葉 文 呂鑫燚 呂曉峰,2 馬 羚 孫藝靚
(1.海軍航空大學(xué) 煙臺(tái) 264001)(2.西北工業(yè)大學(xué)電子信息學(xué)院 西安 710072)
離散事件系統(tǒng)(Discrete Event System,DES)是20世紀(jì)80年代提出的一類在時(shí)間上和空間上都是離散的人造系統(tǒng)模型,該理論一經(jīng)提出便得到廣泛應(yīng)用與發(fā)展,特別是在鐵路系統(tǒng)、通訊系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等方面[1]。
由于數(shù)?;旌想娐肪邆銬ES的兩個(gè)關(guān)鍵特征[2],因而DES可被應(yīng)用于芯片級(jí)、板級(jí)電路的測(cè)試性建模與分析的研究。但是由于其測(cè)試性建模的信號(hào)流反饋環(huán)過(guò)多,因而存在故障的關(guān)聯(lián)性過(guò)多而難以有效區(qū)分的問(wèn)題,進(jìn)而造成其建模的計(jì)算復(fù)雜程度比較高,建模過(guò)程復(fù)雜的弊端。
而現(xiàn)有的測(cè)試性建模方法中,相關(guān)性模型是一種較為有效的建模方法,它考慮系統(tǒng)測(cè)試與診斷過(guò)程中的測(cè)試與部件之間的因果連接關(guān)系,并采用有向圖的形式描述這些關(guān)系,使模型不僅描述直觀,而且建模難度低[3~4]。
因此,本文針對(duì)基于DES的測(cè)試性建模過(guò)程復(fù)雜的問(wèn)題,借鑒相關(guān)性模型建模方法[5],將故障與測(cè)試相關(guān)性矩陣引入到基于DES的測(cè)試性建模中,以提高建模效率、簡(jiǎn)化建模過(guò)程,最后通過(guò)建模實(shí)例評(píng)估該測(cè)試性建模方法的效果。
基于離散事件系統(tǒng)的測(cè)試性建模主要從故障狀態(tài)與測(cè)試之間的相關(guān)關(guān)系著手,建立其相關(guān)性矩陣。由于DES理論從電路的基本故障狀態(tài)出發(fā),因此很適合于元器件級(jí)的測(cè)試性建模,其測(cè)試性模型如圖1所示。
圖1 DES測(cè)試性模型
基于DES的測(cè)試性建模中,離散事件用于描述測(cè)試結(jié)果,離散狀態(tài)用于描述元件的故障狀態(tài)。對(duì)電路G進(jìn)行測(cè)試性建模[6]如式(1)所示
其中,Σ表示電路G的全部可觀測(cè)離散事件集合;Q表示電路G的全部故障狀態(tài)集合;δ:Σ*Q→2Q為轉(zhuǎn)移函數(shù),主要描述離散事件與故障狀態(tài)間的相關(guān)關(guān)系。
基于傳統(tǒng)DES的測(cè)試性建模過(guò)程極其復(fù)雜,且針對(duì)該模型的故障診斷算法速度慢、精度低,后續(xù)測(cè)試性分析的難度也隨之提升。因此本文借鑒相關(guān)性模型建模方法,將故障與測(cè)試相關(guān)性矩陣引入到基于DES的測(cè)試性建模中,形成基于改進(jìn)DES的測(cè)試性建模方法。即通過(guò)建立故障狀態(tài)與測(cè)試事件的相關(guān)性矩陣,簡(jiǎn)化復(fù)雜的建模過(guò)程以提高建模效率,同時(shí)為后續(xù)測(cè)試優(yōu)化選擇和診斷策略分析提供有力的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。
基于改進(jìn)DES的芯片級(jí)、板級(jí)電路測(cè)試性建模流程如圖2所示。
具體的建模步驟如下:
1)分析故障信息,設(shè)置有限的故障狀態(tài)集合Q;
2)選擇可用測(cè)試集,設(shè)置有限的測(cè)試事件集合Σ;
圖2 基于改進(jìn)DES的測(cè)試性建模流程
3)通過(guò)EDA軟件對(duì)電路進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn),根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果建立有限故障狀態(tài)集Q與測(cè)試事件集Σ的驅(qū)動(dòng)關(guān)系列表,其中可觀測(cè)事件δ:Σ*Q→2Q描述了測(cè)試事件與故障狀態(tài)之間的關(guān)系;
4)建立故障-測(cè)試相關(guān)性矩陣D,為下一步測(cè)試性分析奠定基礎(chǔ)。
本節(jié)將通過(guò)2個(gè)建模實(shí)例展示具體的建模步驟,以驗(yàn)證本文方法的有效性和實(shí)用性。
實(shí)例1:以圖3所示的某濾波電路為例,該電路參 數(shù) 設(shè) 置 如 下 : R6=160Ω,C1=0.1μF,R4=R5=10Ω,R7=2R8=20KΩ,C3=2C2=20nF。圖中Ui為信號(hào)輸入端,TP1和TP2為測(cè)試節(jié)點(diǎn)。
圖3 濾波電路
第一步,對(duì)濾波電路進(jìn)行故障分析,本文以偏離標(biāo)稱值20%表示發(fā)生了參數(shù)性故障,建立故障狀態(tài)集Q={ f0,f1…,f18} ,其中,f0表示正常工作狀態(tài),f1~f18表示電路中的故障狀態(tài),具體設(shè)置如表2所示。
第二步,在Ui端輸入幅值為1.5V的方波信號(hào),取在測(cè)試點(diǎn)測(cè)得的輸出電壓為測(cè)試事件集Σ={T1,T2…,T8} ,具體設(shè)置如表1所示。
表1 濾波電路測(cè)試事件集
第三步,通過(guò)EDA軟件Pspice得到該電路的仿真測(cè)試結(jié)果如表2所示。依據(jù)故障狀態(tài) f1~f18與測(cè)試事件T1~T8的相關(guān)關(guān)系建立測(cè)試事件集與故障狀態(tài)集的驅(qū)動(dòng)關(guān)系列表。將仿真中采集的電壓值和標(biāo)準(zhǔn)電壓值相減即可得到可觀測(cè)事件集δ={t1, t2…,t16} ,其 中 t1=T1-1.642>ε,t2=T1-1.642<-ε,t3=T2-1.344>ε,t4=T2-1.344<-ε,…,t16=T8-1.328<-ε,本文取 ε=0.09V。
表2 濾波電路EDA仿真
最后,依據(jù)可觀測(cè)事件成立則矩陣中對(duì)應(yīng)元素為“1”,反之為“0”的規(guī)則,得到濾波電路的故障-測(cè)試相關(guān)性矩陣如表3所示。
表3 濾波電路的相關(guān)性矩陣
實(shí)例2:以某型導(dǎo)彈發(fā)控通道中的戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路為例,闡述應(yīng)用本文方法的建模過(guò)程,該電路的仿真圖及測(cè)點(diǎn)設(shè)置如圖4所示。
根據(jù)文中方法分步建立該電路的測(cè)試性模型。第一步,對(duì)戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路進(jìn)行故障分析,建立故障狀態(tài)集Q={ f0,f1…,f25} ,具體設(shè)置如表 4 所示。
表4 故障狀態(tài)集
圖4 戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路仿真電路圖
表5 戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路EDA仿真
第三步,通過(guò)EDA(Electronic Design Automation)軟件Pspice得到該電路的仿真測(cè)試結(jié)果如表5所示。依據(jù)此表建立測(cè)試事件集Σ與故障狀態(tài)集Q的驅(qū)動(dòng)關(guān)系列表。取仿真中采集的電壓值和標(biāo)準(zhǔn)電壓值得絕對(duì)值即可得到可觀測(cè)事件集δ={t1, t2…,t18} ,其中t1= | T1-27 |> ε,t2= | T2-0 |> ε,t3= | T3-26.866|>ε,…,t18= | T18-27|>ε,本文取ε=0.7V,即二極管的導(dǎo)通電壓[7]。
最后,依據(jù)可觀測(cè)事件成立則矩陣中對(duì)應(yīng)元素為“1”,反之為“0”的規(guī)則,得到戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路的故障-測(cè)試相關(guān)性矩陣如表6所示。
通過(guò)分析相關(guān)矩陣可得到測(cè)試性指標(biāo),為后續(xù)測(cè)試性設(shè)計(jì)中的測(cè)試優(yōu)化選擇和診斷策略設(shè)計(jì)提供理論基礎(chǔ)。
表6 戰(zhàn)術(shù)發(fā)射電路的相關(guān)性矩陣
針對(duì)現(xiàn)有基于離散事件系統(tǒng)測(cè)試性建模過(guò)程繁瑣的問(wèn)題,提出了一種改進(jìn)的測(cè)試性建模方法。該建模方法結(jié)合基于DES的測(cè)試性建模和相關(guān)性模型的優(yōu)點(diǎn),將故障-測(cè)試相關(guān)性矩陣借鑒到基于DES的測(cè)試性建模中并對(duì)其進(jìn)行改進(jìn),從而建立針對(duì)芯片級(jí)、板級(jí)電路的直觀高效測(cè)試性建模方法。最后通過(guò)建模實(shí)例驗(yàn)證了本文提出的改進(jìn)建模方法的實(shí)用性和有效性,為進(jìn)一步研究測(cè)試優(yōu)化選擇和診斷策略優(yōu)化方法提供了理論基礎(chǔ)。