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      光電正反饋下1550nm—VCSEL的動力學特性研究

      2016-12-31 00:00:00吳論生
      科技創(chuàng)新與應用 2016年14期

      摘 要:基于自旋反轉模型(SFM)理論研究1550nm垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在光電正反饋下的非線性動力學特性。在反饋延遲時間和反饋強度的參數(shù)空間,畫出表示各種動力學狀態(tài)的色圖,從圖中可以清晰看出各種狀態(tài)的演變。同時隨著反饋延遲時間變化,畫出激光器輸出功率極大值隨光電反饋延遲時間變化的分岔圖。仿真結果表明,通過改變光電反饋的延遲時間,1550nm垂直腔面發(fā)射激光器沿著一種準周期路徑最終進入混沌狀態(tài)。

      關鍵詞:自旋反轉模型(SFM);垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL);非線性動力學;光電正反饋

      引言

      垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)相對于常規(guī)的邊發(fā)射半導體激光器(EEL)而言具有體積小、閾值電流低、發(fā)散角小、可單縱模光輸出、易與光纖耦合、易集成等優(yōu)點[1-3],在光通信、光互聯(lián)和光存儲等領域具有廣闊的應用前景。近年來的理論和實驗研究已表明垂直腔面發(fā)射激光器在各種外部擾動(光注入、光反饋和光電反饋)的作用下呈現(xiàn)出了豐富的動力學現(xiàn)象[4-5]。這些現(xiàn)象主要包括偏振轉換和雙穩(wěn)、注入鎖定以及各種動力學狀態(tài)(單周期、準周期和混沌)。相比于光注入和光反饋,光電反饋由于自身易于電控和對相位變化的穩(wěn)定性使它變得更加靈活和有效。光電反饋主要分為光電正反饋和光電負反饋。在光電負反饋中,反饋電流與偏置注入電流相減,而在光電正反饋中,反饋電流與偏置注入電流相加。光電反饋作用下垂直腔面發(fā)射激光器的動力學特性已經(jīng)被研究,然而這些研究主要集中于短波長半導體激光器(~800-1000nm),對于長波長半導體激光器的研究較少?;诖?,文章基于自旋反轉模型(SFM),數(shù)值分析了光電正反饋作用下1550nm-VCSEL的非線性動力學特性以及各動力學態(tài)的演化。

      1 理論模型

      光電正反饋作用下垂直腔面發(fā)射激光器的原理圖如圖1所示,其中虛線表示光路徑,實線表示電路經(jīng)。激光器的輸出經(jīng)過可變衰減器(VA)和光電探測器(PD)后,激光器輸出的光信號轉化為電信號,然后經(jīng)過電子放大器(EA)后與激光器的偏置注入電流Idc相加一起注入到激光器中。當光電反饋系統(tǒng)中注入電流不變時,那么這個系統(tǒng)可以控制的參數(shù)主要有反饋強度和反饋延遲時間。通過調節(jié)這兩個參量,可以使激光器的輸出進入混沌狀態(tài)。

      基于自旋反轉模型(SFM),通過在電流中引入一個光電反饋項,SFM模型可以擴展得到光電反饋作用下的垂直腔面發(fā)射激光器的速率方程模型,具體的速率方程如下:

      式中,下標x和y分別代表X和Y兩個線性偏振模式。E表示光場慢變振幅,N為總的載流子密度,n表示兩個自旋反轉載流子密度差值,k為光場衰減率,α為線寬增強因子,γe為總的載流子衰減率,γs為自旋反轉速率,γa和γp分別代表有源介質線性色散效應和雙折射效應,τ表示反饋延遲時間,μ為歸一化注入電流,η為反饋系數(shù),p=|Ex|2+|Ey|2為歸一化輸出功率,P0為激光器自由輸出功率,βsp=10-6是自發(fā)輻射噪聲強度,ξ1和ξ2為兩個相互獨立的高斯白噪聲源,其平均值為0,方差為1。

      2 仿真分析

      利用四階龍格庫塔方法對以上方程進行數(shù)值求解,數(shù)值模擬所用的參數(shù)如下:γe=1ns-1,γp=192.1ns-1,γa=1ns-1,γs=1000ns-1,κ=300ns-1,andα=3。

      自由運行時1550nm-VCSEL的功率-電流(P-I)曲線如圖2所示,其中虛線表示激光器輸出x偏振模式,實線表示激光器輸出y偏振模式,激光器的歸一化注入電流范圍為0-5。可以從圖中看出,激光器的閾值電流為1。當注入電流大于1時,激光器的輸出為y偏振模式,x偏振模式一直處于被抑制狀態(tài)。

      圖3畫出了當標準注入電流μ固定為2.5時,在(τ,η)參數(shù)空間下基于光電正反饋的1550nm-VCSEL計算出的色圖。由圖可以看出,隨著反饋延遲時間或者反饋強度的增大,光電正反饋系統(tǒng)的動力學變得復雜了,并且在長延遲時間和較大反饋區(qū)域能觀察到混沌脈沖狀態(tài)。顯而易見,光電正反饋系統(tǒng)輸出經(jīng)過單周期RP狀態(tài),再到準周期QP狀態(tài),最后到達混沌CP狀態(tài)這一準周期路線到達混沌。

      圖4畫出了1550nm-VCSEL輸出功率極大值隨光電反饋延遲時間變化的分岔圖。圖中光電反饋強度η和歸一化注入電流μ分別為0.08和2.5。分岔圖通過根據(jù)峰值序列的最大最小值獲得,這樣使得不同的脈沖狀態(tài)能被輕易的區(qū)分開。從圖4中可以看出,當反饋延遲時間非常小時,光電正反饋作用下的1550nm-VCSEL工作在RP狀態(tài)。通過提高反饋延遲時間,VCSEL先進入QP狀態(tài),最后再進入到CP狀態(tài)。一般地,光電正反饋系統(tǒng)通過增加反饋延遲時間來增加動力學行為的復雜性。為了識別這些狀態(tài),需要研究它的時間序列,功率譜和相圖。

      圖5(a)-(c)顯示了不同反饋延遲時間下的仿真結果,即

      1550nm-VCSEL下相應不同非線性區(qū)域的時間序列,功率譜和相圖如圖所示。光電反饋強度和歸一化注入電流分別為η=0.08和μ=2.5,而τ是變化的。當τ=0.5ns時,如圖5(a)所示,系統(tǒng)處在RP狀態(tài),圖中時間序列顯示出了一系列的強度和間隔不變的規(guī)則脈沖。而相應的功率譜在f≈4.65GHz有一個明顯的峰值,該值非常接近1550nm-VCSEL的自由震蕩頻率fRO=[2k?酌e(?滋-1)]1/2/2?仔=4.75GHz。單一圓點可以在相圖中看到。當反饋延遲時間τ增加到1.5ns,如圖5(b)所示,1550nm-VCSEL進入到QP狀態(tài)。脈沖強度是調制的,并且在時間序列上可以看到一個慢變的包絡。準周期狀態(tài)也可以通過功率譜和相圖來驗證,能夠分別看到不同級別的跳動和一個清晰的環(huán)。隨著反饋時間τ的繼續(xù)增大,準周期狀態(tài)消失。最后,當τ=2ns時,1550nm-VCSEL輸出進入到CP狀態(tài),如圖5(c)所示,可以看到在時間序列上有類似于噪聲的強度波動,而在相圖上則是隨機的點。同時,相比于其他的狀態(tài),峰值序列的功率譜顯示出了加強的帶寬。

      3 結束語

      文章基于SFM模型,對光電正反饋作用下1550nm-VCSELs的非線性動力學特性進行了研究。通過結合激光器的色圖,分岔圖,以及輸出的時間序列、功率譜和相圖、可以得出光電正反饋下1550nm-VCSEL呈現(xiàn)了從單周期經(jīng)歷準周期進入混沌的演化路徑。文章的研究一方面有助于了解在實際應用過程中1550nm-VCSEL可能遭受到的外部光電反饋對其工作特性的影響;另一方面,針對某些應用領域需要通過人為調控使1550nm-VCSEL工作在特定的動力學狀態(tài),文章的工作具有一定的指導意義。

      參考文獻

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      [3]Beausoleil R G, Kuekes P J, Snider G S, et al. Nanoelectronic and nanophotonic interconnect[J]. Proceedings of the IEEE, 2008, 96(2):230-247.

      [4]Yu S F. Nonlinear dynamics of vertical-cavity surface-emitting lasers[J]. Quantum Electronics, IEEE Journal of, 1999,35(3):332-341.

      [5]Vlasov Y, Green W M J, Xia F. High-throughput silicon nanophotonic wavelength-insensitive switch for on-chip optical networks[J]. nature photonics, 2008,2(4):242-246.

      作者簡介:吳論生(1974-),男,山東臨朐人,講師,主要從事光通信方面的教學與研究工作。

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