45°準同軸微波多層過孔TDR仿真技術(shù)

楊 濤，宋慶輝，杜江坤

45°準同軸微波多層過孔TDR仿真技術(shù)

楊 濤，宋慶輝，杜江坤

（中國電子科技集團公司第五十四研究所，河北石家莊050081）

準同軸微波多層過孔是微波多層印制技術(shù)中常用的跨層互連形式，當互連結(jié)構(gòu)較為復雜時，其微波性能會對系統(tǒng)指標構(gòu)成較大影響，目前研究微波過孔的手段還主要局限于理論推導和頻域仿真。首次使用TDR仿真技術(shù)，對45°準同軸微波多層過孔進行了建模、仿真和分析，并對過孔尺寸進行了優(yōu)化，所得到的微波多層過孔結(jié)構(gòu)具有較理想的50 Ω阻抗特性，同時在很寬的頻帶內(nèi)展現(xiàn)出良好的微波特性，進而驗證了TDR仿真方法在分析準同軸微波多層過孔結(jié)構(gòu)上的有效性。

微波多層電路；時域反射測量計；準同軸結(jié)構(gòu)；超寬帶

引用格式：楊 濤，宋慶輝，杜江坤.45°準同軸微波多層過孔TDR仿真技術(shù)［J］.無線電工程，2016，46（5）：56-59.

0 引言

現(xiàn)代通信系統(tǒng)對小型化要求日益提高，在各種小型化技術(shù)中，基于PCB的微波多層印制技術(shù)［1］具有成熟的工藝體系、良好的設(shè)計兼容性、優(yōu)異的系統(tǒng)集成能力和相對低廉的成本，其在相控陣波束形成網(wǎng)絡(luò)［2］、綜合饋電系統(tǒng)［3］及微波電路小型化［4］的成功應用展示出其獨特的價值和前景，相應的工藝技術(shù)也得到較為深入的研究［5］。但另一方面，微波多層印制電路尺寸相對較大，會引入明顯的寄生參數(shù)，使電路性能惡化。微波多層過孔是常見的不連續(xù)性單元，在較高頻率下對電路性能影響顯著。此外，這種過孔屬半開放結(jié)構(gòu)，會通過接地柱間隙輻射能量，成為內(nèi)部干擾源，因而其微波特性得到了廣泛研究。以往對微波過孔的研究方法包括準靜態(tài)法［6］、模式匹配法［7］、鉅量法［8］以及其他全波仿真方法［9］等。這些方法在分析具體微波過孔時簡單有效，但對形狀、尺寸優(yōu)化缺乏指導性。

源自測量領(lǐng)域的時域反射測量計（Time-Domain Reflectometry，TDR）是一個時域概念，其工作原理與雷達類似。將TDR概念引入電磁仿真，可直觀得到延信號傳輸方向的阻抗信息和不連續(xù)信息［10］，從而有針對性地進行就近補償，實現(xiàn)寬帶匹配。本文擬采用TDR方法對具有代表性的45°準同軸微波多層過孔進行分析和優(yōu)化，并得到具有良好超寬帶微波性能的多層過孔結(jié)構(gòu)。

1 過孔結(jié)構(gòu)分析

為保證電路性能，微波多層過孔通常選用圖1（a）所示的準同軸結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由位于中心的金屬化過孔（Plated Trough Hole，PTH）代替同軸線的內(nèi)導體，由周圍一圈圓周對稱排布的PTH代替同軸線的外導體。影響微波性能的主要參數(shù)如圖1（b）所示。其中，R_post_in為中心通孔的半徑，R_pad_ in為中心通孔焊盤的半徑，R_post_out為外圍通孔的半徑，R_G為板內(nèi)地平面開窗的反焊盤半徑，R_p為接地通孔與中心通孔的中心距離，而分布角則表示兩相鄰地孔與結(jié)構(gòu)中心連線的夾角。

圖1　準同軸微波過孔示意

當分布角為45°時，可去掉過孔中的2個接地柱并引入微帶抽頭，從而形成90°或180°的傳輸線排布，這在微波電路布局中是經(jīng)常用到的。

1.1 板層分布

與傳統(tǒng)多層印制技術(shù)相同，微波多層印制技術(shù)同樣需要用粘結(jié)片將多塊標準尺寸的微波覆銅板粘結(jié)以形成多層類周期結(jié)構(gòu)，如圖2所示。

圖2　微波多層板分布示意

覆銅板與粘結(jié)片往往具有不同的介電常數(shù)和相速，因此在考慮通孔的射頻性能時，為方便起見引入從式（1）可看出，多層板的有效介電常數(shù)介于介質(zhì)板和粘結(jié)片的介電常數(shù)之間。常用微波板材的厚度通常較小，因此在較低頻段，整個多層板可近似看作均勻介質(zhì)（延z向），在此范圍內(nèi)式（1）是有效而便捷的。

1.2 準同軸結(jié)構(gòu)

同軸線是微波系統(tǒng)中常用的TEM傳輸線，其特性阻抗計算公式如式（2）所示，可見，在均勻介質(zhì)填充的情況下，同軸線的特性阻抗只與內(nèi)外徑的比值有關(guān)。有效介電常數(shù)，其表達式為：

在微波多層過孔中，準同軸過孔是一種典型實現(xiàn)形式，兼具同軸線的優(yōu)良特性和簡單工藝，結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖3（a）進一步說明準同軸過孔的縱向結(jié)構(gòu)，圖3（b）給出垂直于z軸的平面結(jié)構(gòu)?？梢姡⒉ǘ鄬訙释S過孔與真正同軸線尚有2點主要差別：非屏蔽性和金屬層工藝焊盤。非屏蔽結(jié)構(gòu)會造成電磁能量的泄露，但這種泄露可通過增大地孔密度和限制使用頻率加以控制；工藝焊盤則會導致額外的寄生電容，使式（2）在計算該結(jié)構(gòu)時失效。因此，實際使用的微波過孔往往通過三維全波仿真的方式評估性能。

圖3　準同軸微波過孔電場分布示意

2 45°準同軸微波多層過孔TDR仿真

在微波多層準同軸過孔的設(shè)計中，圖1（b）所示的分布角的選取，需結(jié)合實際需求，而45°是一種常見的分布角，對其微波性能分析，具有較強的實用價值。與其他電磁仿真手段相比，TDR可給出延傳輸線方向的阻抗分布曲線，從而為結(jié)構(gòu)的阻抗設(shè)計及匹配提供便利。

2.1 TDR仿真模型及設(shè)置

采用ANSYS公司HFSS軟件的時域求解器對45°準同軸微波多層過孔進行建模仿真，模型如圖4所示。其中，選用的微波介質(zhì)為Arlon 0.254 mm厚CLTE-XT，粘結(jié)片為Arlon 0.1 mm厚25N；不失一般性，介質(zhì)的層數(shù)取11。為方便起見，輸入輸出接口選擇CLTE-XT填充的50 Ω同軸線。在仿真中，設(shè)置Solution Type為Transient，輸入信號選擇TDR，材質(zhì)設(shè)置為無耗，脈沖上升時間為22.7 ps，如圖5所示。

圖4　TDR微波多層過孔仿真模型

圖5　TDR設(shè)置裝口

2.2 仿真結(jié)果

在上述設(shè)置下對準同軸微波過孔模型進行仿真，結(jié)果如圖6所示。TDR阻抗曲線可直觀給出沿傳輸通路方向不同位置的阻抗值，并為阻抗匹配提供參考信息。圖6所示的曲線為優(yōu)化后結(jié)果，易看出延傳輸線方向的阻抗波動很小，且在50 Ω上下半?yún)^(qū)基本達到平衡狀態(tài)。

圖6　過孔TDR阻抗曲線

作為比較，對同一模型進行頻域仿真，結(jié)果如圖7所示?？梢娫撃Ｐ驮诟哌_20 GHz范圍內(nèi)具有優(yōu)良的插入損耗、回波損耗和較低的信號泄露水平（該模型未考慮金屬和介質(zhì)的損耗，故插入損耗為回波損耗和輻射損耗之和），具有潛在的超寬帶應用價值。

圖7　過孔頻域仿真曲線

3 結(jié)束語

采用TDR仿真技術(shù)對45°準同軸微波多層過孔的性能進行了分析，并利用仿真所得阻抗曲線對結(jié)構(gòu)尺寸進行了優(yōu)化。所得到的微波多層過孔具有延微波信號傳輸方向波動較小的阻抗曲線，同時也具有20 GHz頻段內(nèi)的優(yōu)良傳輸特性，在寬帶微波多層系統(tǒng)的實現(xiàn)中有較強的實用價值。所完成的工作也較容易推廣至其他層數(shù)、厚度的微波多層板，為微波多層印制電路的設(shè)計提供便利和參考。

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Simulation of 45°Quasi-coaxial Microwave Multilayer via Using TDR Technique

YANG Tao，SONG Qing-hui，DU Jiang-kun
（The 54th Research Institute of CETC，Shijiazhuang Hebei 050081，China）

Quasi-coaxial structure is one of the frequently used connecting methods in microwave multilayer printed circuits，but its character may bring significant effects on system specifications when complex connections are employed.Study methods of quasi-coaxial structure are limited to theoretical derivation and frequency-domain simulations at present.In the paper，modeling，simulation and analysis of 45°quasi-coaxial microwave multilayer via are made employing TDR simulation method，while dimensions of the via are also optimized.The structure obtains 50 Ω impedance characteristic and good microwave performance in wide frequency band，which verify the effectiveness of TDR simulation method when used for analysis of quasi-coaxial microwave multilayer via.

microwave multilayer circuit；time-domain reflectometery；quasi-coaxial structure；ultra-wideband

TN811

A

1003-3106（2016）05-0056-04

10.3969/j.issn.1003-3106.2016.05.15

2016-01-14

國家科技支撐項目（2014BAK02B04）；國家部委基金資助項目。

楊 濤 男，（1979—），助理工程師。主要研究方向：微波技術(shù)。

宋慶輝 男，（1979—），高級工程師。主要研究方向：微波技術(shù)。