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    電泳沉積納米二氧化鈦陶瓷涂層結(jié)構(gòu)表征與性能研究*

    2019-12-06 05:07:44潘文平
    陶瓷 2019年12期
    關(guān)鍵詞:懸浮液二氧化鈦電泳

    康 浩 潘文平

    (桂林市荔浦師范學(xué)校 廣西 桂林 546600)

    前言

    對(duì)于帶有電荷的膠體粒子,如若在外加電場(chǎng)作用下可向特定的電極定向移動(dòng),如果用導(dǎo)電基底材料作為與膠粒所帶電荷相反的電極,便可利用膠粒的電動(dòng)性質(zhì)使納米尺寸的膠體粒子電沉積在基底材料表面,前人用電泳方法進(jìn)行了二氧化鈦薄膜的制備嘗試,雖然發(fā)現(xiàn)所制薄膜中的二氧化鈦粒子較大,附著力不夠強(qiáng),而且與相同負(fù)載量的噴涂膜相比,這種電泳膜的光催化性能并沒有顯示出明顯的優(yōu)越性,但證實(shí)可快速實(shí)現(xiàn)二氧化鈦在基底上大量均勻的負(fù)載,這一點(diǎn)具有較強(qiáng)的實(shí)用性。如果針對(duì)影響薄膜質(zhì)量的各種可能的因素開展深入研究,有望開發(fā)出一種實(shí)用薄膜負(fù)載化技術(shù)。

    由此可見,本課題試驗(yàn)研究設(shè)計(jì)從選擇較好分散介質(zhì)入手,著重比較備選分散介質(zhì)配置出的同濃度(20 g/L)二氧化鈦懸浮液的電導(dǎo)率及其懸浮性差異,并繪制相關(guān)時(shí)間段內(nèi)的各懸浮液沉降曲線來(lái)表征Zeta電勢(shì)大小即懸浮性好壞;利用選擇出的分散介質(zhì)配制二氧化鈦懸浮液并調(diào)節(jié)pH值為0.9、1.5、4.6、5.2、8.5,保持濃度為20 g/L,沉積電壓為100 V,分別進(jìn)行電泳試驗(yàn),考察pH對(duì)膜性能的影響;依此種控制變量法的方法逐步考察電泳時(shí)間、懸浮液濃度、沉積電壓等工藝參量對(duì)電泳膜性能的影響規(guī)律,最終得出電泳膜性能較好的工藝參數(shù);在單純研究電泳工藝時(shí),本試驗(yàn)還設(shè)想添加助劑PEG400,通過控制添加的濃度考察其對(duì)膜性能的影響,以提高工藝質(zhì)量。對(duì)于光催化性本試驗(yàn)通過在不同燒結(jié)溫度下分析二氧化鈦晶型的轉(zhuǎn)變(以XRD為表征手段)定性探討了獲得較高光催化活性時(shí)的燒結(jié)溫度。

    1 實(shí)驗(yàn)部分

    1.1 實(shí)驗(yàn)所用原材料及儀器

    本實(shí)驗(yàn)使用的化學(xué)藥品有:納米二氧化鈦粉末、去離子水、無(wú)水乙醇(分析純)、乙二醇(分析純)、丙酮(分析純)、冰乙酸(分析純)、PEG400(化學(xué)純)。

    實(shí)驗(yàn)器材包括:50 mL燒杯若干、膠頭滴管若干、精密pH值試紙、銅片、電子天平、DDS-11D型數(shù)顯電導(dǎo)率測(cè)定儀、EPS 100核酸電泳儀、BW-GWL182高溫?zé)隣t、LD1-Y-2000型X射線衍射儀、XTL-IA(B)連續(xù)變倍體視顯微鏡。

    1.2 實(shí)驗(yàn)方法

    1.2.1 電導(dǎo)率測(cè)定

    純介質(zhì)電導(dǎo)率測(cè)定:根據(jù)電導(dǎo)率儀原理,電導(dǎo)率是以數(shù)字表示溶液傳導(dǎo)電流的能力。水的電導(dǎo)率與其所含無(wú)機(jī)酸、堿、鹽的量有一定的關(guān)系,當(dāng)它們的濃度較低時(shí),電導(dǎo)率隨著濃度的增大而增加;因此,該指標(biāo)常用于推測(cè)水中離子的總濃度或含鹽量。電導(dǎo)(G)是電阻(R)的倒數(shù)。當(dāng)兩個(gè)電極(通常為鉑電極或鉑黑電極)插入溶液中,可以測(cè)出兩電極間的電阻R。根據(jù)歐姆定律,溫度一定時(shí),這個(gè)電阻值與電極間距L(cm)正比,與電極的截面積A(cm2)反比,即

    R=ρ×(L/A)

    其中ρ為電阻率,是長(zhǎng)1 cm,截面積為1 cm2導(dǎo)體的電阻,其大小決定于物質(zhì)的本性。據(jù)上式,導(dǎo)體的電導(dǎo)(G)可表示成下式:

    G=1/R=(1/ρ)×(A/L)=K×(1/J)

    其中,K=1/ρ稱為電導(dǎo)率,J =L/A稱為電極常數(shù);電解質(zhì)溶液電導(dǎo)率指相距1 cm的兩平行電極間充以1 cm3溶液時(shí)所具有的電導(dǎo)。由上式可見,當(dāng)已知電極常數(shù)(J),并測(cè)出溶液電阻(R)或電導(dǎo)(G)時(shí),即可求出電導(dǎo)率。

    首先選為校正檔后,用去離子水清洗鉑電極2次,插入水中校正DDS-11D型數(shù)顯電導(dǎo)率測(cè)定儀顯示值為介電常數(shù);其次估計(jì)待測(cè)試劑的數(shù)值大小調(diào)節(jié)量程,調(diào)節(jié)溫度為實(shí)際室溫后,插入各純介質(zhì)試劑中待讀數(shù)穩(wěn)定后記錄數(shù)值,測(cè)定完后再次用去離子水清洗鉑電極,重復(fù)校正,重復(fù)測(cè)定。

    20 g/L各懸浮液電導(dǎo)率測(cè)定:在150 mL燒杯中加入140 mL純介質(zhì),稱量2.8 g納米二氧化鈦粉末,配制20 g/L的各分散介質(zhì)懸浮液,攪拌30 s,插入電極測(cè)定,清洗電極校正完畢后,重復(fù)測(cè)定。

    20 g/L各澄清液電導(dǎo)率測(cè)定:將上述懸浮液靜置24 h待分散體系沉降穩(wěn)定后,測(cè)定其上層澄清液的電導(dǎo)率。

    1.2.2 各分散介質(zhì)配制20 g/L的二氧化鈦懸浮液沉降百分比測(cè)定

    稱量燒杯質(zhì)量和試樣質(zhì)量;經(jīng)單位時(shí)間段(12 h)靜置后測(cè)定干燥質(zhì)量:100 mL燒杯中加入1 g二氧化鈦粉末及50 mL分散劑,攪拌均勻后靜置一定時(shí)間,第一組時(shí)間為12 h,以后每一組時(shí)間間隔遞增12 h,到點(diǎn)后用吸液管緩慢吸出上層液,此過程中攪動(dòng)不能太大以免使沉降層擾動(dòng),造成沉降百分比誤差偏大。待吸盡后放入干燥箱中(恒溫80 ℃)干燥直至完全干燥,最后稱重;進(jìn)行單位時(shí)間段(12 h)靜置沉降百分比計(jì)算。

    1.2.3 不同pH值下電泳沉積量測(cè)定

    電泳儀工作原理:帶電粒子在直流電場(chǎng)作用下于一定介質(zhì)中所發(fā)生的定向運(yùn)動(dòng),利用這一現(xiàn)象對(duì)化學(xué)或生物化學(xué)組分進(jìn)行分離分析的技術(shù)稱之為電泳。生物學(xué)上的重要物質(zhì)如蛋白質(zhì)、核酸等,在溶液中能吸收或給出氫離子從而帶電。因此,它們?cè)陔妶?chǎng)影響下,在不同介質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)速度是不同的。這樣用電泳的方法就可以對(duì)其進(jìn)行定量分析,或者將一定混合物分離成各個(gè)組分以及作少量制備。

    銅片質(zhì)量測(cè)定(1.7103g):事先用1∶5的濃硝酸清潔表面,清水漂洗后晾干稱重。

    電泳干燥后總質(zhì)量測(cè)定:預(yù)熱EPS 100核酸電泳儀10 min,配制10 g/L、20 g/L、30 g/L各分散劑懸浮液,用冰醋酸逐滴滴加調(diào)節(jié)各組試驗(yàn)所需pH值,就緒后插入石墨電極和銅片,保持3 cm間距,設(shè)定電泳時(shí)間和電壓,待電泳結(jié)束后取出銅片,晾干稱重,各組重復(fù)操作,記錄稱其質(zhì)量。

    1.2.4 不同懸浮液濃度下電泳沉積量測(cè)定

    電泳干燥后總質(zhì)量測(cè)定:采用1.5的pH值,控制電壓選取為90 V、100 V、110 V,電泳時(shí)間為5 min,濃度選取為10 g/L、20 g/L、30 g/L、40 g/L,操作電泳儀重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟。

    1.2.5 不同沉積電壓下電泳沉積量測(cè)定

    電泳干燥后總質(zhì)量測(cè)定:在pH值為1.5,沉積時(shí)間為5 min的條件下,電壓分別選取為80 V、90 V、100 V、110 V,濃度為10 g/L、20 g/L、30 g/L,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟。

    1.2.6 不同電泳時(shí)間下電泳沉積量測(cè)定

    電泳干燥后總質(zhì)量測(cè)定:維持沉積電壓100 V,調(diào)節(jié)pH值為1.5,電泳時(shí)間各組調(diào)節(jié)為2 min、4 min、6 min、8 min、10 min,濃度選為10 g/L、20 g/L、30 g/L,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟。

    1.2.7 不同燒結(jié)溫度對(duì)晶型影響

    不同溫度處理的粉體產(chǎn)生相變,利用XRD得到的衍射圖譜進(jìn)行物相定性分析,根據(jù)所含晶體的衍射角,經(jīng)布拉格方程求得晶面間距,再估計(jì)出各衍射線的相對(duì)強(qiáng)度,最后與標(biāo)準(zhǔn)衍射花樣經(jīng)行比較鑒定其所含晶型。

    2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

    2.1 分散劑的選擇及電導(dǎo)率測(cè)定

    2.1.1 分散劑的選擇

    對(duì)于納米氧化物粒子,如二氧化鈦,根據(jù)其在溶液中pH值不同,可帶正電、負(fù)電和中性[1]。當(dāng)pH值較小時(shí),粒子表面形成M-OH3+鍵,導(dǎo)致粒子表面帶正電;當(dāng)pH值較高時(shí)粒子表面形成M-O-鍵,使粒子表面帶負(fù)電。在不同的pH值下分散劑中的粉體的表面化學(xué)特性就由吸附到顆粒表面的H+和OH-粒子所決定[2]。所吸附的帶電粒子越多,其核電密度越大,Zeta電位絕對(duì)值亦越大,越有利于懸浮體系的分散穩(wěn)定性。在漿料制備中,為獲得高分散性及穩(wěn)定性好的漿料,通常選用一些有機(jī)電解質(zhì)來(lái)改善其懸浮性能[3]。據(jù)此,本試驗(yàn)選擇的介質(zhì)分別是:去離子水、無(wú)水乙醇、乙二醇、丙酮。

    2.1.2 懸浮液配制及電導(dǎo)率測(cè)定

    首先測(cè)定所選純分散劑的電導(dǎo)率;其次在50 mL燒杯中分別配置濃度為20 g/L的不同分散介質(zhì)二氧化鈦懸浮液,測(cè)定其電導(dǎo)率后靜置若干小時(shí)(約12 h),待懸浮顆粒充分沉降后測(cè)其上層澄清液電導(dǎo)率,所測(cè)數(shù)據(jù)如表1所示。

    表1 純介質(zhì)、懸浮液及澄清液的電導(dǎo)率(μm/cm)

    2.2 二氧化鈦粉末在懸浮液中的分散性和穩(wěn)定性

    2.2.1 分散性

    根據(jù)Deijaguin-Landau理論,懸浮液穩(wěn)定性主要依靠聚結(jié)穩(wěn)定性。聚結(jié)穩(wěn)定性取決于固體粒子的靜電排斥能與粒子間吸引能的相對(duì)大小,而靜電吸引能決定于粒子半徑和粒子間距,粒子排斥能則決定于粒子半徑和ξ電勢(shì)的平方[5]。去離子水是強(qiáng)極性分子,容易潤(rùn)濕非極性分子二氧化鈦表面,使其分散。同時(shí),水分子容易離解出一些H+和OH-,固體粉末粒子吸附這些離子而帶上電荷,具有一定ξ電勢(shì),故懸浮性較好,丙酮的情況與此類似,而乙醇和乙二醇極性不強(qiáng),不能很好地潤(rùn)濕二氧化鈦表面,故荷電性差,團(tuán)聚度大,分散性差。

    2.2.2 懸浮穩(wěn)定性

    采用文獻(xiàn)[6]的粉末沉降質(zhì)量百分比方法對(duì)懸浮液的分散穩(wěn)定性進(jìn)行考察。稱量50 mL燒杯質(zhì)量和1 g試樣,分別配置濃度為20 g/L不同分散劑的二氧化鈦粉末的懸浮液,經(jīng)不同時(shí)間的沉降后進(jìn)行烘干處理,再次稱量燒杯和試樣質(zhì)量,并計(jì)算出質(zhì)量差,最后計(jì)算出沉降百分比,繪制沉降曲線。

    圖1 不同分散介質(zhì)的懸浮液的沉降曲線

    由圖1可以看出,二氧化鈦懸浮液在去離子水中分散穩(wěn)定性最好,在丙酮中次之,在乙醇+0.03M冰醋酸和乙醇中很差。測(cè)量結(jié)果與上述分析的一致。但在后續(xù)的電泳試驗(yàn)過程中發(fā)現(xiàn),如果采用去離子水作為分散劑,則所配制的懸浮液在電泳過程中,工作電極附近明顯有大量氣泡產(chǎn)生,所得到的電泳膜很粗糙且多孔,這很可能是電解水析氫造成的[7],故本試驗(yàn)采用分散穩(wěn)定性次之的丙酮作為試驗(yàn)分散劑配制懸浮液進(jìn)行后續(xù)電泳工藝的試驗(yàn)探討。

    2.3 pH值對(duì)電泳沉積的影響

    為了考察懸浮液的pH值對(duì)電泳沉積的影響,試驗(yàn)保持懸浮液濃度為20 g/L,電泳沉積電壓維持在100 V。在沒有滴加冰醋酸時(shí)不管沉積電壓高低、沉積時(shí)間長(zhǎng)短均沒有二氧化鈦顆粒沉積,工作電流顯示為零。向20 g/L的懸浮液中逐滴滴加冰醋酸,利用精密pH試紙測(cè)定pH值,分別為0.9、1.5、4.6、5.2、8.5;電泳時(shí)間選取為2 min、4 min、6 min、8 min,時(shí)間與沉積量曲線如圖2所示。

    圖2 不同pH值得到的二氧化鈦沉積量曲線

    從圖2可以看出,在一定pH值下,二氧化鈦沉積量均隨時(shí)間的延長(zhǎng)而增加。相同沉積時(shí)間下,隨著pH值的減小沉積量會(huì)增大。當(dāng)pH值為0.9時(shí),工作電極附近有少量氣泡產(chǎn)生,得到的膜層粗糙、多孔,這可能是析氫造成的[8]。在體視顯微鏡下觀察沉積電壓為100 V、時(shí)間5 min、濃度為20 g/L、pH值分別為0.9和1.5時(shí)的沉積膜表面可明顯辨別,如圖3和圖4所示。

    圖3 pH值為0.9的沉積膜

    向懸浮液中滴加少量冰醋酸時(shí),懸浮液中H+的濃度增加,降低了懸浮液的pH值,同時(shí)也使懸浮液中的二氧化鈦顆粒有更多可供吸附的H+。二氧化鈦顆粒表面的活性點(diǎn)吸附懸浮液中的自由H+,自身變成帶正電荷的粒子,在電場(chǎng)的作用下向陰極遷移,最終在銅片基體上放電沉積出來(lái)[9]。當(dāng)懸浮液中沒有自由H+或H+濃度很低時(shí),即懸浮液pH值較高時(shí),基本上得不到電泳沉積層。當(dāng)懸浮液的pH值太低時(shí),懸浮液中又有過多的自由H+,在陰極電泳沉積時(shí)又會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的析氫現(xiàn)象[10]。

    圖4 pH值為1.5的沉積膜

    2.4 懸浮液濃度對(duì)電泳沉積的影響

    根據(jù)上述對(duì)pH值的討論,為避免因pH值過低造成的析氫不良影響,后續(xù)試驗(yàn)采用1.5的pH值更為合理;控制電壓為90 V、100 V、110 V,電泳時(shí)間為5 min,濃度為10 g/L、20 g/L、30 g/L、40 g/L,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟,記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。二氧化鈦沉積量與時(shí)間的關(guān)系圖見圖5。

    圖5 不同懸浮液濃度得到的二氧化鈦沉積量曲線

    由圖5可見,在不同沉積電壓下,懸浮液濃度越大,即懸浮液中含有更多的帶正電的二氧化鈦顆粒時(shí),在外加電場(chǎng)作用下遷移到陰極附近的粒子數(shù)量也越多,沉積量越大,兩者基本呈線性關(guān)系。在一定懸浮液濃度下,二氧化鈦沉積量也隨外加電壓增大而增加。當(dāng)電壓為110 V時(shí),得到的膜層表面比較粗糙且裂紋較多,這可能是電壓過高易造成嚴(yán)重析氫的緣故[11]。見圖6體視顯微鏡下所拍110 V得到的放大35倍膜層表面照片。

    圖6 U=110 V所得沉積膜在體視顯微鏡下表面放大35倍圖像

    2.5 沉積電壓對(duì)電泳沉積的影響

    在pH值為1.5,沉積時(shí)間為5 min的條件下,電壓分別選取80 V、90 V、100 V、110 V,濃度分別選取10 g/L、20 g/L、30 g/L,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟,記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

    圖7 不同沉積電壓得到的二氧化鈦沉積量曲線

    由圖7可見,在不同濃度的懸浮液中,二氧化鈦沉積量都是隨外加電壓增大而增大,而且在相同沉積電壓下,懸浮液濃度越大沉積量也越多。兩電極之間的距離一定時(shí),外加電壓增大,也就意味著兩電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度增強(qiáng),則電場(chǎng)梯度增大,相當(dāng)于產(chǎn)生了更大的驅(qū)動(dòng)力,從而使懸浮液中更多的二氧化鈦顆粒移向陰極,并在陰極表面放電沉積出來(lái)[12]。在電極兩端電壓為110 V時(shí),工作電極表面也有少量氣泡生成,并且得到的沉積層也呈多孔狀,這也應(yīng)該是由于陰極析氫造成的[13]。其體現(xiàn)如圖8所示。

    圖8 U=110V所得沉積膜在體視顯微鏡下表面放大15倍圖像

    2.6 電泳時(shí)間對(duì)電泳沉積的影響

    維持沉積電壓為100 V,pH值為1.5,電泳時(shí)間設(shè)計(jì)為2 min、4 min、6 min、8 min、10 min,濃度為10 g/L、20 g/L、30 g/L,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟,記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。

    由此數(shù)據(jù)繪制不同電泳時(shí)間得到的二氧化鈦沉積量與時(shí)間的關(guān)系曲線如圖9所示。

    圖9 不同電泳時(shí)間得到的二氧化鈦沉積量曲線

    由圖9可見,在不同懸浮液濃度下得到的沉積量基本上都與時(shí)間呈線性關(guān)系,為求得沉積量與時(shí)間具體的函數(shù)關(guān)系,下面進(jìn)行電泳沉積機(jī)理的探討。

    2.7 電泳沉積機(jī)理

    關(guān)于電泳沉積的機(jī)理,Hamaker認(rèn)為,在一定時(shí)間t(s)內(nèi),電泳沉積層的質(zhì)量Y(kg)應(yīng)該與懸浮液中粒子的電泳遷移率u(m2·V-1·s-1)、兩電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度E(V/m)、懸浮液的濃度C(kg/m3)和工作電極的面積A(m2)成正比關(guān)系,因此得到了Hamaker方程式[14]:

    (1)

    由于在每次電泳沉積過程中都使兩電極之間的電壓U和距離d保持不變,而且得到的膜層厚度與電極距離相比幾乎可以忽略,因此可以用兩電極之間的電壓除以兩電極之間的距離來(lái)近似代替E,再將等式(1)右邊的A移到左邊,即得到單位面積膜層質(zhì)量w(kg/m2)與各參數(shù)的關(guān)系為:

    (2)

    又由于C=C0m0/m,其中C,m分別表示t時(shí)懸浮液的濃度和懸浮液中粉末的質(zhì)量,C0、m0分別表示初始懸浮液的濃度和懸浮液中粉末的質(zhì)量。不難發(fā)現(xiàn)mt/m0近似為1,故有C=C0,因此公式(2)可以改寫為:

    (3)

    可以看出圖3和圖4中的結(jié)果基本與公式(3)相一致。從圖9可以看出,在不同懸浮液濃度下得到的沉積量基本上都與時(shí)間呈線性關(guān)系。從公式(3)也可以發(fā)現(xiàn),右邊各參數(shù)都是與時(shí)間無(wú)關(guān)的量,因此可以將公式(3)最終表示成為:

    (4)

    根據(jù)公式(4),圖9中各曲線的斜率k=μC0U/d,因此有:

    (5)

    由圖9中3條曲線線性擬合很容易得到他們的斜率,分別是1.668×10-5g/min·m2,1.740×10-5g/min·m2,1.758×10-5g/min·m2,由此可求出相應(yīng)電泳遷移率值。

    2.8 PEG400添加對(duì)沉積膜的影響

    2.8.1 添加前后得到的沉積膜對(duì)比

    設(shè)立兩個(gè)試驗(yàn)組,一個(gè)空白組即未加PEG400,懸浮液濃度為20 g/L;一個(gè)為試驗(yàn)組,添加20 g/L的PEG400(2.8 g),懸浮液濃度亦為20 g/L。兩組其他電泳參數(shù)保持一致,pH值為1.5、沉積電壓U為100 V、電泳時(shí)間t為5 min,前后銅片不變,稱重為1.701 4 g。電泳完成后再次稱重,晾干銅片上有機(jī)溶劑后放到體視顯微鏡下放大45倍觀察沉積層表面,如圖10和圖11所示。

    圖10 空白組體顯下放大45倍表面觀察

    圖11 試驗(yàn)組體顯下放大45倍表面觀察

    從圖10、圖11可以看出,未加PEG400的空白組電泳得到的沉積膜上二氧化鈦顆粒分布不是十分均勻,存在較多“褶皺”,這可能是懸浮液中納米二氧化鈦顆粒之間出現(xiàn)團(tuán)聚造成的;對(duì)于添加了20 g/L的PEG400的試驗(yàn)組,從沉積層的附著性到均勻性都有較大的改善,且致密性較高,孔隙率很低。

    從機(jī)理上分析,PEG是一種長(zhǎng)鏈非離子表面活性劑,加進(jìn)溶膠后很可能會(huì)進(jìn)入膠團(tuán)的擴(kuò)散層或緊密層。M'pandou等詳細(xì)研究了PEG對(duì)二氧化鈦溶膠性質(zhì)的影響,認(rèn)為加入PEG所引起的膠體ξ電勢(shì)降低不是因?yàn)殡姾蓽p少和表面點(diǎn)位降低,而是由于PEG進(jìn)入擴(kuò)散層導(dǎo)致滑移面向較低ξ電勢(shì)處位移。這些溶膠電動(dòng)性質(zhì)的變化將會(huì)引起膠粒在電場(chǎng)下電泳速率和沉積機(jī)制的變化,這是導(dǎo)致電泳膜組成、結(jié)構(gòu)、形貌變化的主要原因。

    2.8.2 不同PEG400添加量所得沉積膜之比較

    控制pH值為1.5,沉積電壓為100 V,電泳時(shí)間為5 min,濃度為20 g/L,分別加入濃度為20 g/L、30 g/L、40 g/L、50 g/L、60 g/L的PEG400于懸浮液中,待電泳結(jié)束后晾干銅片、稱重,記錄膜層質(zhì)量。變化曲線(如圖12所示)與體視顯微鏡放大45倍照片如圖13~圖17所示。

    圖12 不同濃度的PEG400對(duì)沉積量的影響曲線

    從圖12可以看出,隨著PEG含量的增加,二氧化鈦的沉積量單調(diào)減少;5個(gè)PEG添加濃度得到的沉積膜層的體視顯微鏡照片也反應(yīng)出隨著添加濃度的上升,沉積膜層變得稀疏,即致密性降低,但是可以看出其均勻性是在不斷提高的。

    圖13 添加20 g/LPEG得到的沉積膜

    圖14 添加30 g/LPEG得到的沉積膜

    這是因?yàn)樘砑覲EG會(huì)使得二氧化鈦溶膠粘度增加,雙電層中滑移面外移,ξ電勢(shì)下降,膠粒遷移率降低,這使得在相同電壓和電泳時(shí)間內(nèi)到達(dá)陰極表面的二氧化鈦膠粒數(shù)量下降,也使得膠粒擴(kuò)散層的電滲速度降低,從而導(dǎo)致膠粒的聚積速度減緩,沉積膠粒間的松散性提高。因此加PEG比不加得到的薄膜有相對(duì)較低的致密性,同時(shí)由于電場(chǎng)的定向作用使得膠粒能有序的排列,所以得到的膜相對(duì)均勻。

    圖15 添加40 g/LPEG得到的沉積膜

    圖16 添加50 g/LPEG得到的沉積膜

    圖17 添加60 g/LPEG得到的沉積膜

    2.9 不同煅燒溫度處理對(duì)二氧化鈦晶型的影響

    催化劑的煅燒溫度不僅影響最終得到的催化劑粒徑,同時(shí)還會(huì)影響催化劑的晶型和結(jié)構(gòu)。銳鈦礦型的二氧化鈦粒子較金紅石型具有更好的光催化性能,所以本實(shí)驗(yàn)旨在確定最佳溫度以得到粒徑合理的銳鈦礦型二氧化鈦粒子。

    圖18、圖19、圖20為不同燒結(jié)溫度下所得催化劑粉體的XRD譜圖。

    圖18 550 ℃燒結(jié)二氧化鈦粉末X射線衍射圖譜

    從圖18中可以看到,隨著煅燒溫度的不斷升高,催化劑XRD的衍射峰逐漸變得尖銳,峰強(qiáng)度也逐漸增強(qiáng),表明二氧化鈦晶體發(fā)育逐漸完整,晶格結(jié)構(gòu)也趨于完美。

    圖19 650 ℃燒結(jié)二氧化鈦粉末X射線衍射圖譜

    由圖19可知,溫度達(dá)到650 ℃時(shí)出現(xiàn)了金紅石型晶相,溫度升高到750 ℃時(shí)(見圖20),金紅石晶相占多數(shù),這可能會(huì)引起最終催化劑的光催化效果降低。因此,要獲得粒度均勻、晶相完美的高純納米二氧化鈦就必須嚴(yán)格控制煅燒溫度。

    圖20 750 ℃燒結(jié)二氧化鈦粉末X射線衍射圖譜

    3 結(jié)論

    根據(jù)以上設(shè)計(jì)的試驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析可以得出關(guān)于電泳沉積工藝和光催化性能的相關(guān)結(jié)論,現(xiàn)綜述如下:

    1)懸浮液配制過程中選用丙酮作為分散劑可以獲得懸浮分散性和穩(wěn)定性較好的漿料,且在電泳過程中不會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的析氫現(xiàn)象;

    2) 懸浮液中不加一定量的酸調(diào)節(jié)pH值,二氧化鈦不能從丙酮懸浮液中電泳沉積出來(lái),且隨著pH值的降低沉積量增加;

    3) 二氧化鈦的電泳沉積量隨懸浮液濃度、外加電壓的增大和時(shí)間的延長(zhǎng)都呈線性增加;

    4) 根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果、電泳實(shí)際效率并考慮到光催化性能的要求,確定各工藝參數(shù):pH值為1.5、電壓為100 V、懸浮液濃度為20 g/L、沉積時(shí)間為5 min;

    5) 給二氧化鈦溶膠中添加的PEG400可改變?nèi)苣z的電動(dòng)性質(zhì),從而改變了膜的電泳沉積機(jī)制。適量的PEG400能引起的膠體ξ電勢(shì)降低,從而導(dǎo)致膠粒的聚積速度減緩,沉積膠粒間的松散性提高,避免沉積時(shí)膜層出現(xiàn)的“褶皺”現(xiàn)象,使其均勻性提高;

    6) 煅燒溫度為550 ℃時(shí),二氧化鈦晶體發(fā)育逐漸完整,晶格結(jié)構(gòu)趨于完美,為銳鈦型晶相;煅燒溫度達(dá)到650 ℃時(shí)出現(xiàn)了金紅石型晶相,溫度升高到750 ℃時(shí),金紅石晶相占多數(shù),這可能會(huì)引起最終二氧化鈦的光催化效果降低。

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