王 玉,郭帝江,趙曉明,周曉軍
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所,山西 太原 030024)
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先進(jìn)封裝中的剪切電鍍
王玉,郭帝江,趙曉明,周曉軍
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所,山西 太原 030024)
摘要:介紹了先進(jìn)封裝中的剪切電鍍單元及工作原理,對(duì)剪切電鍍對(duì)于電鍍效率以及鍍層均勻性的影響進(jìn)行了探討。
關(guān)鍵詞:剪切電鍍;擴(kuò)散邊界層;電鍍效率
1概述
采用電鍍的方法制作多層金屬結(jié)構(gòu)已經(jīng)在先進(jìn)封裝、晶圓級(jí)芯片尺寸封裝、倒裝芯片中得到廣泛應(yīng)用。從焊料凸點(diǎn)、銅柱、銅再分布層到3D封裝中TSV通孔填充等,每一種應(yīng)用都對(duì)電鍍工藝提出厚度均勻性、沉積平坦度、金屬粗糙度和避免有害空洞或雜質(zhì)等要求[1]。
剪切電鍍?cè)诮A處設(shè)計(jì)了剪切屏,剪切屏的快速移動(dòng)降低了晶圓表面流體擴(kuò)散邊界層的厚度,幫助溶液的三級(jí)電流分布效應(yīng),抑制晶粒過(guò)快生長(zhǎng),使獲得的鍍層均勻細(xì)密。同時(shí),擴(kuò)散邊界層厚度的降低,提高了極限擴(kuò)散電流,使得電鍍效率提高。
2剪切電鍍?cè)?/p>
根據(jù)擴(kuò)散傳質(zhì)理論,緊靠晶圓表面附近的溶液有一薄層叫擴(kuò)散邊界層(擴(kuò)散邊界層的液體流速小于溶液對(duì)流區(qū)液體流速),此層內(nèi)存在反應(yīng)粒子的濃度梯度,一般擴(kuò)散邊界層寬度大約10~100 μm。電鍍沉積的擴(kuò)散邊界層越薄,對(duì)流區(qū)與擴(kuò)散邊界層離子濃度差越小,產(chǎn)生三級(jí)電流分布效應(yīng),利于有機(jī)添加劑快速到達(dá)晶圓表面(有效防止高電流密度區(qū)所產(chǎn)生的過(guò)鍍),獲得的沉積鍍層越均勻[2]。同時(shí),擴(kuò)散邊界層厚度的降低,使得極限擴(kuò)散電流增大,提高電鍍速率。
圖1 沉積表面邊界層對(duì)沉積速率的影響
圖2 剪切電鍍?cè)硎疽鈭D
3剪切電鍍單元結(jié)構(gòu)
剪切電鍍單元包括以下部分:晶圓夾具和晶圓片、剪切屏和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、工藝腔體、溶液儲(chǔ)槽、循環(huán)管閥系統(tǒng)、陽(yáng)極及固定裝置、電鍍電源系統(tǒng)等。其中,晶圓夾具和晶圓片、剪切屏、工藝腔體、陽(yáng)極及固定裝置組成剪切電鍍單元主體。
圖3 剪切電鍍單元主體示意圖
3.1剪切屏
位于晶圓支架兩側(cè)的兩個(gè)剪切屏連接在一起,由一對(duì)線性電機(jī)驅(qū)動(dòng),同時(shí)震蕩。線性馬達(dá)遵循計(jì)算運(yùn)動(dòng)軌跡。電機(jī)上下震蕩時(shí)觀察空轉(zhuǎn)發(fā)現(xiàn),運(yùn)動(dòng)行程的長(zhǎng)度不斷變化著。這可以防止在溶液中形成駐波,導(dǎo)致電鍍晶圓上形成虛幻“圖像”。每個(gè)電鍍單元的左右線性電機(jī)互相連接。
剪切屏攪動(dòng)電鍍單元中緊靠晶圓表面附近的化學(xué)溶液,促使渡槽內(nèi)電鍍面上的溶液充分混合,有利于提高電鍍質(zhì)量和產(chǎn)量:
· 電鍍更均勻
· 攪動(dòng)使電鍍速率更高
· 攪動(dòng)去除電鍍過(guò)程中產(chǎn)生的截留的氣體,這些氣體阻礙沉積作用。
3.2工藝槽體
工藝槽體的附屬裝置主要包括:
· 循環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)
· 即熱式加熱及溫控系統(tǒng)
· 直流導(dǎo)電系統(tǒng)
· 液位檢測(cè)系統(tǒng)
控制系統(tǒng)主要包括:
· 電鍍電流、電壓調(diào)節(jié)
· 電鍍時(shí)間控制
· 鍍液溫度自動(dòng)控制
· 循環(huán)過(guò)濾控制
· 鍍液溫度自動(dòng)控制系統(tǒng)由溫控儀和PT100制式熱電阻組成,熱電阻外包聚四氟乙烯套管保護(hù)
· 鍍槽配套循環(huán)過(guò)濾系統(tǒng),循環(huán)泵采用電磁離心泵,配合相應(yīng)濾筒及濾芯
3.3陽(yáng)極
電鍍單元中被電鍍的晶圓連接到直流電鍍電源的負(fù)端(陰極),同時(shí)金屬陽(yáng)極連接到電源的正端(陽(yáng)極)。陰極和陽(yáng)極之間的空間填充有電鍍化學(xué)溶液。電流通過(guò)陽(yáng)極和化學(xué)溶液流向晶圓,形成電鍍。
根據(jù)使用的電鍍技術(shù)的不同,電鍍單元具有一種或兩種類型的陽(yáng)極:消耗型或被動(dòng)型(即非消耗型)。消耗性陽(yáng)極在電流流動(dòng)的作用下逐漸腐蝕。陽(yáng)極的正電荷離子溶解到化學(xué)溶液中,通過(guò)鍍槽向帶負(fù)電荷的陰極移動(dòng),并最終沉積在陰極(晶圓)表面。被動(dòng)型陽(yáng)極作為簡(jiǎn)單的電鍍電氣端子,使電流在電鍍單元中流動(dòng)。
隨著時(shí)間的推移,被動(dòng)型陽(yáng)極不被消耗或腐蝕。為了確保被動(dòng)型陽(yáng)極不與偶爾的侵蝕性電鍍液發(fā)生反應(yīng),被動(dòng)型陽(yáng)極通常鈦金屬制造,固體或網(wǎng)眼,鍍覆一層鉑(鍍鉑電極)或鈮。
3.4晶圓夾具
晶圓夾具主要包括:
1) 用于晶圓片密封的密封圈;
2) 吹氣孔、溝(用來(lái)保證晶圓片密封及平正);
3) 用于CRS接觸密封環(huán)連接的導(dǎo)電彈性鋼圈;
4) 內(nèi)部設(shè)有陰極導(dǎo)電槽(預(yù)埋密封導(dǎo)電條、推動(dòng)片,密封導(dǎo)電條經(jīng)推動(dòng)片同導(dǎo)電彈性鋼圈連接)及吹氣用氣體通道。
3.5CRS接觸密封環(huán)結(jié)構(gòu)原理
外面為氟橡膠密封環(huán),對(duì)晶圓起到主要的密封作用,其內(nèi)部通過(guò)注塑型式預(yù)埋接觸導(dǎo)電片,導(dǎo)電片上有鎖栓(主要
是與導(dǎo)電彈性鋼圈上的鎖孔互鎖起到電流導(dǎo)通及密封)、導(dǎo)電觸頭(均勻分布于接觸密封環(huán)上并在裝晶圓時(shí)與晶圓接觸并對(duì)晶圓通電),鎖栓與導(dǎo)電觸頭為一體,材質(zhì)采用鈦材。
內(nèi)部密封導(dǎo)電結(jié)構(gòu)主要有導(dǎo)電條、推動(dòng)片,其材質(zhì)選用鈦材,導(dǎo)電條上端與不銹鋼接觸活塞觸點(diǎn)連接。
圖4 CRS接觸密封環(huán)結(jié)構(gòu)原理圖
4剪切電鍍工藝
磁力循環(huán)泵將儲(chǔ)槽內(nèi)的溶液經(jīng)過(guò)過(guò)濾裝置、熱交換器進(jìn)入主體底部,溶液從主體底部上升與晶圓片接觸,在此過(guò)程中,給晶圓片、陽(yáng)極接通電源系統(tǒng),同時(shí)移動(dòng)剪切屏,完成晶圓的電鍍過(guò)程。
通過(guò)研究晶圓電鍍單元的三次電流分布,計(jì)算三次電流分布時(shí)考慮了溶液被剪切屏攪動(dòng)的流體動(dòng)力[3]。獲得的晶圓三次電流密度分布以及離子濃度分布表現(xiàn)為震蕩波形式,表明了剪切屏攪動(dòng)對(duì)于電流分布有很大的影響。并且分析發(fā)現(xiàn)晶圓與剪切屏之間的距離決定了晶圓三次電流分布的震蕩幅度。
通過(guò)晶圓與剪切屏之間距離的研究可以幫助我們控制晶圓上的電流分布,從而在將來(lái)更進(jìn)一步地改進(jìn)電鍍單元上鍍層的品質(zhì)。
5結(jié)束語(yǔ)
通過(guò)在晶圓附近處增加剪切屏的快速移動(dòng),降低了擴(kuò)散邊界層厚度,提高了極限擴(kuò)散電流,使得沉積速率加快,從而提高了電鍍效率,并且使鍍層均勻細(xì)致。
參考文獻(xiàn)
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Shear Plating of the Advanced Packaging
Wang Yu, Guo Dijiang, Zhao Xiaoming, Zhou Xiaojun
(The2ndResearchInstituteofCETC,TaiyuanShanxi030024,China)
Abstract:The paper introduces the shear plate unit and the working principle of the advanced packaging, then makes a discussion on the effect of shear plating for plating efficiency and uniformity of the coating.
Key words:shear plating; diffusion boundary layer; plating efficiency
收稿日期:2016-03-09
作者簡(jiǎn)介:王玉(1986- ),男,山西臨汾人,助理工程師,碩士,主要從事濕法處理專用設(shè)備的研發(fā)工作。
文章編號(hào):1674- 4578(2016)03- 0025- 02
中圖分類號(hào):TN405
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A