毛細(xì)管電壓2.0kV。
圖1 高壓汞燈示意
在溫度為(20±2) ℃,流量為 60 L/h,壓力為1.0 MPa,pH為7.0,PFOS初始質(zhì)量濃度分別為50、500、1 000、5 000、10 000 μg/L 的條件下進(jìn)行膜富集實驗。取反滲透裝置穩(wěn)定運行1 h后一定時間內(nèi)的產(chǎn)水和濃水,分別測定其中的PFOS濃度,得到不同PFOS初始濃度下反滲透膜對PFOS的截留率,結(jié)果如圖2所示。
圖2 PFOS初始濃度對反滲透膜截留PFOS的影響
由圖2可以看出,隨著PFOS初始濃度的增加,PFOS截留率總體呈現(xiàn)上升趨勢。隨著PFOS初始濃度的增加,PFOS在溶液中的量隨之增加,更多PFOS會吸附在膜上,使膜孔徑減小,篩分作用加強,最終導(dǎo)致PFOS截留率增加。另一方面,當(dāng)PFOS在膜表面的吸附量較高時,膜表面可能因此帶上更多的負(fù)電荷,靜電排斥作用加強,同樣會提高PFOS截留率。
此外,當(dāng)PFOS初始質(zhì)量濃度分別為50、500、1 000、5 000、10 000 μg/L 時,反滲透濃水中的 PFOS分別為 182、1 873、3 693、17 889、35 684 μg/L, 在產(chǎn)水率為75%的條件下,相較于進(jìn)水,濃水中PFOS含量近乎富集了4倍。上述實驗結(jié)果表明,反滲透膜一方面可以有效截留PFOS(截留率>98%),使得出水中PFOS含量大大降低;另一方面可以有效富集PFOS,為后續(xù)低耗、高效化學(xué)降解PFOS創(chuàng)造條件。
2.2.1 PFOS光解體系比選
不同反應(yīng)體系對PFOS的降解效果如圖3所示。
圖3 不同反應(yīng)體系對PFOS的降解效果
由圖3可知,單獨紫外光照和單獨SO32-還原均不能使PFOS降解。而UV/SO32-體系則可高效降解PFOS,反應(yīng)30 min,PFOS降解率高達(dá)93.7%。使用相同的光源,對文獻(xiàn)中常報導(dǎo)的2類氧化還原體系,即UV/S2O82-和UV/I-體系也進(jìn)行了比較,2個體系中反應(yīng)條件的設(shè)定參照H.Hori等的研究〔7-8〕??梢钥闯觯琔V/SO32-體系對PFOS具有較佳的降解效果。對高強UV/SO32-體系降解PFOS進(jìn)行動力學(xué)研究,發(fā)現(xiàn)其能較好地符合假一級動力學(xué)模型(R2=0.987 5),表觀速率常數(shù)kobs為0.098 min-1。與文獻(xiàn)中報導(dǎo)的各類PFOS降解方法相比,本研究體系中kobs提高了6~336 倍〔6〕。
采用SO32-進(jìn)行光解過程中會產(chǎn)生一系列活性物種,如 eaq-、·H〔9〕。 為進(jìn)一步明確 eaq-在 PFOS 降解過程中所起的作用,向體系中加入了捕獲劑NaNO3和 NaNO2(二者濃度均為 10.0 mmol/L)。 NO3-和 NO2-對eaq-和·H均有較強的捕獲作用,其中NO2-捕獲·H的效率要遠(yuǎn)高于NO3-,而二者捕獲eaq-的效率相當(dāng)〔4〕。實驗結(jié)果表明,PFOS降解率均從93.7%降至0,PFOS降解受到抑制的程度相同,表明·H對PFOS降解的貢獻(xiàn)較小。另一方面,根據(jù)pH對亞硫酸鹽組分分配的影響可知〔10〕,當(dāng) pH 為 9.2 時,HSO3-所占比例小于1%,溶液中大部分亞硫酸鹽以SO32-形式存在。而·H和eaq-分別來自于HSO3-和SO32-的光解反應(yīng),且相較于SO32-,HSO3-對紫外光吸收更弱,光反應(yīng)活性更低〔11〕。因此,可判斷·H對PFOS降解所起的作用較小。綜上,本研究中PFOS的降解主要由eaq-引起。
2.2.2 PFOS光解影響因素
高強UV/SO32-體系中,溶液初始pH、SO32-投加濃度、紫外光強以及PFOS初始濃度對降解效果的影響如圖4所示。其中,不同PFOS初始濃度的原始溶液來自前期膜富集實驗的濃水。
圖 4 不同溶液初始 pH(a)、SO32-投加濃度(b)、紫外光強(c)、PFOS 初始濃度(d)條件下的 PFOS 降解率
由圖4(a)可知,隨著溶液初始pH的增加,PFOS降解率增大。當(dāng)溶液初始pH為7.0時,PFOS幾乎不降解。這是由于中性pH條件下,大量eaq-被轉(zhuǎn)化為·H造成的〔12〕。當(dāng)溶液初始pH升高至9.2時,反應(yīng)30 min,PFOS降解率達(dá)到93.7%;繼續(xù)增加溶液初始pH,PFOS降解率未出現(xiàn)顯著提升。這主要是因為溶液初始pH會影響溶液中亞硫酸鹽組分的分配。當(dāng)亞硫酸鹽投加濃度為10.0 mmol/L時,將溶液初始pH由7.0升高至8.0,溶液中SO32-占亞硫酸鹽組分的比例由42.1%增加至91.5%,當(dāng)溶液初始pH繼續(xù)升高至9.2時,溶液中大于99%的亞硫酸鹽以SO32-形式存在〔13〕,而用于降解 PFOS 的 eaq-僅能由 SO32-光解反應(yīng)產(chǎn)生。
由圖4(b)可知,隨著SO32-投加濃度的增加,PFOS降解率升高。當(dāng)SO32-投加濃度由1.0 mmol/L提高至10.0 mmol/L時,反應(yīng)30 min,PFOS降解率由0.47%增加至93.7%。在本實驗條件下(初始溶液pH為9.2),亞硫酸鹽基本以SO32-形式存在,因此,隨著亞硫酸鹽投加濃度的增加,溶液中SO32-濃度也隨之增加。根據(jù) Zhou Song 等的研究〔14〕,SO32-濃度與 eaq-產(chǎn)量成正相關(guān)關(guān)系,所以溶液中eaq-含量隨之增加,PFOS的降解效果因而得以提高。
在光化學(xué)反應(yīng)中,光強決定了單位時間內(nèi)光源能提供的光子數(shù),因而成為影響反應(yīng)速率的重要因素之一。由圖4(c)可知,隨著紫外光強的增大,PFOS降解率提高。當(dāng)光強由25%I0逐漸增大至100%I0時,反應(yīng)30 min,PFOS的降解率從29.1%逐漸增加至93.7%。分析原因可知,提高光強會使反應(yīng)溶液中的光子數(shù)增加,SO32-吸收光子后會產(chǎn)生更多的eaq-,因而提高了PFOS降解率。
目標(biāo)污染物的初始濃度對降解過程也有重要的影響。若目標(biāo)污染物濃度過低,降解反應(yīng)進(jìn)行較為徹底,但降解成本過高;若目標(biāo)污染物濃度過高,則會造成降解不完全。由圖4(d)可知,隨著PFOS初始濃度的升高,PFOS降解率逐漸降低。當(dāng)PFOS初始質(zhì)量濃度從3.693 mg/L增加至35.684 mg/L時,反應(yīng)30 min,PFOS降解率從100%逐漸降低至82.5%。這是因為隨著PFOS初始濃度的升高,光解反應(yīng)產(chǎn)生的eaq-與PFOS的物質(zhì)的量的比降低,即單位物質(zhì)的量的PFOS接觸的eaq-濃度下降,從而導(dǎo)致PFOS降解率有所下降。但提高PFOS初始濃度,可使eaq-被更多的PFOS分子包圍,減少了因eaq-碰撞發(fā)生副反應(yīng)而引起的損耗,使其利用效率得以提高,因此,PFOS的絕對降解量會有所增加。當(dāng)PFOS初始質(zhì)量濃度從3.693 mg/L增加至35.684 mg/L時,反應(yīng)30 min,PFOS的總降解量從3.693 mg/L增加至29.439 mg/L。
(1)陶氏反滲透膜可實現(xiàn)PFOS的高效截留。當(dāng)進(jìn)水PFOS質(zhì)量濃度在50~10 000 μg/L范圍內(nèi)時,反滲透膜對PFOS的截留率始終高于98%;另一方面,反滲透膜可以有效富集PFOS,當(dāng)控制產(chǎn)水率為75%時,濃水中PFOS濃度富集了4倍左右。
(2)高強UV/SO32-體系可實現(xiàn)PFOS的高效降解。當(dāng)SO32-投加濃度為10.0 mmol/L,溶液初始pH為9.2,PFOS初始質(zhì)量濃度為17.889 mg/L,反應(yīng)時間為30 min時,PFOS降解率為93.7%,表觀速率常數(shù)kobs為0.098 min-1。與文獻(xiàn)中報導(dǎo)的各類PFOS降解方法相比,本研究體系中kobs提高了6~336倍。捕獲實驗證實,eaq-對PFOS降解起主要作用。
(3)提高溶液初始pH、SO32-投加濃度和紫外光強,均有助于提高PFOS降解率;提高PFOS初始濃度會導(dǎo)致其降解率下降,但PFOS絕對降解量有所上升。