文/覃斌
電子電路技術(shù)的發(fā)展
文/覃斌
文章首先對電子電路技術(shù)進(jìn)行了概括性介紹,在此基礎(chǔ)上通過模擬電路和數(shù)字電路兩個方面對電子電路技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行分析和探討。期望通過本文的研究能夠進(jìn)一步推動電子電路技術(shù)的發(fā)展,并拓寬其應(yīng)用范圍。
電子電路技術(shù) 模擬電路 數(shù)字電路發(fā)展
電子電路又稱之為電子回路,是指由電氣設(shè)備和各類元器件(用電器),以某種特定的方式連接起來,為電荷的流通提供路徑的總體。簡單來講,電子電路就是由電子元件所構(gòu)成的電路,根據(jù)所處理信號的不同,電子電路可分為模擬電路和數(shù)字電路二種,其中集成電路(IC)是電子電路技術(shù)中最具典型性和代表性的一類產(chǎn)品。對于電子電路技術(shù)而言,電路設(shè)計是其應(yīng)用中重要的前提,根據(jù)不同的電路設(shè)計方案,可制造出各類電子電路載體,如電路板、功能元器件等,在具體應(yīng)用時,則是對電子電路的安裝與連接技術(shù),如封裝技術(shù)等。目前,對電子電路技術(shù)的研究主要集中在兩個方面,即模擬電路和數(shù)字電路,本文下面就以這兩類電子電路作為研究對象,通過對前人研究成果的分析和總結(jié),探討電子電路技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。
模擬電路(Analog Circuit)簡稱AC,它是一種能夠?qū)δM信號進(jìn)行有效處理的電子電路,這里所指的模擬信號是電壓(或電流)對于真實信號成比例的再現(xiàn)??蓪C分為標(biāo)準(zhǔn)和專用兩大類,標(biāo)準(zhǔn)AC主要包括放大器接口電路、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、比較器以及基準(zhǔn)電路等,其中穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)電路在AC市場中所占的比例最大,約為13%左右。專用AC的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括電子產(chǎn)品、計算機、通信、汽車、工業(yè)等。
模擬電路的出現(xiàn)時間相對較早,各種指標(biāo)的不斷優(yōu)化是其進(jìn)步與發(fā)展的重要體現(xiàn),尤其是在功耗、速度以及分辨率等方面的改進(jìn)。模擬電路剛剛出現(xiàn)時,采用的生產(chǎn)工藝為8掩模工藝,在當(dāng)時,大部分生產(chǎn)廠商所用的制造工藝十分類似,他們所生產(chǎn)的器件類型也基本相同。隨著技術(shù)的逐步完善,如今,各個廠商在制造模擬電路方面都有了自己的工藝,模擬電路生產(chǎn)工藝的優(yōu)化改進(jìn)除了與晶體管的尺寸有關(guān)之外,還與其工藝本身的復(fù)雜性有著極為密切的關(guān)聯(lián)。模擬電路在制造過程中,需要使用50個左右的掩模層,并且其中還包含薄膜晶體管、CMOS、雙極和能夠?qū)崿F(xiàn)相關(guān)模擬功能所需的其它專用組件。
在有些應(yīng)用領(lǐng)域中,對模擬電路的尺寸要求較高,為此,應(yīng)加大對模擬電路尺寸縮減方面的研究力度。對于模擬電路而言,它的某些特定參數(shù),如電壓、電流等,需要占用芯片一定的面積,由此才能發(fā)揮出應(yīng)有的作用。相關(guān)研究結(jié)果顯示,電壓越高所需的晶體管就越大,并且還需要足夠大的間距。不僅如此,較大的電流在運作時,也要求使用面積相對較大的晶體管,若是采用縮小參數(shù)的做法,無法使晶體管傳輸大電流的能力得到根本性地改善。同時,功率的耗散也同樣需要有大的芯片面積和熱連接來實現(xiàn)正確運作。對密度進(jìn)行改進(jìn)是實現(xiàn)模擬電路尺寸縮減的有效途徑之一,由此使得以纖巧線寬實現(xiàn)的新型晶體管獲得了快速發(fā)展。細(xì)線工藝除了能夠支持巨量數(shù)字電路之外,其成本也相對較低,它在模擬電路中的應(yīng)用,可帶來一定的經(jīng)濟(jì)效益,并且還能拓寬模擬電路的使用范圍。例如,工作頻率在MHz且效率≥95%的開關(guān)穩(wěn)壓器,使用的就是細(xì)線晶體管。晶體管尺寸的縮小,使得模擬電路可以內(nèi)置大量的數(shù)字回路支持電路,其運轉(zhuǎn)速度隨之獲得顯著提升。
在模擬組件方面,隨著技術(shù)的發(fā)展,運放的速度及DC精度均有了明顯的改善。以線性穩(wěn)壓器為例,它由壓差、電源電流、模擬監(jiān)視輸出構(gòu)成,這種架構(gòu)下,不需要額外配置專用的外部電路,便可實現(xiàn)器件之間的并聯(lián)。
數(shù)字電路(Digital Circuit)簡稱DC,是用數(shù)字信號完成對數(shù)字量進(jìn)行算術(shù)運算和邏輯運算的電路,這一過程的實現(xiàn)主要憑借的是數(shù)字信號。二值數(shù)字邏輯是此類電路的基礎(chǔ),它處理的信號為離散型的數(shù)字信號,電路中的電子晶體管工作于開關(guān)的狀態(tài)下。
從數(shù)字電路的發(fā)展歷程上看,與模擬電路較為相似,都經(jīng)歷了由電子管、半導(dǎo)體分立器件到集成電路(IC)等幾個時代,兩者相比,數(shù)字電路的發(fā)展速度要更快一些。上個世紀(jì)70年代末期,微處理芯片的誕生,及其在數(shù)字電路中的應(yīng)用,使數(shù)字電路的性能產(chǎn)生了一次質(zhì)的飛躍。硅是數(shù)字集成器件制造時采用的主要材料之一,在高速運行的數(shù)字電路中,也會用到化合物半導(dǎo)體材料。在數(shù)字電路中,邏輯門是最為重要的邏輯單元電路,而在CMOS工藝不斷發(fā)展和完善的前提下,使得TTL在邏輯門電路中的主導(dǎo)地位有所動搖。
與模擬電路相比,數(shù)字電路更加復(fù)雜,由于其主要進(jìn)行的是數(shù)字信號的處理,故此電路本身的抗干擾能力要優(yōu)于模擬電路。一個完整的數(shù)字電路一般需要有兩大部分,即控制部分和運算部分,由于具有這種結(jié)構(gòu)使數(shù)字電路具備了如下特點:適合運算比較、存儲控制;同時數(shù)字電路具有可靠性高、集成度高、體積小、功耗低;電路設(shè)計、維修、維護(hù)靈活方便等優(yōu)點。
目前,數(shù)字電路以其自身所具備的諸多特點,在多個領(lǐng)域中均獲得應(yīng)用,如電視、雷達(dá)、通訊、電子計算機、自動控制、航天等。
(1)在數(shù)字電視中的應(yīng)用。數(shù)字電視是以數(shù)字電視信號進(jìn)行傳播的一種電視類型,通過數(shù)字解調(diào)和音視頻解碼技術(shù)可對圖像和聲音進(jìn)行還原。數(shù)字電路中,編碼器和譯碼器是最常接觸的器件之一,數(shù)字電視作為數(shù)字電路的一種應(yīng)用形式,編解碼是它的關(guān)鍵技術(shù)之所在。音頻和視頻信號在初始時均為模擬信號,為此,在傳輸前需要進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換,將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,當(dāng)音視頻信號數(shù)字化之后,其中的數(shù)據(jù)量將會變大,由此會對此信號的傳輸造成影響,為有效解決這一問題,需要應(yīng)用數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)。
(2)在計算機系統(tǒng)中的應(yīng)用。數(shù)字電路能夠利用繼電器等控制器件,來完成二進(jìn)制的算術(shù)和邏輯運算。在早些時候,無線電電路中的放大器通常使用的都是真空管,隨著技術(shù)發(fā)展,真空管逐步被數(shù)字電路中的快速開關(guān)所取代,利用一定數(shù)量的邏輯門電路可構(gòu)成相對完整的控制器。
近年來,隨著各種科學(xué)技術(shù)的不斷完善和進(jìn)步,推動了半導(dǎo)體、平板刷等技術(shù)工藝的發(fā)展,由此為數(shù)字電路的發(fā)展提供了強有力的技術(shù)支撐。在未來一段時期,數(shù)字電路將會朝著集成化、復(fù)雜化、智能化的方向發(fā)展,它的運算速度也將在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上獲得進(jìn)一步提升,在這一前提下,數(shù)字電路將可集成數(shù)以億計的微處理器,閃盤的容量可以達(dá)到64GB。在不久的將來,計算機和移動終端的CPU時鐘頻率都將大幅度提高,并且CPU的體積也會變得越來越小,這樣可使一塊微處理芯片上容納多個CPU,從而使高速緩存達(dá)到三級以上,有助于減少CPU對外部存儲器讀寫數(shù)量的減少,可使CPU的數(shù)據(jù)吞吐量獲得大幅度提高,有利于處理器整體性能的增強。
目前,8核CPU已經(jīng)逐步在市場中推廣,眾所周知,CPU的核心數(shù)目越多,其處理功能就越強大。8核CPU上的晶體管數(shù)量極為龐大,核心引腳也相對較多,每個核心具有8個執(zhí)行單元,能夠在每個時鐘周期處理4條8進(jìn)制浮點數(shù)據(jù),執(zhí)行單元可以共享一個速度超過的二級緩存,該緩存采用的是3路獨立總線,其中每一路為640KB,3路加在一起的二級緩存為1.92MB,核心的數(shù)據(jù)帶寬可達(dá)到200GB/ s以上。在內(nèi)存方面,最先進(jìn)的8GB DDR4內(nèi)存顆粒和32GB DDR4內(nèi)存條采用的全部都是最新的20nm工藝,其額定頻率為2400MHz,與DDR3相比,在性能方面大約可以提升將近30%左右,電壓則可維持在標(biāo)準(zhǔn)的1.2V。通過3D TSV硅穿孔技術(shù),新顆粒能夠制造出單條128GB超大容量的內(nèi)存條。
綜上所述,電子電路技術(shù)以其自身良好的性能和諸多的特點,在多個領(lǐng)域中獲得了應(yīng)用。本文重點對電子電路技術(shù)中的模擬電路和數(shù)字電路進(jìn)行分析,探討了它們的應(yīng)用與發(fā)展。對于電子信息產(chǎn)業(yè)而言,電子電路技術(shù)是實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)快速、穩(wěn)定發(fā)展的基礎(chǔ),為此,必須加大對電子電路技術(shù)的研究力度,從而使其能夠更好地為電子信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)。
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作者單位 廣西機電技師學(xué)院 廣西壯族自治區(qū)柳州市545005
覃斌(1963-),男,廣西壯族自治區(qū)平南縣人。現(xiàn)為廣西機電技師學(xué)院電氣工程系高級講師。主要研究方向為電工電子技術(shù),可編程控制器應(yīng)用技術(shù)。