屈婧婧,魏 星,馬 莉,劉 飛,袁昌來
(1.桂林航天工業(yè)學(xué)院科技處,廣西桂林 541004;2.桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,廣西桂林 541004;3.桂林航天工業(yè)學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程學(xué)院,廣西桂林 541004;4.桂林電子科技大學(xué)廣西信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣西桂林 541004)
近年來,微波介質(zhì)材料作為高頻通信系統(tǒng)中不可或缺的微波器件基礎(chǔ)材料,已廣泛應(yīng)用于例如汽車電話、個(gè)人便攜式移動(dòng)電話、微波醫(yī)用診斷儀、衛(wèi)星直播電視等民用產(chǎn)品[1-2]。在微波介質(zhì)材料中,微波陶瓷具有介電性能可調(diào)范圍寬的特點(diǎn),因此應(yīng)用也最為廣泛;尤其是ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的陶瓷材料,其具有豐富的物理化學(xué)性質(zhì),可通過A、B位離子取代或者A/B位離子協(xié)同取代來改性陶瓷基體的微波介電性能,從而滿足現(xiàn)代移動(dòng)通訊設(shè)備不斷更新的各類要求。根據(jù)電介質(zhì)相關(guān)理論可知,微波介質(zhì)陶瓷元器件的尺寸與其相對(duì)介電常數(shù)(εr)的平方根成反比,所以εr越大越有利于陶瓷片的小型化。而含有稀土元素的A/B位復(fù)合鈣鈦礦陶瓷材料通常具有相對(duì)介電常數(shù)較高(εr>40)、介電損耗(1/Q)低和諧振頻率溫度系數(shù)(τf)小等特點(diǎn)[3-5],因而被視為一類可實(shí)現(xiàn)微波元器件片式化、微型化且環(huán)保的實(shí)用新型微波介質(zhì)材料。然而,這類陶瓷材料由于稀土元素的物理特性,一般情況下具有較高的燒結(jié)溫度,需要通過添加燒結(jié)助劑來使其燒結(jié)溫度降低,進(jìn)而滿足生產(chǎn)中對(duì)于高性價(jià)比的實(shí)際要求。
本課題組通過前期的研究工作可知,Sr0.24La0.18Na0.18Nd0.4Ti0.6Al0.4O3(SLNNTA)陶瓷在1520~1620℃燒結(jié)4 h可獲得的微波介電性能為:εr≈42.4 ~45.2、Q·f≈17300 ~38000 GHz和τf≈(-0.7~+1.2)×10-6℃-1[6];在此燒結(jié)溫度區(qū)間內(nèi),該陶瓷體系均形成了單一的立方結(jié)構(gòu)鈣鈦礦相,且在1580℃燒結(jié)時(shí)所得樣品的致密程度最高。但正如前文所述,該純SLNNTA陶瓷的致密化燒結(jié)溫度過高,不利于低成本生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化要求。而加入合適的燒結(jié)助劑是降低燒結(jié)溫度的有效途徑,其中常用的低熔點(diǎn)添加劑有復(fù)合助燒劑Li2O-B2O3-SiO2(LBS)、 ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)等[7-8]。 另一方面,值得關(guān)注的是:SLNNTA體系A(chǔ)位已含有Sr2+、La3+、Na+和 Nd3+,有學(xué)者提出且驗(yàn)證了當(dāng)ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)同一位置的陽(yáng)離子數(shù)目多于5個(gè)時(shí),設(shè)計(jì)出再好的品質(zhì)材料組合都難以提高品質(zhì)因數(shù),反而還會(huì)惡化復(fù)合體系的微波介電性能[9]。若采用氧化物聯(lián)合摻雜,勢(shì)必會(huì)大幅降低SLNNTA體系的介電性能;因此本工作主要研究分析單一低熔點(diǎn)氧化物L(fēng)i2O摻雜對(duì)SLNNTA陶瓷(SLNNTA-xLi2O,x=1.0%,2.0%,4.0,8.0%,質(zhì)量分?jǐn)?shù))燒結(jié)行為與介電性能的影響關(guān)系,冀望對(duì)今后可實(shí)用化稀土鈣鈦礦陶瓷材料的開發(fā)與探索提供借鑒作用。
實(shí)驗(yàn)所用原料采用純度大于99.0%的Nd2O3、La2O3、 SrCO3、 Na2CO3、 Al2O3、 TiO2和 Li2CO3;按Sr0.24La0.18Na0.18Nd0.4Ti0.6Al0.4O3(SLNNTA)化學(xué)方程式配比,將所得粉料在尼龍罐中以ZrO2球作為球磨介質(zhì),加去離子水球磨24 h,料、球、水的質(zhì)量比為1∶2∶1,出料,烘干,過100目篩(150 μm孔徑),得到SLNNTA粉料。以SLNNTA為原料,在SLNNTA粉體中分別摻雜不同比例的Li2O粉料,體系簡(jiǎn)寫為SLNNTA-xLi2O(質(zhì)量分?jǐn)?shù)x=1.0%,2.0%,4.0%,8.0%,分別代表SLNNTA與Li2O的質(zhì)量比為100∶1,100∶2,100∶4,100∶8)。將混合粉料重復(fù)球磨、烘干等步驟后在1100℃下預(yù)燒2 h,將煅燒成塊狀的粉料破碎,經(jīng)研磨后過200目篩(75 μm孔徑),加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的PVA,烘干后的粉料在180 MPa下壓制成直徑為11.5 mm,高度約為5.5 mm的圓柱樣品;所得樣品瓷料在1320~1480℃下進(jìn)行燒結(jié)4 h后隨爐冷卻。
采用 X 射線衍射儀(XRD,Bruker-D8Advance)對(duì)燒結(jié)后的樣品進(jìn)行物相分析;樣品的顯微形貌觀察采用JEOL-JSM-5600LV型掃描電鏡(SEM);燒結(jié)樣品的體積密度由幾何法測(cè)得;微波頻率下的介電性能采用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(Agilent-N5230A)測(cè)試:相對(duì)介電常數(shù)(εr)測(cè)量采用平行板介質(zhì)諧振器法,品質(zhì)因數(shù)(Q·f)的測(cè)量采用閉腔介質(zhì)諧振器法[10],而諧振頻率溫度系數(shù)(τf)由公式(1)進(jìn)行計(jì)算[11]:
式中:f75和f25分別為樣品在75℃和25℃下測(cè)得的諧振頻率。
圖1顯示了不同含量Li2O摻雜SLNNTA陶瓷在1400℃燒結(jié)4 h的XRD譜。如圖所示,當(dāng)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.0%≤x≤4.0%時(shí),樣品XRD譜顯示的主衍射峰為(110)晶面,且其余峰位也均對(duì)應(yīng)立方晶系的鈣鈦礦相(Nd0.5Na0.5TiO3,PDF#39-0880),空間群為Pm-3m(221);這一結(jié)果說明,低于質(zhì)量分?jǐn)?shù)4.0%的Li2O摻雜對(duì)SLNNTA陶瓷相成分及結(jié)構(gòu)沒有影響,仍然可形成鈣鈦礦固溶體,低含量Li2O添加可作為SLNNTA陶瓷的燒結(jié)助劑。然而,當(dāng)摻雜量增加至8.0%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),樣品XRD譜除立方主晶相外,還出現(xiàn)了第二相的衍射峰,經(jīng)PDF卡片對(duì)比,未能準(zhǔn)確判定其物相。造成這一現(xiàn)象的原因是,當(dāng)Li+添加量進(jìn)一步提升時(shí),其替換A位離子進(jìn)入主晶格的數(shù)量也隨之增加,而Li+在高溫?zé)Y(jié)下,有一定的揮發(fā)性,這勢(shì)必會(huì)引起陽(yáng)離子短缺而形成晶格缺陷,而造成少許A位離子表現(xiàn)為游離態(tài)形式,故導(dǎo)致第二相衍射峰的出現(xiàn)。
圖1 1400℃燒結(jié)4 h的SLNNTA-xLi2O(x=1.0%,2.0%,4.0%,8.0%)陶瓷的XRD譜Fig.1 XRD patterns of SLNNTA ceramics sintered at 1400℃for 4 h with different amounts of Li2O
圖2為1400℃燒結(jié)不同含量Li2O摻雜SLNNTA陶瓷的背散射與能譜(EDS)的圖像。圖2(a)~(d)中樣品對(duì)應(yīng)的含量分別為:x=1.0%,2.0%,4.0%和8.0%,而圖2(e)、(f)、(g)和(h)依次分別為圖2(a)~(d)樣品的EDS面掃描圖像??梢钥闯?,在背散射圖像中,樣品的氣孔率更為明顯;當(dāng)燒結(jié)溫度固定為1400℃時(shí),Li2O摻雜量為x=1.0%時(shí),可觀測(cè)到大量氣孔,隨著摻雜量增至2.0%,陶瓷致密度大幅提高,氣孔率減小,晶粒尺寸也更為均勻。當(dāng)x值進(jìn)一步增加至4.0%~8.0%時(shí),晶粒尺寸逐漸增大;以上結(jié)果也說明了摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2.0%的Li2O即可起到助燒效果,可將SLNNTA陶瓷的致密化燒結(jié)溫度從1580℃降低至1400℃。圖2(a)~(d)中并沒有發(fā)現(xiàn)顏色明暗程度差異較大的晶粒,也說明在摻雜量為8.0%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),體系并未出現(xiàn)明顯的第二相,與XRD測(cè)試結(jié)果不符,這是由于第二相含量相對(duì)較少,或者極有可能為離子游離態(tài),且偏析晶粒較集中在某一區(qū)域所致。此外,利用EDS對(duì)不同含量Li2O摻雜SLNNTA陶瓷的元素組成進(jìn)行了測(cè)試,以闡明Li2O的燒結(jié)機(jī)理。其中,面掃描所得原子百分比如表1所示。可以看出,陶瓷中所含元素的主要成分相同但并未含有Li元素,這是因?yàn)長(zhǎng)i元素的原子序數(shù)小(輕元素)且有一定的揮發(fā)性,并不滿足軌道量子數(shù)的變化要求,故不能有效鑒別試樣中Li元素的變化,但可從其他元素的改變來判斷助燒機(jī)理。在同一燒結(jié)溫度下,隨著Li2O摻雜量的增加,Na元素含量逐漸減小,該結(jié)果也證實(shí)了,Li+更傾向于取代SLNNTA陶瓷中同等價(jià)態(tài)的Na+,在摻雜量較小時(shí)形成了固溶體體系,與XRD分析結(jié)果一致;結(jié)合背散射圖片分析,在燒結(jié)過程中并未產(chǎn)生液相,所以Li2O的燒結(jié)機(jī)理應(yīng)為,Li+的揮發(fā)致使陽(yáng)離子空位濃度逐漸增加,更易于基體擴(kuò)散,促使燒結(jié)速度加快及致密化燒結(jié)溫度降低。
表1 1400℃燒結(jié)4 h不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)Li2O摻雜SLNNTA陶瓷的EDS測(cè)試結(jié)果Tab.1 EDS results of SLNNTA-xLi2O(x=1.0%,2.0%,4.0%,8.0%)ceramics sintered at 1400℃for 4 h
不同溫度燒結(jié)4 h的SLNNTA陶瓷體積密度與Li2O摻雜量的關(guān)系如圖3所示。由圖可知,除摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4.0%的個(gè)別溫度點(diǎn)外,對(duì)于其余相同摻雜組分,隨燒結(jié)溫度增加,樣品的密度迅速增加,直至達(dá)到致密化(最大值)后又稍有降低。而對(duì)于同一燒結(jié)溫度,不同摻雜量對(duì)體積密度的影響并沒有明顯的規(guī)律可循。造成這一現(xiàn)象的原因是,Li元素本身具有揮發(fā)性,所以導(dǎo)致體積密度隨燒結(jié)溫度的變化趨勢(shì)出現(xiàn)不確定性。
圖2 1400℃燒結(jié)4 h的SLNNTA-xLi2O陶瓷的背散射照片 (a~d)與EDS測(cè)試結(jié)果 (e~h)Fig.2 Back-scattered electron images(a-d)and EDS results(e-h)of the SLNNTA-xLi2O specimens sintered at 1400℃for 4 h
圖3 不同溫度燒結(jié)4 h的SLNNTA陶瓷體積密度與Li2O摻雜量的關(guān)系Fig.3 Density of the SLNNTA-xLi2O ceramics as a function of sintering temperature
Li2O摻雜對(duì)SLNNTA陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)(εr)和品質(zhì)因數(shù)(Q·f)隨燒結(jié)溫度的影響關(guān)系如圖4所示。由圖4(a)可知,εr和體積密度(圖3)隨燒結(jié)溫度的變化趨勢(shì)相似,最大相對(duì)介電常數(shù)的獲得基本都是發(fā)生在最大燒結(jié)致密度處。此外,經(jīng)Li2O摻雜后,體系的εr與未摻雜的SLNNTA陶瓷(εr=45.2)相比,變化不明顯,εr的數(shù)值均在40左右波動(dòng),因此,單一氧化物L(fēng)i2O燒結(jié)助劑對(duì)復(fù)合Sr基稀土鈣鈦礦陶瓷材料相對(duì)介電常數(shù)的影響程度較小。另一方面,如圖4(b)所示,隨著摻雜量的增加,體系Q·f值降低趨勢(shì)明顯,尤其當(dāng)摻雜量為4.0%~8.0%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí),降幅陡增。導(dǎo)致這一結(jié)果的原因較多,與前期的研究類似[13],第二相的出現(xiàn)、致密程度的下降以及摻雜所引起晶格缺陷和空位數(shù)量的增加等都會(huì)在一定程度上惡化品質(zhì)因數(shù),致使介電損耗增加。如前文所述,除致密度外,隨著Li2O摻雜量的增加,空位濃度、晶格缺陷都隨之加大,且在x=8.0%時(shí)體系還析出了未知相,這些因素均導(dǎo)致Q·f值降低,并隨著摻雜量的增加降幅加劇。
圖4 不同溫度燒結(jié)4 h的SLNNTA陶瓷(a)εr和(b)Q·f與Li2O摻雜量的關(guān)系Fig.4 εr(a)and Q·f value(b)of the SLNNTA-xLi2O ceramics as a function of sintering temperature
Li2O摻雜量對(duì)1400℃燒結(jié)4 h的SLNNTA陶瓷諧振頻率溫度系數(shù)(τf)的影響如圖5所示??梢钥闯觯S著Li2O摻雜量的增加,體系τf值幾乎線性增加,從x=1.0%時(shí)的8.6×10-6℃-1增加至x=8.0%時(shí)的45.7×10-6℃-1。造成τf值逐漸向正值方向移動(dòng)的原因主要有兩方面:一是離子半徑較小的Li+(相對(duì)于Sr2+、La3+、Na+和Nd3+)進(jìn)入主晶格A位后,致使A位離子的活動(dòng)空間變大,增加了溫度所帶來的熱效應(yīng)[14-15];另一原因是Li+具有一定的揮發(fā)性,這勢(shì)必引起陽(yáng)離子空位的產(chǎn)生,晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性降低,Li+替代量越大,揮發(fā)的數(shù)量也越多,熱效應(yīng)對(duì)其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的影響也隨之加劇,因而使τf值逐漸增加。
本文詳細(xì)分析了Li2O摻雜對(duì)SLNNTA陶瓷的燒結(jié)行為、晶體結(jié)構(gòu)、顯微形貌及微波介電性能的影響關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn)Li2O摻雜量為2.0%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時(shí)助燒效果最好,在保持較高相對(duì)介電常數(shù)(εr)的同時(shí),并沒有大幅惡化基體的品質(zhì)因數(shù)(Q·f)與諧振頻率溫度系數(shù)(τf);并將SLNNTA陶瓷的燒結(jié)溫度從1580℃降低至1400℃。然而,當(dāng)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)增加至4.0%以上時(shí),體系介電損耗增加明顯,這主要是由于Li+的摻雜量和揮發(fā)性所致。對(duì)于溫度系數(shù),Li2O摻雜量增加,τf值逐漸向正值方向移動(dòng),造成這一結(jié)果的原因主要是由于離子取代造成了A位離子移動(dòng)空間增加,熱效應(yīng)的影響程度加劇,晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性降低等所致。此外,綜合Li2O摻雜對(duì)SLNNTA陶瓷微波介電性能的影響可以發(fā)現(xiàn),燒結(jié)助劑摻量和燒結(jié)工藝等對(duì)陶瓷基體的燒結(jié)特性和性能有決定性作用,因此今后應(yīng)深入地研究摻雜其他單一氧化物(如 V2O5、Bi2O3和Sb2O3等)燒結(jié)助劑對(duì)SLNNTA鈣鈦礦基體的低溫?zé)Y(jié)機(jī)理,以期獲得燒結(jié)工藝和性能的共同改善。
圖5 SLNNTA陶瓷(1400℃/4 h)的τf值隨Li2O摻雜量(x)的變化關(guān)系Fig.5 τfvalue of SLNNTA-xLi2O ceramics sintered at 1400℃for 4 h as a functions of x value