黃 磊,張繼元,舒 杰?,崔 瓊,吳志鋒,丁建寧
(1.中國科學(xué)院廣州能源研究所,中國科學(xué)院可再生能源重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣東省新能源和可再生能源研究開發(fā)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣州 510640;2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049;3.江蘇省光伏科學(xué)與工程協(xié)同創(chuàng)新中心,江蘇 常州 213164)
基于數(shù)據(jù)手冊(cè)的任意輻照和溫度下光伏電池模型參數(shù)提取*
黃 磊1,2,張繼元1,2,舒 杰1,2?,崔 瓊1,吳志鋒1,丁建寧3
(1.中國科學(xué)院廣州能源研究所,中國科學(xué)院可再生能源重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣東省新能源和可再生能源研究開發(fā)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣州 510640;2.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049;3.江蘇省光伏科學(xué)與工程協(xié)同創(chuàng)新中心,江蘇 常州 213164)
基于光伏電池?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)提取光伏電池模型參數(shù),常利用參數(shù)的半經(jīng)驗(yàn)公式求取任意工況下的模型參數(shù),但半經(jīng)驗(yàn)公式僅為近似公式,將引入較大誤差。文中提出一種任意工況下的光伏電池單二極管5參數(shù)等效電路模型參數(shù)提取方法。該方法利用光伏電池?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)提供的I-V曲線關(guān)鍵點(diǎn)數(shù)據(jù),通過短路電流溫度系數(shù)和開路電壓溫度系數(shù)求得任意工況下的關(guān)鍵點(diǎn)電流、電壓,針對(duì)關(guān)鍵點(diǎn)列寫方程組求解參數(shù),從而得出任意輻照和溫度下的光伏電池I-V特性。以高效單晶硅電池在多種工況下的測量數(shù)據(jù)為例,進(jìn)行光伏電池模型參數(shù)提取和I-V曲線計(jì)算。結(jié)果表明,與利用參數(shù)半經(jīng)驗(yàn)公式求取任意工況下參數(shù)的方法相比,該方法具有更高的準(zhǔn)確度,在所有工況下均方根誤差(RMSE)均小于5%。
光伏電池;單二極管模型;伏安特性;參數(shù)提取
太陽能光伏發(fā)電具有安裝要求低、對(duì)環(huán)境氣候影響小、運(yùn)行安靜、能夠與建筑融合等優(yōu)勢(shì),在城市等用電量大以及用電質(zhì)量要求高的地區(qū)得到越來越多的關(guān)注。建立準(zhǔn)確的光伏系統(tǒng)模型對(duì)光伏發(fā)電系統(tǒng)功率評(píng)估、最大功率跟蹤算法設(shè)計(jì)、系統(tǒng)能耗分析等具有重要意義。光伏系統(tǒng)電路模型的建立基于光伏電池電路模型的建立[1]。光伏電池電路模型是光伏電池對(duì)外表現(xiàn)的電特性等效模型,并非實(shí)際物理模型。光伏電池電路模型種類較多[2-3],但常用的有2種,即單二極管模型和雙二極管模型。通常情況下,雙二極管模型模擬I-V伏安特性的精度略高于單二極管模型[4];但由于其精度提高較小,建模和計(jì)算復(fù)雜,單二極管模型得到更廣泛的應(yīng)用[5-8]。
利用光伏電池模型前必須確定模型未知參數(shù),單二極管模型包含5個(gè)未知參數(shù),且未知參數(shù)隨電池溫度和太陽輻照變化。一類主要的提取模型未知參數(shù)的方法為解析法[5,9-10],此種方法利用光伏電池產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的關(guān)鍵點(diǎn)的數(shù)據(jù)(包括短路電流、開路電壓、最大功率點(diǎn)電流和電壓、溫度系數(shù)等)及參數(shù)隨輻照和溫度變化規(guī)律的半經(jīng)驗(yàn)公式,推導(dǎo)出不同輻照和溫度下的光伏電池模型。一般情況下,單二極管模型的5個(gè)待求參數(shù)中僅光生電流與溫度和輻照有確定的關(guān)系,求解時(shí)其他四個(gè)參數(shù)所采用的半經(jīng)驗(yàn)公式均有所不同。文獻(xiàn)[5]假定串聯(lián)電阻Rs不變,并聯(lián)電阻Rsh與太陽輻照存在反比例關(guān)系,推導(dǎo)出任意光強(qiáng)和溫度下的光伏電池I-V特性顯函數(shù)表達(dá)式。文獻(xiàn)[9]假定二極管理想因子n不變、串聯(lián)電阻Rs不變,二極管反向飽和電流Is與溫度存在指數(shù)關(guān)系,并聯(lián)電阻Rsh與太陽輻照存在反比例關(guān)系。文獻(xiàn)[10]則假定n、Rs、Rsh均不隨溫度和輻照變化,Is與溫度存在指數(shù)關(guān)系。文獻(xiàn)[9]和文獻(xiàn)[10]均是先求取標(biāo)準(zhǔn)條件下的模型參數(shù),進(jìn)一步根據(jù)各個(gè)參數(shù)的半經(jīng)驗(yàn)公式推導(dǎo)出不同輻照和溫度下的I-V特性。由于這些參數(shù)與溫度和輻照不存在確定的數(shù)學(xué)關(guān)系,參數(shù)的半經(jīng)驗(yàn)公式通過近似和假設(shè)推導(dǎo)得出,因此利用這些半經(jīng)驗(yàn)公式求取任意輻照和溫度下的光伏電池模型將引入較大誤差。
因此,為求取任意輻照和溫度下的光伏電池等效電路模型,減少5參數(shù)半經(jīng)驗(yàn)公式的使用,本文提出了一種基于產(chǎn)品手冊(cè)數(shù)據(jù)的參數(shù)提取方法。推導(dǎo)利用短路電流溫度系數(shù)和開路電壓溫度系數(shù)求取任意工作條件下特定工作點(diǎn),進(jìn)一步提取任意工作條件下的光伏電池參數(shù)。以高效單晶硅為研究對(duì)象,通過采集光伏電池在不同輻照和溫度下的I-V曲線,利用仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證本文參數(shù)提取方法的有效性。
光伏電池電路等效模型廣泛應(yīng)用于模擬光伏電池I-V特性,該模型的主要優(yōu)點(diǎn)是可以直接應(yīng)用于MATLAB和PSpice等軟件中,進(jìn)行光伏系統(tǒng)建模和并網(wǎng)仿真,也能應(yīng)用于光伏模擬器中。在眾多光伏電池等效電路模型中,單二極管5參數(shù)模型應(yīng)用最為廣泛,等效電路圖如圖1所示。模型中待求5參數(shù)分別為光生電流Iph,P-N結(jié)等效二極管反向飽和電流Is,等效二極管理想因子n,由光伏電池內(nèi)部電阻和接觸電阻等效的串聯(lián)電阻Rs,引起漏電流的并聯(lián)電阻Rsh。
圖 1 光伏電池單二極管等效電路模型Fig.1 Single-diode equivalent circuit model of photovoltaic cell
等效電路模型正向工作的I-V特性方程如式(1)所示。
表1 光伏組件特性產(chǎn)品手冊(cè)數(shù)據(jù)Table 1 Manufacture data sheet of photovoltaic module
在沒有光伏電池I-V測量數(shù)據(jù)的情況下,解析法提取光伏電池模型參數(shù)是通過采用光伏電池或者組件廠家提供的產(chǎn)品手冊(cè)數(shù)據(jù),根據(jù)待求參數(shù)的個(gè)數(shù)列寫方程組,求取標(biāo)準(zhǔn)條件下的模型參數(shù)[9-10]。光伏組件產(chǎn)品手冊(cè)數(shù)據(jù)通常包括標(biāo)準(zhǔn)測試條件(standard test condition,STC)下的關(guān)鍵工作點(diǎn)的數(shù)據(jù),也包括組件結(jié)構(gòu)和接線,如表1所示。在STC下,太陽輻照為1 000 W/m2,電池溫度為25℃。
求解式(1)中的5個(gè)參數(shù),通常采用短路點(diǎn)、開路點(diǎn)、最大功率點(diǎn)列寫以下4個(gè)方程。
在短路點(diǎn),I=Isc,STC,V=0,得到以下關(guān)系式:
在開路點(diǎn),I=0,V=Voc,STC,得到以下關(guān)系式:
在最大功率點(diǎn),I=Imp,STC,V=Vmp,STC,得到以下關(guān)系式:
在最大功率點(diǎn),功率關(guān)于電壓的求導(dǎo)為零,即dP/dV=0,可以推導(dǎo)出以下關(guān)系式:
以上4個(gè)方程常作為解析法提取光伏電池模型參數(shù)的基本方程,求解模型所需要的第5個(gè)方程則有較多的選擇。如采用I-V曲線開路點(diǎn)斜率表示Rs,I-V曲線短路點(diǎn)斜率表示Rsh[10],開路電壓溫度系數(shù)[11]列寫其他溫度下的關(guān)系式等。這里采用I-V曲線短路點(diǎn)斜率估算Rsh構(gòu)造第5個(gè)方程。
將I=Isc,STC,V=0代入式(6),可得到以下關(guān)系式:
從以上分析可以知道,只要得到特定輻照和溫度下的短路點(diǎn)、開路點(diǎn)、最大功率點(diǎn)的電壓電流數(shù)據(jù),即可通過式(2)~式(5)和式(7)求解出該條件下的模型參數(shù)。
Isc和Imp與溫度和輻照有確定的數(shù)學(xué)關(guān)系,可以用下式計(jì)算不同溫度和輻照下的Isc和Imp值:
式中,S為太陽輻照,W/m2。
數(shù)據(jù)手冊(cè)通常給出Voc的溫度系數(shù),Voc與太陽輻照的關(guān)系可以通過以下假設(shè)和推導(dǎo)得出。
假設(shè):
式中,Eg為禁帶寬度,在STC條件下,硅電池Eg=1.121 eV。
僅考慮光強(qiáng)變化時(shí),聯(lián)立式(8)、式(10)~式(11)可得:
再考慮開路電壓溫度系數(shù)βoc,可得:
根據(jù)不同輻照和溫度下的I-V曲線數(shù)據(jù),STC條件下,開路電壓和最大功率點(diǎn)電壓隨溫度變化如圖2所示,兩者隨溫度變化趨勢(shì)相近,具有相近的溫度系數(shù),因此這里也采用開路電壓溫度系數(shù)來表示最大功率點(diǎn)電壓溫度系數(shù)。此外,根據(jù)Isc與Imp具有相似的變化規(guī)律,這里假設(shè)Vmp與Voc具有相似的變化規(guī)律,采用Voc推導(dǎo)的關(guān)系外推至Vmp,得到Vmp與溫度和輻照的關(guān)系式如下:
圖2 輻照為1 000 W/m2時(shí)Voc和Vmp隨溫度變化情況Fig.2 Vocand Vmpunder different temperatures and 1 000 W/m2
采用MATLAB最優(yōu)化工具箱中的非線性數(shù)據(jù)擬合函數(shù)Isqcurvefit求解,將所建立的方程組轉(zhuǎn)化成最小二乘優(yōu)化問題,采用信賴域反射算法對(duì)所建立的優(yōu)化問題進(jìn)行求解。最小二乘優(yōu)化問題如式(15)所示,將公式(1)改寫成齊次形式得到最小二乘優(yōu)化問題的函數(shù)f(x),如式(16)所示。
通常,最小二乘優(yōu)化問題是尋找向量x使得包含平方和的目標(biāo)函數(shù)達(dá)到最小值。首先需要選定適當(dāng)曲線類型或模型,確定最優(yōu)化問題的目標(biāo)函數(shù),其次需要確定函數(shù)中的解及其邊界問題。這里曲線模型為5參數(shù)模型,其解定義為一組向量,解的邊界如表2所示。
表2 光伏電池模型參數(shù)邊界Table 2 Parameter bounds of photovoltaic cell model
采用數(shù)值迭代算法時(shí)需要提供合適的初值,以便計(jì)算結(jié)果能夠準(zhǔn)確、迅速收斂[12]。二極管理想因子n取值范圍為[1,2],這里取n=1.5作為n的初值。在初值估計(jì)時(shí),假設(shè)流過二極管的電流很小,并聯(lián)電阻很大,可以得到以下初值估計(jì)。
在短路點(diǎn),由式(2)可以得到Iph的初值:
在開路點(diǎn),由式(3)可以得到Is的初值:
在最大功率點(diǎn)處,由式(4)可以得到Rs的初值:
對(duì)于Rsh,初值設(shè)定為Rsh=100 ?。
圖3 光伏電池等效電路模型計(jì)算流程圖Fig.3 Flowchart of photovoltaic cell model parameter extraction and I-V curve computation
計(jì)算流程如圖3所示。首先輸入STC條件下的組件參數(shù)Isc、Imp、Voc、Vmp、scα和ocβ,應(yīng)用式(8)、式(9)、式(13)和式(14)計(jì)算給定工作條件下的Isc、Imp、Voc、Vmp;再根據(jù)關(guān)鍵工作點(diǎn)的電路方程 [式(2)~式(5)和式(7)] 構(gòu)造最小二乘優(yōu)化問題,計(jì)算5參數(shù)初值,利用MATLAB Isqcurvefit函數(shù)求解5參數(shù);最后利用計(jì)算得到的等效電路模型,給定電壓,計(jì)算相應(yīng)的電流值,得到I-V曲線。
以高效單晶硅光伏電池為實(shí)驗(yàn)對(duì)象,測量其在不同輻照和溫度下的I-V曲線數(shù)據(jù),以驗(yàn)證本文所提參數(shù)提取方法的有效性。使用具有3A等級(jí)認(rèn)證的Abet Technologies 太陽模擬系統(tǒng)進(jìn)行測量,通過網(wǎng)格衰減器獲得8種太陽輻照,分別為200、258、385、440、540、675、810、1 000 W/m2,通過恒溫板獲得6種溫度,分別為25℃、30℃、35℃、40℃、45℃、50℃。光伏電池的電氣特性如表3所示。
表3 高效單晶硅光伏電池電氣特性(STC條件下)Table 3 Electrical characteristics of high-efficiency monocrystalline silicon solar cell (under STC)
根據(jù)實(shí)驗(yàn)可以得到48種工作條件下的I-V曲線,模型計(jì)算結(jié)果使用均方根誤差(root mean square error,RMSE)進(jìn)行評(píng)價(jià),RMSE值計(jì)算如下:
式中,Ic,i是光伏電池模型輸出電流計(jì)算值,Imes,i為光伏電池輸出電流測量值,N為測量點(diǎn)個(gè)數(shù)。
將本文所提參數(shù)提取方法與一類常見的參數(shù)提取方法[10]進(jìn)行比較,此類方法先計(jì)算STC條件下的模型參數(shù),后通過各個(gè)參數(shù)的半經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算得到任意工作條件下的參數(shù)數(shù)值,并得到任意工作條件下的光伏電池模型。兩種參數(shù)提取方法的RMSE值計(jì)算結(jié)果如圖4所示。在低溫度下,兩種方法具有相似的模型計(jì)算精度;但隨著溫度的上升,對(duì)照方法的模型誤差快速增大,使得模型由于精度過大導(dǎo)致其I-V特性計(jì)算無效。本文所提參數(shù)模型在溫度上升時(shí),誤差也有所上升,但上升幅度較小,RMSE值均在5%以內(nèi),其中,有70.8%的RMSE值小于2.5%。
圖4 光伏電池等效電路模型計(jì)算誤差Fig.4 RMSE of photovoltaic cell modeling
選取STC、高輻照和低溫度、高輻照和高溫度、低輻照和低溫度、低輻照和高溫度五種工作條件,I-V曲線計(jì)算結(jié)果如圖5、圖6所示。其中STC條件下,所提方法和對(duì)照方法計(jì)算結(jié)果相同,具有準(zhǔn)確的Voc、Isc、Vmp、Imp數(shù)值,模型精度較高,RMSE值僅為0.0091。其他輻照條件下,由于測量時(shí)的偏差,按式(8)計(jì)算Isc值均有一定誤差。而對(duì)照方法在高溫度下,Voc偏差較大,導(dǎo)致模型I-V特性計(jì)算誤差較大。本文所提參數(shù)提取方法在各種工作條件下均具有較高的計(jì)算精度。
圖5 STC條件下I-V特性曲線Fig.5 I-V curves under standard test condition
圖6 任意工作條件下I-V特性曲線Fig.6 I-V curves under different conditions
本文提出一種基于光伏產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)的單二極管5參數(shù)光伏等效電路模型參數(shù)提取方法,建立任意工作條件下光伏I-V特性計(jì)算模型。該模型使用標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的6個(gè)電氣參數(shù)(Voc、Isc、Vmp、Imp、αsc和βoc),先計(jì)算出給定輻照和溫度下的Voc、Isc、Vmp、Imp,再利用這三個(gè)特殊點(diǎn)列寫方程組,從而解出該工作條件下的5參數(shù)(Iph、Is、n、Rs、Rsh),便可得到任意工作條件下的光伏電池的I-V特性曲線。以高效單晶硅光伏電池為例,測量6種溫度和8種輻照共48種工作條件下的I-V曲線,驗(yàn)證算法的有效性,并與一類常見的參數(shù)提取方法進(jìn)行比較。仿真實(shí)驗(yàn)證明:利用參數(shù)半經(jīng)驗(yàn)公式得到任意工作條件下參數(shù)值的I-V特性計(jì)算方法在高溫度下誤差較大;本文所提參數(shù)提取方法在任意工作狀態(tài)下均具有較好的光伏電池I-V特性計(jì)算結(jié)果。單二極管5參數(shù)等效電路模型能夠準(zhǔn)確等效硅電池的I-V特性,并且硅光伏電池存在確定的電壓和電流溫度系數(shù),因此該模型對(duì)硅光伏電池具有良好的適應(yīng)性與精確度,具有很好的實(shí)用參考價(jià)值。
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Parameter Extraction of Photovoltaic Cell Model under Different Irradiance and Temperature Based on Manufacture Datasheets
HUANG Lei1,2,ZHANG Ji-yuan1,2,SHU Jie1,2,CUI Qiong1,WU Zhi-feng1,DING Jian-ning3
(1.Guangdong Provincial Key Laboratory of New and Renewable Energy Research and Development,CAS Key Laboratory of Renewable Energy,Guangzhou Institute of Energy Conversion,Chinese Academy of Sciences,Guangzhou 510640,China;2.University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;3.Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering,Jiangsu Changzhou 213164,China)
Parameter extraction of photovoltaic cell model based on manufacture datasheets often uses parameter semi-empirical equations to obtain parameters under different conditions.These semi-empirical equations are approximate formulas and can increase model error.This paper proposes a parameter extraction method for 5-parameter single-diode model of photovoltaic cell under different irradiances and temperatures.It uses key-point data of I-V curve in manufacture datasheets to compute key-point current and voltage under different conditions by applying temperature coefficients of short circuit current and open circuit voltage.Based on the key-point data under certain conditions,the model parameters and I-V curve can be obtained by solving the proposed equation set.The proposed method was tested on high-efficiency monocrystalline silicon solar cell for parameter extraction and I-V curve computation.Experiment and simulation results demonstrate that the proposed method outperforms methods using semi-empirical equations to obtain parameters under different conditions,and the root mean square error (RMSE) values were less than 5% under all test conditions.
photovoltaic cell;single-diode model;I-V characteristic;parameter extraction
TK514;TM914.4
A
10.3969/j.issn.2095-560X.2016.06.007
2095-560X(2016)06-0468-07
黃 磊(1986-),女,博士研究生,助理研究員,主要從事可再生能源發(fā)電預(yù)測及微網(wǎng)技術(shù)研究。
張繼元(1990-),男,博士研究生,助理研究員,主要從事電力電子在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用。
舒 杰(1969-),男,博士,研究員,主要從事可再生能源發(fā)電及微網(wǎng)技術(shù)研究。
2016-09-26
2016-10-18
佛山市院市合作項(xiàng)目(2014HK100051);廣州市創(chuàng)新平臺(tái)與共享項(xiàng)目(201509010018);廣東省協(xié)同創(chuàng)新與平臺(tái)環(huán)境建設(shè)項(xiàng)目(2014B040404002)
? 通信作者:舒 杰,E-mail:shujie@ms.giec.ac.cn