張海豐, 于淼紅, 葛洪亮
(1.佳木斯大學(xué)理學(xué)院,黑龍江 佳木斯 154007;2.佳木斯市第二十中學(xué),黑龍江 佳木斯 154004;3.黑龍江省聯(lián)通公司佳木斯分公司,黑龍江 佳木斯 154002)
電磁屏蔽涂料是隱身材料研究中的一種典型的吸收體,能夠在2-18GHz頻率范圍內(nèi)很好地消耗電磁波能量,然而基于材料和應(yīng)用實(shí)際中的一些優(yōu)化上的問(wèn)題,特別是材料的電磁參數(shù)和厚度,以及入射波的頻率等參數(shù)過(guò)多,致使理論計(jì)算中參數(shù)匹配的計(jì)算很困難。
國(guó)內(nèi)在對(duì)抗電磁波輻射材料的研究中,成功地將三維網(wǎng)格法應(yīng)用到了吸波材料和Salibury屏優(yōu)化設(shè)計(jì)之中,得到了很好的效果[1~4],所以我們考慮將這一方法應(yīng)用到電磁屏蔽涂料的研究之中。同樣根據(jù)全貌分析方法[5]的研究理念,采取三維網(wǎng)格法來(lái)彌補(bǔ)電磁屏蔽涂料設(shè)計(jì)中一些片面地強(qiáng)調(diào)某一電磁參數(shù)的影響所帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),進(jìn)一步為工程材料優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí)的電磁參數(shù)和其它相關(guān)參數(shù)的匹配給出指導(dǎo)性意見(jiàn),從而提高材料和外形設(shè)計(jì)的效率和提高材料的吸收效果。
設(shè)電磁波以任意角度入射到厚度d為的平板電磁屏蔽涂料上,見(jiàn)圖1,分別用θ1和θ表示入射角和折射角,用Z1和Z表示空氣層和材料層的法向阻抗,且假設(shè)波的入射面與xz平面重合。
(1)
(2)
其中ε0和μ0表示真空中的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率,εr和μr表示材料中的相對(duì)介電常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率。
圖1 電磁波在單層吸收材料上的反射
由于電磁波在材料層的兩個(gè)分界面上多次反射,使得在層內(nèi)形成兩個(gè)合成波。取坐標(biāo)軸原點(diǎn)o在材料層和空氣層的分界面處,所以材料層的輸入阻抗為
Zin=jZtgαd
(3)
其中α=kcosθ。
由于材料對(duì)入射波有損耗,所有取波矢量k為復(fù)數(shù)k=k′-jk″,k′,k″分別為
(4)
(5)
根據(jù)電磁波理論可以得到反射系數(shù)為
(6)
根據(jù)文獻(xiàn)[5~6],在吸波材料的研究中,在2-18GHz的頻帶內(nèi),6GHz的頻率也是很關(guān)鍵的頻率點(diǎn),其后向反射率的衰減dB值也代表著整個(gè)材料對(duì)入射波能量吸收的性能。基于此,下邊將針對(duì)f=6GHz,根據(jù)全貌分析方法[2]進(jìn)行討論。利用Matlab軟件繪制了反射率R(dB)、頻率f(GHz)、厚度(mm)、介電常數(shù)和磁導(dǎo)率等之間相互關(guān)系的三維網(wǎng)格圖2~7所示。
圖2 當(dāng)εr′=12、εr″=6、μr′=3、μr″=1時(shí),
R(dB)與f和d的網(wǎng)格圖
圖3 當(dāng)f=6GHz、d=10mm、μr′=3、μr″=1時(shí),
R(dB)與f和d的網(wǎng)格圖
從圖2的R(dB)與f和d的三維網(wǎng)格曲線可以看出,在高頻段,隨著厚度d的增加,R(dB)都是平穩(wěn)的達(dá)到5dB左右的衰減值;在低頻段,厚度d在1-10mm時(shí),曲線出現(xiàn)波動(dòng),最低點(diǎn)處對(duì)應(yīng)f=2GHz,此處R(dB)的衰減值大于3dB,這也能滿足工程上的要求。
從圖3可以看出,εr′和εr″對(duì)后向反射率的影響基本處于同樣大的;當(dāng)εr′和εr″都取很小的值時(shí),曲線出現(xiàn)峰值,衰減值最大處R(dB)在30dB左右;隨著εr′和εr″的增加,R(dB)迅速減小,并趨于平坦。分析曲線中的變化,其原因在于,當(dāng)εr′和εr″很小時(shí),材料店額表面反射影響很小,然后隨著εr′和εr″的增大,表面反射作用也在增強(qiáng),導(dǎo)致后向反射率的dB值也相應(yīng)的減小。這和文獻(xiàn)[6]中給出的結(jié)論是一致的。
圖4 當(dāng)f=6GHz、d=10mm、μr′=3、μr″=1時(shí),
R(dB)與f和d的等高線
圖4給出了f=6GHz、d=10mm、μr′=3、μr″=1時(shí),R(dB)與f和d的等高線。從圖中曲線可以看出,εr′<18、εr″<12時(shí),后向反射率R(dB)都能達(dá)到約7dB的衰減值;同時(shí)圖3中的峰值出現(xiàn)在εr′≈3、εr″≈1處,即εr′/εr″≈3,這與初始值μr′/μr″=3相同,可以看出材料出現(xiàn)最強(qiáng)吸收的位置處電磁參數(shù)正好滿足了廣義匹配規(guī)律,同文獻(xiàn)[6]的論點(diǎn)是一致的。
圖5 當(dāng)f=6GHz、d=10mm、εr′=15、εr″=5時(shí),
R(dB)與f和d的網(wǎng)格圖
圖5給出了f=6GHz、d=10mm、εr′=15、εr″=5時(shí),R(dB)與f和d的三維網(wǎng)格曲線。從圖中曲線可以看出,隨著當(dāng)μr′和μr″的增加,后向反射率R(dB)的值都在遞增,R(dB)的值隨μr″的變化更加明顯。
圖6 當(dāng)f=6GHz、d=10mm、εr′=15、εr″=5時(shí),
R(dB)與f和d的等高線
圖6給出了f=6GHz、d=10mm、εr′=15、εr″=5時(shí),R(dB)與f和d的等高線。從圖中曲線可以看出,當(dāng)1<μr′<10、1<μr″<10時(shí),后向反射率R(dB)都能達(dá)到5dB以上的衰減值;同時(shí)可以看出,當(dāng)μr′取某一值時(shí),μr″越大,后向反射率R(dB)的值越大,即材料對(duì)電磁波的吸收能力越強(qiáng);而當(dāng)μr″取某一值時(shí),隨著μr′值的增加,盡管后向反射率R(dB)的值也在增加,但是沒(méi)有當(dāng)μr′取某一值,后向反射率R(dB)隨μr″變化的明顯,從而表明在材料對(duì)電磁波的吸收過(guò)程中,相對(duì)于μr′而言,μr″的作用是主要的,這也與文獻(xiàn)[5]的結(jié)論是一致的。
根據(jù)上面三維網(wǎng)格法得到的結(jié)論進(jìn)行具體的優(yōu)化設(shè)計(jì),繪制了四個(gè)關(guān)鍵頻率點(diǎn)f=2GHz,4GHz,6GHz,8GHz的R(dB)隨厚度d變化的曲線,如圖7所示。
圖7 當(dāng)εr′=15、εr″=5、μr′=3、μr″=1,
f=2GHz,4GHz,6GHz,8GHz時(shí),
R(dB)與d的關(guān)系曲
從圖7可以看出,當(dāng)厚度等于1mm時(shí),2GHz和4GHz兩個(gè)頻率點(diǎn)的R(dB)值小于3dB,而6GHz和8GHz兩個(gè)頻率點(diǎn)的R(dB)值均大于4dB;當(dāng)厚度等于2mm時(shí),除2GHz頻率點(diǎn)的R(dB)值小于3dB外,其它頻率點(diǎn)的R(dB)值均大于5dB;同時(shí)可以看出四條曲線在R(dB)值等于6dB附近隨著厚度d的增加而出現(xiàn)震蕩,低頻時(shí)震蕩明顯,高頻時(shí)趨于平坦,而且每條曲線都在不同的厚度處出現(xiàn)極致,這也為實(shí)際材料設(shè)計(jì)中的外形結(jié)構(gòu)處理上指明了方向,即才有厚度漸變式的結(jié)構(gòu)將更能有效的吸收入射的電磁波能量。對(duì)于平板型的吸收體都有很好的電磁波吸收效果,說(shuō)明這一設(shè)計(jì)的結(jié)果是合理的。而對(duì)于涂層型的吸收體而言,由于厚度很小,在低頻段不能滿足大于3dB衰減值的工程需要,這也是后續(xù)工作的研究重點(diǎn)。
從本文的討論和設(shè)計(jì)可以看出,利用Matlab軟件將三維網(wǎng)格法引入到電磁屏蔽涂料電磁參數(shù)匹配的設(shè)計(jì)中,并根據(jù)全貌分析方法充分的討論了總后向反射率與電磁參數(shù)、厚度、頻率等參數(shù)之間的關(guān)系,討論的結(jié)果中電磁參數(shù)滿足匹配規(guī)律。同時(shí)通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),給出了材料的外形設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該根據(jù)不同頻率點(diǎn)的強(qiáng)吸收特點(diǎn)采取厚度漸變式的觀點(diǎn),為電磁波吸收體外形設(shè)計(jì)指明了方向。
[1] 張海豐,崔虹云,關(guān)慧君,等. 網(wǎng)格法在抗電磁波輻射材料電磁參數(shù)匹配研究中的應(yīng)用[J].黑龍江工程學(xué)院學(xué)報(bào),2011,25(2):74-80.
[2] 張海豐,周忠祥,崔虹云,等. Salisbury屏電磁參數(shù)匹配特性及其在抗電磁波輻射中的應(yīng)用研究[J]. 信陽(yáng)師范學(xué)院學(xué)報(bào),2011,24(2):265-267.
[3] 王賀.納米鐵和氮化鐵超順磁性復(fù)合吸收劑的研制.材料科學(xué)與工藝,2006,14(5):457-459.
[4] 王東方,周忠祥,等.Salisbury屏的優(yōu)化設(shè)計(jì).哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào).2004,10:1054-1059.
[5] 秦汝虎,秦柏,等.吸波材料設(shè)計(jì)中的全貌分析方法.哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào).2002,34(5):579-583.
[6] 張海豐.廣義匹配規(guī)律在多涂層吸波材料設(shè)計(jì)中的應(yīng)用.哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào),2003.35(9):1140-1143.