唐瑞瑞,黃玉蘭,唐 磊
(西安郵電大學(xué) 電子工程學(xué)院,陜西 西安 710121)
隨著無(wú)線通信技術(shù)的普及,現(xiàn)代濾波器需要滿足小型化、高集成度、低成本等要求[1-3]?;刹▽?dǎo)(SIW)具有尺寸小[4],品質(zhì)因數(shù)(Q)值高[5],損耗低和易于集成的特點(diǎn)[6-7]。電子科技大學(xué)已將SIW應(yīng)用于K波段的濾波器中,其中心頻率可以達(dá)到19.75 GHz[8],針對(duì)Wi-Fi設(shè)計(jì)的SIW型帶通濾波器回波損耗可達(dá)-34 dB[9]。但由于SIW的尺寸不能隨意縮小,造成SIW在較低頻段尺寸較大[10]。因此,一種具有屏蔽的、非色散特性結(jié)構(gòu)的基片集成同軸線(SICL)結(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生[11]。和SIW相比,SICL在保持高性能屏蔽結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)尺寸更靈活,同時(shí)又可用簡(jiǎn)單且廉價(jià)的印制電路板(PCB)、CMOS、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)甚至薄膜電路等工藝實(shí)現(xiàn),易與有源器件系統(tǒng)進(jìn)行集成[12-13]。目前,已運(yùn)用SICL結(jié)構(gòu)研究出濾波器、功分器及耦合器等多種微波器件。東南大學(xué)微波實(shí)驗(yàn)室提出一種以中心頻率2.2 GHz的SICL技術(shù)的小型表面掛載濾波器[14]。電子科技大學(xué)設(shè)計(jì)出了一種新型的基于SIW和SICL復(fù)合結(jié)構(gòu)的雙帶帶通濾波器[15]。Mathieu Cariou等在SICL技術(shù)的研究上,利用8層金屬化組成的多層PCB設(shè)計(jì)和制造了一種三階的X波段濾波器[16-17],但由于SICL器件的物理結(jié)構(gòu),測(cè)試要求使用夾具進(jìn)行,則測(cè)試結(jié)果受夾具精度的影響較大[18]。
本文針對(duì)SIW濾波器尺寸過(guò)大和SICL的使用夾具測(cè)試引起的損耗問(wèn)題,主要分析了階躍阻抗(SIR)型SICL諧振器的設(shè)計(jì)原理和方法,提出了利用共面波導(dǎo)(CPW)向SICL諧振器提供激勵(lì)的方法,利用電耦合方式,設(shè)計(jì)了一種X波段帶通濾波器,濾波器階數(shù)僅為三階。利用SIR結(jié)構(gòu)有效地增加了帶寬,獲得了較低插損和較小尺寸。
如圖1所示,SICL是一種屏蔽平面同軸傳輸線,由2層介電質(zhì)層、3層金屬層及2排金屬通孔構(gòu)成。圖中,H1為介質(zhì)層厚度,H2為粘結(jié)層厚度。SICL主要類似于一個(gè)矩形的同軸線,它保留了與平面電路相結(jié)合的優(yōu)點(diǎn)和進(jìn)一步的兼容。本文的介質(zhì)板材選用Taconic公司的多層PCB板,介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)為2.2,介質(zhì)損耗角為0.000 9,厚為0.254 mm;粘結(jié)層相對(duì)介電常數(shù)為3.0,介質(zhì)損耗角為0.003 8,厚為0.12 mm;敷銅厚為0.036 mm。
圖1 SICL結(jié)構(gòu)模型
SIR型諧振器是由2個(gè)及2個(gè)以上具有不同特性阻抗的傳輸線,通過(guò)阻抗階躍結(jié)合面組合而成的橫向電磁場(chǎng)或準(zhǔn)橫向電磁場(chǎng)模式的諧振器。SIR諧振器的開(kāi)路端和短路端具有電容效應(yīng),可達(dá)到減小濾波器尺寸的目的。此外,SIR濾波器還可控制濾波器的寄生通帶。通過(guò)控制諧振器的阻抗比來(lái)控制諧振頻率,結(jié)合SIR設(shè)計(jì)出SICL型諧振器如圖2所示。圖中,p、d分別為相鄰金屬通孔間距和金屬通孔直徑,A為兩排金屬通孔距離,代表SICL結(jié)構(gòu)的外導(dǎo)體直徑,w1、w2分別為SICL內(nèi)導(dǎo)體直徑,L1、L2分別為SIR結(jié)構(gòu)中的短路端及開(kāi)路端傳輸線的長(zhǎng)度。諧振阻抗比為
(1)
式中:Rz為SIR結(jié)構(gòu)2個(gè)特性阻抗之比;Z1、Z2分別為短路端及開(kāi)路端阻抗。
圖2 SIR型SICL諧振器
為了解決用夾具測(cè)量SICL器件引起的濾波器損耗問(wèn)題,設(shè)計(jì)引進(jìn)了諧振器激勵(lì)。SICL由很多周期的金屬化通孔構(gòu)成,外加SICL集成于介質(zhì)基片上,由于大多測(cè)試要使用夾具進(jìn)行,使測(cè)試結(jié)果受夾具精度的影響較大。又因CPW可傳輸準(zhǔn)橫電磁波(TEM),與SICL傳輸模式相同,因此,本文設(shè)計(jì)一種用CPW結(jié)構(gòu)引進(jìn)諧振器的激勵(lì),其結(jié)構(gòu)如圖3所示。圖中,w3為CPW中心導(dǎo)帶寬度加上2個(gè)縫隙的總距離。盲孔是由上層介質(zhì)上表面至粘結(jié)層下表面處,盲孔內(nèi)均填銅,目的是使SICL的內(nèi)導(dǎo)體與CPW結(jié)構(gòu)相連。根據(jù)諧振腔內(nèi)部結(jié)構(gòu),選擇抽頭式饋電,抽頭外接CPW結(jié)構(gòu),由CPW結(jié)構(gòu)連接平面電路。
圖3 SICL諧振器的激勵(lì)引進(jìn)結(jié)構(gòu)圖
諧振器外接CPW結(jié)構(gòu)阻值為50 Ω,CPW與抽頭的連接部分會(huì)造成信號(hào)的衰減,從而影響諧振器的性能。因此,我們改變CPW的盲孔直徑d1,得到d1和諧振器反射系數(shù)S11的關(guān)系曲線,如圖4所示。通過(guò)調(diào)節(jié)抽頭與接地端的距離S1可控制外接Q濾波器群時(shí)延的大小,群時(shí)延與S1的關(guān)系曲線如圖5所示。
圖4 S11與d1仿真曲線
圖5 S11群時(shí)延與S1仿真曲線
根據(jù)圖4、5可看出:
1) 隨著d1的增大,反射系數(shù)S11相應(yīng)減小。d1越大,信號(hào)傳輸性能越好,表現(xiàn)出諧振通帶衰減越小,通帶內(nèi)反射系數(shù)的衰減越大。
2) 隨著d1的增大,諧振頻率隨之增大。d1的大小影響諧振器中的電磁場(chǎng)模式,隨之反映出諧振頻率的變化。
3) 當(dāng)S1變大時(shí),群時(shí)延變大,群時(shí)延又與外界品質(zhì)因數(shù)正相關(guān),即抽頭越接近接地端,外界品質(zhì)因數(shù)越大。
4) 當(dāng)S1變大時(shí),諧振頻率會(huì)相應(yīng)減小,反之也成立。這說(shuō)明濾波器內(nèi)部抽頭會(huì)影響其諧振頻率,濾波器的頻率會(huì)降低。
因此,設(shè)計(jì)濾波器時(shí),應(yīng)配合相應(yīng)的盲孔直徑和抽頭與接地端的距離,適當(dāng)調(diào)節(jié)連接CPW結(jié)構(gòu)諧振器的諧振頻率,防止因盲孔和抽頭與接地端距離而導(dǎo)致頻率誤差。
本文通過(guò)組合3個(gè)SICL型諧振器,應(yīng)用耦合系數(shù)法設(shè)計(jì)了中心頻率為10 GHz,帶寬1.5 GHz的濾波器。使用HFSS仿真諧振器間的耦合系數(shù),雙諧振器的耦合方式如圖6所示,耦合系數(shù)大小通過(guò)耦合線的寬度Wk來(lái)調(diào)節(jié)。
圖6 耦合系數(shù)仿真模型
圖7為耦合系數(shù)k隨Wk變化的曲線。由圖可看出,隨著Wk的增大,耦合系數(shù)相繼增大,且k>0.08,為強(qiáng)耦合。Wk的增大不僅改變了耦合系數(shù),也相應(yīng)地改變了濾波器的反射系數(shù),圖8為反射系數(shù)隨Wk的變化曲線。由圖可看出,當(dāng)Wk增大時(shí),反射系數(shù)、諧振帶寬隨之減小,濾波器的中心頻率變大。
圖7 耦合系數(shù)隨Wk的變化曲線
圖8 反射系數(shù)隨Wk的變化曲線
圖9為三階帶通濾波器的結(jié)構(gòu)。使用HFSS軟件進(jìn)行優(yōu)化仿真,確定得到尺寸的最終值,如表1所示。
圖9 SICL型濾波器結(jié)構(gòu)圖
Sk/mmWk/mmL1/mmL2/mm10.62.41.3S1/mmw1/mmw2/mmWt1/mm10.232.730.2
SICL型濾波器占用空間為13 mm×7 mm,標(biāo)準(zhǔn)化體積為0.43λ0×0.023λ0(λ0為中心頻率在自由空間中的波長(zhǎng)),得到的曲線如圖10所示。
圖10 SICL型濾波器仿真曲線圖
由圖10可看出,SICL型濾波器的中心頻率為10 GHz,在通帶9.25~10.75 GHz內(nèi),最小插入損耗為0.8 dB,其中包括CPW結(jié)構(gòu)引起的損耗,回波損耗大于19.5 dB。
為突出SICL結(jié)構(gòu)的性能,將SICL濾波器與現(xiàn)今的主流結(jié)構(gòu)SIW型濾波器進(jìn)行對(duì)比分析,表2為SICL濾波器與SIW型濾波器的參數(shù)比較。
表2 SICL結(jié)構(gòu)與SIW結(jié)構(gòu)濾波器的參數(shù)比較
由表2可看出,與文獻(xiàn)[7-9]中SIW濾波器相比,本文SICL濾波器的插入損耗較高,帶寬寬,且標(biāo)準(zhǔn)體積較小。SIR結(jié)構(gòu)的加入,使諧振器的帶寬加寬,標(biāo)準(zhǔn)體積的改善是由于SICL諧振器的寬度尺寸由內(nèi)、外導(dǎo)體比值確定。與文獻(xiàn)[8]相比,由于SIW諧振器的窄帶寬,造成其所設(shè)計(jì)濾波器的諧振器數(shù)量增大,則尺寸相應(yīng)增大。文獻(xiàn)[9]是低頻波段SIW的應(yīng)用。由表2還可看出,若SIW濾波器面積小,同時(shí)帶寬會(huì)更小,驗(yàn)證了SIW更適合窄帶濾波器的設(shè)計(jì),SICL型濾波器適合寬帶濾波器。
本文研究了SICL諧振器的性能,設(shè)計(jì)了中心頻率為10 GHz、帶寬15%的濾波器。提出由CPW引進(jìn)激勵(lì)于SICL諧振器的方式,激勵(lì)引進(jìn)結(jié)構(gòu)中的盲孔直徑會(huì)影響諧振器的本征頻率和傳輸性能。濾波器面積為13 mm×6 mm的諧振器,可與小型螺紋連接的同軸連接器 (SMA)接口直接連接。與SIW諧振器相比,SICL結(jié)構(gòu)尺寸縮小,且還可進(jìn)一步縮小。由此可得,SICL濾波器的面積可達(dá)0.43λ0×0.023λ0,損耗僅有0.8 dB。與SIW結(jié)構(gòu)相比,SICL結(jié)構(gòu)損耗低且便于集成。本設(shè)計(jì)為SICL結(jié)構(gòu)在微波領(lǐng)域的發(fā)展提供了一定的參考價(jià)值。