張 閣,張文治,王素敏
(西安工業(yè)大學(xué) 陜西省光電功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室/材料與化工學(xué)院,西安 710021)
電致變色材料被認(rèn)為是目前最有應(yīng)用前景的智能材料之一.電致變色是指材料的光學(xué)屬性(反射率、透過率和吸收率等)在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現(xiàn)象,在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化.利用電致變色薄膜在電場下對(duì)光線的調(diào)制作用,與平板玻璃制成建筑物的智能窗可實(shí)現(xiàn)對(duì)室內(nèi)溫度的調(diào)節(jié),以節(jié)約能量,減少污染[1].
變色層是變色器件的核心層.在無機(jī)變色層中研究較多的是MoO3,與其他材料相比,三氧化鉬(MoO3)薄膜具有良好的光致變色和電致變色(變色響應(yīng)時(shí)間較短[2])性能,得到了廣泛應(yīng)用.人們采用多種方法合成不同形貌的三氧化鉬,常用的方法有化學(xué)氣相沉積法、溶膠-凝膠法和水熱法等.文獻(xiàn)[3]利用熱絲化學(xué)氣相沉積法在氬氣氛圍中合成了一維MoO11納米棒,并通過調(diào)節(jié)沉積溫度實(shí)現(xiàn)了MoO11納米棒禁帶寬度的調(diào)控.此方法可得到高純度和高結(jié)晶性的氧化鉬,但合成過程要求嚴(yán)格,通常需在高溫高壓和特殊氣氛下進(jìn)行,對(duì)環(huán)境要求較高,合成過程能耗較大.文獻(xiàn)[4]將MoO3粉末與氨水/雙氧水混合溶液作為溶膠-凝膠法的前驅(qū)體,并在室溫下冷卻、陳化獲得MoOx凝膠,利用旋涂和紫外線(Ultraviolet,UV)輻照在氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)襯底上制備了MoOx納米薄膜.溶膠-凝膠法與其他氧化鉬納米材料的合成方法相比,具有反應(yīng)溫度低,易摻雜,產(chǎn)物均勻和易制備新結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn).但溶膠-凝膠法合成的原料大多為有機(jī)物對(duì)健康有害,且合成過程時(shí)間較長,效率相對(duì)較低.文獻(xiàn)[5]將鉬箔溶解在雙氧水溶劑中獲得鉬酸鹽溶劑,以鉬酸鹽溶劑作電解質(zhì)進(jìn)行電化學(xué)沉積,該方法獲得的MoO3薄膜的尺寸為40~100 nm,且薄膜致密而平滑.電化學(xué)沉積適用于各種形狀的基體材料,該方法工藝簡單,操作容易,環(huán)境安全,非常適用于工業(yè)化量產(chǎn).但對(duì)于基體表面氧化鉬晶核的生成和長大速度難以控制,因而獲得的氧化鉬薄膜多為多晶態(tài)或非晶態(tài),材料質(zhì)量不夠高.水熱合成法相比其他方法操作簡單,合成方便,成為研究重點(diǎn).聚吡咯(Polypyrrole,PPy)作為一種導(dǎo)電聚合物,因其環(huán)境穩(wěn)定性好、易合成、無毒、氧化還原可逆、變色速度快和著色效率高等[6-8],在電致變色領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用前景[9-10].但聚吡咯電致變色器件存在循環(huán)壽命低和結(jié)構(gòu)致密等缺點(diǎn),這限制了其在光電器件中的應(yīng)用.無機(jī)變色材料組裝的變色器件循環(huán)壽命長,但顏色單一,響應(yīng)速度慢.基于兩者存在的問題,研究者們提出了互補(bǔ)型電致變色器件,其相對(duì)于單一電致變色器件具有循環(huán)壽命長,光調(diào)制范圍大,能最大限度的調(diào)節(jié)透過率等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用.為研究復(fù)合變色器件的性能,本文選用水熱合成法成功制得三氧化鉬納米棒,通過恒壓法在ITO玻璃上制得聚吡咯薄膜.隨后將氧化鉬薄膜作為陰極變色層與聚吡咯陽極變色層復(fù)合組裝成互補(bǔ)型電致變色器件.
稱取0.588 5 g七鉬酸銨粉末溶于10 mL去離子水中,攪拌15 min后,在七鉬酸銨水溶液中緩慢加入2.422 mL的濃硝酸(HNO3);攪拌均勻后,將其混合物移至100 mL不銹鋼高壓反應(yīng)釜中,90 ℃下反應(yīng)3 h,待體系冷卻至室溫,用去離子水和無水乙醇多次洗滌離心,收集沉淀物;將沉淀物在電熱鼓風(fēng)干燥箱中,60 ℃下干燥5 h,然后將其移至真空干燥箱中,60 ℃下干燥12 h,即得樣品.
在樣品瓶中,稱取0.05 g乙基纖維素,然后加入6 mL無水乙醇,待其溶解后,加入0.1 g氧化鉬和0.44 mL松油醇,充分?jǐn)嚢柚敝翢o水乙醇揮發(fā)完全制得漿料.將制好的漿料涂覆在ITO導(dǎo)電玻璃表面,將其放入管式高溫?zé)Y(jié)爐中加熱制得薄膜.管式爐升溫程序設(shè)置為:5 ℃·min-1速率升溫至325 ℃,在此溫度下恒溫?zé)Y(jié)5 min,以2 ℃·min-1速率升溫至375 ℃,此溫度下恒溫?zé)Y(jié)5 min,以2 ℃·min-1速率升溫至450 ℃,此溫度下恒溫?zé)Y(jié)15 min,以2 ℃·min-1速率升溫至480 ℃,此溫度下恒溫?zé)Y(jié)15 min后,自然降至室溫.
在燒杯中加入50 mL蒸餾水,然后加入0.86 g對(duì)甲苯磺酸,采用320 r·min-1的攪拌速率,攪拌混合10 min;之后,加入0.335 g吡咯單體,轉(zhuǎn)速調(diào)整為500 r·min-1,攪拌混合5 min.將ITO玻璃的導(dǎo)電面,與Pt電極相對(duì)放置,并將電極浸沒在吡咯溶液中;采用恒電壓法聚合制得聚吡咯薄膜.將其放入干燥箱中,60 ℃下干燥3 h.
在小燒杯中加入2.8 g乙腈和0.05 g無水高氯酸鋰,待充分溶解后,加入1.0 g PMMA和0.8 g PC,超聲1 h制得凝膠電解質(zhì).在表面涂有三氧化鉬薄膜的ITO玻璃上,滴加凝膠電解質(zhì)溶液.然后將聚吡咯薄膜作為對(duì)電極,與三氧化鉬薄膜電極組裝成三明治結(jié)構(gòu),得到三氧化鉬/聚吡咯復(fù)合電致變色器件.
采用日本津島XRD-6000 型X射線衍射儀(X-Ray Diffraction,XRD)測試晶體的相結(jié)構(gòu),測試條件為Cu靶Kα(λ=1 154 nm),掃描范圍(2θ)為5°~60°;用美國Thermo Nicolet型傅里葉變換紅外光譜儀(Fourier Transform Infrared Spectrometer,FT-IR)對(duì)樣品進(jìn)行測試,根據(jù)化學(xué)鍵或官能團(tuán)分析樣品的組成與結(jié)構(gòu),測試范圍4 000~400 cm-1;用瑞士萬通的PGSTAT 302 N型電化學(xué)工作站進(jìn)行循環(huán)伏安測試,其中鉑電極作為對(duì)電極,Ag/AgCl電極為參比電極,被測薄膜為工作電極;紫外-可見光譜儀(Shimadzu 2550)與瑞士萬通的PGSTAT 302 N型電化學(xué)工作站聯(lián)用來測試器件的電致變色性能,通過電化學(xué)工作站提供電壓,結(jié)合紫外-可見光譜儀測試器件在不同電位下的吸收光譜及變色動(dòng)力學(xué)曲線.
圖1為硝酸量2.422 mL,不同反應(yīng)時(shí)間下制得的MoO3納米晶的XRD譜圖,產(chǎn)物與標(biāo)準(zhǔn)譜卡(JCPDS卡21-0569)的衍射峰位基本一致,所以確定產(chǎn)物即為MoO3,且各衍射峰均歸屬為六方相MoO3(h-MoO3);沒有其他雜峰出現(xiàn),表明產(chǎn)物純度較高.此外,隨著反應(yīng)時(shí)間的延長,衍射峰的位置基本沒有變化,但衍射峰的強(qiáng)度隨反應(yīng)時(shí)間的延長而增強(qiáng),特別是(210)、(300)和(008)晶面對(duì)應(yīng)的衍射峰強(qiáng)度較高,可能是由于隨著反應(yīng)時(shí)間的延長,晶體生長擇優(yōu)取向,沿一維方向生長,晶體更加完善.而且在16.7°即(110)晶面,可以看到隨反應(yīng)時(shí)間的延長,衍射峰的強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),進(jìn)一步證實(shí)晶體生長更趨完善.
圖1 MoO3納米晶的XRD譜圖
圖2為不同水熱反應(yīng)時(shí)間下制得的MoO3的紅外譜圖.
圖2 MoO3納米晶的紅外譜圖
從圖2中可看到,在974 cm-1和911 cm-1處的吸收峰歸屬于Mo=O雙鍵的伸縮振動(dòng)峰,612 cm-1處的吸收峰為Mo-O的伸縮振動(dòng)峰,1 383 cm-1處的吸收峰為Mo-OH的伸縮振動(dòng)峰[11].3 410 cm-1和1 615 cm-1處出現(xiàn)的吸收峰分別歸屬于水分子中-OH的伸縮振動(dòng)峰和彎曲振動(dòng)峰.綜上可知,文中成功合成了MoO3納米晶.從圖2還可以看出,隨著反應(yīng)時(shí)間的延長,位于1 383 cm-1處的吸收峰向長波數(shù)方向移動(dòng);當(dāng)反應(yīng)時(shí)間超過6 h時(shí),Mo-OH的伸縮振動(dòng)峰移動(dòng)到1 403 cm-1,而且911 cm-1處的Mo=O雙鍵伸縮振動(dòng)峰移動(dòng)向長波數(shù)移動(dòng)至913 cm-1(反應(yīng)時(shí)間為12 h),吸收峰的移動(dòng)可能是由反應(yīng)時(shí)間的延長使得氧化鉬晶體逐漸生長趨于完善所導(dǎo)致的.
當(dāng)反應(yīng)溫度為90 ℃,硝酸加入量為2.422 mL時(shí),本文研究了不同水熱反應(yīng)時(shí)間對(duì)MoO3納米晶形貌的影響.當(dāng)反應(yīng)時(shí)間為9 h時(shí),從圖3(a)的低倍照片中可以看到,生成的MoO3六角微米棒較少.從高倍照片中可以看到,形成的六角微米棒形狀比較規(guī)整,且表面比較光滑,其直徑為3 μm左右,長度為20 μm左右,長徑比較大.延長反應(yīng)時(shí)間至12 h時(shí),從圖3(b)的低倍照片中可以看到,一部分小碎棒長成較完整的六角微米棒,六角棒的數(shù)量增多.從高倍照片中可以看到,六角微米棒的直徑和尺寸變大,說明反應(yīng)時(shí)間對(duì)MoO3的形貌有一定的影響.隨著反應(yīng)時(shí)間的延長,晶體形成更加完善且數(shù)量增多.
采用電化學(xué)工作站對(duì)MoO3薄膜的電化學(xué)性能進(jìn)行表征.測試時(shí)采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,以氧化鉬薄膜/ITO玻璃為工作電極,飽和甘汞電極作參比電極,鉑片為對(duì)電極,電解液為0.1 mol·L-1高氯酸鋰的乙腈溶液.圖4為水熱反應(yīng)時(shí)間12 h下制得的MoO3薄膜的循環(huán)伏安曲線.
圖3 水熱反應(yīng)時(shí)間為(a) 9 h和(b) 12 h下制得的MoO3的SEM照片
從圖4中可以看出,掃描速率為100 mV·s-1時(shí),在-0.06 V左右出現(xiàn)氧化峰,-0.26 V左右出現(xiàn)還原峰,但峰形不明顯,且CV的閉合曲線面積較小,表明其導(dǎo)電性較差,這就使得其電化學(xué)性能受到限制.因此本文采用聚吡咯與氧化鉬復(fù)合,形成互補(bǔ)型電致變色器件有可能提高其應(yīng)用價(jià)值.
圖4 MoO3薄膜的循環(huán)伏安曲線
從圖5中可以看出,氧化鉬器件的紫外-可見光譜中出現(xiàn)兩個(gè)吸收峰,分別位于373 nm和436 nm,其中436 nm處的吸收峰較明顯.當(dāng)外加電壓從-2.5 V升高到+2.5 V時(shí),該處吸收峰的強(qiáng)度從0.346增大到0.360,光學(xué)對(duì)比度變化不大.表明MoO3器件具有一定的電致變色性能.當(dāng)外加電壓為+2.5 V時(shí),器件的顏色較深;當(dāng)電壓較低時(shí),其吸光度基本不變(紫外-可見吸收曲線重合),這是由于低電壓不足以驅(qū)動(dòng)MoO3器件中變色薄膜發(fā)生氧化還原反應(yīng),故變色效果不明顯.
圖5 MoO3器件在不同電壓下的紫外-可見光譜
在圖6中,1 546 cm-1處的吸收峰為C=C和C-C組合的伸縮振動(dòng)峰,1 469 cm-1處的特征吸收峰歸屬于C-N的伸縮振動(dòng)峰,1 302 cm-1處的特征吸收峰為N-H鍵的彎曲振動(dòng)峰,911 cm-1處的吸收峰歸屬于吡咯環(huán)C-H鍵的面外彎曲振動(dòng)峰.以上分析表明,文中成功合成了聚吡咯.
圖6 聚吡咯的紅外光譜圖
圖7為所制得的氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件的照片.圖8為氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件在不同電壓下的紫外-可見光譜,從圖8中可看到,當(dāng)外加電壓從-1.5 V升高到+1.5 V時(shí),481 nm處吸收峰的光學(xué)對(duì)比度變化最大,其強(qiáng)度從0.62減小到0.55,表明MoO3/聚吡咯復(fù)合器件具有較好的電致變色性能.當(dāng)外加電壓為+1.5 V時(shí),器件的顏色變深,電致變色現(xiàn)象明顯.
圖7 氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件的照片
除了對(duì)比度外,響應(yīng)時(shí)間也是判斷材料電致變色性能的重要參數(shù).圖9為在電壓范圍-1.5~+1.5 V的方波電壓下對(duì)MoO3/聚吡咯復(fù)合器件進(jìn)行動(dòng)力學(xué)測試得到的曲線.其中,方波電壓的循環(huán)周期為100 s,測試得到的為器件在481 nm處吸光度隨時(shí)間的變化曲線.持續(xù)9圈后,動(dòng)力學(xué)曲線無明顯衰減,但曲線整體向下偏移,這主要是由于復(fù)合器件中的氧化鉬存在電致變色“滯后現(xiàn)象”,器件中活性層發(fā)生氧化還原反應(yīng)變色的速率滯后于電壓的變化.此外,可以看到器件變色的重現(xiàn)性較好.根據(jù)動(dòng)力學(xué)曲線,可以得到復(fù)合器件發(fā)生變色時(shí)的著色時(shí)間為35 s,褪色時(shí)間為22 s.其中,著色態(tài)顏色為淺藍(lán)色,褪色態(tài)顏色為淡黃色.
圖8 氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件在不同電壓下的紫外-可見光譜
圖9 氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件的變色動(dòng)力學(xué)曲線
1) 采用水熱法成功制得了h-MoO3,且氧化鉬的晶型不隨水熱反應(yīng)時(shí)間而變化;SEM分析表明,合成的MoO3呈現(xiàn)六方棒狀.MoO3薄膜的CV曲線表明,其氧化峰和還原峰分別位于-0.06 V和-0.26 V;制得的氧化鉬器件在外加電壓為+2.5 V時(shí),顏色發(fā)生變化.
2) 氧化鉬/聚吡咯復(fù)合器件的UV-vis光譜測試表明,當(dāng)外加電壓從-1.5 V升高到+1.5 V時(shí),481 nm處吸收峰的強(qiáng)度從0.62減小到0.55,光學(xué)對(duì)比度變化較大.當(dāng)外加電壓為+1.5 V時(shí),器件的顏色變深.其著色時(shí)間為35 s,褪色時(shí)間為22 s;著色態(tài)顏色為淺藍(lán)色,褪色態(tài)顏色為淡黃色.
參考文獻(xiàn):
[1]郭榮輝,楊曉青,秦文峰.電致變色三氧化鉬薄膜研究進(jìn)展[J].中國鉬業(yè),2005,29(5):39.
GUO Ronghui,YANG Xiaoqing,QIN Wenfeng.Research Progress of electrochromic molybdenum trioxide thin films[J].China Molybdenum Industry,2005,29(5):39.(in Chinese)
[2]CRUZ T G S,GORENSTEIN A,LANDERS R,et al.Electrochromism in MoOxFilms Characterized by X-ray Electron Spectroscopy[J].Journal of Electron Spectroscopy & Related Phenomena,1999,101(98):397.
[3]PHAM D V,PATIL R A,LIN J H,et al.Doping-free Bandgap Tuning in One-dimensional Magnéli-phase Nanorods of Mo4O11[J].Nanoscale,2016,8(10):5559.
[4]FU Q,CHEN J S,SHI C S,et al.Room-Temperature Sol-Gel Derived Molybdenum Oxide Thin Films for Efficient and Stable Solution-Processed Organic Light-Emitting Diodes[J].ACS Applied Materials & Interfaces,2013,5(13):6024.
[5]TODD M M,STEVENSON K J,HUPP J T,et al.Electrochemical Preparation of Molybdenum Trioxide Thin Films:Effect of Sintering on Electrochromic and Electroinsertion Properties[J].Langmuir,2003,19(10):4316.
[6]CARRASCO P M,GRANDE H J,CORTAZAR M,et al.Structure-Conductivity Relationships in Chemical Polypyrroles of Low,Medium and High Conductivity[J].Synthetic Metals,2006,156(5):420.
[7]WHANG Y E,HAN J H,MOYOBE T,et al.Polypyrroles Prepared by Chemical Oxidative Polymerization at Different Oxidation Potentials[J].Synthetic Metals,1991,45(2):151.
[8]李倩倩,黃健涵,劉素琴,等.聚吡咯的化學(xué)氧化合成及其對(duì)金屬鎂的防腐蝕性能研究[J].功能材料,2008,39(3):526.
LI Qianqian,HUANG Jianhan,LIU Suqin,et al,Chemical Oxidative Polymerization of PPy and Its Corrosion Resistance on the Surface of Metals[J].Journal of Functional Materials,2008,39(3):526.
(in Chinese)
[9]MALINAUSKAS A.Chemical Deposition of Conducting Polymers[J].Polymer,2001,42(9):3957.
[10]MAHESWARI N,MURALIDHARAN G.Controlled Synthesis of Nanostructured Molybdenum Oxide Electrodes for High Performance Supercapacitor Devices[J].Applied Surface Science,2017,416:461.
[11]CHITHAMBARAJ A,YOGAMALAR N R,BOSE A C.Hydrothermally Synthesized h-MoO3 and#-MoO3 Nanocrystals:New Findings on Crystal-Structure-Dependent Charge Transport[J].Crystal Growth & Design,2016,16(4):1984.