淺析內(nèi)蒙古阿榮旗霍爾奇金礦地球物理特征與成礦

楊志鵬

摘要：霍爾奇金礦屬于阿榮旗霍爾奇鎮(zhèn)管轄。文章通過對(duì)該地區(qū)地球物理特征進(jìn)行系統(tǒng)研究，認(rèn)真分析該地區(qū)點(diǎn)發(fā)特征，總結(jié)了其與成礦之間的關(guān)鍵。希望對(duì)該地區(qū)尋找此類型礦床提供指導(dǎo)性建議。

關(guān)鍵詞：霍爾奇;地球物理特征;電發(fā)

1.區(qū)域地質(zhì)

工作區(qū)位于大興安嶺北段南東坡，大地構(gòu)造位置位于興安地槽褶皺系，東烏珠穆沁旗早華力西地槽褶皺帶北段，鄂倫春—頭道橋深斷裂帶的東部。成礦區(qū)帶屬大興安嶺東坡多金屬成礦帶之次級(jí)扎蘭屯—阿榮旗金銅成礦亞帶的中段，成礦條件較為有利。

1.1地層

研究區(qū)地層屬北疆—興安地層大區(qū)，興安地層區(qū)，東烏—呼瑪?shù)貙臃謪^(qū)。區(qū)內(nèi)出露的地層有：新元古代-早寒武世倭勒根巖群，古生界晚志留統(tǒng)-中泥盆統(tǒng)泥鰍河組、上二疊統(tǒng)林西組、中生界為白堊系下統(tǒng)甘河組及白堊系上統(tǒng)孤山鎮(zhèn)組，分布廣泛。新生界主要為第四系全新統(tǒng)。

1.2構(gòu)造

大地構(gòu)造位置位于準(zhǔn)噶爾-內(nèi)蒙古-興安嶺褶皺區(qū)內(nèi)，大興安嶺火山噴發(fā)帶與松嫩微地塊相接部位。根據(jù)沉積建造、巖漿活動(dòng)、變質(zhì)作用及構(gòu)造變動(dòng)特征等，將本區(qū)劃分6個(gè)構(gòu)造分區(qū)，分別為：VI、新生代松嫩盆地分區(qū);V、中生代構(gòu)造分區(qū);V2、白堊世火山斷陷盆地;V1、侏羅世花崗巖;III、中華力西期-晚華力西早期構(gòu)造花崗巖帶;II、晚加里東-中華力西晚期構(gòu)造分區(qū);II2、早石炭世花崗巖帶;II1、晚老留-中泥盆世裂陷海盆;I、早加里東陸緣增生帶。

1.3巖漿巖

區(qū)域內(nèi)的侵入巖主要有早中二疊世粗中粒含黑云母正長花崗巖、細(xì)中粒含黑云母正長花崗巖、早侏羅世石英二長閃長巖、早侏羅世中?；◢忛W長巖柳毛溝、中粒含黑云母堿長花崗巖、早白堊世馬河石英二長斑巖。

2.研究區(qū)地球物理特征

2.1電場特征

測定及統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明，該區(qū)巖石按產(chǎn)生激電效應(yīng)的強(qiáng)弱排序依次為鉛鋅礦（化）巖石、黃鐵礦化類巖石、強(qiáng)硅化構(gòu)造角礫巖，其余普通巖石標(biāo)本反映的激電效應(yīng)微弱。而各巖（礦）石標(biāo)本測定的電阻率值主要與巖石硅化程度、電子導(dǎo)電礦物的富集程度及巖石蝕變強(qiáng)度有直接關(guān)系。

（1）本區(qū)鉛鋅礦（化）巖石多為黃鐵礦與方鉛礦、閃鋅礦相伴生，三者相互疊加引起的激電效應(yīng)使得此類巖石在本區(qū)具有最強(qiáng)的激電效應(yīng)，測得的極化率值也最高（均值10.6%），電子導(dǎo)電礦物的富集使得此類巖石具有明顯的低電阻率（均值877Ω·m）特征。

（2）單一黃鐵礦化類巖石標(biāo)本中黃鐵礦主要以浸染狀、細(xì)脈形式賦存，具有較高的極化率值（均值4.38%），但明顯低于鉛鋅礦化礦化類巖石標(biāo)本（均值10.6%），因此此類巖石在測區(qū)內(nèi)主要表現(xiàn)為大面積的礦化背景異常，難以形成局部激電異常。

（3）單一黃鐵礦化類巖石的電阻率測定結(jié)果表明，此類巖石中具有低阻高極化特征的標(biāo)本普遍存在裂隙發(fā)育、強(qiáng)蝕變的現(xiàn)象，具有高阻高極化特征的標(biāo)本則主要與巖石的強(qiáng)硅化及石英細(xì)脈的產(chǎn)處有關(guān)。

（4）其他普通巖石普遍表現(xiàn)為不高的激電效應(yīng)（小于2.0%），測得的電阻率值根據(jù)各標(biāo)本不同的硅化程度及結(jié)構(gòu)、構(gòu)造特征具有較明顯的高低差異，但大體表現(xiàn)為中等電阻率（3000Ω·m～8000Ω·m）特征。

（5）強(qiáng)硅化構(gòu)造角礫巖測得的電阻率均值23415Ω·m，變化范圍14474Ω·m～32355Ω·m，具有明顯的特高電阻率特征。

2.2電場空間分布特征

該區(qū)電場特征分區(qū)明顯，地層與巖體、金屬礦化蝕變區(qū)與未礦化蝕變區(qū)電場特征差異較大;斷裂（裂隙）上電場特征明顯。

（1）電阻率分成三個(gè)區(qū)低阻區(qū)：分別位于電法工作區(qū)的北東角和北西角，電阻率值小于600Ω·m，對(duì)應(yīng)巖性是晚志留系-中泥盆系地層和第四系。其電阻率特征一方面與地層本身電阻率值不高有關(guān);另一方面與第四系覆蓋較厚和河漫灘的影響有關(guān)。

高阻區(qū)：位于電法工作區(qū)的中部和中南部，電阻率值大于1500Ω·m，多在1500Ω·m～3500Ω·m之間，局部大于3500Ω·m，形成高阻異常，推斷為高阻高阻礦物富集體或含水差的破碎帶引起。高阻區(qū)對(duì)應(yīng)巖性是二迭系花崗巖。

中組區(qū)：低阻區(qū)和高阻區(qū)以外的其他區(qū)域，電阻率值在600Ω·m～1500Ω·m之間，對(duì)應(yīng)巖性是晚志留系-中泥盆系和侏羅系地層及第四系。

在中、低阻區(qū)，分布有相對(duì)本區(qū)而言的高阻異常帶、低阻異常帶、高低相伴的串珠狀異常帶和電阻率梯度帶，呈北東和近南北向展布，多與磁測推斷的斷裂位置和展布方向吻合。其成因與斷裂中高阻脈巖充填、低阻礦物局部富集、斷裂中的含水程度等諸多因素有關(guān)。與礦體關(guān)系密切的應(yīng)是其中的中低阻異常。

（2）極化率分成三個(gè)區(qū)

背景區(qū)：極化率值小于3%的廣大區(qū)域，極化率值普遍在2%左右變化，幅值波動(dòng)不大，對(duì)應(yīng)巖性主要為晚志留系-中泥盆系地層、侏羅系地層、第四系和花崗巖。

區(qū)內(nèi)有一處弱異常，位于侏羅系地層中F2斷裂上，此處為推斷脈巖體處，與AP3元素異常位置吻合。

過渡區(qū)：極化率值在3%～4%之間，其所在地質(zhì)環(huán)境和展布特征體現(xiàn)出了高背景區(qū)的發(fā)展趨勢，其場的特征又與高背景區(qū)有較大差異。對(duì)應(yīng)巖性主要為晚志留系-中泥盆系地層和第四系。

高背景區(qū)：極化率值大于4%的區(qū)域，分為I、II、III三個(gè)區(qū)。II、III兩個(gè)區(qū)，分別位于電法工作區(qū)的北西和南東兩處，北東和近南北向展布;極化率值在4%～6%之間，內(nèi)有局部異常存在;兩區(qū)分別位于F2和F8兩條推斷斷裂上，有元素組合異常存在。

I區(qū)位于電法工作區(qū)的北東部位，面積較大，約5km2左右，在F3斷裂東側(cè)近南北向展布;極化率值多在4%～6%之間，內(nèi)有多處近南北走向的局部異常;靠近該區(qū)北側(cè)中部面積約1km2左右，極化率值明顯增高，在6%～11%之間，并形成幾處局部異常。

I區(qū)內(nèi)分布有多處近南北走向的局部異常，其中，位于其中部的局部異常，由北至南斷續(xù)出現(xiàn)，呈北北東向縱貫全區(qū)，與推斷F15斷裂位置吻合。

高背景區(qū)所對(duì)應(yīng)的電阻率值普遍低于1000Ω·m，為中低阻區(qū)。局部異常多位于低阻異常帶上。

相對(duì)背景區(qū)和過渡區(qū)而言，高背景區(qū)本身就是異常。受勘探深度影響，厚覆蓋區(qū)和埋深較大的極化體激電異常并不強(qiáng)，需加以識(shí)別。電法工作區(qū)內(nèi)的元素異常（除AP3）均位于高背景區(qū)內(nèi)，目前所發(fā)現(xiàn)的礦（化）體、礦化蝕變帶均位于該區(qū)，據(jù)此并結(jié)合物性資料，將高背景區(qū)定為礦化蝕變區(qū)。高背景區(qū)分布在晚志留系-中泥盆系地層中，反映出晚志留系-中泥盆系地層是工作區(qū)內(nèi)主要含礦地層。

2.3電場的構(gòu)造特征

該區(qū)構(gòu)造在電場上的反映視構(gòu)造的性質(zhì)和構(gòu)造中物資成分、結(jié)構(gòu)構(gòu)造、含水性等而不同，具體表現(xiàn)為電阻率（極化率）梯度帶、串珠異常帶、電阻率異常帶及異常被扭曲錯(cuò)斷等。

3.地球物理特征與成礦關(guān)系

通過激電中梯掃面，圈定視極化率高背景區(qū)三處，局部異常7處，電阻率異常帶8條。視極化率高背景區(qū)與元素組合異常區(qū)吻合，因此將其定名為礦化背景區(qū)。測區(qū)東部大面積礦化背景區(qū)內(nèi)的局部異常經(jīng)驗(yàn)證均由礦體或礦化體所引起，極化率局部異常的平面特征，可大致反映出淺部礦化蝕變帶的分布范圍和走向特征。極化率和電阻率斷面等值線密集帶及扭曲、突變特征，反映出礦化體受構(gòu)造控制，并常見后期改造。平面圖上的局部異常為淺部礦化體的反應(yīng)，而沿垂向深部還有礦化體存在，圍繞局部異常并沿走向展布的高值帶應(yīng)為深部礦化體場效應(yīng)在地表的綜合反應(yīng)。礦化體在深部的具體位置，可通過測深斷面圖大致確定;激電等深度異常圖對(duì)極化體在不同深度上場的特征反映更加明顯，可參照該成果幫助確定礦體深部走向及產(chǎn)出狀態(tài)。在III剖面上的CSAMT測量發(fā)現(xiàn)的三條電阻率異常帶，進(jìn)一步證實(shí)了F2、F3、F12斷裂的存在，并初步掌握了斷裂構(gòu)造在深部的產(chǎn)出特征。III剖面上的頻譜激電測量，在深部（300m～500m）發(fā)現(xiàn)了三個(gè)具有一定規(guī)模的激電異常，異常特征與已知礦致異常相似，根據(jù)其產(chǎn)出的地質(zhì)和地球化學(xué)背景環(huán)境，推斷異常為礦致異常。激電測深發(fā)現(xiàn)深部（300m以下）仍有極化體存在;頻譜激電測量，在深部（300m～500m）發(fā)現(xiàn)了三個(gè)具有一定規(guī)模的激電異常，個(gè)別鉆孔在深部打到了鉛鋅礦體，因此認(rèn)為該區(qū)深部有一定的找礦潛力。

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