蚌埠學(xué)院 唐立飛 李瑜慶
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ZrN力學(xué)性質(zhì)與電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究
蚌埠學(xué)院 唐立飛 李瑜慶
【摘要】采用基于密度泛函理論的第一性原理方法對(duì)B1-ZrN的彈性性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行理論計(jì)算,通過(guò)計(jì)算得到多晶體的體模量、切變模量及楊氏模量。 結(jié)果表明:B1-ZrN彈性模量比較高是由于sp 軌道雜化程度比較高引起的。
【關(guān)鍵詞】第一性原理;ZrN;力學(xué)性質(zhì);電子結(jié)構(gòu)
ZrN (氮化鋯)不但具有過(guò)渡金屬氮化物的一系列有益的性能,如高硬度[1]、耐磨損[2]等,而且還具有金屬光澤,可廣泛由于名貴飾品的保護(hù)涂層。ZrN還具有良好的導(dǎo)電性,被廣泛應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射器件和微電子領(lǐng)域。ZrN 薄膜擁有廣泛的應(yīng)用前景,并且在工業(yè)上已經(jīng)具有廣泛的應(yīng)用,但實(shí)際生產(chǎn)時(shí)對(duì)其性能的控制主要以經(jīng)驗(yàn)為主,仍缺乏完善的理論依據(jù),有必要對(duì)其性能做進(jìn)一步的研究,探索膜結(jié)構(gòu)和性能之間的聯(lián)系。
1.1 計(jì)算方法
計(jì)算采用基于第一性原理密度泛函理論的CASTEP 軟件包完成。為了提高計(jì)算的準(zhǔn)確性,電子間的交換關(guān)聯(lián)能選擇廣義梯度近似(GGA)的Perdew-Burke-Ernzerhof來(lái)處理。在結(jié)構(gòu)模型的優(yōu)化與馳豫中,采用BFGS(broyden fletcher goldfarb shanno)算法。收斂性測(cè)試表明平面波截止能選取為 450 eV、Brillouin 區(qū)的K點(diǎn)取7×7×7即可保證總能量的收斂。自洽收斂精度設(shè)為2.0×10-6eV/atom,原子間的相互作用力收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為5.0×10-4eV/A,晶體內(nèi)應(yīng)力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.02GPa。
1.2 晶體結(jié)構(gòu)與模型
ZrN為NaCl(B1)結(jié)構(gòu),晶胞中原子坐標(biāo)分別為Zr(0,0,0)和N(0.25,0.25,0.25),B1-ZrN晶體結(jié)構(gòu)如圖 1所示。
圖1 B1-ZrN晶體結(jié)構(gòu)
2.1 彈性性質(zhì)
首先對(duì)ZrN晶胞進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,優(yōu)化后的晶格常數(shù)為4.618?,而實(shí)驗(yàn)值為4.58?[3],誤差為0.82%,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合的很好,說(shuō)明計(jì)算方法是可行的,所選取的參數(shù)是適當(dāng)?shù)摹?/p>
不同晶系的晶體具有不同數(shù)量的獨(dú)立彈性常數(shù)。對(duì)于立方晶系,C11、C12和C44是3個(gè)獨(dú)立的彈性常數(shù)。晶體穩(wěn)定需滿(mǎn)足穩(wěn)定性判據(jù)C11>|C12|、C44>0和C11+2C12>0;計(jì)算時(shí)首先B1-ZrN晶胞進(jìn)行優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上計(jì)算其彈性常數(shù),計(jì)算的彈性常數(shù)如表1所示。從表中可以看出,B1-ZrN的彈性常數(shù)滿(mǎn)足力學(xué)穩(wěn)定性判據(jù),表明 B1-ZrN晶體在力學(xué)上是穩(wěn)定的,且該計(jì)算結(jié)果與其他理論計(jì)算值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本相符。
表1 B1-ZrN的彈性常數(shù)
通過(guò)前面計(jì)算出彈性常數(shù),可以計(jì)算得到B1-ZrN的彈性性質(zhì)參數(shù),如體模量B、切變模量G、楊氏模量(彈性模量)E、泊松比υ等。彈性性質(zhì)計(jì)算結(jié)果如表2所示。
表2 B1-ZrN的體模量B、切變模量G、楊氏模量E
2.2 電子結(jié)構(gòu)
為了揭示B1-ZrN彈性性質(zhì)的物理本質(zhì),又計(jì)算了B1-ZrN的能帶(band structure)、總態(tài)密度(density of states)和分態(tài)密度(partial sensity of states)。B1-ZrN的能帶和態(tài)密度如圖2所示。圖中,F(xiàn)ermi能的位置是能量值為0 eV的位置。在圖中可以明顯地看出,B1-ZrN的總態(tài)密度均由s軌道和p軌道雜化而成,s軌道在遠(yuǎn)離費(fèi)米面的低能成鍵區(qū)域起主導(dǎo)作用,而在-10 eV以上的區(qū)域,p軌道起主導(dǎo)作用。其中,B1-ZrN的sp軌道雜化程度比較高,這決定了c-BN的彈性模量比較高。
圖2 B1-ZrN的能帶和態(tài)密度
B1-ZrN的體模量和楊氏模量分別為213GPa和378GPa,比較高,是由于B1-ZrN 的sp軌道雜化程度比較高。
參考文獻(xiàn)
[1]C.Brugnoni,et al.,Evaluation of the wear resistance of ZrN coatings using thin layer activation[J].Surf.Coat.Technol.,1998,100-101﹕23-26.
[2]C.-S.Chen,et al.,Influence of substrate bias on practical adhesion,toughness,and roughness of reactive dc-sputtered zirconium nitride films[J].J.Vac.Sci.Technol.A,2004,22﹕2041-2047.
[3]A.F.Guillermet,et al.,Phys.Rev.B 45(1992)﹕11557.
[4]Meenaatci A T A et al.,Pressure induced phase transition of ZrN and HfN﹕A first principles study[J].J.at.mol.sci,2013,4(4)﹕321-335.
[5]Chen,X.-J.,et al.,Hard superconducting nitrides,Proc.Nat.Acad. Sci.,102,3198-3201,2005.
基金項(xiàng)目:國(guó)家級(jí)大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練計(jì)劃項(xiàng)目(201411305030)。