添加劑對印制線路板微盲孔填銅效果的影響

唐明星，張勝濤,*，陳世金，強(qiáng)玉杰，羅莉，何為，高箐遙，秦中建，郭茂桂

（1.重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，重慶 401331；2.博敏電子股份有限公司，廣東 梅州 514000；3.電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，四川 成都 610054）

【研究報(bào)告】

添加劑對印制線路板微盲孔填銅效果的影響

唐明星1，張勝濤1,*，陳世金2，強(qiáng)玉杰1，羅莉1，何為3，高箐遙3，秦中建1，郭茂桂2

（1.重慶大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，重慶 401331；2.博敏電子股份有限公司，廣東 梅州 514000；3.電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，四川 成都 610054）

在電流密度1.94 A/dm2、溫度25 °C和空氣攪拌的條件下，采用由220 g/L CuSO4·5H2O、0.54 mol/L H2SO4和4種添加劑組成的酸性鍍銅液對PCB(印制線路板)微盲孔進(jìn)行填充。所用添加劑包含Cl-、加速劑(聚二硫二丙烷磺酸鈉，SPS)、抑制劑(聚乙二醇-8000，PEG-8000)和整平劑(4,6-二甲基-2-巰基嘧啶，DMP)。通過電化學(xué)阻抗譜和陰極極化曲線分析了上述4種添加劑的用量對微盲孔填充效果的影響。結(jié)果表明：當(dāng)Cl-為30 ～ 60 mg/L、SPS為0.5 ～ 1.0 mg/L，PEG-8000為100 ～ 300 mg/L、DMP為1 ～ 7 mg/L時(shí)，填孔效率最佳，所得鍍層表面結(jié)構(gòu)均勻、致密，耐浸錫熱沖擊和抗高低溫循環(huán)的性能良好，滿足PCB的可靠性要求。

印制線路板；微盲孔；添加劑；填孔率；電化學(xué)；可靠性

印制電路板(PCB)是電子產(chǎn)品的必要組成部分，廣泛應(yīng)用于汽車、電腦、手機(jī)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。近年來，電子產(chǎn)品不斷向輕、薄、短、小的方向發(fā)展，促使PCB不斷向更加精密化的方向發(fā)展，高密度互連(HDI)印制電路板應(yīng)運(yùn)而生，并得到了快速發(fā)展[1-4]。為了滿足時(shí)代的要求，PCB產(chǎn)品的盲孔孔徑不斷縮小，孔的深徑比越來越大，對PCB電鍍工藝的要求也就越來越高[5]。其中微盲孔金屬化是PCB電鍍的核心，是實(shí)現(xiàn)電路板層與層之間連接的重要途徑，也是電氣互連的重要保障。電鍍銅填充微盲孔過程中，由于微盲孔內(nèi)電流密度分布不均，孔口電流密度較大，容易出現(xiàn)封孔現(xiàn)象，導(dǎo)致微盲孔填充質(zhì)量下降，因此必須開發(fā)高效的電鍍添加劑來改善電流分布的差異，實(shí)現(xiàn)微盲孔的完全填充。電鍍填孔添加劑包括無機(jī)添加劑和有機(jī)添加劑兩類。無機(jī)添加劑主要是氯離子，有機(jī)添加劑包括加速劑、抑制劑、整平劑，而它們之間的相互作用對微盲孔填充而言至關(guān)重要[6]。

本文在酸性電鍍銅溶液填充微盲孔過程中，添加聚乙二醇-8000(PEG-8000)作為抑制劑，聚二硫二丙烷磺酸鈉(SPS)作為加速劑，4,6-二甲基-2-巰基嘧啶(DMP)作為整平劑，鹽酸作為提供氯離子的無機(jī)添加劑。通過測電化學(xué)阻抗譜和陰極極化曲線，分析了不同添加劑用量對微盲孔填充效果的影響。

1 實(shí)驗(yàn)

1. 1 樣板制備

580 mm × 512 mm的經(jīng)激光燒蝕形成的盲孔板(材質(zhì)FR-4，盲孔直徑為100 μm，介質(zhì)層厚度為80 μm)在粗化后直接進(jìn)入化學(xué)沉銅線工藝，隨后通過電鍍工藝進(jìn)行閃鍍，得到約5 μm厚的銅層。再將樣板電銑為60 mm × 130 mm大小，作為微盲孔填充的基板。

1. 2 電鍍

工藝流程為：除油(40 °C)→水洗→微蝕(30 °C)→水洗→酸浸(25 °C)→電鍍→水洗→烘干。除油劑為杰希優(yōu)貿(mào)易有限公司的PB-242D溶液，微蝕液的主要成分為硫酸和過硫酸鈉，酸浸采用濃硫酸。

基礎(chǔ)鍍液由220 g/L CuSO4·5H2O和0.54 mol/L H2SO4組成，添加劑為SPS、PEG-8000、DMP和HCl。盲孔電鍍在1.5 L的哈林槽中進(jìn)行，陽極為6 cm × 15 cm的磷銅板，置于哈林槽兩邊，陰極置于哈林槽中間。鍍前將PCB樣板置于鍍液中預(yù)浸3 ～ 5 min，以保證鍍液充分進(jìn)入微盲孔中。采用深圳怡展豐儀器的PYI-3020D型恒電位儀作為直流電源，在25 °C、1.94 A/dm2和中速攪拌的條件下電鍍70 min。

1. 3 性能表征

1. 3. 1 添加劑的填孔性能表征

電鍍添加劑的填孔性能通常用填孔率、銅厚、凹陷值(dimple)來表征[7]，主要借助金相顯微鏡觀察拋磨后微盲孔橫截面的填孔效果來衡量。如圖1所示，填孔率 = (B/A) × 100%，dimple = A - B，其中A為板面銅層外表面到盲孔孔底的距離，B為孔表面鍍銅層最凹處到盲孔底的距離，C為電鍍銅厚。根據(jù)電鍍填孔后盲孔的填孔率是否在80%以上以及孔內(nèi)是否有孔洞等缺陷來判斷填孔效果是否良好。

1. 3. 2 添加劑的電化學(xué)性能表征

電化學(xué)測量在上海辰華CHI660E電化學(xué)工作站上進(jìn)行，采用三電極體系，工作電極為環(huán)氧樹脂封裝的有效面積為1 cm2的紫銅，輔助電極為鉑電極，參比電極為飽和甘汞電極(SCE)，測試溫度為25 °C。極化曲線均從開路電位(OCP)向負(fù)方向掃描，掃描速率為5 mV/s。電化學(xué)阻抗譜(EIS)均在OCP下測量，頻率范圍為105～ 10-2Hz，振幅為5 mV。按圖2所示的等效電路，采用ZSimpWin軟件對電化學(xué)阻抗譜進(jìn)行擬合。其中Rs為溶液電阻，Rf為膜電阻，Cdl為雙電層電容，Q為膜電容，Rct為電荷轉(zhuǎn)移電阻，W為Warburg阻抗。

圖1 盲孔填充能力表征示意圖Figure 1 Schematic diagram showing the characterization of microvia filling performance

圖2 電化學(xué)阻抗譜的等效電路Figure 2 Equivalent circuit diagram of electrochemical impedance spectrum

1. 3. 3 鍍層性能表征

1. 3. 3. 1 熱沖擊性

采用浸錫熱沖擊試驗(yàn)考察鍍層的可靠性：將填孔后的樣板置于恒溫干燥箱中，150 °C下烘烤6 h后冷卻至室溫，隨后將樣板置于288 °C的無鉛錫爐中連續(xù)熱沖擊6次，每次10 s，最后進(jìn)行研磨、拋光。對拋光后的樣板做金相切片分析，觀察銅層是否存在斷層、開裂、銅壁分離等現(xiàn)象。

1. 3. 3. 2 耐冷熱循環(huán)性

采用冷熱循環(huán)沖擊試驗(yàn)考察樣板鍍層在瞬間的極高溫和極低溫的連續(xù)變化環(huán)境下所能夠承受的程度，在最短的時(shí)間內(nèi)測其熱漲冷縮引起的物理或化學(xué)變化。步驟如下：將填孔后的樣板置于冷熱沖擊試驗(yàn)箱中，冷熱循環(huán)沖擊100次，最高和最低溫度分別為125 °C和-55 °C，最后進(jìn)行研磨，對研磨后的樣板做金相切片分析，觀察銅層是否存在銅壁分離的現(xiàn)象。

1. 3. 3. 3 表面形貌

采用JEOL的JSM-7800F型場發(fā)射掃描電鏡判斷鍍層表面是否得到一定程度的整平。

2 結(jié)果與討論

2. 1 Cl-對極化曲線、電化學(xué)阻抗以及填充效果的影響

在酸性基礎(chǔ)鍍銅溶液中，加入1.0 mg/L SPS、200 mg/L PEG-8000、2 mg/L DMP和不同質(zhì)量濃度的Cl-后測量Nyquist譜和陰極極化曲線，結(jié)果見圖3和圖4。表1列出了由電化學(xué)曲線擬合所得數(shù)據(jù)和對應(yīng)的電鍍填孔效果，圖5示出了對應(yīng)的填孔率和銅厚。

圖3 鍍液中Cl-質(zhì)量濃度不同時(shí)的Nyquist譜圖Figure 3 Nyquist plots for baths with different mass concentrations of Cl-

圖4 鍍液中Cl-質(zhì)量濃度不同時(shí)的陰極極化曲線Figure 4 Cathodic poloraization curves for baths with different mass concentrations of Cl-

表1 鍍液Cl-質(zhì)量濃度不同時(shí)的電化學(xué)曲線擬合參數(shù)和填孔效果Table 1 Fitting parameters of electrochemical curves and via-filling efficiency in baths with different mass concentrations of Cl-

圖5 鍍液Cl-質(zhì)量濃度對填孔率和面銅厚度的影響Figure 5 Effect of mass concentration of Cl-in bath on via-filling ratio and thickness of surface copper coating

從圖3可知，Nyquist圖由高頻和低頻兩部分組成，高頻對應(yīng)阻抗弧，與電荷轉(zhuǎn)移電阻有關(guān)，低頻對應(yīng)Warburg阻抗。結(jié)合表1和圖5可知，鍍液中無Cl-時(shí)，阻抗弧半徑最小，電荷轉(zhuǎn)移電阻Rct為75 Ω，填孔率僅為30%。這可能是因?yàn)殄円褐袩oCl-時(shí)，抑制劑只能靠靜電作用或范德華力吸附在陰極表面，但這種吸附作用力很弱，以至于不能有效抑制銅的沉積，從而導(dǎo)致填孔效果為等角沉積[8-9]。當(dāng)Cl-質(zhì)量濃度為10 mg/L時(shí)，阻抗弧增大，電荷轉(zhuǎn)移電阻相應(yīng)增大。此時(shí)，電鍍樣板表面出現(xiàn)大量銅瘤，整個(gè)板面粗糙不平(見圖6a)。可能是由于Cl-含量太低，其與PEG和DMP之間的協(xié)同抑制作用太弱，不足以在陰極表面形成一層完整的吸附膜，從而造成板面局部沉積速率過快，導(dǎo)致微盲孔內(nèi)呈“火山爆發(fā)”式生長[10]。當(dāng)Cl-質(zhì)量濃度為30 mg/L和60 mg/L時(shí)，阻抗弧半徑最大，電荷轉(zhuǎn)移電阻最大，板面銅層較薄，銅瘤消失，整個(gè)電鍍層表面光亮、平整(見圖6b)，微盲孔填充呈超等角沉積模式。這可能是因?yàn)樽銐虻穆入x子能夠通過“離子橋”與PEG和DMP形成一種復(fù)雜的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)配合物(抑制劑─Cu+─Cl-)，該配合物吸附在陰極表面，阻礙銅離子或亞銅離子擴(kuò)散到銅表面，從而抑制了銅離子還原。Cl-含量越大，這種抑制作用越強(qiáng)，電荷轉(zhuǎn)移電阻就越大[11]。繼續(xù)增大Cl-的質(zhì)量濃度至90 mg/L時(shí)，阻抗弧反而減小，電荷轉(zhuǎn)移電阻減小，表面銅厚變化不大，填孔率繼續(xù)降低。這可能是由于電鍍液中Cl-過剩，其與Cu+反應(yīng)生成不溶物CuCl，不再吸附在沉積層的表面，表現(xiàn)為去極化作用，導(dǎo)致電荷轉(zhuǎn)移電阻減小，從而造成填孔效果變差[12-13]。

圖6 鍍液中Cl-質(zhì)量濃度分別為10 mg/L和30 mg/L時(shí)的電鍍銅面照片F(xiàn)igure 6 Photos of copper coating surfaces obtained by electroplating from bath with 10 mg/L and 30 mg/L Cl-, respectively

由圖4可以看出，隨著Cl-質(zhì)量濃度從0 mg/L增大至60 mg/L，銅的沉積電位負(fù)移；隨后繼續(xù)增大Cl-含量，沉積電位正移，表現(xiàn)為去極化作用，結(jié)果與Nyquist譜對應(yīng)。

綜合微盲孔填銅效果和電化學(xué)測量結(jié)果，選擇Cl-的質(zhì)量濃度在30 ～ 60 mg/L范圍內(nèi)較為合適。

2. 2 SPS對極化曲線、電化學(xué)阻抗以及填充效果的影響

在酸性基礎(chǔ)鍍銅溶液中，加入30 mg/L Cl-、200 mg/L PEG-8000、2 mg/L DMP和不同質(zhì)量濃度的SPS，以研究SPS含量對填充過程和效果的影響，結(jié)果見表2和圖8。鍍液中無SPS時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻達(dá)到最大，填孔率僅為29%。這可能是因?yàn)殄円褐袩oSPS時(shí)，雖然Cl-通過“離子橋”機(jī)理與PEG和DMP形成配合物，阻礙了銅離子或亞銅離子擴(kuò)散到銅的表面，抑制了銅離子還原，但是微盲孔內(nèi)銅的沉積速率仍然較慢，導(dǎo)致填孔模式為等角沉積。當(dāng)在鍍液中加0.5 mg/L和1.0 mg/L SPS時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻減小，沉積電位稍微正移，表面銅厚變化不大。眾所周知，SPS主要作用于微盲孔底部，其利用硫醇官能基吸附在銅表面，然后末端的磺酸根陰離子捕捉鍍液中被水合的銅離子，使其先破水合，再與吸附的Cl-發(fā)生交互作用，讓電子透過Cl-傳遞給被磺酸根陰離子捕捉的銅離子，加速了微盲孔內(nèi)銅的沉積，從而使盲孔的填充模式由等角沉積變?yōu)槌冉浅练e[14-15]。然而增大SPS的質(zhì)量濃度到2.0 mg/L時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻急劇減小，銅的沉積電位大幅正移，板面銅厚增大。這可能是因?yàn)楦邼舛鹊腟PS減弱了PEG-8000與DMP在樣板表面對銅沉積的抑制作用，導(dǎo)致更多銅沉積在樣板表面，這也是盲孔填充出現(xiàn)封孔現(xiàn)象的主要原因[16]。隨著SPS質(zhì)量濃度的繼續(xù)增大，電荷轉(zhuǎn)移電阻進(jìn)一步減小，銅的沉積電位繼續(xù)正移并基本保持在-0.100 V，板面銅厚增大，封孔現(xiàn)象加重，盲孔填充效果越來越差。綜合微盲孔的填充效果和電化學(xué)測量結(jié)果，選擇SPS的質(zhì)量濃度在0.5 ～ 1.0 mg/L范圍內(nèi)較為合適。

表2 鍍液中SPS質(zhì)量濃度不同時(shí)的電化學(xué)曲線擬合參數(shù)和填孔效果Table 2 Fitting parameters of electrochemical curves and via-filling efficiency in baths with different mass concentrations of SPS

圖8 SPS質(zhì)量濃度對填孔率及面銅厚度的影響Figure 8 Effect of mass concentration of SPS in bath on via-filling ratio and thickness of surface copper coating

2. 3 PEG-8000對極化曲線、電化學(xué)阻抗以及填充效果的影響

在酸性基礎(chǔ)鍍銅溶液中，加入30 mg/L Cl-、1.0 mg/L SPS、2 mg/L DMP和不同質(zhì)量濃度的PEG-8000，以研究PEG-8000含量對填充過程和效果的影響，結(jié)果見表3和圖9。鍍液中無PEG-8000時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻最小，銅的沉積電位最正，板面銅厚達(dá)30.2 μm，而填孔率僅為25%。這可能是因?yàn)殄円褐袩oPEG-8000時(shí)，陰極表面不能形成有效的阻礙層，這時(shí)在SPS和電流的作用下，大量銅離子沉積在陰極表面，縮小了孔底和板面之間的銅沉積速率差，從而導(dǎo)致填充模式為等角沉積。當(dāng)添加50 mg/L PEG-8000到電鍍?nèi)芤褐袝r(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻急劇增大，沉積電位大幅度負(fù)移，板面銅厚減小。這可能是因?yàn)榧尤氲腜EG-8000與氯離子和亞銅離子發(fā)生交互作用，形成了復(fù)雜的PEG-8000─Cu+─Cl配合物，該配合物吸附在陰極表面，增大了銅離子向陰極表面擴(kuò)散的空間位阻，抑制了銅離子的沉積，從而實(shí)現(xiàn)超等角沉積[13,17]。隨著PEG-8000質(zhì)量濃度的繼續(xù)增大，電荷轉(zhuǎn)移電阻增大，銅沉積電位基本不變，表面銅厚逐漸減小，填孔率逐漸增大，最終維持在90%左右。綜合微盲孔填銅效果和電化學(xué)測量結(jié)果，選擇PEG-8000的質(zhì)量濃度在100 ～ 300 mg/L范圍內(nèi)比較合適。

表3 鍍液中PEG-8000質(zhì)量濃度不同時(shí)的電化學(xué)曲線擬合參數(shù)和填孔效果Table 3 Fitting parameters of electrochemical curves and via-filling efficiency in baths with different mass concentrations of PEG-8000

圖9 PEG-8000質(zhì)量濃度對填孔率及面銅厚度的影響Figure 9 Effect of mass concentration of PEG-8000 in bath on via-filling ratio and thickness of surface copper coating

2. 4 DMP對極化曲線、電化學(xué)阻抗以及填充效果的影響

在基礎(chǔ)酸性鍍銅溶液中加入30 mg/L Cl-、1.0 mg/L SPS、200 mg/L PEG-8000和不同質(zhì)量濃度的DMP，以研究DMP含量對填充過程和效果的影響，結(jié)果見表4和圖10。鍍液中無DMP時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻最小，銅沉積電位最正，板面銅厚為24.2 μm，填孔率僅為10%。這可能是因?yàn)殄円褐袩oDMP時(shí)，SPS─Cl-對銅沉積的加速作用大于PEG─Cl-對銅沉積的抑制作用，銅在板面的沉積不能得到有效抑制，導(dǎo)致微盲孔呈等角沉積模式填充。當(dāng)添加1 mg/L DMP到鍍液中時(shí)，電荷轉(zhuǎn)移電阻增大，沉積電位負(fù)移，板面銅厚變化較小，填孔率增大至86%。這可能是因?yàn)镈MP的加入增大了PEG─Cl-對銅離子向陰極表面擴(kuò)散的空間位阻，抑制了銅離子沉積，從而實(shí)現(xiàn)了超等角沉積模式填充。隨著DMP質(zhì)量濃度的繼續(xù)增大，抑制作用增強(qiáng)，沉積電位負(fù)移，電荷轉(zhuǎn)移電阻增大，填孔率維持在85%左右。但DMP的質(zhì)量濃度增至9 mg/L時(shí)，填孔率反而降低。這可能是因?yàn)镈MP濃度太高，其擴(kuò)散到盲孔孔底的概率增大，影響了SPS在孔內(nèi)的吸附，從而影響了微盲孔的填充效果[17]。因此選擇DMP的質(zhì)量濃度為1 ～ 7 mg/L。

表4 鍍液DMP質(zhì)量濃度不同時(shí)的電化學(xué)曲線擬合參數(shù)和填孔效果Table 4 Fitting parameters of electrochemical curves and via-filling efficiency in baths with different mass concentrations of DMP

圖10 DMP質(zhì)量濃度對填孔率及面銅厚度的影響Figure 10 Effect of mass concentration of DMP in bath on via-filling ratio and thickness of surface copper coating

綜上可知，電鍍添加劑體系中Cl-、SPS、PEG-8000和DMP的較佳用量分別為30 ～ 60、0.5 ～ 1.0、100 ～ 300和1 ～ 7 mg/L。下文采用30 mg/L Cl-+ 1.0 mg/L SPS + 200 mg/L PEG-8000 + 2 mg/L DMP的組合添加劑，對微盲孔進(jìn)行電鍍填充以及相關(guān)性能表征。

2. 5 采用最佳添加劑配方時(shí)所得銅鍍層的性能

圖11為鍍銅層的表面形貌?？梢钥闯鲥冦~層表面沒有明顯的銅瘤產(chǎn)生，顆粒較小，總體較為平整。圖12是電鍍銅盲孔試樣經(jīng)浸錫熱沖擊和極高極低溫冷熱循環(huán)沖擊試驗(yàn)后的金相照片?？芍儗泳闯霈F(xiàn)孔壁分離、起泡等不良現(xiàn)象，說明銅鍍層的耐熱沖擊性能和抗冷熱循環(huán)沖擊性能良好，也表明該組合添加劑完全能夠滿足工業(yè)PCB的應(yīng)用要求。

圖11 采用最佳添加劑配方所得銅鍍層的表面形貌Figure 11 Surface morphology of copper coating obtained from bath with optimal formulation of composite additive

圖12 電鍍銅盲孔經(jīng)不同沖擊試驗(yàn)后的金相照片F(xiàn)igure 12 Metallographic photos of copper-filled vias after different thermal shock tests

3 結(jié)論

(1) 研究了Cl-、SPS、PEG-8000以及DMP在不同質(zhì)量濃度下對微盲孔電鍍填銅效果的影響。結(jié)果表明：當(dāng)Cl-為30 ～ 60 mg/L，SPS為0.5 ～ 1.0 mg/L，PEG-8000為100 ～ 300 mg/L，DMP為1 ～ 7 mg/L時(shí)，填孔效率最佳，所得銅鍍層表面顆粒較小，結(jié)構(gòu)均勻、致密，能滿足印制電路板可靠性測試的要求。

(2) 在其他添加劑存在的情況下，Cl-在低濃度下可以與PEG-8000和DMP發(fā)生相互作用而抑制銅的沉積，在高濃度下與Cu+反應(yīng)生成CuCl而加速銅的沉積。SPS在鍍液中能促進(jìn)銅離子在陰極表面的還原，加速銅的沉積。DMP和PEG-8000在鍍液中阻礙了銅在陰極表面的還原，抑制了銅的沉積。

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[ 編輯：周新莉 ]

Effects of additives on microvia copper-filling efficiency of printed circuit board

TANG Ming-xing, ZHANG Sheng-tao*, CHEN Shi-jin, QIANG Yu-jie, LUO Li, HE Wei, GAO Jing-yao, QIN Zhong-jian, GUO Mao-gui

Microvia of PCB (print circuit board) was filled by electroplating in an acid bath composed of 220 g/L CuSO4·5H2O, 0.54 mol/L H2SO4and four kinds of additives at temperature 25 °C and current density 1.94 A/dm2under air agitation. The employed additives are Cl-, sodium 3,3′-dithiodipropane sulfonate (SPS, as accelerator), polyethylene glycol (PEG-8000, as inhibitor) and 4,6-dimethyl-2-mercaptopyrimidine (DMP, as leveler). The effects of the dosages of the above mentioned additives on microvia-filling efficiency were analyzed by electrochemical impedance spectroscopy and cathodic polarization measurement. The results showed that the microvia-filling efficiency is the best when the mass concentrations of Cl-, accelerator, inhibitor and leveler are 30-60 mg/L, 0.5-1.0 mg/L, 100-300 mg/L and 1-7 mg/L respectively. The obtained coating is uniform and compact, and has good resistance to thermal shock in tin immersion and temperature cycling tests, meeting the requirement of reliability for PCB application.

printed circuit board; microvia; additive; filling ratio; electrochemistry; reliability

School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 401331, China

10.19289/j.1004-227x.2017.13.001

TQ153. 14

：A

：1004 - 227X (2017) 13 - 0667 - 07

2017-04-06

2017-06-28

國家自然科學(xué)基金（21376282）；廣東省“揚(yáng)帆計(jì)劃”先進(jìn)印制電路關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（2015YT02D025）；汽車電子用高密度智能控制印制電路關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（2015B090901032）。

唐明星（1992-），男，重慶榮昌人，在讀碩士研究生，主要從事PCB盲孔填銅電鍍添加劑的研究。

張勝濤，教授，博士生導(dǎo)師，(E-mail) stzhang@cqu. edu.cn。