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      太陽能電池制備工藝?yán)碚撗芯?/h1>
      2017-08-11 10:21:16李倩常向楠
      世界家苑 2017年2期
      關(guān)鍵詞:生產(chǎn)工藝原理

      李倩 常向楠

      摘 要:太陽能是一種清潔可再生能源,其中利用半導(dǎo)體等光電材料的光伏發(fā)電效應(yīng)的太陽能電池有良好的前景。本文通過對太陽能電池原理的分析,簡單介紹了太陽能電池的生產(chǎn)工藝,希望對行業(yè)發(fā)展有所幫助。

      關(guān)鍵詞:原理;轉(zhuǎn)化效率;生產(chǎn)工藝

      1 原理

      太陽能電池發(fā)電是根據(jù)愛因斯坦的光電效應(yīng);值得注意的是光電效應(yīng)于射線的強(qiáng)度大小無關(guān),只有頻率達(dá)到或超越可產(chǎn)生光電效應(yīng)的閾值時,電流才能產(chǎn)生。能夠使半導(dǎo)體產(chǎn)生光電效應(yīng)的光的最大波長同該半導(dǎo)體的禁帶寬度相關(guān),譬如晶體硅的禁帶寬度在室溫下約為1.155eV,因此必須波長小于1100nm的光線才可以使晶體硅產(chǎn)生光電效應(yīng)。太陽電池是一種可以將太陽能轉(zhuǎn)換的光電元件,其基本構(gòu)造是運(yùn)用P型與N型半導(dǎo)體接合而成的。半導(dǎo)體最基本的材料是“硅”,它是不導(dǎo)電的,但如果在半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì),就可以做成P型與N型半導(dǎo)體,再利用P型半導(dǎo)體有個電子空穴與N型半導(dǎo)體多了一個自由電子的電位差來產(chǎn)生電流,所以當(dāng)太陽光照射時,光能將硅原子中的電子激發(fā)出來,而產(chǎn)生電子和空穴的對流,這些電子和空穴均會受到內(nèi)建電位的影響,分別被N型及P型半導(dǎo)體吸引,而聚集在兩端。此時外部如果用電極連接起來,形成一個回路,這就是太陽電池發(fā)電的原理。

      2 太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的分析

      對于照射到太陽能電池表面的太陽光,應(yīng)該分成兩部分:有效光照和無效光照。所謂無效光照是針對太陽能電池材料本身的光譜響應(yīng)而言的,特定的材料有特定的光譜響應(yīng)頻段,不能響應(yīng)的光照,便無法利用。對于有效光照,一部分被太陽能電池表面反射或漫射,一部分被吸收利用,產(chǎn)生空穴-電子對,但是由于空穴-電子對的復(fù)合,會對其轉(zhuǎn)化效率產(chǎn)生很大影響,另一部分轉(zhuǎn)化為電能。在光強(qiáng)一定的條件下,當(dāng)太陽能電池自身溫度升高時其輸出功率將下降,其他因素如光強(qiáng)的大小等對其能量轉(zhuǎn)換效率也有所影響??梢钥闯?,照射到電池表面上的太陽能的83%以上未能轉(zhuǎn)換為有用能量,相當(dāng)一部分能量轉(zhuǎn)化成為熱能,并使電池溫度升高,致電池效率下降。

      單晶硅太陽能電池表面的反射或漫射,在源頭上造成有效光照的損失,使得太陽能電池的光吸收率降低,而影響其轉(zhuǎn)化效率。表面復(fù)合與體內(nèi)復(fù)合是影響電池性能的重要因素。硅片的表面的狀態(tài)很復(fù)雜,不僅有原子的懸掛鍵,而且有吸附的雜質(zhì)和外來電荷,這些表面態(tài)都會成為復(fù)合中心,嚴(yán)重影響少數(shù)載流子的收集。硅片內(nèi)部也存在一些金屬雜質(zhì)和晶體缺陷,它們也會成為復(fù)合中心。

      總的來說,影響太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的因素,主要可以分為三部分:(1)由于太陽能電池材料本身的光譜響應(yīng),造成對太陽光譜部分響應(yīng),不能有效吸收太陽光,這一問題只有通過新材料的發(fā)展來解決。(2)太陽能電池表面對太陽光的反射或漫射,可以采用制絨,或是增加減反射膜的方法。(3)硅片內(nèi)部載流子的復(fù)合,硅太陽電池的表面鈍化技術(shù)可以解決這個問題,同時提供良好的減反射膜。為了在硅片內(nèi)部產(chǎn)生更多的電子-空穴對,需要有更多的光子進(jìn)入硅片內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)這樣的過程,硅片表面需要減反射膜,以減少光的反射損失。

      3 太陽能電池詳細(xì)的生產(chǎn)工藝

      3.1硅片切割,材料準(zhǔn)備

      工業(yè)制作硅電池所用的單晶硅材料,一般采用坩鍋直拉法制的太陽級單晶硅棒,原始的形狀為圓柱形,然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的邊長一般為10~15cm,厚度約200~350um,電阻率約1Ω.cm的p型(全球節(jié)能環(huán)保網(wǎng)摻硼)。

      3.2去除損傷層

      硅片在切割過程會產(chǎn)生大量的表面缺陷,這就會產(chǎn)生兩個問題,首先表面的質(zhì)量較差,另外這些表面缺陷會在電池制造過程中導(dǎo)致碎片增多。因此要將切割損傷層去除,一般采用堿或酸腐蝕,腐蝕的厚度約10um。

      3.3制絨

      制絨,就是把相對光滑的原材料硅片的表面通過酸或堿腐蝕,使其凸凹不平,變得粗糙,形成漫反射,減少直射到硅片表面的太陽能的損失。對于單晶硅來說一般采用NaOH加醇的方法腐蝕,利用單晶硅的各向異性腐蝕,在表面形成無數(shù)的金字塔結(jié)構(gòu),堿液的溫度約80度,濃度約1~2%,腐蝕時間約15分鐘。對于多晶來說,一般采用酸法腐蝕。

      3.4擴(kuò)散制結(jié)

      擴(kuò)散的目的在于形成PN結(jié)。普遍采用磷做n型摻雜。由于固態(tài)擴(kuò)散需要很高的溫度,因此在擴(kuò)散前硅片表面的潔凈非常重要,要求硅片在制絨后要進(jìn)行清洗,即用酸來中和硅片表面的堿殘留和金屬雜質(zhì)。

      3.5邊緣刻蝕、清洗

      擴(kuò)散過程中,在硅片的周邊表面也形成了擴(kuò)散層。周邊擴(kuò)散層使電池的上下電極形成短路環(huán),必須將它除去。周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池并聯(lián)電阻下降,以至成為廢品。目前,工業(yè)化生產(chǎn)用等離子干法腐蝕,在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅作用,去除含有擴(kuò)散層的周邊。

      擴(kuò)散后清洗的目的是去除擴(kuò)散過程中形成的磷硅玻璃。

      3.6沉積減反射層

      沉積減反射層的目的在于減少表面反射,增加折射率。廣泛使用PECVD淀積SiN,由于PECVD淀積SiN時,不光是生長SiN作為減反射膜,同時生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)。

      3.7絲網(wǎng)印刷上下電極

      電極的制備是太陽電池制備過程中一個至關(guān)重要的步驟,它不僅決定了發(fā)射區(qū)的結(jié)構(gòu),而且也決定了電池的串聯(lián)電阻和電池表面被金屬覆蓋的面積。最早采用真空蒸鍍或化學(xué)電鍍技術(shù),而現(xiàn)在普遍采用絲網(wǎng)印刷法,即通過特殊的印刷機(jī)和模版將銀漿鋁漿(銀鋁漿)印刷在太陽電池的正背面,以形成正負(fù)電極引線。

      3.8共燒形成金屬接觸

      晶體硅太陽電池要通過三次印刷金屬漿料,傳統(tǒng)工藝要用二次燒結(jié)才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸,共燒工藝只需一次燒結(jié),同時形成上下電極的歐姆接觸。在太陽電池絲網(wǎng)印刷電極制作中,通常采用鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐進(jìn)行快速燒結(jié)。

      3.9電池片測試

      完成的電池片經(jīng)過測試分檔進(jìn)行歸類。

      4 結(jié)語

      總之,隨著一些新理念、新設(shè)想的不斷提出和制造技術(shù)的日益成熟,太陽能電池的效率會不斷得到提高,而其制造成本會進(jìn)一步降低,更有利于產(chǎn)業(yè)化。

      參考文獻(xiàn)

      [1] 魏奎先,戴永年,馬文會等.太陽能電池硅轉(zhuǎn)換材料現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J].輕金屬,2006,(2):52-56

      [2] 郭浩,丁麗,劉向陽.太陽能電池的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J].許昌學(xué)院學(xué)報,2006,25(2):38-41

      (作者單位:英利能源(中國)有限公司)

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