MENG Zhankun,PAN Guofeng*,HOU Qingzhong(School of Electronic and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 30030,China)
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Acetone Gas Sensor Based on Al-Doped ZnO and Influence of Ultraviolet Excitation on Gas-Sensing Properties*
MENG Zhankun1,PAN Guofeng1*,HOU Qingzhong1
(School of Electronic and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)
Al-doped ZnO(AZO)nanopower were prepared by sol-gel method.The crystal structure and surface topog?raphy were characterized by X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscopy(SEM),and tested the ultravi?olet-visible light spectrum of the sample to calculate the optical band-gap energy.With the sample as sensitive mate?rial heater gas sensor using coating method and tested the response-recovery properties of different gases.The results show that the surface of AZO is rough,and Al-doped restrains grain growth of AZO.The band-gap energy changed due to the doping of Al.When working temperature is 70℃and humidity is 27%RH,good selectivity to acetone is found with the doping the amount of 4.98wt%.The maximum sensitivity is 14 075,response and recovery time are 1 s and 3 s,respectively.UV-irradiation can improve gas sensing properties and reduced operating temperatures.
ZnO;metal oxide;sensing properties;ultraviolet excitation
21世紀人類進入信息時代,需要先進的科學技術對信息進行采集、傳輸、分析。作為信息技術的三大支柱之一,傳感技術在當今社會的角色越來越重要,傳感器在生產和日常生活中的作用越來越重要。尤其當今大氣污染嚴重,PM2.5指數(shù)一直居高不下,造成霧霾、酸雨等環(huán)境問題[1-3],因此需要氣敏傳感器來檢測和監(jiān)控對人類有害的氣體[4-6];檢測居住環(huán)境和食品的質量;監(jiān)測工業(yè)生產帶來的有害氣體,減少對大氣產生的危害等等。
在氣體傳感器[7]方面,ZnO是研究最早,應用最廣泛的n型半導體氣敏材料之一。ZnO是Ⅱ-Ⅳ族化合物,具有六方晶系纖鋅礦結構。室溫下,ZnO的直接禁帶寬度為3.37 eV,激子結合能為60 meV,是氮化鎵的3.4倍。ZnO具有特殊的熱、電等物理性能,以及穩(wěn)定的化學性質。ZnO被廣泛應用到化學氣體傳感器、光磁存儲設備、紫外發(fā)光二極管、太陽能電池、壓電傳感器、光二極管、光電探測器、透明導電氧化物、生物醫(yī)學和其他設備。
在適宜的溫度下,ZnO對丙酮等有毒有害氣體具有很好的靈敏度。但純氧化鋅存在自身缺陷,以純氧化鋅為原料制備的氣敏器件有靈敏度較低、響應慢、穩(wěn)定性差等缺點,需采用先進的方法提高氧化鋅的氣敏性能。摻雜能夠改善ZnO薄膜的密度、比表面積和電學性能。大的比表面積使得單位面積上吸附更多的氣體分子,增加氣體吸附能力,從而獲得更好的氣敏性能。摻雜III、IV族以及稀土元素,在ZnO導帶底引入大量載流子,使費米能級進入導帶,ZnO的電導率顯著提高,能帶向低能方向漂移,利于n型導電。Al摻雜ZnO具有無毒、無污染、儲量多、成本低、熱穩(wěn)定性良好等特性,因而備受研究人員的關注。比如Sahay P P[8]等人利用化學噴霧熱解法制備Al摻雜ZnO薄膜,結果顯示,摻雜的ZnO對甲醇的選擇性最好,其靈敏度是純ZnO的2.6倍。
本文利用溶膠凝膠法制備不同Al摻雜量的ZnO前驅體,退火得到納米粉末。研究退火和摻雜對ZnO晶體結構和表面形貌的影響。對AZO進行光譜分析,計算其禁帶寬度,并研究紫外光激發(fā)對AZO氣敏特性的影響,進一步探討氣敏反應機理。
1.1樣品制備
根據(jù)最佳摻雜量理論計算[9],溶膠凝膠制備Al摻雜ZnO的最佳摻雜量為4.98wt.%。取一定量的Zn(CH3COO)2·2H2O(分析純)和不同量的Al(NO3)3(分析純)溶解到用去離子水和無水乙醇(分析純)按照1∶1的比例配制成的混合溶劑中,并以轉速為100 r/min的速度進行攪拌。然后逐滴滴入用混合溶劑溶解的NaOH(分析純)溶液,直至形成半透明乳白色膠體。繼續(xù)攪拌1 h使其充分反應,形成溶膠前驅體。將制備的膠體放置24 h后清洗并過濾,在紅外烤箱下烘干。然后在分別在500℃、700℃、900℃下退火2 h,待其冷卻至室溫后進行研磨,得到不同摻雜的ZnO樣品,其中Al的摻雜量分別為0 wt.%、2.98 wt.%、4.98 wt.%、6.98 wt.%。
將上述樣品加入適量去離子水調成糊狀,通過浸漬提拉法制備旁熱式厚膜型氣敏元件:將整個洗凈的Al2O3陶瓷管浸入預先制備好的糊狀物中,然后以精確控制的均勻速度將陶瓷管平穩(wěn)提拉出來,在粘度和重力作用下陶瓷管表面形成一層均勻的膜,緊接著溶劑迅速蒸發(fā),于是附著在陶瓷管表面形成一層薄膜。制備完成的傳感器元件模型如圖1所示。
圖1 氣敏元件模型
1.2樣品測試
采用日本RIGAKU生產的D/MAX2500型X射線衍射儀分析樣品的物相結構,掃描范圍10°~90°。采用日本HITACHI生產的S4800型掃描電子顯微鏡對樣品表面進行形貌觀察。
使用漢威電子生產的氣敏測試系統(tǒng)進行氣敏測試,測試系統(tǒng)原理圖如圖2所示。其中:1為氣罩提手,2為混合風機,3為蒸發(fā)器,4為工作電壓指示,5為信號電壓指示,6為配氣箱,7為電源開關,8為工作指示燈,9為加熱電壓指示,10為加熱/回路電壓顯示切換,11為回路電壓調節(jié),12為混合風機電源開,13為關蒸發(fā)器開關。
圖2 測試系統(tǒng)原理圖
2.1物相分析
圖3為不同摻雜量AZO(Al摻雜ZnO)700℃退火的XRD圖譜。
圖3 不同摻雜量AZO 700℃退火的XRD圖譜
與標準圖譜(JCDPS79-0205)對比,可知所檢測的樣品為六方纖鋅礦結構的ZnO。強衍射峰的位置2θ為31.9°,34.6°和36.4°,分別對應ZnO的(100)(002)(101)晶面衍射峰。圖譜沒有出現(xiàn)多余的雜質峰,Al作為替位雜質進入ZnO晶格,沒有產生獨立的Al2O3。隨著摻雜量的增加,衍射峰的形狀逐漸寬緩,說明Al的摻雜抑制結晶粒徑的增長。通過謝樂公式計算,得到0%、2.98%、4.98%、6.98%的AZO的平均結晶粒徑分別為:66.3 nm、61.7 nm、56.1 nm、50.9 nm。
圖4為不同退火溫度下4.98%AZO的XRD圖譜。
圖4 不同退炎溫度4.98%AZO的XRD圖譜
從圖4可以看出,隨著退火溫度的升高,衍射峰逐漸變尖銳,即結晶粒徑逐漸變大,結晶程度增加。計算得到500℃、700℃、900℃條件下,AZO的平均結晶粒徑分別為32.1 nm、56.1 nm、74.4 nm。摻雜的Al離子能夠抑制退火過程ZnO晶粒的增長,但退火溫度過高仍會使晶粒增大,而晶粒增大對氣敏性能造成不良影響,所以退火溫度不宜過高[10]。
2.2形貌分析
圖5是0%AZO和4.98%AZO的掃描電鏡圖,其中A、B是0%和4.98%AZO的高倍掃描圖,C、D是低倍掃面圖。從圖中可以看出樣品成六棱柱狀,這與XRD測試得到的結果相一致。4.98%比0%AZO晶粒排列更加疏松,空隙更大。4.98%AZO表面比較粗糙,0%AZO六棱柱表面比較平滑。說明Al的摻雜增大ZnO的比表面積,有利于氣體的吸附,從而增加氣敏性能。從圖中還可以看出,4.98%AZO的粒徑比0%AZO小,說明摻雜抑制AZO晶粒生長。
圖5 0%AZO和4.98%AZO的SEM圖
2.3氣敏特性分析
圖6為測試電路原理圖。其中,R1是負載電阻,Vc是回路電壓,Vout是輸出電壓,Vh是加熱電壓,通過調整Vh來改變工作溫度。工作溫度由美國RAYTEK生產的MX2型紅外測溫儀測定。傳感器的靈敏度定義為S=Ro/Rs,其中Ro是測試元件在空氣中的電阻,Rs是元件在測試氣體中的電阻。
紅外測溫儀測得不同加熱電壓對應不同的工作溫度(4 V-60℃,4.5 V-70℃,5 V-80℃,5.5 V-100℃,6 V-125℃)。
圖6 測試電路原理圖
2.3.1對不同氣體的響應恢復
響應恢復特性是表征傳感器氣敏特性的重要指標。圖7是700℃退火4.98%AZO對不同氣體的響應恢復曲線,從圖中可以看出,10 s通入氣體后,輸出電壓均增加,說明AZO對多種氣體敏感,其中對丙酮的響應最明顯。
圖7 700℃退火4.98%AZO對不同氣體的響應恢復曲線
表1是4.98%AZO對不同氣體的靈敏度及響應、恢復時間。從表可以看出樣品對丙酮具有很好的選擇性,其靈敏度高,可達14 075,響應和恢復時間分別為1 s和3 s,均比其他氣體時間短。
表1 4.98%AZO對不同氣體的靈敏度及響應恢復時間
2.3.2工作溫度對氣敏特性的影響
針對丙酮,分別測試了不同摻雜量的樣品在不同加熱電壓下的響應恢復特性,研究摻雜對ZnO的丙酮氣敏性能的影響,靈敏度與加熱電壓的關系如圖8所示??梢钥闯?,隨著加熱電壓的增加,靈敏度先增加后減小。這說明最高的靈敏度對應合適的加熱電壓,當工作溫度太低時,AZO表面的吸附氧多為物理吸附,沒有發(fā)生氧化還原反應;當工作溫度過高時,在發(fā)生氧化還原反應之前,吸附在AZO表面的一部分氣體分子便解吸附,同樣不利于提高靈敏度[11]。
還可以從圖8觀察到,0%AZO樣品在加熱電壓為5.5 V(工作溫度100℃)時,靈敏度達到最高;而其他樣品的最高靈敏度對應的加熱電壓為4.5 V(工作溫度70℃),其中4.98%AZO靈敏度最高,這說明摻雜有助于提高ZnO靈敏度,降低工作溫度,從而降低傳感器功耗。
圖8 不同摻雜量AZO其靈敏度和加熱電壓的關系
2.3.3氣體濃度對氣敏的影響
圖9是4.98%AZO對不同濃度丙酮氣體的響應恢復特性曲線。從圖9可以看出,隨著丙酮濃度的增加,輸出電壓近似線性增加。氣體濃度從1 000×10-6增加到200×10-6,輸出電壓不再增加。這說明低濃度下,AZO表面對丙酮分子的吸附未達到飽和,隨著濃度的增加,吸附的丙酮增加,電阻改變的程度增加,輸出電壓增加。當氣體濃度增加到1000×10-6后,表面吸附達到飽和,電阻幾乎不再變化,輸出電壓也不再增加。
圖9 4.98%AZO對不同濃度丙酮氣體的響應恢復特性曲線
2.3.4紫外光激發(fā)對氣敏的影響
4.98%AZO的禁帶寬度為3.44 eV,對應光激發(fā)的波長為紫外波段。采用激光光源為4 W的紫外燈,波長為350 nm~370 nm,測試紫外光激發(fā)對AZO的氣敏性能的影響。圖10為加熱電壓為4 V,黑暗條件和紫外光照射AZO對丙酮的響應恢復特性曲線。黑暗條件下,響應和恢復時間分別為3 s和8 s,而紫外光照射下,響應和恢復時間分別下降到1 s和3 s。紫外照射比黑暗條件下的初始輸出電壓高,這說明紫外照射提高了AZO的電導率。可以看出,加熱電壓較低時,紫外光激發(fā)使得AZO擁有良好的氣敏性能。紫外光激發(fā)降低了AZO的工作溫度,提高了靈敏度,有效地提升了AZO的氣敏性能。
圖10 黑暗條件和紫外光照射4.98%AZO對丙酮的響應恢復特性曲線
2.4氣敏機理分析
作為表面控制型氣敏材料,ZnO厚膜置于空氣中吸附空氣中的O2。由于氧的電子親和能較大,易于從ZnO導帶獲得電子,形成O2-,O-,O2-,成為表面受主態(tài),在晶界處形成一定高度的勢壘阻礙電子在晶粒間運動,導致載流子濃度降低,從而使ZnO的電阻率上升,使得ZnO電阻變大。反應過程如下[12]:
ZnO厚膜置于測試氣體(丙酮)中,丙酮與ZnO的吸附氧發(fā)生反應,同時釋放出電子,使得氧受主態(tài)濃度下降,從而降低晶粒間的勢壘,使得載流子密度增加,電導率增加,導致ZnO的電阻率下降。反應過程如下:
AZO受到等于或高于它禁帶寬度光子能量的紫外光照射時,導帶產生光生電子,光激發(fā)降低了內部晶粒勢壘高度,載流子濃度增加,光生電子與氧分子發(fā)生如下反應[13]:
光照引入的電子和空穴改變了材料體內缺陷的狀態(tài),改變了AZO表面的吸附能力,加強了其表面的化學吸附,從而使氣敏元件在較低溫度下,就對丙酮氣體具有較好的靈敏度。
利用溶膠凝膠法制備不同摻雜量的AZO,晶相均為六方纖鋅礦結構,且結晶粒徑隨著摻雜量的增加而減小。70℃工作溫度下,4.98%AZO對丙酮的靈敏度達到了14 075。紫外光激發(fā)下,4.98%AZO氣敏元件在60℃工作溫度時,對丙酮具有良好的靈敏度,響應和恢復時間均比黑暗條件下大大縮短,工作溫度也降低,使AZO具有優(yōu)異的氣敏性能。
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孟占昆(1989-),男,河北石家莊人,在讀碩士研究生,主要研究方向為敏感器件,292282385@163.com;
潘國峰(1968-),男,山西汾陽人,博士,教授,主要從事半導體材料、敏感器件研究,pgf@hebut.edu.cn。
EEACC:723010.3969/j.issn.1004-1699.2016.06.002
基于Al摻雜ZnO的丙酮氣敏傳感器以及紫外光激發(fā)對其氣敏性能的影響*
孟占昆,潘國峰*,侯慶忠
(河北工業(yè)大學電子信息工程學院,天津300130)
采用溶膠凝膠法制備的Al摻雜ZnO納米粉末(AZO)。利用X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)表征樣品的晶體結構和表面形貌。采用浸漬提拉法將該樣品制成旁熱式氣體傳感器,檢測其對不同氣體的響應恢復特性。結果表明:Al摻雜ZnO表面粗糙,Al的摻雜能夠抑制ZnO晶粒增長。當工作溫度為70℃、濕度為27%RH時,4.98wt.%Al摻雜ZnO對丙酮氣體具有很好的選擇性,電阻靈敏度達到了14 075,響應和恢復時間分別為1 s和3 s。紫外光照射可明顯提高傳感器的氣敏特性,并降低工作溫度。
氧化鋅;金屬氧化物;氣敏性能;紫外光激發(fā)
TP212
A
1004-1699(2016)06-0797-05
2015-10-23修改日期:2016-02-17
項目來源:國家科技重大專項課題基金項目(2009ZX02308-004);國家科技重大專項子課題基金項目(2016ZX02301003-004-007)