存儲芯片：國內(nèi)企業(yè)尋求突破

顧鴻儒

2019年，全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行區(qū)間，市場需求波動大，走勢下滑，或?qū)⒊霈F(xiàn)2008年以來第一次超過兩位數(shù)的負增長，各大分析機構(gòu)紛紛調(diào)低2019年半導體存儲器產(chǎn)業(yè)預估。作為全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)，中國半導體產(chǎn)業(yè)增速也出現(xiàn)下降;但另一方面，受全球電子信息產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈調(diào)整的影響，中國半導體產(chǎn)業(yè)又獲得了難得的發(fā)展機遇。

中國是全球最大的電子信息產(chǎn)品制造基地，PC和手機產(chǎn)量均居全球首位。這兩種產(chǎn)品也是目前消耗存儲器最多的主流產(chǎn)品。中國互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)在建設(shè)數(shù)據(jù)中心上態(tài)度非常積極，建設(shè)了世界級的數(shù)據(jù)中心，這些都將為存儲企業(yè)打開應(yīng)用市場。

根據(jù)IC insight的預測，未來幾年中半導體領(lǐng)域增速最快的細分領(lǐng)域是存儲芯片，DRAM和NAND增速達到7.8%，比半導體整體市場高1個百分點。新勢能或?qū)哟鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)谷底回升。伴隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物眹網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，根據(jù)相關(guān)的預測，預計到2025年存儲總量要達到175ZB。

在應(yīng)用端，用戶減小了對筆記本電腦換新機的需求，未來在筆記本電腦端的存儲器空間或呈現(xiàn)負數(shù)增長。另一方面，存儲器市場出現(xiàn)兩個應(yīng)用增長點：一是服務(wù)器。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2020年服務(wù)器增長3.8%，主要帶動作用來自人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)技術(shù)，應(yīng)用逐漸向云端遷移，進一步催生服務(wù)器對存儲芯片的需求。二是5G應(yīng)用。2020年5G網(wǎng)絡(luò)商用即將快速推進，5G網(wǎng)絡(luò)智能手機將逐漸成為市場主流。2019年6月6日，工業(yè)和信息化部發(fā)布了 5G網(wǎng)絡(luò)商用牌照，經(jīng)過2019年半年的部署，5G網(wǎng)絡(luò)商用將在2020年邁出重要一步。與此同時，5G網(wǎng)絡(luò)的大帶寬、低時延、廣鏈接的特性對存儲提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應(yīng)的新要求。作為全球最大的智能手機市場，中國將成為智能手機存儲器的龍頭市場，為存儲器企業(yè)提供發(fā)展機遇。

2019年，紫光集團宣布組建紫光集團DRAM事業(yè)群，正式進軍DRAM領(lǐng)域。長江存儲量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存。長鑫存儲DRAM內(nèi)存芯片宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。

在全球存儲器市場上，中國存儲器廠商幾乎都是“新進者”，取得成績十分不易。中國存儲產(chǎn)業(yè)仍需要持續(xù)加強技術(shù)研發(fā)，推動存儲產(chǎn)業(yè)水平提升。在存儲芯片、軟件定義存儲、超融合、數(shù)據(jù)保護等存儲領(lǐng)域，積極創(chuàng)新，不斷突破，打造龍頭企業(yè)。通過龍頭企業(yè)，推動我國存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平持續(xù)提升。積極推動存儲產(chǎn)業(yè)的標準化工作，建立完善的存儲標準體系。根據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢，以重點技術(shù)領(lǐng)域為支撐，制定完善存儲領(lǐng)域的技術(shù)標準體系，參與存儲領(lǐng)域國際標準制定工作，組織企業(yè)積極參與國際標準化活動，加強國際技術(shù)合作。

專家觀點

中國科學院院士劉明：發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)模式和創(chuàng)新缺一不可

中國要實行創(chuàng)新驅(qū)動的發(fā)展戰(zhàn)略，必須要有芯片的支撐。存儲器市場巨大，中國是存儲器的消費大國，但是目前中國的閃存基本依賴于進口。因此，存儲器是中國必須發(fā)展的領(lǐng)域。全球DRAM和閃存有壟斷化現(xiàn)象，三星、美光等占據(jù)了 95%的DRAM市場份額。中國的存儲產(chǎn)業(yè)剛剛起步，未來還需要投入很多力量。

存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展商業(yè)模式創(chuàng)新和技術(shù)創(chuàng)新缺一不可。半導體是全球化的產(chǎn)業(yè)，一定要在國際合作共贏的模式下發(fā)展。同時，企業(yè)要關(guān)注共性技術(shù)和原創(chuàng)技術(shù)的開發(fā)。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京：在創(chuàng)新環(huán)境和模式下打造存儲生態(tài)

閃存是半導體技術(shù)發(fā)展最快的領(lǐng)域之一。現(xiàn)階段，每平方毫米存儲密度已經(jīng)超過8GB。這是非常喜人的成就，也為未來發(fā)展創(chuàng)造了新的空間。3D NAND繼續(xù)往上堆疊的技術(shù)空間仍然很大，這開辟了非常廣闊的新技術(shù)空間。存儲產(chǎn)業(yè)的進步，給信息技術(shù)的發(fā)展提供了新的動力。5G、AI、云計算、大數(shù)據(jù)對存儲提出了更高的要求。以AI深度學習為例，云計算大數(shù)據(jù)的發(fā)展受到CPU與存儲器數(shù)據(jù)交換的帶寬限制，大量的數(shù)據(jù)交換對系統(tǒng)延遲提出更高要求，需要探索新的技術(shù)，打破原有瓶頸。

人類對數(shù)據(jù)存儲要求是無止境的。市場的需求一定會反應(yīng)到底層技術(shù)，也給我們帶來新的機會。在這種創(chuàng)新環(huán)境和模式下，更需要我們打造存儲生態(tài)。

得一微電子總經(jīng)理吳大畏：發(fā)展存儲控制芯片是一場耐力賽

存儲控制芯片產(chǎn)業(yè)存在馬太定律，即越領(lǐng)先越快支持新介質(zhì)，越容易獲得市場;NFL定律，即問題分散，主控公司容易在局部領(lǐng)先，很難全面超越。

存儲控制芯片發(fā)展是一場耐力賽，沒有彎道超車的機會，因為發(fā)展路線清晰。在存儲控制芯片領(lǐng)域選擇跟隨這種策略是一個很務(wù)實的選擇，因為其產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本完成了整合。跟隨的意思是存量替代，減少了市場風險，但是注定艱難。實現(xiàn)引領(lǐng)的快慢與對生態(tài)系統(tǒng)整體成熟依賴度正相關(guān)。實現(xiàn)引領(lǐng)快的領(lǐng)域，是非技術(shù)因素更可發(fā)揮作用的領(lǐng)域;實現(xiàn)慢的，往往是非技術(shù)因素難以主導的領(lǐng)域。