電子材料

德國“紫外功率”項(xiàng)目旨在開發(fā)高功率紫外發(fā)光二極管

由聯(lián)邦Zwanzig20項(xiàng)目資助的研究機(jī)構(gòu)和公司是“高級(jí)紫外線生命”的一部分，歐司朗光電半導(dǎo)體公司聯(lián)合德國費(fèi)迪南德-布勞恩研究所、Leibniz-Institut fürH chstfrequenztechnik（FBH）、柏林技術(shù)大學(xué)，LayTec AG和紫外光子公司開發(fā)適用于大眾市場(chǎng)的高功率紫外發(fā)光二極管。隨著研究聯(lián)盟在國際市場(chǎng)上的占有率以及在工業(yè)制造方面的專業(yè)知識(shí)，這將大力提升聯(lián)盟的影響力。

基于鋁鎵氮（AlGaN）材料的原型發(fā)光二極管和用于UVB和UVC光譜的高功率發(fā)光二極管計(jì)劃在2020年前推出。高功率發(fā)光二極管的開發(fā)正在沿著生產(chǎn)發(fā)光二極管的整個(gè)技術(shù)鏈進(jìn)行。根據(jù)各個(gè)合作伙伴的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行任務(wù)分工，從結(jié)構(gòu)化藍(lán)寶石襯底的制備、外延和芯片加工到封裝和分析。

在外延上，費(fèi)迪南德-布勞恩研究所覆蓋了290～310 nm的UVB波段，并用于鋁鎵氮材料和鋁鎵氮發(fā)光二極管分析。柏林技術(shù)大學(xué)還擁有專業(yè)的紫外分析專用設(shè)備。

歐司朗光電半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)整個(gè)生產(chǎn)鏈數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)收集和分析，并將其提供給項(xiàng)目合作伙伴以優(yōu)化生產(chǎn)過程。未來，F(xiàn)BH、TUB和紫外光子公司將進(jìn)一步研究組裝技術(shù)和老化的影響。

預(yù)計(jì)新的發(fā)光二極管的光輸出在300±10 nm波段處超過120 mW，在280±10 nm波段處超過140 mW，在260±10 nm處超過80 mW。（工業(yè)和信息化部）

法國實(shí)現(xiàn)III-V族激光器與硅晶圓集成

法國微/納技術(shù)研究與開發(fā)中心CEA-Leti采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝流程將混合III-V族激光器與200mm硅晶圓集成。

該研究是在IRT納電子項(xiàng)目框架下進(jìn)行的，研究表明該混合器件的性能比得上在100 mm晶圓上利用現(xiàn)有工藝所制成的器件性能。制備流程是全平面的，并與硅光子電路的大規(guī)模集成兼容。CMOS工藝與硅光子兼容可降低制備成本，并提供成熟、大規(guī)模設(shè)備，從而實(shí)現(xiàn)與CMOS驅(qū)動(dòng)電路兼容的封裝。

硅光子技術(shù)變得越來越成熟，但是這些平臺(tái)的主要限制在于缺少集成光源。該研究表明，采用不包含基準(zhǔn)工藝性能的模塊化方法可以將激光器集成在成熟的硅光子平臺(tái)。整個(gè)制備過程可在標(biāo)準(zhǔn)CMOS加工線上采用傳統(tǒng)工藝和材料完成，因而有可能大規(guī)模集成所有的光子模塊。

未來，CEA-Leti將實(shí)現(xiàn)激光器與有源硅光子器件集成，例如在平坦化后端通過幾個(gè)互連金屬線將調(diào)制器與光電二極管連接。最終，III-V族晶粒鍵合將取代III-V族晶圓鍵合，以便在整個(gè)硅晶圓上處理激光器。（工業(yè)和信息化部）

美國斯坦福大學(xué)實(shí)現(xiàn)三維堆疊芯片近存儲(chǔ)計(jì)算器件原型

美國斯坦福大學(xué)的研究人員證明，由單層鉬二硫化鉬制成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管能夠驅(qū)動(dòng)阻變存儲(chǔ)器。這是個(gè)關(guān)鍵里程碑，意味著在單片三維集成芯片中存儲(chǔ)與邏輯器件能夠融為一體。

斯坦福大學(xué)研究人員開發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”（1T1R）單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒有晶體管的存儲(chǔ)單元，能夠提供極大好處。1T1R存儲(chǔ)單元的好處在于，可以通過晶體管的開啟和關(guān)閉，將目標(biāo)存儲(chǔ)單元同其他存儲(chǔ)單元隔離，從而抑制泄漏電流。

目前，阻變存儲(chǔ)器的制取可以利用CMOS兼容的材料實(shí)現(xiàn)。（工業(yè)和信息化部）

麻省理工重新設(shè)計(jì)功率變流器使其更有效率

麻省理工學(xué)院的研究人員開發(fā)了一種新的功率變流器，能夠在保持效率的同時(shí)處理更高的電壓。功率轉(zhuǎn)換在本質(zhì)上是效率低下的。一個(gè)器件將永遠(yuǎn)無法輸出盡可能多的功率，尤其是傳統(tǒng)的功率變流器。

具體而言，由氮化鎵制成的功率變流器現(xiàn)在將能夠提供更高效率。然而，問題是氮化鎵器件不能處理大約600 V以上的電壓。這已經(jīng)限制了它們?cè)诩矣秒娖髦械氖褂?，但是這種情況很快就會(huì)改變。

在近日舊金山召開的國際電子器件大會(huì)，麻省理工的研究人員與半導(dǎo)體公司IQE、IBM、哥倫比亞大學(xué)和新加坡-麻省理工學(xué)院研究和技術(shù)聯(lián)盟合作，提出了一種新設(shè)計(jì)的功率變流器，可以處理高達(dá)1 200 V的電壓。

研究人員指出，這種進(jìn)步只不過是在學(xué)術(shù)實(shí)驗(yàn)室中開發(fā)的第一個(gè)原型。這就意味著器還有很大的改進(jìn)空間。事實(shí)上，容量有可能會(huì)上升到3 300～5 000 V的范圍，這可能使得氮化鎵的效率在電網(wǎng)中可用。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

日本研發(fā)微型傳感器 輕至一滴眼淚重至人體皆可測(cè)量

日本名古屋大學(xué)研發(fā)出一枚大小僅有2mm的傳感器，輕至一滴眼淚、重至人類體重，它都能測(cè)量出數(shù)據(jù)。這款傳感器是由名古屋大學(xué)工學(xué)研究科新井史人教授與室崎裕一特任助教等人研發(fā)，除了測(cè)量重量，還能測(cè)量硬度、壓力以及氣壓等多類數(shù)據(jù)，應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛。

據(jù)悉，這款傳感器的重量測(cè)量范圍最小為0.04g，最大為61.18kg，計(jì)測(cè)幅度之廣，約是同類型感測(cè)器的1 000倍。從理論上講，30g重的老鼠和30t的電車都能依靠同一個(gè)傳感器測(cè)出結(jié)果。

此外，為避免溫度變化造成測(cè)量影響，該傳感器特地采用石英來支撐震蕩器，還專門設(shè)計(jì)了對(duì)齊部分構(gòu)造。即使在在1℃的溫度變化下，也只會(huì)產(chǎn)生0.1g左右的偏差。該傳感器有望應(yīng)用在以機(jī)器人為代表的裝備中。（中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)）

新南威爾士大學(xué)公布世界首個(gè)硅基量子計(jì)算芯片完整設(shè)計(jì)方案

近期，澳大利亞新南威爾士大學(xué)量子計(jì)算與通訊技術(shù)中心（CQC2T）的工程師們宣布，他們已經(jīng)成功解決了這一問題，通過重新構(gòu)建傳統(tǒng)硅基微處理器的方式創(chuàng)造出一套完整的硅基量子計(jì)算芯片設(shè)計(jì)方案。該方案利用當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)化的半導(dǎo)體工業(yè)流程和硅基器件就可以實(shí)現(xiàn)。

量子計(jì)算有望為我們帶來又一次技術(shù)飛躍，將引發(fā)更為深刻和巨大的變革。然而，在一枚芯片上實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算的完整工程設(shè)計(jì)一直以來都是一個(gè)難以解決的問題。新南威爾士大學(xué)的研究成果為這一問題的解決提供了可能。

全新設(shè)計(jì)方案將傳統(tǒng)硅基晶體管開關(guān)集成在一個(gè)巨大二維陣列中，利用類似常規(guī)計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片中那樣的基于網(wǎng)格的“字”和“位”選擇協(xié)議在量子位之間實(shí)現(xiàn)“開啟”操作。通過選擇量子位上的電極，可以控制用于存儲(chǔ)量子二進(jìn)制代碼“0”或“1”的量子位自旋，并通過選擇量子位之間的電極來實(shí)現(xiàn)量子比特間的邏輯交互或計(jì)算。

利用兩個(gè)幽靈般的量子物理學(xué)原理“量子糾纏”和“量子態(tài)疊加”，量子計(jì)算機(jī)能使用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的二進(jìn)制代碼的數(shù)量呈指數(shù)函數(shù)形式擴(kuò)展。一個(gè)量子位可以同時(shí)存儲(chǔ)“0”、“1”或者“0”和“1”的任意組合，使得量子計(jì)算機(jī)能夠同時(shí)存儲(chǔ)、處理多重值，并同時(shí)完成多個(gè)操作。這使量子計(jì)算機(jī)在解決一系列重要問題時(shí)的計(jì)算速度比普通電子計(jì)算機(jī)快幾百萬倍。

雖然將量子計(jì)算引入商業(yè)現(xiàn)實(shí)仍將是一項(xiàng)巨大的工程，但CQC2T這支非凡的研究團(tuán)隊(duì)所從事的研究工作已經(jīng)讓澳大利亞成為了這一工程的引領(lǐng)者。（工業(yè)和信息化部）

韓國發(fā)明三進(jìn)位制超節(jié)能半導(dǎo)體元件和電路技術(shù)

韓國研究財(cái)團(tuán)發(fā)布消息稱，成均館大學(xué)研究組發(fā)明了可以體現(xiàn)三進(jìn)位制新概念的超節(jié)能半導(dǎo)體元件和電路技術(shù)。該技術(shù)突破了目前二進(jìn)位制數(shù)字信號(hào)傳送的計(jì)算機(jī)處理技術(shù)界限。該技術(shù)與目前不同材料垂直結(jié)合方式、電流特性和電路方式完全不同，是一項(xiàng)獨(dú)創(chuàng)的研究成果，為半導(dǎo)體元件與電路的研究開辟了新的方向，具有重要意義。

研究組通過表面無缺陷的黑磷和二硫化錸的垂直結(jié)合，開發(fā)出具有電壓增大、電流就減少特性的新型半導(dǎo)體元件。該技術(shù)設(shè)計(jì)獨(dú)特，為研發(fā)超節(jié)電元件和超節(jié)電三進(jìn)位制的轉(zhuǎn)換電路奠定了基礎(chǔ)。（科學(xué)技術(shù)部）

世界首創(chuàng)玻璃鋁密封元件提升電容性能

所屬國際科技技術(shù)集團(tuán)德國肖特（SCHOTTAG）的電子封裝事業(yè)部創(chuàng)新的解決方案可防止電容電解液干涸，實(shí)現(xiàn)持久可靠的高性能。憑藉在玻璃──金屬封裝領(lǐng)域長達(dá)75年的經(jīng)驗(yàn)，肖特正全新推介玻璃──鋁封裝生產(chǎn)技術(shù)，實(shí)為首創(chuàng)。

目前，電容密封端子通常使用聚合物材料。長期使用后，有機(jī)聚合物易發(fā)生老化，變得脆弱，最終導(dǎo)致氣密性降低。密封不穩(wěn)妥處，濕氣易滲透到電池內(nèi)部，引起電解液蒸發(fā)及電容量的大幅下降。

電容蓋板具有解決電解液泄漏問題的核心功效。肖特──德國蘭茨胡特的研發(fā)負(fù)責(zé)人HelmutHartl，對(duì)電容GTAS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)給予以下詳細(xì)的介紹：“我們采用特種玻璃材料來取代聚合物或其他有機(jī)化合物進(jìn)行氣密封裝，然后再將封端子封接到鋁蓋板上。具有氣密性的玻璃-鋁密封端子保護(hù)電容不受濕氣入侵的同時(shí)，能消除電解液的干涸?！?/p>

GTAS技術(shù)前所未有的提升了電容的可靠性和使用壽命，同時(shí)還締造了無限的客戶定制可能性。達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，亦可在許多嚴(yán)苛環(huán)境下安全應(yīng)用長達(dá)幾十年的玻璃-金屬密封件，防止鋁電容電解液流失的同時(shí)，仍具有許多其他的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。玻璃-金屬密封可承受-40～150 ℃的環(huán)境溫度，在某些條件下，甚至可達(dá)到更寬的溫度范圍。玻璃密封件的氣密特性使得標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的研發(fā)成為可能，縮小電容體積的同時(shí)提高電容量，延長電容的備用期和使用壽命。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

歐司朗研發(fā)新款混合式LED將用于智能車頭燈

歐司朗向智能車燈技術(shù)又邁進(jìn)了一大步。該公司研發(fā)了一款混合式發(fā)光二極管，分辨率可達(dá)1 024像素，且能進(jìn)行單獨(dú)操控。未來或?qū)⒛懿捎脛?dòng)態(tài)方式對(duì)光錐實(shí)現(xiàn)塑形，使駕駛員能始終擁有最優(yōu)的車燈照明條件，不會(huì)因前方駛來車輛的車燈而導(dǎo)致駕駛員目眩。

歐司朗Eviyos原型機(jī)矩陣式LED基于μAFS研究項(xiàng)目，該項(xiàng)目于2016年秋季，在歐司朗光電半導(dǎo)體的協(xié)調(diào)下，多家業(yè)內(nèi)企業(yè)參與了該項(xiàng)研究項(xiàng)目。

該原型機(jī)將發(fā)光芯片與各像素控制電子設(shè)備整合到一個(gè)部件中，使得Eviyos實(shí)現(xiàn)1 024像素水平。用戶們可更改應(yīng)用的混合式發(fā)光二級(jí)管的數(shù)量，并用作常規(guī)型LED的補(bǔ)充（設(shè)備），但要視各設(shè)備所需的要求而異。

在11mA/像素的條件下，光源的最小發(fā)光強(qiáng)度應(yīng)達(dá)到3 lm，該像素還能呈現(xiàn)朦朧效果，只有在既定時(shí)間內(nèi)打開光點(diǎn)，才能確保其始終處于點(diǎn)亮狀態(tài)，系統(tǒng)能源效率高，至少要高于那些所有像素始終處于開啟狀態(tài)的系統(tǒng)，因?yàn)榍罢吒?jié)能。此外，可通過LC中間層，實(shí)現(xiàn)光學(xué)活化或去活。（中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）

日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù)

日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù)，將顯著提高GaN HEMT性能。

日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司（Fujitsu Laboratories Ltd）介紹了據(jù)稱是第一個(gè)室溫下實(shí)現(xiàn)單晶金剛石和碳化硅（SiC）襯底焊接，關(guān)鍵是這兩者都是硬質(zhì)材料，但具有不同的熱膨脹系數(shù)。

使用這種技術(shù)散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），從而使功率放大器在高功率水平下穩(wěn)定工作。

GaN HEMT功率放大器的一些輸入功率會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量，然后分散到SiC沉底。由于提高雷達(dá)和無線通信的射程和功率也增加了器件產(chǎn)生的熱量，這對(duì)其性能和可靠性產(chǎn)生不利影響，因此需要將器件熱量有效地傳輸?shù)嚼鋮s結(jié)構(gòu)（散熱片）。

盡管SiC襯底具有相對(duì)較高的導(dǎo)熱率，但是對(duì)于具有越來越高的功率輸出的器件而言，需要具有更好的導(dǎo)熱率的材料以有效地將器件熱量運(yùn)送到冷卻結(jié)構(gòu)。單晶金剛石具有非常好的導(dǎo)熱性-幾乎是SiC襯底的5倍——被稱為可以有效散熱的材料。

為了將單晶金剛石鍵合到作為冷卻材料的器件上，正常的生產(chǎn)過程使用氬（Ar）束去除雜質(zhì)，但這會(huì)在表面形成低密度的受損層，這會(huì)削弱單晶金剛石可能形成的鍵合。為了防止Ar束在金剛石表面形成損傷層，富士通開發(fā)了一種技術(shù)，在暴露于Ar束之前用極薄的金屬膜保護(hù)表面。為了確保表面是平面的，金屬膜的厚度需限制在10 nm或更薄。

這種技術(shù)被證實(shí)可以防止Ar束暴露后在金剛石表面形成損傷層，從而提高了鍵合強(qiáng)度，從而使得單晶金剛石在室溫下與SiC襯底鍵合。這種技術(shù)可以用于生產(chǎn)具有更高輸出功率發(fā)射器的GaN-HEMT功率放大器。（中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟）

中國自主研發(fā)OLED技術(shù)進(jìn)軍國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界

香港大學(xué)支志明院士負(fù)責(zé)的“973”計(jì)劃項(xiàng)目“金屬配合物激發(fā)態(tài)的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究”研發(fā)的基于四齒配體的鉑（II）配合物成為極有可能取代商品化磷光銥（III）配合物的發(fā)光體系，引起了國內(nèi)外學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的高度關(guān)注。以國際OLED巨頭三星公司，以及國內(nèi)OLED材料龍頭企業(yè)廣東阿格蕾雅光電材料公司（阿格蕾雅）為首的一批國內(nèi)國際企業(yè)已經(jīng)申請(qǐng)了支教授關(guān)于四齒配體鉑（II）配合物的相關(guān)專利實(shí)施許可，并開展了一系列合作研究，累計(jì)涉及金額達(dá)數(shù)千萬元人民幣，為我國的OLED產(chǎn)業(yè)提供了亟需的材料方面的知識(shí)產(chǎn)權(quán)庫。

另外，項(xiàng)目與信利電子等企業(yè)合作開展了AMOLED的量產(chǎn)化生產(chǎn)線導(dǎo)入工程；并與四川省政府及眉山市合作，共同組建了四川知本快車創(chuàng)新科技研究院，大力開展新型OLED發(fā)光材料研發(fā)，加速材料產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。（科技部）

半導(dǎo)體所二維半導(dǎo)體磁性摻雜研究取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)研究員魏鐘鳴、李京波帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)，在鐵摻雜二維硫化錫（Fe-SnS2）晶體的光、電和磁性研究方面取得新進(jìn)展。

硫化錫（SnS2）是一種光電性能優(yōu)異的二維范德華半導(dǎo)體材料，也是目前報(bào)道的光電響應(yīng)時(shí)間最快的二維半導(dǎo)體材料之一。該材料無毒、環(huán)境友好，含量較豐富而且易于制備。該研究團(tuán)隊(duì)通過用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相輸運(yùn)法摸索生長條件，獲得不同摻雜濃度的高質(zhì)量的Fe-SnS2單晶，然后通過機(jī)械剝離法獲得二維Fe-SnS2納米片。掃描透射電子顯微鏡（STEM）結(jié)果表明，F(xiàn)e原子是替位摻雜在Sn原子的位置，并且均勻分布。通過生長條件的調(diào)控，結(jié)合X射線光電子能譜（XPS）分析，可以獲得一系列不同的晶體，鐵的摻雜濃度分別為2.1%、1.5%、1.1%。單層Fe0.021Sn0.979S2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試表明該材料是n型，開關(guān)比超過106，同時(shí)遷移率為8.15c m2/（V·s），光響應(yīng)度為206mA/W，顯示了良好的光電性能。

單晶片磁性測(cè)試表明，SnS2是抗磁性的，F(xiàn)e0.021Sn0.979S2和Fe0.015Sn0.985S2具有鐵磁性，而Fe0.011Sn0.989S2顯示出順磁性。實(shí)驗(yàn)測(cè)得Fe0.021Sn0.979S2的居里溫度為31K。當(dāng)溫度為2K，外磁場(chǎng)沿垂直c軸和平行c軸方向時(shí)可以獲得不一樣的磁性，即強(qiáng)烈的磁各向異性。理論計(jì)算表明，F(xiàn)e-SnS2的磁性來源于Fe原子與相鄰S原子的反鐵磁耦合，而相鄰Fe原子間是鐵磁耦合，這樣在這種磁性原子摻雜材料中形成了長程鐵磁性。該研究表明鐵摻雜硫化錫在未來的納米電子學(xué)、磁學(xué)和光電領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用。（中國科學(xué)院）

中車時(shí)代電氣成功研制世界最大容量壓接型IGBT

近日，由中車時(shí)代電氣完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”通過中國電子學(xué)會(huì)的鑒定，被認(rèn)定為世界上功率等級(jí)最高的壓接型IGBT。這一成果實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)壓接型IGBT技術(shù)“從無到有”的跨越，打破了國外大功率壓接型IGBT的技術(shù)和市場(chǎng)壟斷。

目前，由中車時(shí)代電氣研制的大容量壓接型IGBT模塊，已通過多家電網(wǎng)企業(yè)的柔直換流閥級(jí)的示范應(yīng)用驗(yàn)證試驗(yàn)，達(dá)到了量產(chǎn)及工程化應(yīng)用的要求。針對(duì)壓接式IGBT器件量產(chǎn)需求，目前中車時(shí)代電氣已完成壓接式IGBT中試生產(chǎn)線的布局規(guī)劃及初期建設(shè)，預(yù)計(jì)2018年第1季度完成。

壓接型IGBT在外形上與晶閘管等器件類似，但是內(nèi)部通過并聯(lián)眾多被稱為“子單元”的部件來實(shí)現(xiàn)功率容量，芯片與電極之間的電氣連接時(shí)，不采取常規(guī)引線或焊接的方式，而是通過壓力實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)焊接型IGBT模塊相比，壓接型IGBT模塊容量超大，具有高可靠性、失效短路模式等優(yōu)點(diǎn)。

中車時(shí)代電氣研制的3600A/4500V壓接型IGBT模塊，是目前市場(chǎng)可見產(chǎn)品中容量最大，且具備雙面散熱、長期穩(wěn)定失效短路能力的器件，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)大容量壓接型IGBT技術(shù)“從無到有”的跨越。（中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟）

福建省在泉州設(shè)立省級(jí)半導(dǎo)體高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)

日前，省政府批復(fù)同意泉州市整合晉江集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)、南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)、安溪湖頭光電產(chǎn)業(yè)園區(qū)等3個(gè)園區(qū)設(shè)立省級(jí)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，定名為“泉州半導(dǎo)體高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)”。

該園區(qū)將打造“一區(qū)三園”的空間布局，核定總規(guī)劃面積1480多公頃，爭(zhēng)取建設(shè)成為我國東南沿海最具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力、產(chǎn)業(yè)輻射力和創(chuàng)新活力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)特色集聚區(qū)。（福建日?qǐng)?bào)）