孔夢華,卜 剛,吳振淇
(南京航空航天大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,江蘇 南京 211106)
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低功耗Sigma-Delta調(diào)制器的建模與設(shè)計(jì)
孔夢華,卜剛,吳振淇
(南京航空航天大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,江蘇 南京 211106)
針對(duì)Sigma-DeltaADC在實(shí)現(xiàn)高精度的同時(shí)如何降低系統(tǒng)功耗這一問題,通過進(jìn)行建模分析,得出滿足精度需求的最低性能指標(biāo)。并對(duì)二階Sigma-Delta調(diào)制器的非理想因素進(jìn)行數(shù)學(xué)建模分析,在滿足ADC精度的同時(shí)對(duì)ADC組成模塊的最低性能指標(biāo)進(jìn)行分配,利用SDtoolbox進(jìn)行仿真驗(yàn)證?;贑SMC0.5μmCMOS工藝,在5V電源電壓下,對(duì)調(diào)制器進(jìn)行了電路級(jí)設(shè)計(jì)。結(jié)果顯示在模塊最低性能時(shí),調(diào)制器輸出信號(hào)的帶內(nèi)信噪比為83.5dB,總功耗為1.8mW。
SigmaDelta調(diào)制器;建模分析;低功耗設(shè)計(jì)
近年來,隨著手機(jī)、可穿戴類設(shè)備等電子類產(chǎn)品性能的增強(qiáng)和市場的擴(kuò)大,有力推動(dòng)了芯片業(yè)的發(fā)展。作為芯片基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路(VLSI)工藝也在不斷改進(jìn),晶體管尺寸日益縮小以滿足強(qiáng)勁的性能和功耗的減小。芯片對(duì)數(shù)字信號(hào)處理能力不斷加強(qiáng),使模擬信號(hào)的數(shù)字化處理程度越來越高[1-2]。數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)不斷增強(qiáng)的同時(shí),如何將模擬信號(hào)高速準(zhǔn)確地傳到數(shù)字芯片內(nèi)部進(jìn)行處理,并降低系統(tǒng)的功耗以增加電子設(shè)備續(xù)航時(shí)間,這些均是急需解決的問題。作為連接模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)之間的橋梁,數(shù)模轉(zhuǎn)換器(ADC)的轉(zhuǎn)換速度、精度、功耗,對(duì)整個(gè)系統(tǒng)性能的提高和功耗的降低至關(guān)重要[3]。本文對(duì)調(diào)制器功耗進(jìn)行了充分的優(yōu)化,在實(shí)現(xiàn)ADC高精度的前提下,盡量降低了調(diào)制器的功耗。
Sigma-Delta調(diào)制器主要通過過采樣和噪聲整形兩種技術(shù)來提高ADC的精度[4]。模數(shù)轉(zhuǎn)換器的過采樣技術(shù)通過增加采樣時(shí)鐘頻率來實(shí)現(xiàn)。對(duì)信號(hào)的采樣快慢通過過采樣率(OSR)來進(jìn)行描述
(1)
其中,fs為ADC時(shí)鐘采樣頻率;fN為奈奎斯特采樣頻率;fb為信號(hào)頻率。
過采樣可減小量化后信號(hào)的帶內(nèi)噪聲。對(duì)進(jìn)行過采樣后的信號(hào)進(jìn)行量化,量化噪聲的功率譜密度仍然分布在[-fs/2,+fs/2]之間,因此分布在信號(hào)帶內(nèi)的量化噪聲功率只是其中一小部分。二階一位量化的Sigma-Delta調(diào)制器基本原理框圖如圖1所示[5]。
圖1 二階Sigma-Delta調(diào)制器Z域等效模型
其中,X(z)為輸入信號(hào);E(z)為疊加的量化噪聲;Y(z)為輸出信號(hào);H(z)=z-1/(1-z-1)為積分器的理想傳輸函數(shù)。若有增益因子g1=0.5,g2=2,則輸入輸出的關(guān)系為
Y(z)=z-2X(z)+(1-z-1)2E(z)
(2)
二階Sigma-Delta調(diào)制器對(duì)信號(hào)的傳輸函數(shù)只是有兩個(gè)時(shí)鐘的延時(shí),而對(duì)量化噪聲則在頻帶內(nèi)進(jìn)行了壓縮,從而達(dá)到了噪聲整形的效果。
2.1積分器有限增益
由于運(yùn)放增益A雖然有限,但是A?1,因此忽略傳輸函數(shù)H(z)的增益誤差,可得到傳輸函數(shù)H(z)為
(3)
其中,g為積分器的增益。對(duì)照積分器的理想傳輸函數(shù)H(z)=z-1/(1-z-1),可發(fā)現(xiàn)積分器的極點(diǎn)由1變成1-g/A,這會(huì)使整個(gè)Sigma-Delta調(diào)制器的傳輸函數(shù)發(fā)生變化。
為分析方便,令積分器的增益g=1,u=1/A,此時(shí)帶內(nèi)量化噪聲為
(4)
2.2運(yùn)放的有線帶寬和壓擺率
積分器的積分時(shí)間常數(shù)τ=1/(2π·GBW),GBW是運(yùn)放的單位增益帶寬。由于運(yùn)放的有限單位增益帶寬,積分時(shí)間常數(shù)并不是無窮小,導(dǎo)致電荷轉(zhuǎn)移不完全[6]。因此,積分器輸出和輸入之間滿足的實(shí)際關(guān)系為
Vout(nT-T+t)=Vout(nT-T)+
α·gVm(nT-T)(1-e-t/τ)
(5)
其中,α為運(yùn)放有限增益導(dǎo)致的積分泄露因子;g為積分器的增益因子。若ADC的采樣時(shí)鐘周期為T,則一個(gè)周期內(nèi)T/2用來采樣保持,另外T/2用來進(jìn)行積分。由于積分時(shí)間的有限性,導(dǎo)致存在e-T/2τ的積分建立誤差。
ε為兩個(gè)積分器的建立誤差之和,即e-T/2τ1+e-T/2τ2。對(duì)于總建立誤差為ε的二階Sigma-Delta調(diào)制器,其帶內(nèi)噪聲為
(6)
為充分保證積分建立過程不受運(yùn)放壓擺率的限制,使運(yùn)放的壓擺率滿足
(7)
2.3積分電容失配
積分器的增益系數(shù)是由采樣電容和反饋積分電容的比值來獲取的,若電容的大小尺寸有誤差,就會(huì)造成積分增益的偏差[7]。假設(shè)實(shí)際積分器的增益因子g*與正常理論值g的關(guān)系為:g*=g(1±δ),δ為失配誤差。可得到包含了電容失配和量化誤差的信號(hào)帶內(nèi)噪聲為
(8)
2.4時(shí)鐘抖動(dòng)
因采樣抖動(dòng)造成的誤差是隨機(jī)不確定的,因此可假設(shè)不確定因子δ是一個(gè)滿足標(biāo)準(zhǔn)偏差為σ的高斯隨機(jī)過程,此時(shí)采樣誤差的功率會(huì)均勻分布在[-fs/2,+fs/2]之間,其功率譜密度為[8]
(9)
由于Sigma-Delta調(diào)制器過采樣的運(yùn)用,信號(hào)帶內(nèi)的抖動(dòng)噪聲為
(10)
2.5采樣積分和運(yùn)放的熱噪聲
開關(guān)電容在采樣和積分過程中均會(huì)產(chǎn)生熱噪聲。將開關(guān)電容在采樣和積分時(shí)產(chǎn)生的熱噪聲,以及運(yùn)放產(chǎn)生的熱噪聲全部等效到輸入采樣電容上,可得到總的噪聲功率為[7]
(11)
其中,x=2Ron·gm1;Cs為采樣電容;Ron為采樣開關(guān)導(dǎo)通電阻;gm1為輸入差分對(duì)的跨導(dǎo)。由于所有的噪聲源產(chǎn)生采樣白噪聲,因此認(rèn)為熱噪聲功率譜密度可由總噪聲功率除以fs/2得到。對(duì)熱噪聲功率譜從0~fs/(2OSR)進(jìn)行積分可得到總的輸出帶內(nèi)熱噪聲為[4]
(12)
2.6Simulink系統(tǒng)仿真
通過上述分析,在系統(tǒng)采樣時(shí)鐘頻率為2.5MHz下,輸入幅度為0.5V,頻率為10kHz的正弦波時(shí),若期望輸出信號(hào)的有效位數(shù)為14bit,即帶內(nèi)信噪比約為86dB,通過上述建模分析可確定系統(tǒng)的各項(xiàng)非理想?yún)?shù)如表1所示。
表1 調(diào)制非理想?yún)?shù)
在Simulink下的調(diào)制器模型中,添加上述非理想?yún)?shù),進(jìn)行行為級(jí)仿真[9],如圖2所示。將仿真結(jié)果進(jìn)行FFT頻域分析,可得到輸出信號(hào)的頻譜圖。如圖3所示,信號(hào)帶內(nèi)信噪比為85.2dB,有效位數(shù)為13.9bit,與設(shè)計(jì)目標(biāo)較為接近。由此可驗(yàn)證非理想?yún)?shù)建模分析的準(zhǔn)確性。
圖2 Simulink下包含非理想因素的Sigma-Delta調(diào)制器模型
圖3 Sigma-Delta調(diào)制器Simulink仿真的輸出信號(hào)頻譜
本設(shè)計(jì)的調(diào)制器電路圖如圖4所示[10]。調(diào)制器采用開關(guān)電容進(jìn)行采樣和反饋積分。clk與non_clk構(gòu)成兩相不重疊時(shí)鐘[11]。在采樣相位時(shí), 為0,在積分相位時(shí) 為1。Vout為輸出電平,高電平時(shí)為5V對(duì)應(yīng)數(shù)字1,低電平時(shí)則為0。在采樣相位時(shí),clk閉合,non_clk斷開,對(duì)信號(hào)進(jìn)行采樣,同時(shí)鎖存比較器進(jìn)行比較。在積分相位時(shí),clk斷開,non_clk閉合,進(jìn)行環(huán)路反饋積分。通過Spectre仿真,顯示整個(gè)調(diào)制器的靜態(tài)功耗為1.8mW。
圖4 二階一位量化Sigma-Delta調(diào)制器電路圖
圖5 電路級(jí)調(diào)制器輸出信號(hào)頻譜
從圖5可知,輸出信號(hào)的帶內(nèi)信噪比為83.5dB,有效位數(shù)為13.6bit,與理論設(shè)計(jì)目標(biāo)接近。
本文通過對(duì)二階一位量化Sigma-Delta調(diào)制器詳細(xì)的非理想?yún)?shù)分析,在給定精度目標(biāo)和輸入信號(hào)相關(guān)參數(shù)時(shí),可計(jì)算出調(diào)制器組成模塊的最低性能要求,在此基礎(chǔ)上搭建了Simulink行為級(jí)仿真模型,并加入計(jì)算出的非理想?yún)?shù)進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果的精度與理
論分析極為接近,驗(yàn)證了非理想?yún)?shù)理論分析的正確性。最后,在Cadence中進(jìn)行整體的電路級(jí)設(shè)計(jì)與仿真。由于電路級(jí)的非線性等不利因素的影響,其輸出信號(hào)的有效位數(shù)略小于理論目標(biāo),但仍有較高的準(zhǔn)確性。通過仿真結(jié)果分析證明了本方法流程具有較高的準(zhǔn)確性。
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Modeling and Design of the Low-power Sigma-Delta Modulator
KONGMenghua,BUGang,WUZhenqi
(SchoolofElectronicInformationEngineering,NanjingUniversityofAeronautics&Astronautics,Nanjing210016,China)
Theanalog-to-digitalconverter(ADC)isthenecessaryinterfaceforanalogsignaltodigitalsignalconversion.Theminimumperformanceindexofthesigma-deltaADCwhilemeetingtheprecisiondemandareobtainedbymodelinginordertoreducethepowerconsumptionofthesystemwhilemaintaininghighprecision.Themathematicalmodelinganalysisofthenon-idealfactorsofasecond-orderSigma-Deltamodulatorisperformed,andthedistributionofminimumperformanceindicatorsoftheADCmoduleissimulatedwithSDtoolbox.Basedon0.5μmCMOSCSMCprocessandunderthe5Vpowersupplyvoltage,thispaperpresentsthemodulatorcircuitdesign.Theresultsshowthatthein-bandsignal-to-noiseratiois83.5dB,andtotalpowerconsumptionis1.8mWatminimumperformanceofthemodulator.
sigma-deltamodulator;modelinganalysis;low-powerdesign
2015-12-11
江蘇省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(BK2012792)
孔夢華(1988-),男,碩士研究生。研究方向:集成電路設(shè)計(jì)。吳振淇(1991-),男,碩士研究生。研究方向:集成電路設(shè)計(jì)。
10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2016.09.037
TN761
A
1007-7820(2016)09-136-04