王曉華 趙倩
摘 要: CMOS晶體管的寬長(zhǎng)比是集成電路設(shè)計(jì)中非常重要的一個(gè)參數(shù)?!都呻娐吩O(shè)計(jì)基礎(chǔ)》課程教學(xué)中分析了經(jīng)典CMOS電路中設(shè)計(jì)寬長(zhǎng)比計(jì)算的基本原理。本文運(yùn)用黑盒子法分析計(jì)算CMOS電路中晶體管的寬長(zhǎng)比,提出支路分析法,并對(duì)兩種分析方法進(jìn)行對(duì)比討論。集成電路設(shè)計(jì)中可以根據(jù)實(shí)際情況選擇不同分析方法。
關(guān)鍵詞: 寬長(zhǎng)比;黑盒子法;支路法
中圖分類號(hào): G642 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: C
CMOS晶體管寬長(zhǎng)比是NMOS/PMOS管的溝道寬度與溝道長(zhǎng)度的比值,它是集成電路設(shè)計(jì)中非常重要的一個(gè)參數(shù),對(duì)電路的速度、功耗、延時(shí)以及輸出波形的上升/下降時(shí)間都有重要的影響[1-3]。
《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》課程大綱中規(guī)定必須熟練掌握CMOS晶體管寬長(zhǎng)比計(jì)算。在CMOS組合邏輯電路中n個(gè)MOS管并聯(lián),其寬長(zhǎng)比通常保持與等效倒相器中對(duì)應(yīng)的MOS管一致,而n個(gè)MOS管串聯(lián),其寬長(zhǎng)比應(yīng)變?yōu)榈刃У瓜嗥髦袑?duì)應(yīng)的MOS管的n倍[4]。
如圖1所示電路中,等效倒相器中PMOS管的寬長(zhǎng)比為2,NMOS管的寬長(zhǎng)比為1, 為保持上升下降時(shí)間與等效倒相器相同,求圖中各MOS管的寬長(zhǎng)比[4]。
對(duì)于此類型的CMOS組合邏輯電路可以采用黑盒子法或支路法分析解決。
1 黑盒子法
3 分析討論
綜上所屬,黑盒子法分析得到的所有MOS管的寬長(zhǎng)比之和為:1+2+4*5+4*2+3*8+16*2=87;
支路法1(關(guān)鍵支路L5)得到的所有MOS管的寬長(zhǎng)比之和為: 1+3*6+4*6+12*2+3=70;
支路法2(關(guān)鍵支路L6)得到的所有MOS管的寬長(zhǎng)比之和為: 1+3*6+8*5+4+3=66。
由以上對(duì)比可知,不同的計(jì)算方法所得寬長(zhǎng)比不同,寬長(zhǎng)比總和也有較大差異,黑盒子法最大,支路法2(關(guān)鍵支路L6)最小。對(duì)應(yīng)不同的寬長(zhǎng)比總和,電路版圖的面積也會(huì)存在相應(yīng)的差別,可根據(jù)實(shí)際芯片對(duì)面積的要求進(jìn)行選擇。黑盒子分析法通過(guò)暫時(shí)屏蔽某部分電路,將該部分作為整體來(lái)看,能詳細(xì)分析電路中各MOS管之間的串、并聯(lián)關(guān)系。支路法的重點(diǎn)是選擇合適的關(guān)鍵支路,不同的關(guān)鍵支路,計(jì)算出的寬長(zhǎng)比不同。
此外,CMOS管寬長(zhǎng)比還影響CMOS管的電阻、電容,而這兩個(gè)參數(shù)決定了門電路的門延遲,這也是在設(shè)計(jì)集成電路路要考慮的非常重要的參數(shù)。所以實(shí)際集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程中確定CMOS管寬長(zhǎng)比的時(shí)候不僅僅要考慮電路的面積,還要根據(jù)對(duì)門電路延遲的要求統(tǒng)籌安排。
致謝: 本論文受上海電力學(xué)院本科生教育教學(xué)改革(核心課程建設(shè))項(xiàng)目資助,在此衷心感謝!
參考文獻(xiàn):
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[2]董海青.寬長(zhǎng)比對(duì)CMOS反相器開關(guān)時(shí)間影響的分析[J].信息化研究,2012(02):52-54.
[3]崔江維.溝道寬長(zhǎng)比對(duì)深亞微米NMOSFET總劑量輻射與熱載流子損傷的影響[J].物理學(xué)報(bào), 2011(02):026102-1-7.
[4]李偉華.VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(第三版)[M].北京:電子工業(yè)出版社出版,2013:23-33.
項(xiàng)目:上海電力學(xué)院本科生教育教學(xué)改革(核心課程建設(shè))項(xiàng)目
作者簡(jiǎn)介: 王曉華,女,博士在讀,講師,主要研究方向: 光學(xué)材料與器件。