基于石墨烯CMOS的圖像傳感器
CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)在近40年一直是集成電路的核心,其使得結(jié)構(gòu)緊湊、成本低的微電子電路和成像系統(tǒng)成為可能。文中首次展示了CMOS集成電路與石墨烯集成的高遷移率光電晶體管。石墨烯-CMOS集成對(duì)于低功率,覆蓋可見光、紅外甚至太赫茲頻率的CMOS成像系統(tǒng)至關(guān)重要。
文中首先介紹了石墨烯與CMOS集成電路集成的光電晶體管。該光電晶體管可用于圖像傳感器,其有388×288個(gè)石墨烯光電檢測點(diǎn),每個(gè)光電檢測點(diǎn)可輸出積分電位,將大約110000個(gè)光電檢測點(diǎn)連接到CMOS集成電路上進(jìn)行集成。接著文中對(duì)基于石墨烯CMOS的高分辨率圖像傳感器進(jìn)行測試,結(jié)果表明其對(duì)紫外線、可見光和紅外光(300~2000nm)非常敏感,可擴(kuò)大成像范圍。
未來,隨技術(shù)的進(jìn)步,基于石墨烯CMOS的圖像傳感器可接收光的波長范圍將會(huì)更廣、分辨率將更高、尺寸將更?。ㄉ踔量梢园惭b到智能手機(jī)上)。且基于石墨烯CMOS的圖像傳感器技術(shù)的研究與當(dāng)前的混合成像技術(shù)研究現(xiàn)狀正好相反,基于石墨烯CMOS的圖像傳感器技術(shù)在縮小像素尺寸和增加傳感器分辨率兩方面間沒有矛盾。
隨著石墨烯CMOS復(fù)雜集成電路開發(fā)技術(shù)的進(jìn)步,基于石墨烯CMOS的圖像傳感器分辨率將會(huì)不斷提高、像素尺寸會(huì)不斷縮小。
刊名:Nature Photonics(英)
刊期:2017年第6期
作者:Stijn Goossens
編譯:徐嘉浩