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    C/C-Cu復(fù)合材料的燒蝕形貌和燒蝕機理

    2018-05-22 08:56:31宗彥旭吳坤堯
    宇航材料工藝 2018年2期
    關(guān)鍵詞:航空學(xué)院等溫碳化

    孫 樂 王 成 宗彥旭 吳坤堯 丁 旭

    (1 西安航空學(xué)院材料工程學(xué)院,西安 710077)

    (2 西安航空學(xué)院新材料研究所,西安 710077)

    0 引言

    C/C-Cu復(fù)合材料通過向多孔的C/C復(fù)合材料預(yù)制體中引入低熔點的Cu,兼具Cu高導(dǎo)電、導(dǎo)熱和良好的韌性以及C/C復(fù)合材料的低密度、低膨脹、耐燒蝕和優(yōu)良的摩擦磨損性能,在滑動材料、功率半導(dǎo)體支撐電極材料、抗燒蝕材料等方面具有良好應(yīng)用潛力[1-6]。 目前對 C/C-Cu 復(fù)合材料摩擦磨損性能方面的研究較多[7-9],而利用Cu在高溫下氣化蒸發(fā)帶走基體熱量或者熱沉作用以達到材料降溫目的[10],從而提高C/C復(fù)合材料抗燒蝕性能的研究較少。冉麗萍等[11]采用真空熔滲技術(shù)制備 C/C-Cu復(fù)合材料,在氧乙炔條件下燒蝕發(fā)現(xiàn)C/C-Cu復(fù)合材料的燒蝕性能優(yōu)于 C/C復(fù)合材料。陳英博等[12]在等離子燒蝕條件下發(fā)現(xiàn)C/C-Cu復(fù)合材料的燒蝕性能優(yōu)良。在之前研究基礎(chǔ)上,本文作者采用壓力浸滲法制備了不同C/C預(yù)制體密度的C/C-Cu復(fù)合材料,發(fā)現(xiàn)在H2-O2火焰下 C/C 預(yù)制體密度為 0.99 g/cm3左右時復(fù)合材料的燒蝕性能優(yōu)良[13]。本文選取密度為0.96 g/cm3的C/C 預(yù)制體制備 C/C-Cu復(fù)合材料,對不同燒蝕區(qū)域的微觀形貌和成分進行了分析,進一步研究C/C-Cu復(fù)合材料的抗燒蝕性能和機理。

    1 實驗

    1.1 C/C-Cu 復(fù)合材料的制備

    將PAN預(yù)氧化纖維整體氈碳化后得到碳氈,然后通過等溫CVI工藝制成密度為0.96 g/cm3的多孔C/C預(yù)制體,利用氣體壓力浸滲法制備最終密度為4.91 g/cm3的C/C-Cu復(fù)合材料。 同時,采用等溫 CVI和樹脂浸漬碳化(IR)制備密度為 1.9 g/cm3的 C/C復(fù)合材料做為對比樣品,具體工藝見文獻[14]。

    1.2 燒蝕試驗

    采用 H2-O2火焰,O2氣壓和流量分別為 1

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