添加鉍之氧化釓摻雜氧化鈰對燒結(jié)性能的影響

楊 琳

(江門職業(yè)技術(shù)學(xué)院，廣東 江門 529090)

添加鉍之氧化釓摻雜氧化鈰對燒結(jié)性能的影響

楊 琳

(江門職業(yè)技術(shù)學(xué)院，廣東 江門 529090)

采用溶膠凝膠法制備氧化釓摻雜氧化鈰(GDC)納米粉體，根據(jù)阿基米德原理測定燒結(jié)試樣的體積密度和相對密度，采用掃描電子顯微鏡觀察1250℃下不同氧化鉍添加量的GDC斷面形貌。分析和探討了氧化鉍含量對GDC納米粉體燒結(jié)密度的影響和作用原理，得出了氧化鉍3%的最佳添加量。

氧化釓摻雜氧化鈰；相對密度；粘性流動；助燒結(jié)劑

氧化釓摻雜氧化鈰基材料(GDC)的優(yōu)點是具有較高的氧離子電導(dǎo)率以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等，因此在固體氧化物燃料電池、氣體分離膜和化學(xué)傳感器等領(lǐng)域得到了較為廣泛的應(yīng)用[1]。然而，GDC的缺點不容忽視，較高的燒結(jié)溫度導(dǎo)致其晶粒變大和機(jī)械性質(zhì)變差，大大限制了該材料的應(yīng)用。前人為改善GDC的燒結(jié)溫度，在制備方法、成型工藝和燒結(jié)工藝等方面做了各種嘗試。

Jan[2]等在采用草酸鹽制備YDC粉末共沉淀的工藝優(yōu)化過程中，發(fā)現(xiàn)通過物理方法高速研磨粉末便可有效減少甚至消除粉末的團(tuán)聚，在1400℃下燒結(jié)2h便能獲得致密的YDC膜；Maric[3]等人采用燃燒化學(xué)氣相法制備出SDC粉體和GDC粉體，在1150℃下燒結(jié)5 h可使相對密度高達(dá)99%；宮云輝[4]采用表面印刷技術(shù)在YSZ表面制備2μm厚的GDC層，在1250℃下即可燒結(jié)；Zhang等人[5]向GDC中添加0.5%摩爾分?jǐn)?shù)的Fe2O3，可使該材料在1300℃下燒結(jié)5h達(dá)到95%的理論密度；Nicholas等[6]向Ce0.9Gd0.1O1.95添加3%摩爾分?jǐn)?shù)的LiNO3，使其在800℃燒結(jié)lh便達(dá)到99%理論密度(這是目前已發(fā)表的文獻(xiàn)報道中GDC的最低燒結(jié)溫度)。

Bi2O3本身便是一種良好的燒結(jié)助劑，除此之外Bi2O3也是一種眾所周知的電導(dǎo)率很高的氧離子導(dǎo)體材料，然而其自身的相態(tài)不穩(wěn)定卻大大的制約了該材料的應(yīng)用。但是，作為助燒結(jié)劑在GDC中少量添加，有望在降低GDC燒結(jié)溫度的同時不會給其電導(dǎo)率等方面帶來負(fù)面影響[7]。

本文研究了向GDC中添加不同質(zhì)量比的Bi2O3對其燒結(jié)性能的影響，得出Bi2O3的最優(yōu)添加量，從而使GDC阻擋層在低于1300℃的溫度下便可制備。

1 實驗方法

本論文采用sol-gel法制備了添加氧化鉍的摻雜氧化鈰基納米粉體，將得到的不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)Bi2O3-GDC納米粉體分別在300 MPa壓力下單軸成型干壓，制得尺寸為 φ10 mm、厚度約為1 mm的樣片，并在1250℃下煅燒2 h。此外還需將之前制備的純GDC粉體，相同條件下干壓成型后，在1400℃下煅燒2 h。

采用Archimedes法對燒結(jié)體的體密度和相對密度進(jìn)行測定；分析和對比GDC燒結(jié)體的SEM斷面形貌。

2 實驗結(jié)果分析

如圖1，1250℃下燒結(jié)2 h后GDC的體密度和相對密度強(qiáng)烈的受著燒結(jié)助劑Bi2O3的影響。燒結(jié)體的相對密度先隨著助劑含量的增加而增大，在出現(xiàn)峰值后出現(xiàn)平臺，然后隨著助劑含量的繼續(xù)升高反而有所降低。與純GDC相比，添加了燒結(jié)助劑的樣品孔洞明顯減少，而孔洞存在的數(shù)量是決定材料致密程度的關(guān)鍵。因為純的GDC致密化過程主要是通過固態(tài)燒結(jié)即空位擴(kuò)散和晶界擴(kuò)散來實現(xiàn)的，這種致密化過程只有通過高溫才能完成。而添加了Bi2O3的GDC致密化過程為液相燒結(jié)，這種燒結(jié)機(jī)制有效地降低GDC的燒結(jié)溫度，還很好地抑制了晶粒的生長，從而避免了生成過大的晶粒影響其密堆積。

(a)體密度(b)相對密度

圖1 不同Bi2O3含量的GDC的燒結(jié)體(1250℃)密度

Fig.1 The density of GDC doped by different content of Bi2O3sintered at 1250℃

圖2為含不同比例Bi2O3的GDC在1250℃下燒結(jié)的致密體的斷面形貌圖，同樣也說明了Bi2O3對樣品的燒結(jié)致密有促進(jìn)作用。主要是因為Bi2O3的低熔點，在較低溫度(820℃)下在晶粒表面上出現(xiàn)擴(kuò)散現(xiàn)象，在晶粒之間形成了一層無定形的薄膜。Bi2O3形成的這一薄膜大大減小摩擦力，導(dǎo)致發(fā)生粘性流動機(jī)制，促進(jìn)晶粒間重排，加速粉體燒結(jié)過程，從而降低GDC燒結(jié)溫度。此外，粘性流動燒結(jié)也會增加晶粒表面間的接觸，促進(jìn)晶粒間的質(zhì)量擴(kuò)散，在之后的燒結(jié)過程中更是進(jìn)一步促進(jìn)致密化過程[8-9]。

圖2不同Bi2O3含量的GDC的燒結(jié)體(1250℃)斷面形貌(×1000)

Fig.2 The SEM of fracture appearance for GDC doped by different content of Bi2O3sintered at 1250℃(×1000)

晶界即晶粒之間的交界面，也是空位源(即氣孔)通向燒結(jié)體外主要的擴(kuò)散通道。隨著燒結(jié)助劑的增加，燒結(jié)速率也會隨之提高。但是，當(dāng)晶界移動速率超過氣孔移動速率時，晶界會越過空位源向曲率中心移動，氣孔一旦被包裹于晶體內(nèi)部，只能十分困難地通過體積擴(kuò)散來排除。七孔過多則會使胚體難以致密化，且會影響到材料的各種性能。這也是5% Bi2O3添加量的GDC燒結(jié)密度小于3% Bi2O3添加量的原因。因此，燒結(jié)助劑添加過程中對其加入量的控制是非常有必要的。

3 總結(jié)(1)GDC的燒結(jié)密度隨著助燒結(jié)劑Bi2O3含量的增加而增大，樣品的相對密度增大至3%時達(dá)到峰值，之后隨著助劑含量的繼續(xù)升高而有所降低。這是因為燒結(jié)助劑有效地提高了燒結(jié)速率，同時也容易在晶體內(nèi)部產(chǎn)生七孔，這種七孔難以去除，最終導(dǎo)致胚體難以致密化。

(2)Bi2O3作為助燒結(jié)劑，對GDC燒結(jié)有明顯的促進(jìn)作用，這是由于發(fā)生了粘性流動機(jī)理，加快晶粒的重排，加速燒結(jié)的過程，降低GDC燒結(jié)的溫度。同時，晶粒表面之間的接觸增加，晶粒間的質(zhì)量擴(kuò)散加大，進(jìn)一步提高致密化程度。

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(本文文獻(xiàn)格式：楊 琳.添加鉍之氧化釓摻雜氧化鈰對燒結(jié)性能的影響[J].山東化工,2017,46(11):33-34,37.)

Effect of Bismuth Addition on the Sintering of Gadolinium-doped Ceria Ceramics

YangLin

(Jiangmen Polytechnic,Jiangmen 529000,China)

Sol-gel was used to prepare Gadolinium-doped Ceria (GDC) nano-powders in this paper. The volume density and relative density of sintered samples were determined according to the principle of Archimedes. The fracture appearance for GDC doped by different content of Bi2O3sintered at 1250℃ was examined by using a scanning electron microscope. The optimum content of 3% Bi2O3was obtained by the analysis and discussion on the effect of different content of Bi2O3on sintering GDC.

gadolinium-doped Ceria (GDC);relative density;mechanism of viscous flow;sintering aid

2017-04-12

楊 琳(1989—)，女，江西景德鎮(zhèn)人，江門職業(yè)技術(shù)學(xué)院，材料技術(shù)系，助教，碩士研究生，研究方向：無機(jī)化工、職業(yè)教育。

TQ314.24

A

1008-021X(2017)11-0033-02