用“芯”驅動，飛達未來
——記英飛凌2018媒體見面會

■ 本刊記者 李鵬

按照慣例，一年一度的英飛凌迎春媒體見面會近日在北京一家別有洞天的四合院里舉行。會議的主角仍然是英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)總裁蘇華博士。在輕松愉悅的氣氛中，蘇華博士做了《英飛凌2017業(yè)績回顧及2018展望》的報告。

蘇華博士

根據(jù)世界半導體貿易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)2017年11月發(fā)布的報告顯示，2017年世界半導體市場增長顯著，規(guī)模超過4090億美元，創(chuàng)7年以來的新高。同時，WSTS預測，2018年全球半導體銷售額將超過4370億美元，年增長7.0%，有望續(xù)創(chuàng)歷史新高。在中國，半導體市場增長與全球保持同步，增速超過19%。國家政策、資金支持及創(chuàng)新應用成為驅動中國半導體增長的主力軍。

2017財年，英飛凌的業(yè)績持續(xù)增長。集團全球營收額達到70.63億歐元，相比2016年增長9%，利潤率達17.1%。英飛凌擁有非常廣泛的增長基礎，除了電動汽車、駕駛輔助系統(tǒng)和可再生能源外，工業(yè)應用業(yè)務也是公司進一步增長的支柱，其中包括應用于自動化程度越來越高的生產(chǎn)機械和機器人的驅動器。英飛凌的這顆智慧“芯”正在讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。

2017 財年突出業(yè)績背后的4大亮點

英飛凌2017財年業(yè)績突出的4大亮點體現(xiàn)在以下幾方面：

首先，持續(xù)提高生產(chǎn)力并擴大產(chǎn)能。英飛凌位于德國的德累斯頓工廠生產(chǎn)的300 mm薄硅片產(chǎn)能擴張發(fā)揮了關鍵作用。

其次，重視技術研發(fā)。2017財年，英飛凌關注基于復合半導體的新技術，擴展碳化硅(SiC)和氮化鎵領域的產(chǎn)品組合，尤其在SiC MOSFET產(chǎn)品方面實現(xiàn)首次營收，這一關鍵技術的突破性進展為持續(xù)成功奠定了基礎。

第三，進一步實施“從產(chǎn)品思維到系統(tǒng)理解”戰(zhàn)略。英飛凌通過了解客戶的系統(tǒng)及市場需求，結合自身在半導體領域的專業(yè)知識，給客戶提供理想的系統(tǒng)解決方案。

第四，不斷創(chuàng)新。2017財年，英飛凌成功實現(xiàn)新一代后量子加密技術(PQC)在市售非接觸式安全芯片上的首次實施，意味著在可對抗量子計算能力的加密領域，英飛凌處于領先地位。

2017財年，英飛凌繼續(xù)保持在功率半導體及智能卡芯片領域世界第一、在全球汽車半導體市場位居第二的領導地位。

中國對可再生能源的大力支持成為促進英飛凌營收增長的第二大因素

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部(IPC)2017財年營收額達到12.06億歐元。此外，中國政府大力支持的風電和光伏產(chǎn)業(yè)的大幅擴張，成為促進英飛凌營收增長的第二大因素。根據(jù)IHS Markit截至2017年8月的數(shù)據(jù)，憑借26.6%的市場份額，英飛凌名列全球IGBT功率半導體市場第一。

未來幾年，隨著各國政府，尤其是中國政府對可再生能源的開發(fā)利用和持續(xù)投資，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部將不斷獲益，業(yè)務將繼續(xù)壯大。

英飛凌將繼續(xù)專注主要的增長市場，堅持創(chuàng)新，并借助在SiC和氮化鎵技術領域的不斷突破，進一步擴大產(chǎn)品組合，實現(xiàn)先進技術和產(chǎn)品在諸如電動汽車、可再生能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的成功應用。

2017 年英飛凌在功率器件方面取得重大突破

蘇華博士與英飛凌4大部門負責人共同接受了媒體提問。通過多年對英飛凌的跟蹤報道，筆者深感IGBT芯片之于光伏逆變器猶如CPU之于計算機一樣重要，Infineon inside則是光伏逆變器品質的重要保證。英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部中國區(qū)負責人于代輝副總裁就筆者所關心的英飛凌面對未來中國光伏市場的策略和SiC技術的進展情況進行了解答。

關于2018年中國光伏補貼電價下調的應對策略，于代輝表示：“短期來看，補貼下調會增加我們客戶的成本壓力和盈利水平的壓力，但是從長期來看，我認為該舉措能促進市場更加良性、健康的發(fā)展。所以，英飛凌會和客戶一起共同面對成本壓力，大力提高功率密度和產(chǎn)品系統(tǒng)性能?！?/p>

英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部主要將從以下3個方面來支持光伏產(chǎn)業(yè)競爭力的提升：

第一是產(chǎn)品技術創(chuàng)新?；趯夥到y(tǒng)朝著1500 V直流發(fā)展的判斷，針對新的應用，英飛凌提出了全新的技術方案。采用IGBT5.xt技術的新一代PrimePACKTM3+是業(yè)內功率密度最高的PrimePACKTM，電流高達1800 A/1200 V，可使單機容量達到1 MW以上，真正體現(xiàn)1500 V光伏系統(tǒng)的優(yōu)勢和價值。

第二是為客戶提供定制化服務。英飛凌重視中國客戶的需求，比如為客戶定制的1500 V直流優(yōu)化系統(tǒng)方案，幫助客戶拿到海外訂單，也體現(xiàn)了英飛凌支持中國本土客戶走向全球的戰(zhàn)略。

第三是重視利用生態(tài)圈。充分利用產(chǎn)學研合作優(yōu)勢，英飛凌推出1500 V直流系統(tǒng)產(chǎn)品后，為提高其高功率密度設計，英飛凌和大學一起做了預研，并聯(lián)合供應鏈上的相關合作伙伴和客戶一起完成了1.25 MW設計，推出了1 MW、1.1 MW、1.25 MW光伏逆變器系列產(chǎn)品，推動了中國光伏產(chǎn)業(yè)技術升級。

2017年，英飛凌在功率器件方面的突破包括：英飛凌一直致力于功率器件的功率密度的提高，不斷降低IGBT芯片的損耗，不斷開發(fā)新的封裝技術，同時根據(jù)中國市場的應用需求開發(fā)客戶定制產(chǎn)品。中國客戶在光伏和UPS等應用中有不少創(chuàng)新的拓撲結構，如何以高功率密度的方法實現(xiàn)就需要開發(fā)相應的模塊產(chǎn)品，這些產(chǎn)品中會用到最新的芯片技術，包括SiC二極管的MOS管。

SiC是英飛凌一直在主導的產(chǎn)品，因為它是未來的趨勢。SiC MOSFET存在平面柵工藝可靠性方面的技術難題，英飛凌是分兩步走的：第一步是在2014年推出SiC JFET，避免了柵極問題，開創(chuàng)了高速功率開關的應用新紀元；第二步是在2016年推出領先的溝槽柵SiC MOSFET技術，避免了柵極的電場應力，消除了令人擔憂的可靠性和壽命問題。

作為一個行業(yè)領導者，英飛凌不遺余力地推進SiC多領域應用。2017年英飛凌開始批量生產(chǎn)SiC分立器件和模塊，分立器件有TO-247-3pin和TO-247-4pin封裝的產(chǎn)品，模塊有EASY 1B、EASY 2B和62 mm等，可在太陽能、傳動、UPS和電源領域應用。

1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術的優(yōu)勢體現(xiàn)在：1)具有持久堅固耐用性，失效率很低，這得益于門級氧化層的可靠性。2)實現(xiàn)業(yè)界碳化硅器件導通，開關損耗最低、溫升最低、效率最高。3)英飛凌SiC器件具備業(yè)界獨家的3 μs短路能力，這是由于其具備較低的工作時間失效(FIT)率和有效的短路能力，可適應不同的應用；同時得益于4 V的閾值電壓和+15 V的推薦接通閾值，可像驅動IGBT一樣驅動英飛凌的SiC MOSEFT，在發(fā)生故障時得以安全關閉，用戶不需要專門再設計特別的驅動電力，從而大幅提高了SiC產(chǎn)品普及的速度。

作為全球著名的半導體科技公司，英飛凌引領了全球半導體技術發(fā)展，并在所有專注的產(chǎn)品市場名列前茅。懷著對客戶負責、對社會盡責的使命感，英飛凌將繼續(xù)用“芯”驅動未來，讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。