(昭通學(xué)院物理與信息工程學(xué)院,云南昭通 657000)
揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)廣泛存在于石油化工、室內(nèi)裝修以及各工業(yè)生產(chǎn)車間,它們來(lái)源廣泛,不僅污染環(huán)境,也對(duì)人體的健康造成巨大的威脅,對(duì)有毒有害VOCs氣體的精確檢測(cè)尤為重要。SnO2作為一種重要的無(wú)機(jī)氣敏材料,已廣泛應(yīng)用于氣體傳感器。但傳統(tǒng)的、單一的SnO2氣敏材料因選擇性差、靈敏度低和工作溫度高而限制了其應(yīng)用。為進(jìn)一步提高材料的物理化學(xué)性能,納米化和摻雜成為了國(guó)內(nèi)外研究熱點(diǎn)。對(duì)SnO2進(jìn)行摻雜提高氣敏性能的報(bào)道很多[1-5],結(jié)果均表明摻雜后材料具有較好的靈敏度[6]、選擇性[7]、重復(fù)性[8]、穩(wěn)定性[1]或響應(yīng)-恢復(fù)特性[9]等。對(duì)SnO2進(jìn)行稀土Ce摻雜提高氣敏性能的研究已見(jiàn)報(bào)道,Lian等[10]對(duì)納米SnO2顆粒進(jìn)行稀土Ce摻雜并研究了其對(duì)丙酮的氣敏性能,研究結(jié)果表明,質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%Ce摻雜SnO2具有高的比表面積,高靈敏度 (270℃工作溫度下,對(duì)體積分?jǐn)?shù)為50×10-6的丙酮?dú)怏w,靈敏度高達(dá)50.5)以及好的穩(wěn)定性和重復(fù)性。Jiang等[11]對(duì)SnO2薄膜進(jìn)行稀土Ce摻雜,結(jié)果表明,其對(duì)丁酮具有好的選擇性和靈敏度,摻雜能夠降低材料對(duì)丁酮?dú)怏w的最佳工作溫度,摻雜前為270℃,摻雜后是210℃。Qu等[12]合成了珊瑚狀的SnO2,通過(guò)稀土Ce摻雜,材料對(duì)甲苯氣體具有高的靈敏度、選擇性和穩(wěn)定性,將元件放置兩個(gè)月后,材料對(duì)氣體的靈敏度依然與之前的測(cè)試結(jié)果相似。
SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)除具有一般納米材料的性質(zhì)外,它還具有較大的比表面積和特別的空間孔道,比單一構(gòu)成單元具有更加優(yōu)異的性能。已報(bào)道的SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)有很多[13],但均要在一定的基底[14]、模板[15]、表面活性劑(如CTAB[16]、尿素[17]等)或堿性溶液[18]中才能合成,合成工藝相對(duì)冗長(zhǎng)而繁雜。
綜上可知,通過(guò)摻雜或優(yōu)化材料的微觀結(jié)構(gòu)可以提高SnO2氣敏材料的氣敏性能。分級(jí)結(jié)構(gòu)比單一構(gòu)成單元具有更加優(yōu)異的性能,并且稀土Ce摻雜能提高材料對(duì)氣體的氣敏性能,因此本文介紹一種不需要基底模板、不需使用活性劑或其他溶劑,成功合成新穎結(jié)構(gòu)的花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu),并對(duì)它進(jìn)行稀土Ce摻雜研究其氣敏性能。
錫酸鈉(Na2SnO3·4H2O),中國(guó)醫(yī)藥上海化學(xué)試劑有限公司;無(wú)水乙醇(C2H5OH),安特食品股份有限公司;七水氯化鈰(CeCl3·7H2O),麗港稀土實(shí)業(yè)有限公司。以上均為分析純,蒸餾水由實(shí)驗(yàn)室制得。
采用X射線衍射儀(D/MAX-3B型銅靶,日本Rigaku公司)作物相分析,掃描電子顯微鏡(Quanta 200 FEG,F(xiàn)EI公司)作樣品形貌分析,能量分散X射線譜 (EDX,荷蘭FEI公司)作元素成分分析。采用氣敏元件老化臺(tái)(長(zhǎng)征無(wú)線電廠)進(jìn)行元件老化,氣敏傳感器測(cè)試儀(貴研金峰科技有限公司)通過(guò)靜態(tài)配氣法進(jìn)行氣敏性能測(cè)試。
1.3.1 SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)的合成
用電子天平稱取0.667 g四水錫酸鈉(Na2SnO3·4H2O)分析純?nèi)芙庠?0 mL的蒸餾水中攪拌0.5 h后把溶液轉(zhuǎn)移到100 mL高壓釜內(nèi)襯中,往其中加入60 mL無(wú)水乙醇,用手緩慢進(jìn)行搖勻,將內(nèi)釜蓋好裝入高壓釜,并將其放入210℃的烘箱中保溫48 h,經(jīng)過(guò)洗滌干燥后即可獲得未摻雜產(chǎn)物。
1.3.2 Ce摻雜SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)的合成
用電子天平稱取0.667 g四水錫酸鈉(Na2SnO3·4H2O)分析純?nèi)芙庠?0 mL的蒸餾水中攪拌0.5 h使錫酸鈉分散均勻,用氯化鈰(CeCl3·7H2O)配置含稀土元素Ce的溶液,稀土元素Ce與錫的摩爾比為3∶100;將配置好的稀土元素溶液加入到已經(jīng)分散均勻的錫酸鈉溶液中并繼續(xù)加入蒸餾水共配成20 mL混合溶液,磁力攪拌1 h后加入60 mL無(wú)水乙醇搖勻,將內(nèi)釜放入210℃的烘箱中保溫48 h,經(jīng)過(guò)洗滌干燥后即可獲得產(chǎn)物。
1.3.3 花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)器件的制備
元件的制作過(guò)程主要分為涂管、燒結(jié)、焊接和老化與測(cè)試四個(gè)步驟。將所制備的樣品與乙醇溶液混合研磨30 min左右調(diào)成糊狀,采用旋轉(zhuǎn)涂敷法均勻涂于氧化鋁陶瓷管上,且樣品要全部覆蓋住電極;將制備好的樣品放在陶瓷舟中陰干后放入燒結(jié)爐中500℃燒結(jié)1 h;將上述樣品制成燒結(jié)型旁熱式結(jié)構(gòu),并在300℃左右的工作環(huán)境下老化2周;將老化后的元件接入測(cè)量電路中,用氣敏傳感器測(cè)試儀(貴研金峰科技有限公司)通過(guò)靜態(tài)配氣法進(jìn)行氣敏性能測(cè)試。通過(guò)測(cè)試元件在空氣中的電阻Ra和在特定氣氛中的電阻Rg來(lái)計(jì)算其靈敏度β(β=Ra/Rg)。氣敏元件在吸附和脫附過(guò)程中達(dá)到總電阻變化的90%所需要的時(shí)間分別定義為響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間。
圖1為未摻雜與摻雜量為原子分?jǐn)?shù)3%稀土Ce(簡(jiǎn)稱3%Ce)摻雜合成的SnO2的XRD圖譜,由圖可知,摻雜前后的反射峰均特別尖銳,說(shuō)明所合成的SnO2結(jié)晶性好。主要衍射峰均符合金紅石結(jié)構(gòu)SnO2(JCPDS卡號(hào):77-0447),且出現(xiàn)了新相Ce5Sn4,(111)峰發(fā)生移動(dòng),(101)峰、(200)峰、(002)峰等峰變寬,說(shuō)明 Ce溶于SnO2的金紅石結(jié)構(gòu)之中,阻止了 SnO2晶粒的生長(zhǎng)[19]。Ce的摻入,SnO2逐漸達(dá)到飽和,多余的Ce原子和SnO2形成了新相Ce5Sn4峰。采用謝樂(lè)公式計(jì)算摻雜前后合成晶粒的大小,未摻雜樣品的平均晶粒大小為15.67 nm,3%Ce摻雜 SnO2的平均晶粒大小為15.01 nm,從計(jì)算結(jié)果可以看出,摻雜Ce的樣品,晶粒大小相對(duì)減小,說(shuō)明稀土Ce的摻雜,一定程度抑制了SnO2晶粒的生長(zhǎng)。
圖1 花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of flower-like SnO2hierarchical structure
圖2為3%Ce摻雜的SnO2樣品的X射線圖譜,由圖可知,樣品的表面化學(xué)成分除了有Sn、O兩種元素之外,還有稀土元素Ce,由檢測(cè)結(jié)果可知,Ce的原子百分?jǐn)?shù)為2.61%,屬于實(shí)驗(yàn)誤差內(nèi),再次說(shuō)明稀土元素Ce已摻入到花狀分級(jí)結(jié)構(gòu)當(dāng)中。
筆者所在課題組在前期的工作中,已采用超聲輔助水熱的方法合成了花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)[20],如圖3(a)所示,從圖中可以看出,經(jīng)過(guò)超聲處理的SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)由納米棒陣列組合而成。本文未經(jīng)超聲處理,只需一步就水熱合成花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu),如圖3(b)所示,從圖中可以看出,未經(jīng)過(guò)超聲處理就能合成花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu),組成花狀結(jié)構(gòu)的納米棒相對(duì)稀疏與殘缺,略微參差不齊。對(duì)SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)進(jìn)行3%Ce摻雜,摻雜后的SEM結(jié)構(gòu)圖如圖3(c)所示,從中可以看出納米花中的納米棒陣列局部受到破壞,對(duì)其表面進(jìn)行放大如圖3(d)所示,納米花表面主要由一些殘缺短小的納米棒組合而成。由此可知,稀土Ce摻雜后對(duì)SnO2形貌沒(méi)有特別大的改變,合成的材料依然是花狀分級(jí)結(jié)構(gòu),相比未摻雜材料,稀土Ce摻雜從一定程度上抑制了納米棒的生長(zhǎng)。
圖2 SnO2摻雜Ce的EDX圖譜Fig.2 EDX pattern of SnO2doped by Ce
乙醇、異丙醇、甲醇、甲醛、丙酮、苯是常見(jiàn)的揮發(fā)性有機(jī)化合物。圖4為Ce摻雜量為原子分?jǐn)?shù)0,3%的元件對(duì)不同氣體的靈敏度。在4.5 V加熱電壓下對(duì)體積分?jǐn)?shù)為200×10-6的不同氣體進(jìn)行測(cè)試,被測(cè)試的氣體包括:甲醇、乙醇、異丙醇、甲醛、丙酮、苯、甲苯、二甲苯、氨水、93#汽油。從圖中可以看出,元件對(duì)甲醇、乙醇、異丙醇、甲醛、丙酮靈敏度較高。摻雜Ce的元件對(duì)甲醇、異丙醇、甲醛的靈敏度均比未摻雜的樣品靈敏度高。
圖3 SnO2的SEM:(a)超聲分散;(b)未超聲分散;(c)3%Ce摻雜低倍;(d)3%Ce摻雜高倍Fig.3 SEM images of SnO2:(a)dispersed by ultrasonic;(b)without dispersing with ultrasonic;(c)3%Ce doped SnO2at low magnification;(d)3%Ce doped SnO2at high magnification
圖4 元件對(duì)不同氣體的靈敏度(工作電壓U=4.5 V,氣體濃度C=200×10-6)Fig.4 Sensitivities of sensors to different gases(U=4.5 V, C=200×10-6)
由圖4可以看出,對(duì)于部分氣體,摻雜后氣敏性能比未摻雜樣品略低,這與工作電壓有一定的關(guān)系。圖5為Ce摻雜前后元件的靈敏度與工作電壓的關(guān)系。分別測(cè)試體積分?jǐn)?shù)為200×10-6乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇和甲醛的最佳工作電壓。由圖可知,摻雜后的元件,對(duì)乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇和甲醛的最佳工作電壓均為4 V,但未摻雜的元件對(duì)其的最佳電壓均為4.5 V,因此圖4中未摻雜樣品對(duì)部分氣體的靈敏度比摻雜樣品的靈敏度略高。圖5說(shuō)明3%Ce摻雜有利于降低元件對(duì)有機(jī)揮發(fā)性氣體乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇和甲醛的工作電壓,有利于降低能耗。當(dāng)SnO2摻入Ce3+后,由于Ce3+和Sn4+的半徑分別為0.097 nm和0.071 nm,Ce3+半徑比 Sn4+的大,很難形成填隙式固溶體,Ce3+在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中取代Sn4+進(jìn)入SnO2中形成替位式固溶體,從而提高SnO2表面的氧空位濃度。因此,SnO2摻雜Ce后,材料表面產(chǎn)生更多的吸附氧離子,與還原性分子反應(yīng)速度加快,導(dǎo)致電路中載流子濃度增大,從而提高Ce摻雜SnO2元件的氣敏性能,降低最佳工作電壓。
圖6為Ce摻雜前后元件的靈敏度與氣體濃度的關(guān)系曲線,工作電壓U=4.5 V,體積分?jǐn)?shù)分別為1×10-6, 10×10-6, 50×10-6, 100×10-6, 200×10-6,500×10-6, 800×10-6, 1000×10-6。 由圖可知, 隨著氣體濃度的增加,元件對(duì)異丙醇、丙酮和甲醇的靈敏度都呈上升趨勢(shì),且都未出現(xiàn)飽和狀態(tài),還可以看出,對(duì)于較低濃度氣體,氣體體積分?jǐn)?shù)低于100×10-6時(shí),3%Ce摻雜后的元件比未摻雜的樣品的靈敏度低,從圖1的XRD圖譜中可以看出摻雜后(002)峰顯著減弱,而(002)峰是納米陣列結(jié)構(gòu)的特征峰,Ce摻雜可能抑制了納米棒陣列的生長(zhǎng),在較低濃度時(shí),未摻雜樣品因有較好的陣列結(jié)構(gòu),較大的比表面積而暫且表現(xiàn)出相對(duì)優(yōu)越的靈敏度,隨著檢測(cè)氣體濃度的增加,稀土Ce摻雜引起合成材料中存在晶體缺陷,這些缺陷的存在將提供更多的活性位點(diǎn),提高了氧吸附能力的容量,因而比未摻雜樣品表現(xiàn)出更好的靈敏度。
圖5 氣敏性能與加熱電壓的關(guān)系Fig.5 The relationship between sensitivities and heating voltage
圖6 元件對(duì)不同濃度氣體的靈敏度Fig.6 Relationship between sensitivity and gas concentration
從圖5可以看出,稀土Ce摻雜后,最佳工作電壓U=4 V時(shí),元件摻雜與否對(duì)乙醇和甲醛的靈敏度影響較大,因此在最佳工作電壓時(shí),單獨(dú)測(cè)試乙醇和甲醛靈敏度隨氣體濃度變化的響應(yīng)恢復(fù)曲線,如圖7所示,從圖中可以看出,最佳工作電壓U=4 V時(shí),元件對(duì)乙醇和甲醛表現(xiàn)出特別好的靈敏度,隨著氣體濃度的逐漸增大,靈敏度極大地提高,對(duì)體積分?jǐn)?shù)為1000×10-6的乙醇和甲醛,靈敏度分別高達(dá)450和250左右。最佳工作電壓U=4 V,體積分?jǐn)?shù)為200×10-6的乙醇和甲醛響應(yīng)恢復(fù)曲線如圖7(C)所示,乙醇的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為10 s/9 s,靈敏度約為100;甲醛的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為15 s/10 s,靈敏度約為75。
圖7 元件對(duì)氣體的響應(yīng)-恢復(fù)曲線Fig.7 Response and reversion curves of sensor to gas
最佳工作電壓下檢測(cè)乙醇和甲醛響應(yīng)恢復(fù)性,在4.5 V工作電壓下,檢測(cè)了Ce摻雜前后元件對(duì)體積分?jǐn)?shù)為100×10-6異丙醇、丙酮和甲醇的響應(yīng)-恢復(fù)曲線,如圖8所示,圖8(A)為元件對(duì)異丙醇的響應(yīng)恢復(fù)圖,3%Ce摻雜響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為3 s/7 s,未摻雜樣品的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為10 s/13 s;圖8(B)為元件對(duì)丙酮的響應(yīng)恢復(fù)圖,3%Ce摻雜,響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為5 s/5 s,未摻雜樣品的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為5 s/7 s;圖8(C)為元件對(duì)的甲醇的響應(yīng)恢復(fù)圖,3%Ce摻雜,響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為5 s/3 s,未摻雜樣品的響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間為13 s/5 s。從圖6可以看出,對(duì)于較低濃度氣體,氣體體積分?jǐn)?shù)低于100×10-6時(shí),3%Ce摻雜后的元件比未摻雜樣品的靈敏度低,但從圖8的響應(yīng)恢復(fù)曲線可以看出:摻雜后的樣品響應(yīng)性、恢復(fù)性更佳。
圖8 元件的響應(yīng)-恢復(fù)曲線Fig.8 Response and reversion curves of sensor
Ce摻雜花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)因其分級(jí)結(jié)構(gòu)形貌以及稀土Ce摻雜而具有優(yōu)異的氣敏性能,表1為多種稀土摻雜SnO2氣敏性能的文獻(xiàn)數(shù)據(jù)。從中可以看出,納米SnO2的合成需要多種原料,且合成工藝頗復(fù)雜,氣敏性能也不佳。Ce摻雜花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)合成方法簡(jiǎn)單、靈敏度高、響應(yīng)恢復(fù)性好。
表1 稀土摻雜SnO2文獻(xiàn)數(shù)據(jù)Tab.1 Renference data of rare-earth doped SnO2
在無(wú)表面活性劑的調(diào)控和生長(zhǎng)基底作支撐的情況下,采用水熱法成功合成了呈六瓣均勻?qū)ΨQ結(jié)構(gòu)的花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu),并對(duì)其進(jìn)行稀土Ce摻雜,通過(guò)XRD檢測(cè)發(fā)現(xiàn),Ce的摻入并未改變SnO2的晶體結(jié)構(gòu),所制備的樣品均呈金紅石結(jié)構(gòu)。SEM結(jié)果表明摻雜前后樣品的總體形貌未發(fā)生較大變化,Ce的摻入抑制了納米棒的生長(zhǎng)。對(duì)摻雜前后元件的氣體敏感性能進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)花狀SnO2分級(jí)結(jié)構(gòu)新型材料制備的傳感器對(duì)乙醇、異丙醇、丙酮、甲醇、甲醛等氣體具有較好的靈敏度、較低工作電壓和較佳的響應(yīng)-恢復(fù)特性,由于制作工藝簡(jiǎn)單,氣敏性能佳,具有較好的應(yīng)用價(jià)值。