中國(guó)的“芯”路歷程

漫漫“芯酸”路

1949年新中國(guó)成立的時(shí)候，美國(guó)已經(jīng)在世界第一工業(yè)大國(guó)的寶座上，穩(wěn)坐了50年。而中國(guó)，是個(gè)連汽油鐵皮桶都無(wú)法生產(chǎn)的落后農(nóng)業(yè)國(guó)。全國(guó)五億多人口中，80%以上是文盲，農(nóng)村文盲率超過(guò)95%。就是在這樣的巨大差距下，中國(guó)億萬(wàn)人民在共產(chǎn)黨毛主席領(lǐng)導(dǎo)下，開(kāi)始了艱苦卓絕的工業(yè)追趕進(jìn)程，創(chuàng)造了世界歷史上的經(jīng)濟(jì)奇跡。

中國(guó)電子工業(yè)發(fā)展，1950年抗美援朝戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)后，為解決軍隊(duì)電子通信問(wèn)題，國(guó)家成立電信工業(yè)管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠(chǎng)（即現(xiàn)在的北京京東方），由民主德國(guó)（東德）提供技術(shù)援助。該廠(chǎng)總投資1億元，年產(chǎn)1220萬(wàn)只，是亞洲最大的電子管廠(chǎng)。除此之外，酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機(jī)總廠(chǎng)、華北無(wú)線(xiàn)電器材聯(lián)合廠(chǎng)（下轄706、707、718、751、797、798廠(chǎng)）、北京有線(xiàn)電廠(chǎng)（738廠(chǎng)）、華北光電技術(shù)研究所等單位。

1956年國(guó)家提出“向科學(xué)進(jìn)軍”，國(guó)務(wù)院制定科技發(fā)展12年規(guī)劃，將電子工業(yè)列為重點(diǎn)發(fā)展目標(biāo)。中國(guó)科學(xué)院成立了計(jì)算技術(shù)研究所（中科院計(jì)算所）。為了培養(yǎng)電子工業(yè)人才，教育部集中全國(guó)五所大學(xué)的科研資源，在北京大學(xué)設(shè)立半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)。1957年畢業(yè)的第一批學(xué)生中，出現(xiàn)了大批人才。如中芯國(guó)際董事長(zhǎng)王陽(yáng)元、華晶集團(tuán)總工程師許居衍、電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺。1958年，上海組建華東計(jì)算技術(shù)研究所，及上海元件五廠(chǎng)、上海電子管廠(chǎng)、上海無(wú)線(xiàn)電十四廠(chǎng)等企業(yè)。使上海和北京，成為中國(guó)電子工業(yè)的南北兩大基地。1960年中國(guó)科學(xué)院成立半導(dǎo)體研究所，同年組建河北半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)為中電集團(tuán)第13所），進(jìn)行工業(yè)技術(shù)攻關(guān)。1962年由中科院半導(dǎo)體所，組建全國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試中心。1963年中央政府組建第四機(jī)械工業(yè)部，主管全國(guó)電子工業(yè)。

1966年，中國(guó)電子工業(yè)得到快速發(fā)展，北京酒仙橋電子工業(yè)區(qū)基本成型。電子工業(yè)開(kāi)始與紡織、印染、鋼鐵等行業(yè)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。1968年，北京組建國(guó)營(yíng)東光電工廠(chǎng)（878廠(chǎng)），上海組建無(wú)線(xiàn)電十九廠(chǎng)，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)中的“南北兩霸”。其中北京878廠(chǎng)主要生產(chǎn)TTU電路、CMOS鐘表電路及A/D轉(zhuǎn)換電路。上海無(wú)線(xiàn)電19廠(chǎng)，主要生產(chǎn)TTL、HTL數(shù)字集成電路，是中國(guó)最早生產(chǎn)雙極型數(shù)字集成電路的專(zhuān)業(yè)工廠(chǎng)。1977年四機(jī)部投資300萬(wàn)元，建設(shè)6000平方米集成電路潔凈車(chē)間。到1990年該廠(chǎng)累計(jì)生產(chǎn)509種集成電路，產(chǎn)量4120萬(wàn)塊，產(chǎn)值3.25億元。該廠(chǎng)后來(lái)合資為上海飛利浦半導(dǎo)體。

1968年，國(guó)防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所，解放軍1424研究所，現(xiàn)中電集團(tuán)24所）。這是中國(guó)唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無(wú)線(xiàn)電十四廠(chǎng)首家制成PMOS（P型金屬-氧化物半導(dǎo)體）電路。拉開(kāi)了中國(guó)發(fā)展MOS集成電路的序幕。1970年代永川半導(dǎo)體研究所、上無(wú)十四廠(chǎng)和北京878廠(chǎng)相繼研制成功NMOS電路。之后又研制成CMOS電路。至1990年底，上無(wú)十四廠(chǎng)累計(jì)產(chǎn)量為3340萬(wàn)塊（后來(lái)合資成為上海貝嶺半導(dǎo)體）。

1972年美國(guó)總統(tǒng)尼克松訪(fǎng)華后，中國(guó)從歐美大量引進(jìn)技術(shù)。由于集成電路產(chǎn)品利潤(rùn)豐厚，全國(guó)有四十多家集成電路廠(chǎng)建成投產(chǎn)。包括四機(jī)部下屬的749廠(chǎng)（甘肅天水永紅器材廠(chǎng)）、871廠(chǎng)（甘肅天水天光集成電路廠(chǎng)）、878廠(chǎng)（北京東光電工廠(chǎng)）、4433廠(chǎng)（貴州都勻風(fēng)光電工廠(chǎng)）和4435廠(chǎng)（湖南長(zhǎng)沙韶光電工廠(chǎng)）等。各省市另外投資建設(shè)了大批電子企業(yè)。

1973年8月26日，中國(guó)第一臺(tái)每秒運(yùn)算100萬(wàn)次的集成電路電子計(jì)算機(jī)-105機(jī)，由北京大學(xué)、北京有線(xiàn)電廠(chǎng)、燃料化學(xué)工業(yè)部等單位協(xié)助研制成功。

1975年，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組，由王陽(yáng)元等人，設(shè)計(jì)出我國(guó)第一批三種類(lèi)型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，它比美國(guó)英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國(guó)、臺(tái)灣要早四五年。那時(shí)韓國(guó)、臺(tái)灣根本就沒(méi)有電子工業(yè)科研基礎(chǔ)。

也就是說(shuō)，如果延續(xù)發(fā)展路線(xiàn)和勢(shì)頭，中國(guó)在電腦和集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)該在不長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)就能與美國(guó)齊頭并進(jìn)，甚至趕超美國(guó)。

80年代起被日韓臺(tái)趕超

1973年，借著中美關(guān)系緩和及歐美石油危機(jī)的機(jī)會(huì)，中國(guó)希望從歐美國(guó)家，引進(jìn)七條3英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，是當(dāng)時(shí)世界最先進(jìn)技術(shù)。這要比臺(tái)灣早2年，比韓國(guó)早4年，那時(shí)候臺(tái)灣與韓國(guó)還沒(méi)有電子工業(yè)科研基礎(chǔ)。1975年美國(guó)英特爾才開(kāi)始建設(shè)世界第一座4英寸（100mm）晶圓廠(chǎng)。但是由于歐美技術(shù)封鎖，中國(guó)國(guó)內(nèi)政治變故，最終拖了七年，中國(guó)才得以引進(jìn)三條已經(jīng)落后的3英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，分別投資在北京國(guó)營(yíng)東光電工廠(chǎng)（878廠(chǎng)），航天部陜西驪山771研究所（西安微電子研究所），和貴州都勻風(fēng)光電工廠(chǎng)（4433廠(chǎng)）。其中北京878廠(chǎng)的3寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，直至1980年才建成，已經(jīng)比臺(tái)灣晚了3年，比韓國(guó)晚2年。

1975年，就在臺(tái)灣剛剛向美國(guó)購(gòu)買(mǎi)3英寸晶圓廠(chǎng)時(shí)，中國(guó)大陸已經(jīng)完成了DRAM核心技術(shù)的研發(fā)工作。北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體教研室（成立于1956年，現(xiàn)北大微電子研究院），由王陽(yáng)元領(lǐng)導(dǎo)的課題組，完成硅柵P溝道、鋁柵N溝道和硅柵N溝道三種技術(shù)方案。在中科院北京109廠(chǎng)（現(xiàn)為中科院微電子研究所），采用硅柵N溝道技術(shù)，生產(chǎn)出中國(guó)第一塊1K DRAM。這一成果盡管比美國(guó)、日本晚了四五年，但是比韓國(guó)、臺(tái)灣要早四五年。直至1980年前后，韓國(guó)、臺(tái)灣才在美國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移下，獲得了DRAM技術(shù)突破，瞬間反超中國(guó)大陸。韓國(guó)直接從16K起步，臺(tái)灣從64K起步。

1978年10月，中國(guó)科學(xué)院成立半導(dǎo)體研究所，研制4K DRAM，次年在中科院109廠(chǎng)投入批量生產(chǎn)（比美國(guó)晚六年）。1981年中科院半導(dǎo)體所又研制成功16K DRAM（比韓國(guó)晚兩年）。1982年，江蘇無(wú)錫江南無(wú)線(xiàn)電器材廠(chǎng)（742廠(chǎng)），耗資6600萬(wàn)美元，從日本東芝引進(jìn)3英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)（5微米制程，月產(chǎn)能1萬(wàn)片），生產(chǎn)電視機(jī)集成電路。1985年，該廠(chǎng)制造出中國(guó)第一塊64K DRAM（比韓國(guó)晚一年）。1993年，已經(jīng)改組的無(wú)錫華晶電子公司（原無(wú)錫742廠(chǎng)），制造出中國(guó)第一塊256K DRAM（比韓國(guó)晚七年）。

從上述歷史，我們可以明顯看出，在歐美技術(shù)封鎖，以及1980年后，中國(guó)大陸減少電子產(chǎn)業(yè)投資的情況下，中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)從領(lǐng)先韓國(guó)、臺(tái)灣，然后迅速被韓國(guó)、臺(tái)灣反超。尤其是韓國(guó)在美國(guó)刻意扶植下，依靠20億美元左右的巨額瘋狂投資，在DRAM產(chǎn)業(yè)取得了顯著成果。

洋躍進(jìn)——800億美元瘋狂計(jì)劃

1977年中國(guó)的外匯儲(chǔ)備還有9億多美元，7月份國(guó)家計(jì)委提出，今后八年花費(fèi)65億美元從國(guó)外進(jìn)口技術(shù)設(shè)備，重點(diǎn)發(fā)展石油化學(xué)工業(yè)，其中只有一個(gè)陜西咸陽(yáng)顯像管廠(chǎng)是電子項(xiàng)目。政治局討論時(shí)，提出可以花100億美元進(jìn)口設(shè)備，提高中國(guó)石油、煤炭和輕工業(yè)產(chǎn)量，以賺取更多外匯。8月，國(guó)家計(jì)委將進(jìn)口項(xiàng)目提高到150億美元規(guī)模。

1978年6月份，政治局再次聽(tīng)取政府工作報(bào)告，有種主張：同國(guó)外做生意，搞買(mǎi)賣(mài)，搞大一點(diǎn)，什么150億，搞它500億。500億美元的規(guī)模。7月上旬，國(guó)家計(jì)委初步整理，匯總了一個(gè)850億美元的方案，其中400億引進(jìn)外資。

1978年中國(guó)的財(cái)政收入為1132億元，光是一個(gè)上海寶鋼項(xiàng)目就要投資300億元，根本不是中國(guó)國(guó)力所能負(fù)擔(dān)的。沒(méi)錢(qián)怎么辦？1979年中國(guó)人民銀行增加了50億元人民幣的供應(yīng)量。同時(shí)期，開(kāi)始給工人漲工資、提高糧食收購(gòu)價(jià)，給老革命家們蓋住所、換進(jìn)口小轎車(chē)，提高福利待遇。

1979年全國(guó)在建的大中型項(xiàng)目有1100多個(gè)，財(cái)政赤字170.6億元。1980年又新增了1100多項(xiàng)，財(cái)政赤字127億元。上述項(xiàng)目全部建成，還需要投資1300億元。為了彌補(bǔ)財(cái)政虧空，1980年央行又增印了78.5億元鈔票。1978年中國(guó)全社會(huì)的流通現(xiàn)金僅有229.59億元，到1985年已經(jīng)暴增至839億元。光是1984年的鈔票供應(yīng)增幅，就高達(dá)驚人的39%。連年狂印鈔票引發(fā)惡性通貨膨脹。許多物價(jià)都至少翻番，高檔煙酒等民用消費(fèi)品價(jià)格，甚至直接上漲10倍，以致一些城市出現(xiàn)了“搶購(gòu)囤積風(fēng)潮”。

為了控制宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)的嚴(yán)重混亂局面，壓縮投資金額。1980年中央一下子停建緩建了400多個(gè)大中型項(xiàng)目，1981年又停緩建了22個(gè)大型項(xiàng)目。其中就包括上海寶鋼、十堰二汽、大慶30萬(wàn)噸乙烯等戰(zhàn)略工程。盲目貪大求洋給中國(guó)經(jīng)濟(jì)帶來(lái)嚴(yán)重危害，導(dǎo)致汽車(chē)、電子、航空等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)難以發(fā)展。像上海的運(yùn)10飛機(jī)，在研制15年后最終流產(chǎn)。北京電子管廠(chǎng)（現(xiàn)在的京東方），想上馬液晶項(xiàng)目，也因?yàn)槿狈?guó)家投資而流產(chǎn)。

撥改貸抽干電子企業(yè)血液

1984年，為扭轉(zhuǎn)財(cái)政虧空局面，盲目實(shí)行“撥改貸”政策。以往國(guó)有企業(yè)從政府財(cái)政獲得撥款，作為工廠(chǎng)流動(dòng)資金或技術(shù)改造經(jīng)費(fèi)。企業(yè)盈利后將利潤(rùn)上繳國(guó)家財(cái)政。這樣形成良性循環(huán)。撥改貸將政府財(cái)政撥款，改為企業(yè)向銀行貸款，還要支付高額利息。而另一頭，企業(yè)的利潤(rùn)照樣要上交財(cái)政。這樣政府不僅不投一分錢(qián)，反而像從前一樣，抽走企業(yè)的大部分收入，導(dǎo)致國(guó)有企業(yè)迅速陷入虧損困境。

正是由于“撥改貸”，使得中國(guó)電子工業(yè)遭到致命打擊。企業(yè)只顧引進(jìn)外國(guó)設(shè)備，以盡快投產(chǎn)盈利，缺少科研資金對(duì)外國(guó)技術(shù)進(jìn)行消化吸收。在文革時(shí)期，中國(guó)科研投入占GDP的2.32%，與英法德等發(fā)達(dá)國(guó)家相當(dāng)（2003年世界平均值也僅有2.2%）。到1980年代，正是電子產(chǎn)業(yè)興起的關(guān)鍵時(shí)期，歐美國(guó)家和日本、韓國(guó)、臺(tái)灣紛紛加大對(duì)電子產(chǎn)業(yè)的科研投入。而中國(guó)卻在大規(guī)模壓縮科研經(jīng)費(fèi)投入。1984年以后，由于“撥改貸”造成的困境，使中國(guó)企業(yè)基本無(wú)力進(jìn)行研發(fā)，科研經(jīng)費(fèi)占GDP比值驟然降到0.6%以下。

如中國(guó)最大的半導(dǎo)體企業(yè)——上海元件五廠(chǎng)，1980年利潤(rùn)高達(dá)2070萬(wàn)元，職工人均利潤(rùn)1.5萬(wàn)元。即使是1985年，上海元件五廠(chǎng)的產(chǎn)值仍然高達(dá)6713.1萬(wàn)元，利潤(rùn)達(dá)1261.4萬(wàn)元。然而到了1990年，上海元件五廠(chǎng)產(chǎn)值下降至1496萬(wàn)元，利潤(rùn)竟然僅有2.47萬(wàn)元，全廠(chǎng)1439人，人均利潤(rùn)僅有區(qū)區(qū)17.16元。熬了沒(méi)幾年，這家風(fēng)光了三十年的中國(guó)半導(dǎo)體器件龍頭企業(yè)破產(chǎn)倒閉了。

引進(jìn)國(guó)外晶圓生產(chǎn)線(xiàn)

1982年，組建電子工業(yè)部，主管全國(guó)電子工業(yè)。該部門(mén)繼承了組建的2500多家科研院所和電子工廠(chǎng)，下屬職工總數(shù)達(dá)100多萬(wàn)人，主要研制通信、雷達(dá)、電視、計(jì)算機(jī)、無(wú)線(xiàn)電、元器件等設(shè)備。產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)完備程度，僅有美國(guó)、蘇聯(lián)可以相比。光是電子工業(yè)部下轄的專(zhuān)業(yè)電子研究所就有上百家。然而在80年代初，由于中央政府全面停止對(duì)電子工業(yè)投資，各電子企業(yè)要自己去市場(chǎng)找資源。于是中國(guó)電子工業(yè)的技術(shù)升級(jí)全面停止，與美國(guó)、日本的技術(shù)差距迅速拉大。甚至被80年代加大電子投資的韓國(guó)、臺(tái)灣徹底甩開(kāi)。

1982年，國(guó)務(wù)院成立了“電子計(jì)算機(jī)和大型集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室”。1984年至1990年，中國(guó)一些國(guó)有企業(yè)和大學(xué)，紛紛從國(guó)外引進(jìn)淘汰的晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，前后總計(jì)達(dá)到33條，按照每座300-600萬(wàn)美元估算，總計(jì)花費(fèi)1.5億美元左右。這33條晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，多數(shù)根本沒(méi)有商業(yè)價(jià)值。造成這一亂象的根本原因，是電子工業(yè)部，將絕大多數(shù)國(guó)有電子企業(yè)的管理權(quán)，甩給省市地方政府，又缺乏制定執(zhí)行產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的政策權(quán)力。出現(xiàn)了國(guó)內(nèi)大量引進(jìn)落后技術(shù)的奇怪現(xiàn)象。還有一個(gè)原因是80年代開(kāi)始，一些國(guó)有企業(yè)借著進(jìn)口項(xiàng)目的名義，領(lǐng)導(dǎo)干部可以名正言順地獲得出國(guó)考察機(jī)會(huì)。

為了治理散亂差問(wèn)題，1986年電子工業(yè)部在廈門(mén)，舉辦集成電路戰(zhàn)略研討會(huì)，提出“531戰(zhàn)略”。即“普及5微米技術(shù)、研發(fā)3微米技術(shù)，攻關(guān)1微米技術(shù)”，并落實(shí)南北兩個(gè)微電子基地。南方集中在江浙滬，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中國(guó)誕生了五家具有規(guī)模的國(guó)有半導(dǎo)體企業(yè)：江蘇無(wú)錫華晶電子（原無(wú)錫742廠(chǎng)與永川半導(dǎo)體研究所合并）、浙江紹興華越微電子（1988年設(shè)立中國(guó)第一座4英寸晶圓廠(chǎng)）、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導(dǎo)體（1991年設(shè)中國(guó)第一座5英寸晶圓廠(chǎng)）、和北京首鋼NEC（1995年設(shè)中國(guó)第一座6英寸晶圓廠(chǎng)）。

1990年8月，國(guó)務(wù)院決定在“八五”計(jì)劃（1990-1995），半導(dǎo)體技術(shù)達(dá)到1微米制程，決定啟動(dòng)“九0八工程”，總投資20億元。其中15億元用在無(wú)錫華晶電子，建設(shè)月產(chǎn)能1.2萬(wàn)片的6英寸晶圓廠(chǎng)。由于審批體系拖延，“九0八”工程光是經(jīng)費(fèi)審批就花了兩年時(shí)間。然后從美國(guó)AT&T（朗訊）引進(jìn)0.9微米制程，又花了三年時(shí)間。前后拖延五年時(shí)間，建廠(chǎng)再花三年，導(dǎo)致1998年無(wú)錫華晶電子投產(chǎn)即落后（月產(chǎn)能僅6000片），華晶還要為此承擔(dān)沉重的利息支出壓力，后來(lái)不得不甩給了臺(tái)灣人經(jīng)營(yíng)。與無(wú)錫華晶形成鮮明對(duì)比的是，1990年新加坡政府投資特許半導(dǎo)體，只用2年建成，第三年投產(chǎn)，到1998年收回全部投資。

三十年來(lái)市場(chǎng)換技術(shù)

1996年7月，西方33個(gè)國(guó)家正式簽訂《瓦森納協(xié)定》，民用技術(shù)控制清單包括：電子器件、計(jì)算機(jī)、傳感器等九大類(lèi)。軍用技術(shù)控制清單包括22大類(lèi)。中國(guó)同樣處于被禁運(yùn)國(guó)家之列。

在各方面嚴(yán)防死守下，中國(guó)企業(yè)要想獲得先進(jìn)技術(shù)變得非常困難。而外國(guó)企業(yè)則憑借掌握的先進(jìn)技術(shù)，在中國(guó)市場(chǎng)予取予求，占盡便宜。

1990年，中國(guó)大幅降低關(guān)稅、取消計(jì)算機(jī)產(chǎn)品進(jìn)出口批文、開(kāi)放了國(guó)內(nèi)電腦市場(chǎng)。頃刻間，國(guó)外的286、386電腦如潮水般涌入，1991年由美國(guó)英特爾和AMD，掀起的“黑色降價(jià)風(fēng)暴”，更是讓中國(guó)計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)雪上加霜。由于絕大多數(shù)整機(jī)企業(yè)，積壓了高價(jià)買(mǎi)進(jìn)的芯片，從而背上巨額虧損的包袱，一家家電腦整機(jī)廠(chǎng)商，前赴后繼般悲壯地倒在了血雨腥風(fēng)之中。長(zhǎng)城、浪潮和聯(lián)想也都元?dú)獯髠?。在微電子集成電路方面，?guó)內(nèi)企業(yè)繼80年代中后期陸續(xù)虧損后，90年代紛紛倒閉，國(guó)內(nèi)集成電路工業(yè)，逐步變?yōu)槿Y企業(yè)為主的局面。據(jù)專(zhuān)家估計(jì)， 到1990年代末，中國(guó)微電子科技水平，與國(guó)外的差距至少是10年。

在中國(guó)本土電子企業(yè)土崩瓦解之時(shí)，國(guó)外企業(yè)在中國(guó)開(kāi)始大舉占領(lǐng)中國(guó)市場(chǎng)。

2012年1月，韓國(guó)政府審批通過(guò)三星在華設(shè)廠(chǎng)項(xiàng)目。2012年4月2日，韓國(guó)三星電子宣布在中國(guó)西安，建設(shè)閃存芯片廠(chǎng)。項(xiàng)目一期投資將達(dá)70億美元，若三期投資順利完成，總投資約為300億美元。西安市為此項(xiàng)目提供了巨額補(bǔ)貼。

國(guó)家科技人才成長(zhǎng)的教訓(xùn)

今天中國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，最大的困難是科技人才缺乏。而曾幾何時(shí)，中國(guó)也曾經(jīng)人才輩出。

1958年9月，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究室，王守覺(jué)等人，研制成功我國(guó)第一批鍺合金擴(kuò)散高頻晶體管，頻率達(dá)到150MHz。后在中科院109廠(chǎng)批量生產(chǎn)，為中科院計(jì)算所研制的109乙型晶體管計(jì)算機(jī)（浮點(diǎn)32二進(jìn)制位、每秒6萬(wàn)次），提供了12個(gè)品種、14.5萬(wàn)多只鍺晶體。后又為計(jì)算所研制的109丙型計(jì)算機(jī)，提供了大量晶體管元器件。109丙機(jī)字長(zhǎng)48位，平均運(yùn)算速度每秒11.5萬(wàn)次。該機(jī)共生產(chǎn)兩臺(tái)，為用戶(hù)運(yùn)行了15年，在我國(guó)核武器研制工程中發(fā)揮了重要作用。

1965年，上海華東計(jì)算技術(shù)研究所，與上海冶金研究所、上海元件五廠(chǎng)等單位合作，開(kāi)始研制655型數(shù)字集成電路大型計(jì)算機(jī)，由陳仁甫（照片右側(cè)）副研究員主持，重點(diǎn)攻克TTL集成電路。1969年在上海無(wú)線(xiàn)電十三廠(chǎng)投產(chǎn)，定名TQ-6型計(jì)算機(jī)，每秒運(yùn)算100萬(wàn)次，配備磁盤(pán)操作系統(tǒng)，語(yǔ)言編譯程序。

1971年，上海復(fù)旦大學(xué)自主研制的719計(jì)算機(jī)，由王世業(yè)、顧芝祥、陳志剛等人參與研制。1975年復(fù)旦大學(xué)研制FD-753計(jì)算機(jī)。經(jīng)過(guò)反復(fù)研究討論，結(jié)合那時(shí)美國(guó)IBM360/370、歐洲TSS、日本FACOM等計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和我國(guó)DJS-260、北大150等計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，最終確定753計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主要研制目標(biāo)是：具有處理速度浮點(diǎn)運(yùn)算200萬(wàn)次以上的主機(jī)系統(tǒng)；實(shí)現(xiàn)分時(shí)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)；多進(jìn)程分層管理的微內(nèi)核操作系統(tǒng)。

1979年上海元件五廠(chǎng)和上海無(wú)線(xiàn)電十四廠(chǎng)，聯(lián)合仿制（逆向工程）成功8080八位微處理器（編號(hào)5G8080）。8080為美國(guó)英特爾公司在1974年推出的第二款CPU處理器，集成6000只晶體管，每秒運(yùn)算29萬(wàn)次。自1975年第一臺(tái)個(gè)人電腦誕生以后，8080芯片幫助英特爾在幾年后占據(jù)了電腦芯片的霸主地位。德國(guó)西門(mén)子仿制出8080芯片是在1980年10月（Siemens SAB 8080A-C），比中國(guó)還晚一年。日本也仿制過(guò)8080芯片。

1980年，日本代表團(tuán)在上海訪(fǎng)問(wèn)，上海當(dāng)年的電子工業(yè)擁有良好產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。上海冶金研究所研制的離子注入機(jī)，還曾出口日本。而短短十年之后，上海電子工業(yè)全面破產(chǎn)倒閉。（未完待續(xù)）

（作者單位：國(guó)防大學(xué)。）