余 飛
(中國(guó)郵政集團(tuán)公司上海研究院,上海 200062)
隨著經(jīng)濟(jì)社會(huì)的快速發(fā)展,電力供應(yīng)的環(huán)保、高效、安全和可靠越來(lái)越成為工業(yè)界和學(xué)術(shù)界關(guān)注的熱點(diǎn),智能電網(wǎng)成為能源工業(yè)發(fā)展的新趨勢(shì)。智能電器是智能電網(wǎng)非常重要的組成部分,對(duì)支撐智能電網(wǎng)的發(fā)展需要,提高電力設(shè)備自身的性能起到了重要的作用。近年來(lái),各種智能電器層出不窮,而作為智能電器的核心部件,智能控制器的功能也在不斷增強(qiáng)[1]。
在智能電器控制器的研制中,電源是其中的重要組成部分,其性能的好壞直接關(guān)系到整個(gè)控制器工作的穩(wěn)定性。而智能電器又具有量大面廣、功能多、產(chǎn)品體積小、一般應(yīng)用在電氣環(huán)境較為惡劣的場(chǎng)合等特點(diǎn),這樣就對(duì)開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性、成本、可靠性等提出了更高的要求[2]。
智能控制器電源一般取至主回路或外部控制電源。本文所需電源主要設(shè)計(jì)要求為85~265V AC/DC寬電壓輸入,一路5V/100mA輸出供維持控制器的正常工作,一路24V/50mA供外部IO模塊或通信電路使用??傮w輸出功率約為1.7W。
在低成本AC/DC多路輸出結(jié)構(gòu)中,一種較常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)是在高電壓輸出端采用低壓差線性穩(wěn)壓器(low dropout regulator, LDO)來(lái)獲到低電壓。但是在本方案中,由于24V和5V之間壓差較大,若采取從24V一路通過(guò)線性降壓的方式獲得5V一路輸出,將會(huì)使得電源整體效率較低,LDO器件發(fā)熱量較大,影響控制器整體工作的穩(wěn)定性。另一種比較常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)是基于 Flayback結(jié)構(gòu)的反激式開(kāi)關(guān)電源,該結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換效率高,能實(shí)現(xiàn)多路輸出,但缺點(diǎn)是電磁兼容性較差、元件較多,成本也比較高,并不適合結(jié)構(gòu)緊湊、應(yīng)用環(huán)境惡劣的智能電器控制器,也不利于降低成本[3-4]。
考慮到控制器的體積和成本,選用非隔離降壓型(BUCK)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)該開(kāi)關(guān)電源是一種比較可行的方式。BUCK型開(kāi)關(guān)電源是一種經(jīng)典的開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu),尤其在 DC/DC電路中應(yīng)用廣泛,在AC/DC中也比較常見(jiàn),但在多路輸出AC/DC中應(yīng)用不多。
本文采用的多路輸出的BUCK結(jié)構(gòu)就是采用耦合電感(coupling inductance)的方式獲得雙路輸出,作為BUCK結(jié)構(gòu)的一個(gè)變種,其原理如圖1所示。當(dāng)MOS開(kāi)關(guān)S閉合時(shí),Vin給電感L、電容C1充電;當(dāng)S閉合時(shí),電感L放電,向C2充電,為副邊提供能量。這樣就較好的解決了BUCK結(jié)構(gòu)多路輸出的問(wèn)題。此外,Vout2和Vout1及市電隔離,有利于提高Vout2回路的抗干擾能力[5]。小,以節(jié)約電能,同時(shí)盡可能的減小電源體積,降低成本。在這一要求下,設(shè)計(jì)方案采用意法半導(dǎo)體(ST semiconductor)公司的 VIPer12A。芯片原理框圖如圖2所示。
圖1 雙輸出BUCK降壓拓?fù)?/p>
VIPer12A是一種專(zhuān)用的電流模式 PWM 控制器,芯片具有以下特點(diǎn):
1)采用電流模式(Current-Mode)控制脈寬調(diào)制,開(kāi)關(guān)頻率是固定的,為60kHz。
2)內(nèi)置高壓功率MOS管,同控制器集成在同一塊硅片上,可以不用外接MOS管。
3)在輕負(fù)載下電路進(jìn)入自動(dòng)突發(fā)模式(automatic burst mode)。此時(shí),MOS管開(kāi)通時(shí)間會(huì)變得很短,以致要丟失幾個(gè)開(kāi)關(guān)周期才出現(xiàn)脈沖。
4)VDD腳電壓范圍很寬,為 9~38V。芯片有過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)功能,并能自動(dòng)再啟動(dòng);而在過(guò)壓時(shí),則工作在打嗝模式(hiccup mode)。
前文所述,電源要求電壓范圍較寬,待機(jī)功耗較
開(kāi)關(guān)電源電路原理圖如圖3所示。電源電壓通過(guò)C1整流后,流經(jīng)VIPer12A的源級(jí)(D)、漏極(S)。芯片通過(guò)對(duì)內(nèi)置MOSFET的開(kāi)關(guān)操作,使得高頻變壓器T1原邊和副邊持續(xù)不斷進(jìn)行充放電操作。24V通過(guò)原邊輸出,5V由副邊輸出。電路通過(guò)D3、D4、C3組成的回路來(lái)為芯片提供反饋,從而保持輸出電流、電壓的穩(wěn)定性。R1為24V端的負(fù)載電阻,可以在 24V輸出端開(kāi)路時(shí)提供穩(wěn)定的環(huán)路,有利于 5V的穩(wěn)定輸出。
圖2 芯片結(jié)構(gòu)框圖
圖3 電源電路圖
在小功率情況下,一般希望開(kāi)關(guān)電源工作在非連續(xù)導(dǎo)通模式(discontinuous conduction mode,DCM)模式,相比連續(xù)導(dǎo)通模式(continuous conduction mode, CCM)模式,DCM模式工作更穩(wěn)定,閉環(huán)響應(yīng)會(huì)更好,電感量也較小,從而減小了變壓器的體積[6]。
高頻變壓器的設(shè)計(jì)是整個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。先假設(shè)電路工作在臨界導(dǎo)通模式(boundry conduction mode, BCM)模式,計(jì)算在該模式低壓滿載情況下的電感量。
經(jīng)實(shí)際測(cè)量,如圖3所示,在C1取4.7μF,輸入交流電壓不變的情況下,C1上的脈動(dòng)直流電壓的變化為20~30V,且隨著輸入的交流電壓值的升高,變化范圍越小。根據(jù)式(1)計(jì)算最大占空比,即
式中,Vout為原邊輸出電壓;VDC(min)為最小直流母線電壓。得到最大占空比為0.27。為了簡(jiǎn)化計(jì)算將5V一路功率折算到原邊,并估計(jì)電路在MOS開(kāi)關(guān)之后的效率為80%,可得負(fù)載電阻為354Ω。根據(jù)電感量計(jì)算式(2)求得高頻變壓器電感量L為2.16mH,即
式中,Rout為負(fù)載電阻;T為開(kāi)關(guān)周期時(shí)間。為了使電路工作在DCM模式下,設(shè)定電感量為2mH。
變壓器選定PC40作為磁心材料,根據(jù)式(3)計(jì)算匝數(shù)比,即式中,N為變壓器原邊匝數(shù);ΔB為磁感應(yīng)強(qiáng)度變化,一般取0.2~0.3T;Ae為磁心面積。經(jīng)計(jì)算取原邊匝數(shù)Np=80。
確定了原邊匝數(shù)后,可以計(jì)算變壓器的副邊匝數(shù)NS。已知RS1M的正向電壓為0.7V,IN4148的正向電壓為1V,有Np/Ns=(24+0.7)/(5+1),Ns=19.1,經(jīng)測(cè)試實(shí)取Ns=20。
圖4是在220VAC輸入時(shí)D、S引腳上的波形,圖4(a)是滿載情況下的波形,圖4(b)是在50%負(fù)載情況下的波形??梢钥吹?,電源在這兩種負(fù)載情況下均工作在 DCM 模式,在輕負(fù)載下會(huì)進(jìn)入自動(dòng)突發(fā)模式[7]。
表1為在額定負(fù)載下輸入電壓在85~265V AC變化時(shí)輸出電壓的變化情況,24V輸出的線性調(diào)整率為0.71%,5V輸出的線性調(diào)整率為1.2%。
表2為在輸出負(fù)載變化情況下的5V電壓的輸出情況,其中24V側(cè)為4.7kΩ負(fù)載??梢钥吹诫妷菏冀K保持在穩(wěn)定狀態(tài),在15%~100%輸出電流下5V輸出的負(fù)載調(diào)整率為3.2%[8]。
圖4 芯片D、S引腳上的電壓波形
表1 額定負(fù)載下輸入電壓變化時(shí)輸出電壓
表2 輸出負(fù)載變化時(shí)5V電壓輸出
考慮到電路輸出功率較小,采用安規(guī)電容 X2和差模電感組成的一階 EMI濾波電路。L、N進(jìn)線端加壓敏電阻以防止雷擊浪涌。相對(duì)與相同功率輸出的FlyBack結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)電源,該電源EMC電路簡(jiǎn)單,器件的數(shù)量較少,取值也較小[9]。
在PCB布局上,如圖5所示,通過(guò)減少電源電路的高頻交流回路和輸出回路的的面積來(lái)減少電磁干擾。功率部分與控制信號(hào)部分要用不同的接地層,并通過(guò)單點(diǎn)連接,以最大程度的減少功率回路對(duì)信號(hào)控制部分的干擾。同時(shí),在芯片的漏極鋪銅,以降低芯片的工作溫度[10]。
圖5 電源PCB布局
開(kāi)關(guān)電源順利通過(guò)了雷擊浪涌實(shí)驗(yàn),通過(guò)了射頻傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)且相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)值有較大裕量,如圖 6所示。此外,還結(jié)合控制器通過(guò)了靜電放電、電快速瞬變脈沖群和輻射發(fā)射等試驗(yàn),符合GB 14048.1—2012標(biāo)準(zhǔn),證明該電源有較好的電磁兼容性。
圖6 射頻傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)結(jié)果
經(jīng)測(cè)試,5V、24V兩路輸出電壓在85~265VAC的輸入電壓范圍內(nèi)均能穩(wěn)定正常輸出,誤差在±5%之內(nèi),通過(guò)了長(zhǎng)時(shí)間的老化試驗(yàn),符合設(shè)計(jì)要求。該電源元件數(shù)量少且無(wú)特殊元器件,物料成本僅為10元左右,適合對(duì)體積有較高要求的緊湊型控制器,性?xún)r(jià)比較高。該電源不僅適用于智能電器,也適用于其他有相同需求的控制器產(chǎn)品。
[1] 王建華, 張國(guó)鋼, 耿英三, 等. 智能電器最新技術(shù)研究及應(yīng)用發(fā)展前景[J]. 電工技術(shù)學(xué)報(bào), 2015, 30(9):1-11.
[2] 邱才元, 劉向軍. 控制電器內(nèi)置電源技術(shù)的研究[J].電氣技術(shù), 2015, 16(12): 39-41.
[3] 張厚升, 趙艷雷. 新型多功能反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)[J]. 電力自動(dòng)化設(shè)備, 2011, 31(1): 113-117.
[4] 余飛, 許維勝. 基于 NCL30000單級(jí)反激式LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)[J]. 科技傳播, 2010(19): 222-223.
[5] 李文豪, 杜培德, 尹華. 基于非隔離型高效率開(kāi)關(guān)電源的研究與實(shí)用設(shè)計(jì)[J]. 電源世界, 2013(12):30-35.
[6] 普利斯曼, 莫瑞[美]. 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)[M]. 3版. 北京:電子工業(yè)出版社, 2010.
[7] 廖建軍, 鄢毅之, 余海生. 一種高效率小功率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)[J]. 微電子學(xué), 2013, 43(3): 395-400.
[8] 沙占友, 馬洪濤, 王彥朋. 單片開(kāi)關(guān)電源的波形測(cè)試及分析[J]. 電源技術(shù)應(yīng)用, 2007(6): 59-62.
[9] 沙占友, 龐志鋒. 開(kāi)關(guān)電源外圍元器件選擇與檢測(cè)[M]. 北京: 中國(guó)電力出版社, 2009.
[10] 張曉玲, 姜淑萍, 王新婕. 低壓電器電磁兼容測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題及解決對(duì)策[J]. 天津市電機(jī)工程學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì), 2009.