Qorvo推出適合雷達(dá)應(yīng)用的超緊湊GaN X頻段前端模塊

Qorvo推出針對(duì)下一代有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達(dá)設(shè)計(jì)的高性能 X 頻段前端模塊 (FEM)——QPM2637 和 QPM1002。這些符合出口標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品也符合任務(wù)關(guān)鍵型操作所必需的高 RF 功率生存性要求。

Qorvo的新型 FEM(QPM2637 和 QPM1002)采用公司的創(chuàng)新 GaN 技術(shù)構(gòu)建，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時(shí)可縮減尺寸、重量和成本。GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括 RF 開關(guān)、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到 100 mW 的輸入功率條件下都會(huì)受損，與之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高4 W的輸入功率，且不會(huì)造成永久損壞。