中國(guó)開(kāi)創(chuàng)第三類存儲(chǔ)技術(shù)

吳振東

4月15日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)透露，他們開(kāi)創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。這解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。

據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤(pán)，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫(xiě)入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來(lái)。此次研發(fā)的新型電荷存儲(chǔ)技術(shù)，既滿足了10納秒寫(xiě)入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制（10秒—10年）的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲(chǔ)功耗，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>