硬盤(pán)數(shù)據(jù)密度或達(dá)每平方英寸10太位

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日發(fā)表在最新一期《自然·光子學(xué)》雜志上的研究報(bào)告顯示，研究人員展示了一種可結(jié)合兩種硬盤(pán)寫(xiě)入方式的新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法，其可將目前硬盤(pán)約為每平方英寸數(shù)百吉字節(jié)（1吉字節(jié)相當(dāng)于1000兆字節(jié)）的存儲(chǔ)密度提升至1太位（1太字節(jié)相當(dāng)于100萬(wàn)兆字節(jié)），并有望將介質(zhì)的存儲(chǔ)容量最高提升到每平方英寸10太位左右，可被應(yīng)用于光刻、生物傳感器和納米操控等諸多領(lǐng)域。

兩種寫(xiě)入方式之一的“熱輔助磁記錄技術(shù)”（TAR）通過(guò)激光照射寫(xiě)入點(diǎn)對(duì)盤(pán)片微粒進(jìn)行加熱的方式，加以輔助磁頭寫(xiě)入來(lái)改變記錄單元的屬性。即硬盤(pán)介質(zhì)受熱后，會(huì)使磁盤(pán)微粒按一定方向被磁化，數(shù)據(jù)位就形成了“1”和“0”的表示。熱量的產(chǎn)生能更容易地將數(shù)據(jù)記錄在盤(pán)片上，之后隨著快速冷卻，又可使已寫(xiě)入的數(shù)據(jù)變得穩(wěn)定，從而達(dá)到永久存儲(chǔ)的目的，而寫(xiě)入時(shí)間也可小幅縮短。

事實(shí)上，當(dāng)硬盤(pán)上的存儲(chǔ)單元彼此距離極小時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生所謂的超順磁性現(xiàn)象。硬盤(pán)讀寫(xiě)頭在向存儲(chǔ)單元中寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的熱量會(huì)致使該存儲(chǔ)單元周圍的數(shù)據(jù)損壞，而隨著硬盤(pán)存儲(chǔ)密度的提升，避免超順磁現(xiàn)象發(fā)生也變得越來(lái)越有難度。而此時(shí)，另一種名為“位式記錄技術(shù)”（BPR）的寫(xiě)入方式會(huì)對(duì)記錄介質(zhì)表面進(jìn)行光刻處理，利用磁島分隔每個(gè)獨(dú)立的寫(xiě)入事件，從而使“超順磁效應(yīng)”不會(huì)對(duì)周圍的存儲(chǔ)單元造成影響。

研究人員表示，單獨(dú)使用這兩種寫(xiě)入技術(shù)之一時(shí)，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)密度并不會(huì)有太大的提升，最多可提升到每平方英寸200吉字節(jié)至300吉字節(jié)左右。而將兩種技術(shù)結(jié)合使用，“位式記錄技術(shù)”的磁島可使“熱輔助磁記錄技術(shù)”因存儲(chǔ)介質(zhì)顆粒偏小造成的不穩(wěn)定性不再棘手，而“熱輔助磁記錄技術(shù)”則可放寬“位式記錄技術(shù)”對(duì)讀寫(xiě)頭尺寸的苛刻要求，彌補(bǔ)兩種技術(shù)各自的缺陷，從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度的極大提升。而隨著單位存儲(chǔ)密度的提升，硬盤(pán)容量也有望提升數(shù)十倍，令傳統(tǒng)硬盤(pán)重獲新生。