電子材料

普渡大學(xué)利用“量子迪特”構(gòu)建出可處理量子信息的量子版晶體管

美國(guó)普渡大學(xué)的研究人員是第一批嘗試?yán)靡环N類(lèi)似門(mén)的“量子電碼（量子迪特）”開(kāi)發(fā)量子版本晶體管（用于計(jì)算機(jī)信息處理）的研究團(tuán)隊(duì)。量子位只能存在于0和1的疊加態(tài)中，而“量子電碼”則可存在于0、1和2等多個(gè)態(tài)中。更多的狀態(tài)意味著可以對(duì)更多的數(shù)據(jù)信息進(jìn)行編碼和處理。

“量子電碼”門(mén)不僅在本質(zhì)上比量子比特門(mén)更有效率，而且更穩(wěn)定，因?yàn)檠芯咳藛T會(huì)把這些“量子電碼”塞進(jìn)光子中，而光子是一種不容易被周?chē)h(huán)境干擾的光粒子。

在所謂的希爾伯特空間——可實(shí)現(xiàn)量子信息處理的范圍——糾纏越多越好。之前的光子方案能在希爾伯特空間中構(gòu)建由6個(gè)糾纏光子編碼組成的18個(gè)量子位。普渡大學(xué)研究人員在2個(gè)光子中，利用由4個(gè)“量子電碼”（相當(dāng)于20個(gè)量子比特）組成的門(mén)進(jìn)行編碼，實(shí)現(xiàn)了門(mén)糾纏的最大化。

普渡大學(xué)從事超快光學(xué)研究的杰出電氣和計(jì)算機(jī)工程學(xué)教授安德魯·韋納指出，“量子電碼”門(mén)能夠以可預(yù)測(cè)和確定的方式操縱量子信息，這意味著它可以完成某些特定量子信息處理任務(wù)所需的操作。下一步，該研究團(tuán)隊(duì)希望“量子電碼”門(mén)能在實(shí)際量子通信任務(wù)中得到應(yīng)用，比如高維量子隱形傳態(tài)，以及在量子機(jī)器學(xué)習(xí)或分子模擬等應(yīng)用中執(zhí)行量子算法。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

新型陶瓷復(fù)合材料有望用于信息存儲(chǔ)

近日，俄羅斯國(guó)立研究型技術(shù)大學(xué)（莫斯科國(guó)立鋼鐵與合金學(xué)院）與南烏拉爾國(guó)立大學(xué)、白俄羅斯國(guó)家科學(xué)院的研究人員共同發(fā)明了一種陶瓷特質(zhì)的復(fù)合材料，在制造信息保存裝置和傳感器方面具有廣闊應(yīng)用前景。

這種復(fù)合材料可以同時(shí)控制磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在比室溫高得多的溫度下也可保持自身性質(zhì)，有助于更快處理信息，更好地保護(hù)存儲(chǔ)，避免大量數(shù)據(jù)被盜竊。用該材料可以制造出新型記憶載體、傳感器、感應(yīng)控制設(shè)備和其他更精確可靠且無(wú)需充電的微電子設(shè)備元件。（科技日?qǐng)?bào)）

萊斯大學(xué)的新器件將熱量轉(zhuǎn)化為光

萊斯大學(xué)的科學(xué)家正在設(shè)計(jì)排列的單壁碳納米管陣列，以引導(dǎo)中紅外輻射（又稱熱量），并大大提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的效率。模擬數(shù)據(jù)顯示，一組空腔被圖案化成對(duì)齊的碳納米管薄膜。經(jīng)過(guò)優(yōu)化后，薄膜吸收熱光子并以窄帶寬發(fā)出光，可以作為電力再循環(huán)。

他們的發(fā)明是一種雙曲面熱發(fā)射器，它可以吸收原本會(huì)被排放到大氣中的高熱，將其壓縮到一個(gè)狹窄的帶寬中，并以光的形式發(fā)射出來(lái)，然后將其轉(zhuǎn)化為電能。這一發(fā)現(xiàn)基于Kono團(tuán)隊(duì)2016年的另一項(xiàng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)他們發(fā)現(xiàn)了一種簡(jiǎn)單的方法，可以制造由緊密堆積的納米管組成的高度對(duì)齊的晶圓級(jí)薄膜。

整齊排列的納米管薄膜是吸收廢熱并將其轉(zhuǎn)變?yōu)檎瓗Ч庾拥膶?dǎo)管。因?yàn)榧{米管中的電子只能在一個(gè)方向上行進(jìn)，所以整齊排列的薄膜在該方向上是金屬的，而在垂直方向上是絕緣的，Naik稱為“雙曲線色散”。熱光子可以從任何方向撞擊薄膜，但只能通過(guò)一個(gè)方向離開(kāi)。

納米管薄膜適合這項(xiàng)任務(wù)，因?yàn)樗鼈兛梢猿惺芨哌_(dá)1700℃的溫度。Naik的團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了概念驗(yàn)證器件，使其能夠在高達(dá)700℃的溫度下運(yùn)行并確認(rèn)其窄帶輸出。為了制造它們，該團(tuán)隊(duì)將亞微米級(jí)腔體陣列圖案化為芯片尺寸的薄膜。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

LED嵌入式繃帶可通過(guò)藍(lán)光治愈慢性創(chuàng)面

科學(xué)家證明了藍(lán)光的抗菌和抗炎作用，并將藍(lán)光嵌入到彈力繃帶中，用于治愈傷口。MEDILIGHT是一個(gè)歐洲研究項(xiàng)目，旨在研發(fā)智能和可穿戴醫(yī)療設(shè)備，已展示了用于治療慢性創(chuàng)面的LED嵌入式照明解決方案的原型。

在MEDILIGHT項(xiàng)目架構(gòu)中，來(lái)自德國(guó)、法國(guó)、瑞士、塞浦路斯、英國(guó)、捷克等國(guó)家研究團(tuán)隊(duì)的7方合作伙伴由德國(guó)柏林工業(yè)大學(xué)（Technical Universityof Berlin，TUB）協(xié)調(diào)。該項(xiàng)目研發(fā)了一款便攜式設(shè)備，采用藍(lán)光來(lái)改善和加快愈合過(guò)程。2018年，這個(gè)裝置的原型在法國(guó)第戎的URGO實(shí)驗(yàn)室展出。

MEDILIGHT項(xiàng)目顯示，除了抗菌效果，藍(lán)光的抗增殖作用也已獲得明確證實(shí)，證明了藍(lán)光可防止過(guò)早愈合階段的過(guò)度差向異化。合作團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步表明，藍(lán)光能夠通過(guò)另一種合適的光劑量有效激活關(guān)鍵的皮膚細(xì)胞，從而加快最終的傷口愈合過(guò)程。

研究團(tuán)隊(duì)相信，這個(gè)基于LED的智能可穿戴系統(tǒng)的原型將進(jìn)一步為未來(lái)潛在的基于光療法監(jiān)測(cè)傷口愈合的設(shè)備實(shí)現(xiàn)商業(yè)化鋪路。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

韓國(guó)開(kāi)發(fā)出三進(jìn)制半導(dǎo)體

韓國(guó)一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)已成功在大尺寸晶圓上成功實(shí)現(xiàn)了一種更節(jié)能的三元金屬氧化物半導(dǎo)體。韓國(guó)蔚山科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子和計(jì)算機(jī)工程系教授KyungRokKim及其團(tuán)隊(duì)，成功開(kāi)發(fā)了一種根據(jù)三進(jìn)制邏輯系統(tǒng)而非現(xiàn)有二進(jìn)制邏輯系統(tǒng)運(yùn)行的半導(dǎo)體。這一研究的論文發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。該科研團(tuán)隊(duì)表示，利用由0、1、2組成的三進(jìn)制系統(tǒng)，減少了半導(dǎo)體需要處理的信息數(shù)量，提高信息處理速度，從而降低能耗。它還有助于進(jìn)一步減小芯片尺寸。例如，利用二進(jìn)制表示128這個(gè)數(shù)，需要8“位”數(shù)據(jù)；利用三進(jìn)制則只需要5“位”數(shù)據(jù)。

電流泄露是進(jìn)一步減小芯片尺寸的一個(gè)主要障礙。在較小的空間內(nèi)封裝更多電路，會(huì)使隧道效應(yīng)更嚴(yán)重，增加泄露的電流，也意味著設(shè)備會(huì)消耗更多電能。KyungRokKim表示，如果這一半導(dǎo)體技術(shù)商業(yè)化，這不但標(biāo)志著芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變，也將對(duì)人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)、生物芯片和機(jī)器人等嚴(yán)重依賴半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

德累斯頓大學(xué)將白光OLED外量子效率提升至76.3%

德累斯頓大學(xué)的Simone Lenk博士和Sebastian Reineke教授領(lǐng)導(dǎo)的國(guó)際小組研究了各種提升OLED外量子效率的方法。該研究小組在《自然·通訊》雜志上提出了一種釋放光子的新方法。研究小組介紹了一種簡(jiǎn)便、可擴(kuò)展、無(wú)需光刻的方法，可生成具有方向隨機(jī)、尺寸可控的納米結(jié)構(gòu)，極大地提高了白光OLED的外量子效率。

納米結(jié)構(gòu)采用反應(yīng)離子蝕刻工藝，通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)可實(shí)現(xiàn)對(duì)納米結(jié)構(gòu)形貌的控制。為了理解研究結(jié)果，研究人員還開(kāi)發(fā)了一種光學(xué)模型，用來(lái)解釋OLED外量子效率的提高原因。通過(guò)將這些納米結(jié)構(gòu)集成到白光OLED中，可以獲得高達(dá)76.3%的外部量子效率。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

帝國(guó)理工學(xué)院新技術(shù)使OLED屏幕顯示效率提升一倍

近期，帝國(guó)理工學(xué)院的研究小組在《ACS Nano》雜志上發(fā)表了一篇關(guān)于提升OLED能源效率的論文。論文指出，通過(guò)控制OLED材料的化學(xué)性質(zhì)，可以使OLED發(fā)出具有特殊偏振效應(yīng)的偏振光，這種偏振光可以全部透過(guò)防眩光過(guò)濾薄膜。帝國(guó)理工大學(xué)物理系博士韋德表示，這項(xiàng)技術(shù)使OLED屏幕更加節(jié)能、更加明亮、對(duì)比度更高、壽命更長(zhǎng)，進(jìn)而也將提升顯示設(shè)備的電池壽命。

帝國(guó)理工學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)指出，目前這項(xiàng)研究主要集中在OLED顯示技術(shù)上，但這項(xiàng)研究所產(chǎn)生的偏振光在信息存儲(chǔ)、傳輸和加密方面也具有潛在應(yīng)用價(jià)值，未來(lái)可能會(huì)在計(jì)算和數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域得到應(yīng)用。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

澳大利亞科學(xué)家首次觀察天然鐵電金屬

澳大利亞新南威爾士大學(xué)的研究人員描述了對(duì)天然鐵電金屬的首次觀察。該研究首次展示了具有雙穩(wěn)態(tài)和電可切換的自發(fā)極化態(tài)的天然金屬，電可切換的自發(fā)極化態(tài)是鐵電性的標(biāo)志?！拔覀儼l(fā)現(xiàn)在室溫下天然金屬性和鐵電性共存在大塊結(jié)晶二碲化鎢（WTe2）中?！痹撗芯康淖髡逷ankaj Sharma博士解釋道。

WTe2屬于一種稱為過(guò)渡金屬二硫化物（TMDCs）的材料，通過(guò)光譜電傳輸測(cè)量、導(dǎo)電原子力顯微鏡（c—AFM）探測(cè)，以確認(rèn)其金屬行為，并通過(guò)壓電響應(yīng)力顯微鏡（PFM）繪制極化圖，檢測(cè)由于施加的電場(chǎng)引起的晶格變形。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所）

美國(guó)海軍制備出稀土摻雜光纖

美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室制備出稀土摻雜光纖，激光通過(guò)該光纖后波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為2μm，對(duì)人眼基本無(wú)害，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)85%。現(xiàn)有激光工藝中，由于一部分能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，限制了效率的提高。通過(guò)將鈥金屬離子溶解在氧化鑭或氟化鑭的納米粉末（粒徑小于20nm）中，以創(chuàng)造一個(gè)合適的晶體生長(zhǎng)環(huán)境，再將含有鈥離子的納米粒子摻入二氧化硅中，形成直徑約為2.54cm的玻璃棒，最后使用爐子加熱軟化，并配合纖維拉伸裝置將玻璃棒沿軸向方向拉伸，制得二氧化硅光纖。該稀土摻雜光纖可應(yīng)用于國(guó)防，電信等領(lǐng)域，及焊接和激光切割的高功率激光器和放大器。（中國(guó)船舶信息中心）

二維磁性材料非線性光學(xué)研究獲重要進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)物理系吳施偉課題組與華盛頓大學(xué)許曉棟課題組合作，在二維磁性材料雙層三碘化鉻中觀測(cè)到源于層間反鐵磁結(jié)構(gòu)的非互易二次諧波非線性光學(xué)響應(yīng)，成功揭示了三碘化鉻中層間反鐵磁耦合與范德瓦爾斯堆疊結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)。

僅有幾個(gè)原子層厚的二維反鐵磁材料對(duì)外部的物理激勵(lì)，一般難以產(chǎn)生可測(cè)量響應(yīng)。吳施偉解釋說(shuō)：“過(guò)去這個(gè)問(wèn)題就像是燈光照不到的地方。然而就是這樣的一種‘暗狀態(tài)，現(xiàn)在能通過(guò)二次諧波的方式變‘亮?！睋?jù)介紹，研究團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)中探測(cè)的反鐵磁材料僅有2個(gè)原胞層厚度（厚度在2納米以下），在此條件下，中子散射等測(cè)量手段很難奏效。針對(duì)這一問(wèn)題，團(tuán)隊(duì)基于多年在二維材料非線性光學(xué)研究領(lǐng)域的積累，運(yùn)用了光學(xué)二次諧波這一方法來(lái)探測(cè)二維磁性材料的磁結(jié)構(gòu)與相關(guān)特性。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，雙層反鐵磁三碘化鉻的二次諧波信號(hào)，在響應(yīng)系數(shù)上有3個(gè)以上數(shù)量級(jí)的提升，比常規(guī)鐵磁界面產(chǎn)生的二次諧波更是高出10個(gè)數(shù)量級(jí)。利用這一強(qiáng)烈的二次諧波信號(hào)，團(tuán)隊(duì)得以揭示雙層三碘化鉻的原胞層堆疊結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

我國(guó)科學(xué)家研制出24個(gè)bit的高性能超導(dǎo)量子處理器

近期，潘建偉團(tuán)隊(duì)與中科院物理所范桁團(tuán)隊(duì)合作，他們?cè)谙到y(tǒng)連接性、讀取效率、操控串?dāng)_及精度等問(wèn)題上反復(fù)實(shí)驗(yàn)探索，成功地將芯片結(jié)構(gòu)從一維擴(kuò)展到準(zhǔn)二維，研制出包含24比特（bit）的高性能超導(dǎo)量子處理器。并首次在固態(tài)量子計(jì)算系統(tǒng)中，完成對(duì)“玻色—哈伯德”梯子模型多體量子系統(tǒng)的模擬，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)20 bit的高精度量子相干調(diào)控。

據(jù)了解，他們的研究顯示了超導(dǎo)量子芯片作為量子模擬平臺(tái)的強(qiáng)大應(yīng)用潛力，為利用多量子比特系統(tǒng)研究多體物理系統(tǒng)奠定基礎(chǔ)，在實(shí)現(xiàn)實(shí)用化量子計(jì)算機(jī)的研究道路上邁出重要一步。（新華社）

清華研發(fā)世界首款異構(gòu)融合類(lèi)腦芯片登

清華大學(xué)施路平團(tuán)隊(duì)近日發(fā)布研究成果——類(lèi)腦計(jì)算芯片“天機(jī)芯”，而該成果已在《自然》雜志作為封面文章發(fā)表，這也實(shí)現(xiàn)了中國(guó)在芯片和人工智能2大領(lǐng)域《自然》論文零的突破。

該芯片是世界首款異構(gòu)融合類(lèi)腦芯片，也是世界上第一個(gè)既可支持脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)又可支持人工神經(jīng)網(wǎng)路的人工智能芯片。當(dāng)前，人工智能芯片發(fā)展有2大主流方向：支持人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的深度學(xué)習(xí)加速器和支持脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的類(lèi)腦芯片。由于算法和模型的差別，當(dāng)前人工智能芯片均只支持人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)或者脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，難以發(fā)揮計(jì)算機(jī)和神經(jīng)科學(xué)2個(gè)領(lǐng)域的交叉優(yōu)勢(shì)。

天機(jī)芯片通過(guò)資源復(fù)用，只需3%的額外面積開(kāi)銷(xiāo)即可同時(shí)運(yùn)行計(jì)算機(jī)科學(xué)和神經(jīng)科學(xué)導(dǎo)向的絕大多數(shù)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，支持異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)的混合建模，形成時(shí)空域協(xié)調(diào)調(diào)度系統(tǒng)，發(fā)揮它們各自優(yōu)勢(shì)，降低能耗，提高速度，同時(shí)保持高準(zhǔn)確度。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目有新進(jìn)展 目標(biāo)量產(chǎn)指日可待

上海寶冶承建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）二階段工程項(xiàng)目中低壓配電系統(tǒng)日前受電成功，終端機(jī)臺(tái)的電力供給得到保證，芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。根據(jù)之前公布的消息，負(fù)責(zé)基地項(xiàng)目實(shí)施的長(zhǎng)江存儲(chǔ)斥資10億美元研發(fā)成功國(guó)產(chǎn)3DNAND閃存，全年小規(guī)模試產(chǎn)了32層堆棧的64Gb閃存，2019年的目標(biāo)是量產(chǎn)64層堆棧的3DNAND閃存，再下一代則會(huì)直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會(huì)推出128層堆棧的閃存。（中新社）

北京碳基集成電路研究院首次研制成功碳納米管集成電路TPU

近日，中關(guān)村核心區(qū)原始創(chuàng)新能力與科技成果轉(zhuǎn)化工作取得多項(xiàng)進(jìn)展。其中，北京量子科學(xué)研究院與清華大學(xué)等高校院所簽署相關(guān)領(lǐng)域任務(wù)書(shū)，1.57億元科研設(shè)備將在年內(nèi)陸續(xù)進(jìn)入；碳基集成電路研究院已開(kāi)發(fā)8英寸晶圓上高純半導(dǎo)體碳納米管平行陣列樣品制備方法，首次研制成功碳納米管集成電路TPU。（北京市海淀區(qū)人民政府）

海思正全力開(kāi)發(fā)更多芯片 包括電腦用的CPU、GPU

海思目前正在開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)多種芯片，從移動(dòng)設(shè)備使用的一系列芯片，到多媒體顯示芯片及電腦使用的CPU、GPU，海思都在嘗試，且有新品力作。而且，海思芯片使用的技術(shù)全部集中在臺(tái)積電7nm以下先進(jìn)制程技術(shù)，同時(shí)順勢(shì)包下臺(tái)灣后段封測(cè)廠及下游PCB行業(yè)的產(chǎn)能。

海思最新開(kāi)發(fā)的芯片解決方案較偏重于多媒體及運(yùn)算技術(shù)。一般預(yù)測(cè)，海思此舉是為了填補(bǔ)海思在主力移動(dòng)設(shè)備芯片之外的技術(shù)空白。但也有可能是為了滿足華為在5G時(shí)代積極布局的智能顯示終端所產(chǎn)生的芯片需求，以及華為可能涉足筆記本電腦內(nèi)部CPU及GPU解決方案的嘗鮮行為。

華為海思近期種種動(dòng)向，都凸顯華為自給自足的芯片藍(lán)圖已順勢(shì)向外擴(kuò)大勾勒，而且這一次將是陸、海、空三軍聯(lián)合作戰(zhàn)。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

上海漢虹12英寸半導(dǎo)體單晶爐批量投入產(chǎn)線使用

上海漢虹精密機(jī)械有限公司12英寸半導(dǎo)體單晶爐（FT—CZ3212B）開(kāi)始批量投入產(chǎn)線使用。該設(shè)備可穩(wěn)定量產(chǎn)高品質(zhì)大直徑晶棒，也標(biāo)志著12英寸硅片大規(guī)模、產(chǎn)業(yè)化布局取得了關(guān)鍵成效。

相較于8英寸國(guó)產(chǎn)硅片的量產(chǎn)進(jìn)度，12英寸國(guó)產(chǎn)硅片遠(yuǎn)未進(jìn)入產(chǎn)能釋放階段，與龐大的需求相比供應(yīng)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。初步估計(jì)，到2020年我國(guó)大陸芯片制造能力有望達(dá)到全球的30%，屆時(shí)我國(guó)大陸12英寸硅片產(chǎn)能與芯片代工產(chǎn)能?chē)?yán)重失配。除了供需缺口之外，我國(guó)12英寸硅片產(chǎn)品的質(zhì)量也急待提升。

上海漢虹全自動(dòng)12英寸半導(dǎo)體單晶爐在均勻和缺陷密度等方面達(dá)到了新的高度，突破了國(guó)內(nèi)晶體硅材料生長(zhǎng)設(shè)備、特別是大直徑晶體硅材料生長(zhǎng)設(shè)備長(zhǎng)期被國(guó)外大型企業(yè)壟斷的產(chǎn)業(yè)格局。（中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

盛思銳創(chuàng)新推出首款微型二氧化碳傳感器

盛思銳宣布推出SCD40——首款體積僅為1cm3的微型二氧化碳和溫濕度傳感器。這款顛覆性的創(chuàng)新產(chǎn)品以光聲傳感原理為基礎(chǔ)，集小尺寸和高性能為一體，為無(wú)數(shù)全新集成方式和應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)辟了更多可能性。由于其空前的高性價(jià)比，特別適合大批量以及對(duì)成本高度敏感的應(yīng)用需求。

盛思銳在傳感器微型化方面深厚的專業(yè)知識(shí)，使其在二氧化碳傳感器方面邁出了突破性的一步：SCD40的尺寸為10 mm×10 mm×7 mm，與前一代的SCD30相比，其尺寸縮小了5倍。利用光聲學(xué)傳感原理，在不影響傳感器性能的前提下，SCD40光學(xué)共振腔的尺寸得以大幅度減小。此外，SCD40二氧化碳和溫濕度傳感器利用了盛思銳杰出的環(huán)境傳感器專業(yè)技術(shù)，集成了一流的濕度和溫度傳感器，實(shí)現(xiàn)2個(gè)額外的傳感器輸出。憑借其不可比擬的微型尺寸和高性價(jià)比，SCD40成為當(dāng)今和未來(lái)二氧化碳傳感器市場(chǎng)的首選。（中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

ENTEGRIS收購(gòu)MPD CHEMICALS繼續(xù)擴(kuò)充高級(jí)沉積材料產(chǎn)品組合

微電子行業(yè)特殊化學(xué)品和先進(jìn)材料解決方案領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)——Entegris，Inc.（ENTG）于近日宣布收購(gòu)為特殊化學(xué)品、技術(shù)和生命科學(xué)行業(yè)提供先進(jìn)材料的供應(yīng)商——MPD Chemicals。Entegris，本次收購(gòu)將繼續(xù)擴(kuò)充和豐富Entegris的工程材料產(chǎn)品組合。

數(shù)字化轉(zhuǎn)型正在推動(dòng)人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)和無(wú)人駕駛等現(xiàn)代化技術(shù)的發(fā)展和技術(shù)能力要求。為了實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)，制造商采用了更為復(fù)雜的新型芯片設(shè)計(jì)。這些變化提高了半導(dǎo)體制造各個(gè)環(huán)節(jié)中對(duì)所用材料的要求。此前對(duì)DSC的收購(gòu)以及本次對(duì)MPD Chemicals的收購(gòu)將增強(qiáng)Entegris在開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)新型有機(jī)硅烷及有機(jī)金屬材料方面的能力。這些材料對(duì)于特殊化學(xué)品和半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新至關(guān)重要。

Entegris總裁兼首席執(zhí)行官Bertrand Loy表示，收購(gòu)MPD Chemicals印證了我們通過(guò)投資凈化、交付技術(shù)和先進(jìn)材料來(lái)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的承諾。隨著業(yè)界采用新材料和更為復(fù)雜的芯片架構(gòu)，沉積材料已成為半導(dǎo)體應(yīng)用中增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)之一。